模拟电子电路基础 第2章

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电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案

电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案
3.放大区 、 、
七、
1.电容C的位置错,可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路:
微变等效电路:
九、解:
1. 、 、
2.交流负载线:过Q点,与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ;到截止区的最大 。因此这道题要出现失真,应该是饱和失真,答同时出现也可以。
二、选择题
1.B,A,A2.B,A3.A,B,C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是:
观察放大电路的波特图。当 时,若幅频响应曲线在零点以下,则电路稳定;否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应引入C
(2)为了实现电流-电压转换,应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力,应引入A
(4)为了实现电流放大,应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈?
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈?
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈

模拟电子技术基础课后习题答案

模拟电子技术基础课后习题答案

第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)(总13页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--6第2章 半导体三极管及其基本放大电路一、填空题2.1 BJT 用来放大时,应使发射结处于 偏置,集电结处于 偏置;而工作在饱和区时,发射结处于 偏置,集电结处于 偏置。

2.2 温度升高时,BJT 的电流放大系数β ,反向饱和电流CBO I ,发射结电压BE U 。

2.3用两个放大电路A 和B 分别对同一个电压信号进行放大,当输出端开路时,O B O A U U =;都接人负载L R 电阻时,测得O B O A U U 〈,由此说明,电路A 的输出电阻比电路B 的输出电阻 。

2.4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选用组态;若希望带负载能力强,应选用 组态;若希望从信号源索取电流小,应选用 组态;若希望高频性能好,应选用 组态。

2.5 FET 是通过改变 来改变漏极电流(输出电流)的,所以它是一个 器件。

2.6 FET 工作在可变电阻区时,D i 与D S u 基本上是 关系,所以在这个区域中,FET 的d 、s 极间可以看成一个由GS u 控制的 。

2.7 FET 的自偏压电路只适用于 构成的放大电路;分压式自偏压电路中的栅极电阻S R 一般阻值很大,这是为了 。

二、选择正确答案填写(只需选填英文字母)2.8 BJT 能起放大作用的内部条件通常是:(1)发射区掺杂浓度 (a 1.高,b 1.低,c 1.一般);(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a 2.高,b 2.低,c 2.相同),基区宽度(a 3.高,b 3.窄,c 3.一般);集电结面积比发射结面积 (a 4.大,b 4.小,c 4.相等)。

2.9 测得BJT I B =30μA 时,I C = mA ;I B =40μA 时,I C =3 mA ,则该管的交流电流放大系数β为 (a .80,b .60,c .75)。

《模拟电子技术基础》习题课1-2章-概念

《模拟电子技术基础》习题课1-2章-概念
三种基本组态放大电路特性与分析
三种组态为:BJT的共射、共基、共集 FET的共源、共栅、共漏
BJT
FET
差放
共射 共射 共集 共基 共源 共漏 共栅 差模 共模 (带反馈Re)
微变等效电路
p74
Ri
Ro
Av
15
模拟电路习题课(一)
共射小信号(微变)等效分析 输入电阻、输出电阻和增益
Ri
vi ii
rbe // Rb
Av
vo vi
(1 1)R'L rbe (1 1)R'L
1
R'o
rbe
1 1
//
rce1
rbe
1 1
Ro R'o // ro2 R'o
共集放大器的Ri比共射大很多
电压放大倍数接近于1(小于1)因此称为射随器
共集放大器的Ro比共射的小很多
17
模拟电路习题课(一)
共基小信号(微变)等效分析
R'i
U
反向击穿 电压VBR
2
二极管的电阻
模拟电路习题课(一)
直流等效电阻 RD:
RD
VD ID
交流(动态)电阻 rd:
rd
(
diD dvD
)Q1
2vd 2id
rd
(
diD dvD
)Q1
VT ID
3
模拟电路习题课(一)
共射(共E)BJT工作原理
以发射极(E极)作为公共端,EB结正偏,CB结反偏。
iC
参见 P12 图1.3.4
7
3. 饱和区
vCE<vBE vCB<0
4
集电结正偏

模拟电路第二章 放大电路基础

模拟电路第二章 放大电路基础

模拟电路第二章放大电路基础模拟电路第二章放大电路基础第2章放大电路基础2.1教学要求1、掌握放大电路的组成原理,熟练掌握放大电路直流通路、交流通路及交流等效电路的画法并能熟练判断放大电路的组成是否合理。

