模电期中试卷
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+V CC (+12V) Rb 270kΩ C1
T
Re 4.7kΩ Ri
C2 RL 3kΩ
vs
vi
vo Ro
7
U GS 七． （12 分）图示电路中场效应管的转移特性可表达为： I D = I DO − 1 ，其中 I DO U GS(th)
＝3mA， U GS(th) ＝2V，并已知电路静态时 I DQ ＝1mA， U DSQ ＝4V。 1． Rs 、 Rd 应取多大？ 2．求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻（电容的容抗忽略不计） 。
。
9．试判断图中复合管的接法哪些是错误的
1
2
3
4
10.
下图所示电路不能正常放大，图中错误连接有 B、电源 Vcc 的极性 C、 C2 的极性 D、 Ce 的极性
A、电容 C 的位置
4
四． （ 10 分）设图所示电路中，二极管为理想器件，输入电压由 0V 变化到 140V，试画出电 路传输特性曲线。
2
R g2 300kΩ Rg C1 1MΩ
+VDD (+16V) Rd C2
ui
R g1 100kΩ R s Ri
Cs
uo
RL 15kΩ
Ro
8
八、 （ 6 分）在如图所示 OCL 电路中，已知输入电压 u i 为正弦波，三极管 VT1 、 、VT 2 的电
流放大系数均为 30，饱和管压降 U CES = 2V ；三极管 VT 3 、VT 4 的电流放大系数均为 50； 所有三极管 b-e 之间的动态电压均可忽略不计， 偏置电路的动态电流可以忽略不计。 试求解： 1．负载电阻 R L 上可能得到的最大输出功率 Pom 2．当负载电阻 R L 上得到最大输出功率 Pom 时，电路输入电压有效值。
3．用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是 2V、6V、2.7V，则三个电极 分别是
。 A、 （B、C、 E） B、 （C、 B、 E） C、 （E、C、B）
） 。 1.3V 1.7V 1V
4．测得某硅晶体三极管的电位如图所示，判断管子的工作状态 是（ A．放大状态 C．饱和状态 B．截止状态 D．击穿状态
3.
已知某三极管的 P CM＝800mW，ICM＝500mA, ， VBR(CEO) ＝30V。若该管子在电路中工作 电压 V CE ＝10V，则工作电流 IC 不应超过 过 mA。
1
mA ；若 V CE ＝1V，则 IC 不应超
4.
场源自文库应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流 型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的 。
7.
在三级放大电路中，已知各级电压放大倍数分别是 Av1 = 25 、 Av 2 = 100 、 Av3 = 40 ，则三 级放大电路 Av = 折合为 dB。 的影响； 低频时 的影响。
8.
放大电路对高频信号的放大倍数下降， 主要是因为 放大倍数下降，主要是因为
9.
已知某共发射极放大电路的对数幅频特性如图所示，当信号频率 f ＝1KHz 时，电压增 益 Au 为 40dB， 则当信号频率 f ＝10 6 Hz 时， 电压增益 Au 实际约为____________ dB。 此时，对应相频特性上的相位约为__
2013/2014（一）学年
《模拟电子技术基础》期中考试试题
姓名
题号 得分 一
学号
二 三 四
班级
五 六
任课教师
七 八 总分
一．判断题（正确的在括号内画 √，错误的画 ×，共 10 分 ）
1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 2．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态。 3. 三极管的外部电流关系是 iC （ （ ） ） ， ） ）
5
五． （ 12 分） 一个基极偏置的三极管放大电路直流通路图如下图(a) 所示 ,其直流负载线给出在下图(b) 中，已知 R C=2kΩ，晶体管的β =120，VBEQ =0.7V，选取流过 R 2 的电流 I R2 =10IBQ 。 （1） 试合理选择电阻 R 1、R2 、R E
，使电路的直流工作点 Q 符合下图（b）的要求。
= βi B ， 这是一个线性方程， 所以三极管是线性器件。 （
4．为了保证晶体管 BJT 工作在线性放大区，其发射结和集电结都应加上正向偏置电压。 （ 5．测出某三极管的共基电流放大系数 α 小于 1，表明该管子没有放大能力。 6．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的大。 7．双极型晶体管具有 NPN 或 PNP 对称结构，发射极和集电极可以互换。 8．在共射放大电路中，当负载电阻 RL 减小，电压放大倍数下降。 9．共集放大电路电压放大倍数小于 1，所以不能实现功率放大。 10．放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。 （ （ （ （ （ （ ） ） ） ） ） ）
+V CC (+24V) R1 V T3
ui
R2 VD 1 VD 2
VT1
RL 16Ω
uo
R3
V T4
VT2
V CC (－24V )
9
；绝缘栅
5.