2、熟识理想情况下放大器的四种模型,并掌控增益、输入电阻、电阻值等各项性能指标的基本概念。

3、掌握放大电路的分析方法,特别是微变等效电路分析法。

4、掌控压缩电路三种基本组态(ce、cc、cb及cs、cd、cg)的性能特点。

5、介绍压缩电路的级间耦合方式,熟识多级压缩电路的分析方法。

2.2基本概念和内容要点2.2.1压缩电路的基本概念1、放大电路的组成原理无论何种类型的压缩电路,均由三大部分共同组成,例如图2.1右图。

第一部分就是具备压缩促进作用的半导体器件,例如三极管、场效应管,它就是整个电路的核心。

第二部分就是直流偏置电路,其促进作用就是确保半导体器件工作在压缩状态。

第三部分就是耦合电路,其促进作用就是将输出信号源和输入功率分别相连接至压缩管及的输出端的和输入端的。

(1)偏置电路①在分立元件电路中,常用的偏置方式存有压强偏置电路、自偏置电路等。

其中,分后甩偏置电路适用于于任何类型的放大器件;而自偏置电路只适合于用尽型场效应管(如jfet及dmos管)。

42输出信号耦合电路耦合电路输入功率t偏置电路外围电路图2.1下面详述偏置电路和耦合电路的特点。

②在集成电路中,广泛采用电流源偏置方式。

偏置电路除了为压缩管提供更多最合适的静态点(q)之外,还应当具备平衡q点的促进作用。

(2)耦合方式为了保证信号不失真地放大,放大器与信号源、放大器与负载、以及放大器的级与级之间的耦合方式必须保证交流信号正常传输,且尽量减小有用信号在传输过程中的损失。

实际电路有两种耦合方式。

①电容耦合,变压器耦合这种耦合方式具有隔直流的作用,故各级q点相互独立,互不影响,但不易集成,因此常用于分立元件放大器中。

②轻易耦合这是集成电路中广泛采用的一种耦合方式。

模拟电子技术基础2 6 7章课后答案

模拟电子技术基础2 6 7章课后答案
>VZ
说明稳压管DZ已经导通,假定不正确,V0=VZ=6V。
由于IZmin<IZ<IZmax,说明稳压管DZ已经导通,并且能正常工作。
(2)当负载开路时,稳压管中的电流等于限流电阻中的电流,即
>IZmax
稳压管将因功耗过大而损坏。
2-16在测试电流为28mA时稳压管的稳压值为9.1V,增量电阻为5Ω。求稳压管的VZO,并分别求电流为10mA和100mA时的稳压值。
解:(1)根据
其中
(2)如果流向负载的电流为1mA,则流过二极管的电流为

所以输出电压的变化为:
2-7在题2-7图所示电路中,设二极管为理想的,试判断图中各二极管是否导通,并求VAO值。
解:根据题意,电路中的二极管都是理想的。
(a)二极管D不通
(b)D导通
(c)D1导通,D2不通
(d)D1、D2均导通,则
(3)求该放大器的通频带 。
(4)放大器输入信号 时,是否会产生频率失真?请说明原因。
(5)放大器输入信号 时,是否会产生频率失真?请说明原因。
答:
(1)
(2) ,
(3)
(4)单一频率的信号,不会产生频率失真;
(5)不同频率信号的放大倍数不同,会产生频率失真
6-10已知某放大电路的的电压放大倍数为 。
(1)求解 ;
(2)画出波特图。
答:
6-11已知某放大电路的波特图如图P6-11所示,试写出电压放大倍数 的表达式。
图P6-11
答:
6-12阻容耦合放大器幅频特性如图P6-12,问:
图P6-12
(1)给放大器输入 , 的正弦信号时,输出电压 为多少?
(2)给放大器输入 , 的正弦信号时,输出电压 为多少?

《模拟电子技术基础》第三版习题解答第2章 基本放大电路题解

《模拟电子技术基础》第三版习题解答第2章 基本放大电路题解

第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。

(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

()解:(1)×(2)√(3)×(4)×(5)√(6)×(7)×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图T2.2解:(a)不能。

因为输入信号被V B B短路。

(b)可能。

(c)不能。

因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。

(d)不能。

晶体管将因发射结电压过大而损坏。

(e)不能。

因为输入信号被C2短路。

(f)不能。

因为输出信号被V C C短路,恒为零。

(g)可能。

(h)不合理。

因为G-S间电压将大于零。

(i)不能。

因为T截止。

三、在图T2.3所示电路中, 已知V C C =12V ,晶体管的β=100,'b R =100k Ω。

填空:要求先填文字表达式后填得数。

(1)当iU =0V 时,测得U B E Q =0.7V ,若要基极电流I B Q =20μA , 则'b R 和R W 之和R b= ≈ k Ω;而若测得U C E Q =6V ,则R c = ≈ k Ω。

(2)若测得输入电压有效值i U =5mV 时,输出电压有效值'o U =0.6V , 则电压放大倍数uA = ≈ 。

若负载电阻R L 值与R C 相等 ,则带上负载图T2.3 后输出电压有效值o U = = V 。

模拟电子技术基础第二章练习题

模拟电子技术基础第二章练习题

模拟电⼦技术基础第⼆章练习题注意:答案仅供参考!⼀、填空题1. 半导体三极管属于电流控制器件,⽽场效应管属于电压控制器件。

2. 放⼤器有两种不同性质的失真,分别是线性失真和⾮线性失真。

3. 共射极放⼤电路中三极管集电极静态电流增⼤时,其电压增益将变⼤;若负载电阻R L 变⼩时,其电压增益将变⼩。

4. 单级共射极放⼤电路产⽣截⽌失真的原因是静态Ic 偏⼩;产⽣饱和失真的原因是 Ic 偏⼤;若两种失真同时产⽣,其原因是输⼊信号太⼤。

5.静态⼯作点Q 点⼀般选择在交流负载线的中央。

6.静态⼯作点Q 点选得过低会导致截⽌失真;Q 点选得过⾼会导致饱和失真。

7.对于下图所⽰电路,设V CC =12V ,R b =510k Ω,R c =8 k Ω,V BE =,V CE (sat )=,当β=50,静态电流I BQ = 22µA ,I CQ = ,管压降V CEQ = ;若换上⼀个当β=80,静态电流I BQ = 22µA ,I CQ = ,管压降V CEQ = ,三级管⼯作在饱和状态。

8.对于下图所⽰电路,设V CC =12V ,三级管β=50,V BE =,若要求静态电流I CQ =2mA ,V CEQ =4V ,则电路中的R b = k Ω,R C = 4 k Ω。

9.对于下图所⽰电路,已知VCC =12V,Rb1=27 kΩ,Rc=2 kΩ,Re=1 kΩ,VBE=,现要求静态电流ICQ =3mA,则R= 12 kΩ。

10.已知图⽰的放⼤电路中的三级管β=40,VBE =,稳压管的稳定电压VZ=6V,则静态电流IBQ = ,ICQ= 11mA ,管压降VCEQ= 3V 。

11. 当环境温度升⾼时,三极管的下列参数变化的趋势是:电流放⼤系数β增⼤,穿透电流ICEO 增加,当IB不变时,发射结正向压降|UBE| 减⼩。

12.若下图所⽰放⼤电路在冬天调试时能正常⼯作,当到了夏天后,发现输出波形失真,且幅度增⼤,这时发⽣的失真是饱和失真,失真的主要原因是由于夏天室温升⾼后,三级管的 ICBO 、 V和β三个参数的变化,引起⼯作点上移;输出波形幅度增⼤,则是因为β参数随温度升⾼⽽增⼤所造成,输出波形幅度增⼤也是引起失真的⼀个原因。

(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结

(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

《模拟电子技术基础》第三版习题解答第2章-基本放大电路题解

《模拟电子技术基础》第三版习题解答第2章-基本放大电路题解

假期就快到了你有什么计划的英语作文The Best Summer Vacation Ever!Summertime is finally here, and that means no more school for a couple of months! I've been counting down the days until summer vacation. No more homework, no more tests, no more getting up super early. Just sleeping in, playing outside, and having fun!This summer is going to be the best one yet. My family and I have so many awesome plans. First up, we're going to the beach for a whole week! We rented a beach house right on the ocean. I can't wait to swim in the waves, build sandcastles, and try to catch crabs in the tidal pools. Maybe I'll even learn how to surf! My parents said if the weather is good, we'll take a boat out and try fishing too. I really hope I can catch a big fish. That would be so cool!After our beach trip, my cousins are coming to visit us for a few weeks. We're all pretty close in age so we have a total blast when we're together. I'm sure we'll have huge games ofhide-and-seek and tag in the backyard. We might even set up a camp out there and sleep in tents! My dad promised to build us an epic fort too. With blankets and pillows everywhere, it will beour super cool hangout spot. We'll tell spooky stories, play video games, and eat junk food all night long. Having a sleepover that lasts for weeks sounds like heaven to me!My favorite part of summer though is going to sleep-away camp. I get to spend two whole weeks at Camp Wildwood doing all the activities I love. Horseback riding, canoeing, zip-lining, archery - we get to do it all! The mess hall has delicious food too, way better than the stuff they serve at school. I'm especially excited for the big camp dance at the end where we get to dress up fancy. Campfires and s'mores, silly skits, color wars...it's going to be such an incredible experience.I've been going to Camp Wildwood since I was six years old, so a lot of my best friends will be there. We always have an awesome time hanging out together without our parents or teachers around. We stay up late, play pranks, and just get to be kids without any grown-ups nagging us. I'm a little nervous about the high ropes course they added this year, but I know my friends will be there to cheer me on. I can't wait to make more magical memories!When I get back from camp, my family is taking me to an amusement park for my birthday! We're going to Six Flags and they said I can go on any ride I want, even the huge rollercoasters. I've been counting down to finally being tall enough to ride the massive Superman coaster. Just imagining how fast it goes and all the loops makes my heart race with excitement! Hopefully I'm brave enough and don't chicken out at the last second. All my friends who have been on it say it's out of this world awesome. There's also a new water park section that I'm dying to check out. Those hugely tall water slides look so terrifying but fun at the same time.As if that's not enough fun already, we're also going to visit my grandparents out in Colorado for a bit. They live on this beautiful ranch surrounded by mountains. We'll go hiking, fishing at the lake, and look for wildlife like elk and bears. My grandpa promised to take me horseback riding too! I can't wait to trot along the trails while taking in the fresh pine-scented air. Every night we'll cozy up by the fireplace and roast marshmallows. Getting to run around in the great outdoors like that is my definition of the perfect vacation.When we finally return home, my friends and I are determined to have the most epic backyard waterpark day ever! We're going to set up tons of sprinklers, slip 'n slides, and have crazy water balloon fights. Maybe we can even construct a makeshift waterslide or pool out of tarp! I'll make my famouslemonade and we can indulge in popsicles galore. Spending a day just splashing around with my besties will be the ideal way to beat the summer heat. We'll play until we're pruney and exhausted, making memories that will last forever.I've been dreaming of this summer for months now. Between beach adventures, camp shenanigans, amusement park thrills, and outdoor exploration, it's guaranteed to be an absolute blast! No more teachers, no more books - just non-stop fun and freedom. This is what being a kid is all about. I can't wait to wake up each morning bursting with excitement over what amazing activities the new day will bring. These next couple months are going to be legendary. A whole summer spent making fabulous memories and having the time of my life? Sounds perfect to me!。