某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为 5V，接入 2kΩ 负载电阻后，输出电压 有效值降为 2.5V，这说明放大电路的输出电阻 R0 = 。
6.
在共射、 共基、 共集 三种基本放大电路组态中， 希望从信号源索取电流小， 应选用 既能放大电压，又能放大电流，应选用 放大电路； 放大电路；
+ 20V —
DZ1 DZ 2
+ 500Ω VO1 —
7．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（
A.P 沟道增强型 MOS 管 C.N 沟道增强型 MOS 管 B.P 沟道结型场效应管 D.N 沟道耗尽型 MOS 管
） 。
iD /mA 5
-4
0
uGS/V
3
8．如下图所示为放大电路及输出电压波形，若要使输出电压 u 0 波形不失真，则应 A、 RC 增大 B、 R B 增大 C、 R B 减小 D、β增大
0
50µA 40µA 30µA 20µA i B = 10µA
Rb C1
+
Rc C 2
VCC +
Q
uI
-
RL uO -
1
2
3
4
5
6
u CE (V )
2
三、选择题： （每小题 2 分，共 20 分， ）
1．本征半导体在温度升高后， 。 A、自由电子数目增多，空穴数目基本不变；B、空穴数目增多，自由电子数目基本不变； C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同；D、自由电子和空穴数目基本不变。 2． 当 PN 结外加正向电压时， 扩散电流 A．大于， B．小于， C．等于， D．变宽， 漂移电流， E．变窄， 耗尽层 F 不变
二、填空题： （每小题 2 分，共 20 分， ）
1. 2. P 型半导体的多数载流子为 ，少数载流子为 。
一个由 NPN 型 BJT 组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低， 则随着输入电压的增加，输出将首先出现 输入电压的增加，输出将首先出现 失真；如果静态工作点偏高，则随着 失真。
5．在如图所示电路中，电阻 R E 的主要作用是 A．提高放大倍数 C．稳定交流输出 B．稳定直流静态工作点 D．提高输入电阻
。
RB C1 Rs + us － + vi － + RC + T RL +VCC C2 + vo －
RE
CE
510Ω
6．图示电路中，稳压管 DZ1 和 DZ2 的 稳定电压分别为 6V 和 9V， 则电压 V O =（ A．3V C．9V B．6V D．0V ）
（2） 若将电路如图（C）所示，R L=2kΩ，rbb′=200Ω，则电压放大倍数 Avo = vo / vi 为多 少？
R1 C1 Rs vs + + vi +
RC + T
+VCC C2 + RL vo － +
R2
－ －
Re
CE
（C）
6
六． （10 分）已知如图所示电路中晶体管的β＝50，V BEQ ＝0.7V， rbb′ ＝100 Ω ，各电容足够 大，对交流信号可视为短路。 （1）求静态工作点 ICQ （2）求电压放大倍数 Av 、输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro
20lg|
_____度。
|(dB) A u
-20dB/dec 103 104 105 106 f Hz
40 -20dB/dec 20 0 10 102
10. 交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如图所示, 失真输出电压的峰峰值是 V
负载上获得的最大不
iC (mA)
3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5
T
Re 4.7kΩ Ri
C2 RL 3kΩ
vs
vi
vo Ro
7
U GS 七． （12 分）图示电路中场效应管的转移特性可表达为： I D = I DO − 1 ，其中 I DO U GS(th)
＝3mA， U GS(th) ＝2V，并已知电路静态时 I DQ ＝1mA， U DSQ ＝4V。 1． Rs 、 Rd 应取多大？ 2．求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻（电容的容抗忽略不计） 。
。
9．试判断图中复合管的接法哪些是错误的
1
2
3
4
10.