模拟电子技术课后习题答案第二章交流放大电路基础答案

模拟电子技术课后习题答案第二章交流放大电路基础答案

习题2-1 如图2-51所示,判断三极管处于截止、放大还是饱和状态? 解:a 放大状态。

b 饱和状态。

c 截止状态。

d 放大状态。

2-2 在电路中,三极管各管脚对地电位,试分析三极管A 、B 、C 各是什么电极,该管是NPN 还是PNP ,硅管还是锗管?(1)U A =3.8V ,U B =3.1V ,U C =8V ; (2)U A =7.2V ,U B =7V ,U C =3V 。

解:(1)A 是三极管基极;根据三极管发射结正偏,导通的特点,导通压降为0.7V ,则B 是三极管发射极,C 是三极管集电极;该管是NPN 型硅管。

(2)B 是三极管基极;根据三极管发射结正偏,导通的特点,导通压降为0.2V ,则A 是三极管发射极,C 是三极管集电极;该管是PNP 型锗管。

2-3 某三极管的极限参数I CM =20mA ,P CM =100mW ,U (BR )CEO =15V ,试分析下列条件下,三极管能否正常工作?(1)I C =15m A ,U CE =8V ; (2)I C =19mA ,U CE =3V ; (3)I C =30mA ,U CE =4V 。

解:(1)U CE =8V <U (BR )CEO ,I C =15mA <I CM ,P C =U CE I C =120mW >P CM ,所以不能正常工作。

(2)U CE =3V <U (BR )CEO ,I C =19m A <I CM , P C =U CE I C =57mW <P CM ,所以能正常工作。

(3)U CE =4V <U (BR )CEO ,但I C =30mA >I CM ,所以不能正常工作。

2-4试判断图2-52中各电路有无放大作用,简单说明理由。

图2-51 习题2-1图abcd2V解:a 无放大作用。

电源极性与三极管不符。

b 无放大作用。

I B =0。

c 无放大作用。

交流通路输入短路。

d 无放大作用。

西安交通大学-赵进全-模拟电子技术基础-第2章全篇

西安交通大学-赵进全-模拟电子技术基础-第2章全篇
1.当RL=∞时
在输入回路
uBE=UBE+ui
uBE波形图
iB的波形图
工作点的移动
uBE波形图
(1) 信号的传递
已知Q
a
b
t
O
O
t
O
a. iB的形成过程
a
b
t
M
N
O
O
t
iB1
iB2
b. 输出波形
已知Q
已知 iB
工作点的移动
uCE波形图
iC波形图
输出电压uo
O
已知输入信号
小结
输出信号波形
饱和状态的特点
(3) 集电极饱和电压降UCES较小,小功率硅管为 0.3~0.5V 。
(5) UCE对IC的影响大,当UCE增大,IC将随之增加。
(4) 饱和时集电极电流
(2) IC=ICBO
3.发射结反向偏置、集电结反向偏置——截止状态
截止状态的特点
(1) 发射结反偏
(3) IB=-ICBO
输出电压uo与输入电压ui相位相反
(2) 如果静态工作点Q太低
工作点的移动
uBE波形图
a
b
已知Q
iB1
iB2
iB的波形图
a. 输入波形
a
b
iB1
iB2
已知Q
已知 iB
工作点的移动
uCE波形图
iC波形图
输出电压
b. 输出波形
截止失真
t
M
N
O
t
O
t
O
工作点的移动
uBE波形图
a
b
已知Q
iB1
iB2
2.对ICBO的影响

模拟电子电路及技术基础_第二版_答案_孙肖子_第2章

模拟电子电路及技术基础_第二版_答案_孙肖子_第2章


R10 R8 uo R9 R7
R6 ( R7 R8 ) ui2 ui1 R8 ( R5 R6 )
若满足R7=R5,R8=R6,则
uo R10 R8 ui2 ui1 R9 R7
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
解法二 因为A3、A4整体构成负反馈,所以有 U+=U- 其中
可见
式中
R2 R2 uo1 ui1 U M ui1 U M R1 R1 R6 1 UM UN ui2 ui2 R5 R6 2
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图 P2-4 (a) 电路图; (b) 波形图
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图P2-4′ 图P2-4(a)的分解图
S2闭合
S1闭合
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图 P2-3
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
2-4 理想运放组成的电路如图P2-4(a)所示,设输入信号 ui1为1 kHz正弦波,ui2为1 kHz方波,如图P2-4(b)所示,试求 输出电压和输入电压的关系式及波形。 解 将图P2-4所示电路分解为两级运算,如图P2-4′(a)、 (b)所示。
若满足R5=R7,R8=R6,则
R10 R8 uo (ui2 ui1 ) R9 R7
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
2-13 设计一个反相相加放大器,要求最大电阻值为300 kΩ,输入输出关系为uo=-(7ui1+14ui2+3.5ui3+10ui4)。 解 设计一个相加器,要求最大电阻为300 kΩ,选择电 路如图P2-13所示。 令Rf=300 kΩ,则
第二章 集成运算放大器的线性应用基础

模拟电子技术基础课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)2章 基本放大电路题解

模拟电子技术基础课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)2章 基本放大电路题解

基础课程教学资料第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。

(1)只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;()(2)可以说任何放大电路都有功率放大作用;()(3)放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;()(4)电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;()(5)放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;()(6)由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;()(7)只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

()解:(1)×(2)√(3)×(4)×(5)√(6)×(7)×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图T2.2解:(a)不能。

因为输入信号被V B B短路。

(b)可能。

(c)不能。

因为输入信号作用于基极与地之间,不能驮载在静态电压之上,必然失真。

(d)不能。

晶体管将因发射结电压过大而损坏。

(e)不能。

因为输入信号被C2短路。

(f)不能。

因为输出信号被V C C短路,恒为零。

(g)可能。

(h)不合理。

因为G-S间电压将大于零。

(i)不能。

因为T截止。

三、在图T2.3所示电路中, 已知V C C =12V ,晶体管的β=100,'b R =100k Ω。

填空:要求先填文字表达式后填得数。

(1)当iU =0V 时,测得U B E Q =0.7V ,若要基极电流I B Q =20μA , 则'b R 和R W 之和R b= ≈ k Ω;而若测得U C E Q =6V ,则R c = ≈ k Ω。

(2)若测得输入电压有效值i U =5mV 时,输出电压有效值'o U =0.6V , 则电压放大倍数uA = ≈ 。

若负载电阻R L 值与R C 相等 ,则带上负载图T2.3 后输出电压有效值o U = = V 。

电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版

电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版

《电路与模拟电子技术基础 习题及实验指导答案 第二版》第1章 直流电路一、填 空 题1.4.1 与之联接的外电路;1.4.2 1-n ,)1(--n b ;1.4.3 不变;1.4.4 21W ,负载;1.4.5 Ω1.65A , ;1.4.6 1A 3A , ; 1.4.7 3213212)(3)23(R R R R R R R +++=; 1.4.8 1A ;1.4.9 Ω4.0,A 5.12;1.4.10 电压控制电压源、电压控制电流源、电流控制电压源、电流控制电流源;1.4.11 3A ;1.4.12 3A ;1.4.13 Ω2;1.4.14 15V ,Ω5.4;1.4.15 V 6S =U 。

二、单 项 选 择 题1.4.16 C ; 1.4.17 B ; 1.4.18 D ; 1.4.19 A ;1.4.20 A ; 1.4.21 C ; 1.4.22 B ; 1.4.23 D 。

第2章一阶动态电路的暂态分析一、填 空 题2.4.1 短路,开路;2.4.2 零输入响应;2.4.3 短路,开路;2.4.4 电容电压,电感电流;2.4.5 越慢;2.4.6 换路瞬间;2.4.7 三角波;2.4.8 s 05.0,k Ω25; 2.4.9 C R R R R 3232+; 2.4.10 mA 1,V 2。

二、单 项 选 择 题2.4.11 B ; 2.4.12 D ; 2.4.13 B ;2.4.14 D ; 2.4.15 B ; 2.4.16 C 。

第3章 正弦稳态电路的分析一、填 空 题3.4.1 ︒300.02s A 10, , ; 3.4.2 V )13.532sin(25)(︒+=t t u ;3.4.3 容性, A 44;3.4.4 10V ,2V3.4.5 相同;3.4.6 V 30,20V ;3.4.7 A 44,W 7744;3.4.8 A 5;3.4.9 减小、不变、提高;3.4.10 F 7.87μ;3.4.11 20kVA ,12kvar -;3.4.12 不变、增加、减少;3.4.13 电阻性,电容性; 3.4.14 LC π21,阻抗,电流;3.4.15 1rad/s ,4;3.4.16 Ω10;3.4.17 P L U U =,P L 3I I =,︒-30; 3.4.18 P L 3U U =,P L I I =,超前。