下图所示电路不能正常放大，图中错误连接有 B、电源 Vcc 的极性 C、 C2 的极性 D、 Ce 的极性
A、电容 C 的位置
4
四． （ 10 分）设图所示电路中，二极管为理想器件，输入电压由 0V 变化到 140V，试画出电 路传输特性曲线。
2
R g2 300kΩ Rg C1 1MΩ
+VDD (+16V) Rd C2
ui
R g1 100kΩ R s Ri
Cs
uo
RL 15kΩ
Ro
8
八、 （ 6 分）在如图所示 OCL 电路中，已知输入电压 u i 为正弦波，三极管 VT1 、 、VT 2 的电
流放大系数均为 30，饱和管压降 U CES = 2V ；三极管 VT 3 、VT 4 的电流放大系数均为 50； 所有三极管 b-e 之间的动态电压均可忽略不计， 偏置电路的动态电流可以忽略不计。 试求解： 1．负载电阻 R L 上可能得到的最大输出功率 Pom 2．当负载电阻 R L 上得到最大输出功率 Pom 时，电路输入电压有效值。
3．用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是 2V、6V、2.7V，则三个电极 分别是
。 A、 （B、C、 E） B、 （C、 B、 E） C、 （E、C、B）
） 。 1.3V 1.7V 1V
4．测得某硅晶体三极管的电位如图所示，判断管子的工作状态 是（ A．放大状态 C．饱和状态 B．截止状态 D．击穿状态
3.
已知某三极管的 P CM＝800mW，ICM＝500mA, ， VBR(CEO) ＝30V。若该管子在电路中工作 电压 V CE ＝10V，则工作电流 IC 不应超过 过 mA。
1
mA ；若 V CE ＝1V，则 IC 不应超
4.
场源自文库应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流 型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的 。
7.
在三级放大电路中，已知各级电压放大倍数分别是 Av1 = 25 、 Av 2 = 100 、 Av3 = 40 ，则三 级放大电路 Av = 折合为 dB。 的影响； 低频时 的影响。
8.
放大电路对高频信号的放大倍数下降， 主要是因为 放大倍数下降，主要是因为
9.
已知某共发射极放大电路的对数幅频特性如图所示，当信号频率 f ＝1KHz 时，电压增 益 Au 为 40dB， 则当信号频率 f ＝10 6 Hz 时， 电压增益 Au 实际约为____________ dB。 此时，对应相频特性上的相位约为__
2013/2014（一）学年
《模拟电子技术基础》期中考试试题
姓名
题号 得分 一
学号
二 三 四
班级
五 六
任课教师
七 八 总分
一．判断题（正确的在括号内画 √，错误的画 ×，共 10 分 ）
1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。 2．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态。 3. 三极管的外部电流关系是 iC （ （ ） ） ， ） ）
5
五． （ 12 分） 一个基极偏置的三极管放大电路直流通路图如下图(a) 所示 ,其直流负载线给出在下图(b) 中，已知 R C=2kΩ，晶体管的β =120，VBEQ =0.7V，选取流过 R 2 的电流 I R2 =10IBQ 。 （1） 试合理选择电阻 R 1、R2 、R E
，使电路的直流工作点 Q 符合下图（b）的要求。
= βi B ， 这是一个线性方程， 所以三极管是线性器件。 （
4．为了保证晶体管 BJT 工作在线性放大区，其发射结和集电结都应加上正向偏置电压。 （ 5．测出某三极管的共基电流放大系数 α 小于 1，表明该管子没有放大能力。 6．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的大。 7．双极型晶体管具有 NPN 或 PNP 对称结构，发射极和集电极可以互换。 8．在共射放大电路中，当负载电阻 RL 减小，电压放大倍数下降。 9．共集放大电路电压放大倍数小于 1，所以不能实现功率放大。 10．放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。 （ （ （ （ （ （ ） ） ） ） ） ）
+V CC (+24V) R1 V T3
ui
R2 VD 1 VD 2
VT1
RL 16Ω
uo
R3
V T4
VT2
V CC (－24V )
9
；绝缘栅
5.