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

模拟电子技术基础(第四版)习题解答

图 Pl.14
(a)
(b)
解图 Pl.14
8
解: 在场效应管的恒流区作横坐标的垂线 (如解图 Pl.14 (a)所示 ),读出其与各条曲 线交点的纵坐标值及 u G S 值,建立 i D f ( uG S ) 坐标系,描点,连线,即可得到转移 特性曲线,如 解图 Pl.14 (b) 所示。
1.15 电路如 图 P1.15 所示,T 的输出特性如 图 Pl.14 所示 ,分析当 u I =4V、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。
因此, u GD u GS u DS
2V ,小于开启电压,
说明假设成立,即 T 工作在恒流区。
当 u I =12V 时,由于 V DD 12V ,必然使 T 工作在可变电阻区。
图 Pl.15
l.16 分别判断 图 Pl.16 所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
(a)
(b)
(c)
图 P1.16
其动态电阻 : rD U T / I D 10
故动态电流的有效值: I d U i / rD 1m A
图 P1.4
1.5 现有两只稳压管,稳压值分别是 6V 和 8V,正向导通电压为 (1) 若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2) 若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?
U I 15V 时, U O
RL
UI
R RL
5V ;
图 Pl.6
U I 35 V 时, U O
RL
UI
R RL
11.7 V
U Z ,∴ U O U Z 6V 。
0.1 (2) 当负载开路时, I Z
UI UZ R
29 mA I Z max

《模拟电子技术基础》教案第二章基本放大电路(高教版)(中职教育).doc

《模拟电子技术基础》教案第二章基本放大电路(高教版)(中职教育).doc

第二章基本放大电路本章内容简介本章首先讨论半导体三极管(BJT )的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。

随后着重讨论BJT放大电路的三种组态,即共发射极、共集电极和共基极三种放大电路。

内容安排上是从共发射极电路入手,再推及其他两种电路,并将图解法和小信号模型法,作为分析放大电路的基本方法。

(一)主要内容:◊半导体三极管的结构及工作原理,放大电路的三种基本组态◊静态工作点Q的不同选择对非线性失真的影响◊用H参数模型计算共射极放大电路的主要性能指标◊共集电极电路和共基极电路的工作原理◊三极管放大电路的频率响应(二)教学要点:从半导体三极管的结构及工作原理入手,重点介绍三种基本组态放大电路的静态工作点、动态参数(电压增益、源电压增益、输入电阻、输出电阻)的计算方法,H参数等效电路及其应用。

(三)基木要求:◊了解半导体三极管的工作原理、特性曲线及主要参数◊了解半导体三极管放大电路的分类◊掌握用图解法和小信号分析法分析放大电路的静态及动态工作情况◊理解放大电路的工作点稳定问题◊掌握放大电路的频率响应及各元件参数对其性能的影响2.1半导体三极管(BJT)2.1.1BJT的结构简介:半导体三极管有两种类型:NPN型和PNP型。

结构特点:发射区的掺杂浓度最高;集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大;基区很薄,一般在几个微米至几十个微米,且掺杂浓度最低。

2.1.2BJT的电流分配与放大原理三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下,通过载流子传输体现出来的。

外部条件:发射结正偏,集电结反偏。

i B =(l_Q )x* a1-a 2.三极管的三种组态共发射极接法,发射极作为公共电极,用CE 表示。

共基极接法,基极作为 公共电极,用CB 表示。

共集电极接法,集电极作为公共电极,用CC 表示。

q =必耳=«厶=厶/⑴《)BJT 的三种组态4. 放大作用综上所述,三极管的放大作用,主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传 输,然后到达集电极而实现的。

高教版《模拟电子技术基础(第五版)课程讲义复习要点第2章教案4(2.5)