某放大电路在负载开路时的输出电压的有效值为 5V，接入 2kΩ 负载电阻后，输出电压 有效值降为 2.5V，这说明放大电路的输出电阻 R0 = 。
6.
在共射、 共基、 共集 三种基本放大电路组态中， 希望从信号源索取电流小， 应选用 既能放大电压，又能放大电流，应选用 放大电路； 放大电路；
+ 20V —
DZ1 DZ 2
+ 500Ω VO1 —
7．某场效应管的转移特性如图所示，该管为（
A.P 沟道增强型 MOS 管 C.N 沟道增强型 MOS 管 B.P 沟道结型场效应管 D.N 沟道耗尽型 MOS 管
） 。
iD /mA 5
-4
0
uGS/V
3
8．如下图所示为放大电路及输出电压波形，若要使输出电压 u 0 波形不失真，则应 A、 RC 增大 B、 R B 增大 C、 R B 减小 D、β增大
0
50µA 40µA 30µA 20µA i B = 10µA
Rb C1
+
Rc C 2
VCC +
Q
uI
-
RL uO -
1
2
3
4
5
6
u CE (V )
2
三、选择题： （每小题 2 分，共 20 分， ）
1．本征半导体在温度升高后， 。 A、自由电子数目增多，空穴数目基本不变；B、空穴数目增多，自由电子数目基本不变； C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同；D、自由电子和空穴数目基本不变。 2． 当 PN 结外加正向电压时， 扩散电流 A．大于， B．小于， C．等于， D．变宽， 漂移电流， E．变窄， 耗尽层 F 不变
二、填空题： （每小题 2 分，共 20 分， ）
1. 2. P 型半导体的多数载流子为 ，少数载流子为 。
一个由 NPN 型 BJT 组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低， 则随着输入电压的增加，输出将首先出现 输入电压的增加，输出将首先出现 失真；如果静态工作点偏高，则随着 失真。
5．在如图所示电路中，电阻 R E 的主要作用是 A．提高放大倍数 C．稳定交流输出 B．稳定直流静态工作点 D．提高输入电阻
。
RB C1 Rs + us － + vi － + RC + T RL +VCC C2 + vo －
RE
CE
510Ω
6．图示电路中，稳压管 DZ1 和 DZ2 的 稳定电压分别为 6V 和 9V， 则电压 V O =（ A．3V C．9V B．6V D．0V ）
（2） 若将电路如图（C）所示，R L=2kΩ，rbb′=200Ω，则电压放大倍数 Avo = vo / vi 为多 少？
R1 C1 Rs vs + + vi +
RC + T
+VCC C2 + RL vo － +
R2
－ －
Re
CE
（C）
6
六． （10 分）已知如图所示电路中晶体管的β＝50，V BEQ ＝0.7V， rbb′ ＝100 Ω ，各电容足够 大，对交流信号可视为短路。 （1）求静态工作点 ICQ （2）求电压放大倍数 Av 、输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro
20lg|
_____度。
|(dB) A u
-20dB/dec 103 104 105 106 f Hz
40 -20dB/dec 20 0 10 102
10. 交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如图所示, 失真输出电压的峰峰值是 V
负载上获得的最大不
iC (mA)
3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5