高教版《模拟电子技术基础(第五版)课程讲义复习要点第2章教案4(2.5)
(7) Ri 3K (× )
(8) Ri 1K (√)
(9) RO 5K (√)
(10)RO 2.5K (× )
(11) US 20mV (× )
(12) US 60mV (√)
2、 电路如图所示,已知晶体管=50,在下列情况下,用直流
电压表测晶体管的集电极电位,应分别为多少?设VCC=12V,
即从晶体管输入端看 进去等效为一个电阻 :
rbe
uBE = ube
iB
ib
近似计算得:
rbe
rbb
(1
)
26(mV) IEQ (mA)
式中: rbb ——为晶体管基区的体电阻,一般取100~300Ω。
IEQ ——是发射极电流的静态值,单位为mA。
⑵ 输出端口
观察:在静态工作点Q附近一个微小的范围内,输出特性曲 线具备什么特点?
• Au
式中 Ri Rb // rbe rbe
【例2-5-3】 在如图2.5.4(a)所示放大电路中,已知VCC=12V ,RB=370kΩ,RC=2kΩ,RE=2kΩ,RL=3kΩ,电流放大系数 β=80,rbe=1KΩ,UBEQ=0.7V,试求:
1、静态工作点; 2、动态参数:A&u、Ri 和 Ro
0.22mA
ICS
VCC UCES RC
2.2mA
I BS
ICS
0.045mA
T饱和,UC=UCES=0.5V。
(5)RC短路 UC=VCC =12V。
晶体管简化微变等效电路
2、用微变等效电路法分析放大电路动态参数
动态参数
(Au、Ri、Ro)
用交流等效电路法解题的步骤:
(1)画出交流通路;
(2)画出放大电路的微变等效电路;
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2.3.1 求和电路
多路信号处理是工程中经常遇到的情况,运放能很好地解决多路信号共同作用的问题。图 2.11 所示为三路信号输入的反相求和电路。
·12·
模拟电子电路基础
利用虚短v+ = v− = 0 ,虚断i− = 0 ,根据 KCL 定律,对反相输入端节点可写出方程i1 + i2 + i3 = i4 , 即
Ri
=
vi ii
=
vi i1
= R1
(2.8)
可以看到,反相组态的输入阻抗主要受到 R1 电阻取值的影响,一般都不会特别大(太大会导致
增益下降),因此反相组态不满足理想电压放大器条件,在
跟前级级联的时候,要考虑阻抗匹配问题。
3. 反相组态的输出电阻
根据输出电阻的定义,我们可以将电路做如下改动:
由图 2.7 可得,因为输入信号为零,因此运放内部的受
放大器。
理想运算放大器的特点:
(1)无限大开环增益;
(2)无限大共模抑制比或零共模增益;
(3)无限大输入阻抗;
(4)零输出阻抗;
(5)无限大带宽;
(6)零失调和零漂移。 理想运算放大器的等效电路模型如图 2.3 所示。
图 2.3 理想运算放大器的等效电路模型
2.2 集成运放线性基本运算电路
运算放大器要能进行线性运算,首先要保证工作在线性工作区。一般电压型运放的传输特性如
该电路结构属于典型的负反馈结构,因此作为电路中的核心放大器件,运放一定工作在线性工
作区,因此虚短和虚断同时成立。 1. 反相组态的增益 因为 v+ = v− = 0 ,所以反相输入端口也被称为“虚地点”,且图 2.6 所示的两个电流 i1 和 i2 的关系
为 i1 = i2 ,因此可以得到下面的方程:
根据上述情况,可用式(2.6)来描述。
若 vOmin / A < v+ − v− < vOmax / A ,则 vO = A(v+ − v− ) ;
图 2.4 电压型运放的传输特性
若 v+ − v− > vOmax / A ,则 vO = vOmax ; 若 v+ − v− < vOmin / A ,则 vO = vOmin 。
第 2 章 理想运算放大器及其线性应用
在放大器中有一类非常重要的单元电路——运算放大器(简称运放),它是模拟集成电路中应用 极为广泛的一种器件。这类器件可以对电信号进行线性运算,一般具有高增益、高输入阻抗和低输出 阻抗等特性,同时还能实现信号产生、滤波等多项处理功能。由于它具有多功能性,我们几乎可以用 运算放大器做任何事情。本章暂不讨论运算放大器内部电路结构,而是将其视为一个模块化的单元电 路来进行介绍,首先讨论理想运放模型以及它的端口特性,然后介绍其典型应用,并给出相应的电路 分析方法。这些应用和方法可以直接用于实际的电路设计与分析中。
相比较而言,这两种基本组态中,同相组态电路更适合做中间放大级,当然由于其理想的输入
输出特性,放在系统输入级和输出级都是很合适的。
4. 电压跟随器
在实际应用中,如果前级电路为高阻抗信号源,后级电路为低阻抗负载,那么在级联时就需要
进行阻抗匹配,常用的一种电路模块叫做跟随器。当输入、输出信号都为电压信号时,该类模块就叫
图 2.4 所示。
由图 2.4 可知,当输入信号差值在(vomin/A, vomax/A)范围内 时,可认为运放工作在线性工作区,此时输入信号差值和输出
信号之间满足式(2.1);当输入信号差值在(vomin/A, vomax/A)范 围外时,运放工作在非线性区,式(2.1)不再成立,这时根
据差值的符号性质,运放输出vomax或vomin。
R4 R5
⎞ ⎟⎠
R2 // R3 R1 + R2 // R3
vi1 ;
令 vi1
=
vi3
=
0 ,则 vo2
=
⎛⎜⎝1 +
R4 R5
⎞ ⎟⎠
R1 // R3 R2 + R1 // R3
vi2

令 vi1
=
vi 2
=
0 ,则 vo3
=
⎛⎜⎝1 +
R4 R5
⎞ ⎟⎠
R1 // R2 R3 + R1 // R2
电路在上述电阻取值条件下也称为差分放大器,有时也称为除同相组态和反相组态之外,运放的第三
种组态——差分组态。在差模输入条件下,可得流入vi2端口的电流等于流出vi1端口的电流,则该电路 的输入电阻为
Ri
=
vi2
− vi1 ii
=
R1
+ R2
=
2R1
(2.16)
由式(2.16)可知,输入电阻与差模增益之间的关系是一对矛盾关系,要保证较高的差模增益,
除求和电路外,求差电路也是一种常见的信号处理电
路。具体电路如图 2.13 所示。
从电路结构上看,该电路是反相组态和同相组态电路的
结合电路,因此,在理想运放条件下,由虚断和虚短概念可
以得到如下方程
i1
=
i2
,即
vi1
− R1
v−
=
v− − vo R2
i3
=
i4
,即
vi2 − R3
v+
=
v+ − 0 R4
0 − vi = vi − vo
R1
R2
第 2 章 理想运算放大器及其线性应用
·11·
图 2.8 同相组态电路
图 2.9 同相组态电路分析
所以,可以得到同相组态的增益表达式为
Av
=
vo vi
=1+
R2 R1
(2.10)
可以看到,增益表达式里面是不带负号的,说明输入、输出信号之间相位相同,因此这类电路
3 为输出端。理想运放的输入信号与输出信号之间满足关系式(2.1),其中 A 为放大器开环增益。
vo = A(v+ − v− )
(2.1)
待处理信号如果是从端口 1 送入的,则在端口 3 得到的输出信号应该会与输入信号反相;待处
理信号如果是从端口 2 送入的,则在端口 3 得到的输出信号应该会与输入信号保持同相。 首先介绍两个新的概念:差模信号和共模信号。对于任意一对待处理信号 v1 和 v2 ,其差模信号
(2.6)
当理想运放工作在线性区时,可以得到两个很有趣的结论:“虚短”和“虚断”。
v+
− v− A
= vO ,因为 A →∞ ,且 vO
为有限值,故 v+
≈ v− ,称为“虚短”;
又因为输入电阻 Ri → ∞ ,故 i+ ≈ i− = 0 ,称为“虚断”。
2.2.1 反相组态
反相组态电路如图 2.5 所示,这里采用了将在第 9 章详细阐述的负反馈技术。信号通过电阻R1送 入运放的反相输入端,同时这个端口上还并接着从输出端回馈回来的信号。
差模部分),而完全抑制输入信号的共模分量。因此,理想运算放大器本质上是差分放大器。
第 2 章 理想运算放大器及其线性应用
·9·
2.1 集成运放理想模型与分析方法
现在流行的集成运放芯片种类繁多,应用领域也很广,但几乎所有集成运放的基本特性是
相似的,这就为提出一个通用的电路模型以方便电路设计提供了可能。这种模型称为理想运算
叫做同相组态电路。另外,该组态放大器最小增益也应该为 1,因此无法实现衰减器的设计应用。
从增益表达式也可以看出,由于负反馈的作用,同相组态的增益几乎与运放的开环增益无关,
只与外接电阻比值有关,这就大大减少了电路设计时选择何种运放的麻烦。
2. 同相组态的输入电阻
因为运放的输入端口出现虚断,根据输入电阻的定义式,可以推导同相组态的输入电阻
vi1 + vi2 + vi3 = − vo
R1 R2 R3
R4

vo
=

R4 R1
vi1

R4 R2
vi2

R4 R3
vi3
(2.12)
由式(2.12)可知,该电路ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ以实现三路信号的加权加法处理。若 R1 = R2 = R3 = R4 ,则
vo = −(vi1 + vi2 + vi3 ) ,那么如果在图 2.11 后再接一级反相放大电路,就可以实现常规的加法运算。同
又 v+ = v− ,故可得到输入、输出关系表达式为
第 2 章 理想运算放大器及其线性应用
·13·
vo
=
⎛⎜⎝1 +
R2 R1
⎞ ⎟⎠
R4 R3 + R4
vi2

R2 R1
vi1
(2.14)
该表达式也可以通过叠加原理快速推导获得。 若要实现标准的减法运算,则要求得到形如 vo = A(vi2 − vi1) 的表达式,故可以令
vi3

故 vo
=
vo1
+ vo2
+ vo3
= ⎛⎜⎝1+
R4 R5
⎞⎛ ⎟⎠ ⎜⎝
R2 // R3 R1 + R2 // R3
vi1
+
R1 // R3 R2 + R1 // R3
vi2
+
R1 // R2 R3 + R1 // R2
vi3
⎞ ⎟⎠
(2.13)
2.3.2 求差电路
图 2.13 求差电路
图 2.7 反相组态电路求输出电阻
控源也为零,则从输出端口看进去的输出电阻为
Ro = ro //(R1 // ri + R2 )
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