常用半导体器件复习题
半导体物理复习试题及答案(复习资料)
半导体物理复习试题及复习资料一、选择题1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（ B ）。
A. 比绝缘体的大B.比绝缘体的小C. 和绝缘体的相同2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。
A. 电子和空穴B.空穴C. 电子3.对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（ B ）。
A.上移B.下移C.不变4.在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（ B ）有关A.杂质浓度和温度B.温度和禁带宽度C.杂质浓度和禁带宽度D.杂质类型和温度5.MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（ B ）。
A.相同B.不同C.无关6.空穴是( B )。
A.带正电的质量为正的粒子B.带正电的质量为正的准粒子C.带正电的质量为负的准粒子D.带负电的质量为负的准粒子7.砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构。
A. 直接B. 间接8. 将Si 掺杂入GaAs 中，若Si 取代Ga 则起（ A ）杂质作用，若Si 取代As 则起（ B ）杂质作用。
A. 施主B. 受主C. 陷阱D. 复合中心9. 在热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。
A. 大于1/2B. 小于1/2C. 等于1/2D. 等于1E. 等于010. 如图所示的P 型半导体MIS 结构的C -V 特性图中，AB 段代表（ A ），CD 段代表（B ）。
A. 多子积累B. 多子耗尽C. 少子反型D. 平带状态11. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。
A. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i A S n N q T k V ln 0B. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i A S n N q T k V ln 20 C. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i D S n N q T k V ln 0 D. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i D S n N q T k V ln 20 12. 金属和半导体接触分为：（ B ）。
半导体集成电路复习
填空，判断，简答，计算一、填空题1.用来做芯片的高纯硅被称为（半导体级硅），英文简称（GSG ），有时也被称为（电子级硅）。
1．晶圆的英文是（wafer ），其常用的材料是（硅）和（锗）。
2．从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（100 ）、（110 ）和（111 ）。
3．根据氧化剂的不同，热氧化可分为（干氧氧化）、（湿氧氧化）和（水汽氧化）。
4．硅片上的氧化物主要通过（热生长）和（淀积）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（薄膜）。
5．目前常用的CVD系统有：（APCVD ）、（LPCVD ）和（PECVD ）。
6．缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（等离子体增强化学气相淀积）、（低压化学气相淀积）、高密度等离子体化学气相淀积、和（常压化学气相淀积）。
7．化学气相淀积是通过（气体混合）的化学反应在硅片表面淀积一层（固体膜）的工艺。
硅片表面及其邻近的区域被（加热）来向反应系统提供附加的能量。
8．在半导体制造业中，最早的互连金属是（铝），在硅片制造业中最普通的互连金属是（铝），即将取代它的金属材料是（铜）。
9．写出三种半导体制造业的金属和合金（Al ）、（Cu ）和（铝铜合金）。
10．硅片平坦化的四种类型分别是（平滑）、部分平坦化、（局部平坦化）和（全局平坦化）。
11．光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（正性光刻），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（负性光刻胶），后者是（正性光刻胶）。
12．刻蚀是用（化学方法）或（物理方法）有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形）。
13．集成电路制造中掺杂类工艺有（热扩散掺杂）和（离子注入）两种，其中（离子注入）是最重要的掺杂方法。
14．杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（间隙式扩散机制）扩散和（替代式扩散机制）扩散。
模拟电子科学与技术 第一单元复习题
第一章 常用半导体器件一、判断题：正确： “√”，错误：“×”。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）（5）稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在正向导通状态。
（ ）（6）PN 结正偏时正向电阻很小，呈现低阻态，反偏时反向电阻很大，呈现高阻态。
（ ）（7）在本征半导体中，自由电子与空穴总是成对出现的。
（ ）（8）PN 结外加正向电压时导通，外加反向电压时截止。
（ ）（9）最大整流电流是二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。
（ ）（10）二极管最高反向工作电压就是击穿电压。
（ ）（11）双极型晶体管比场效应管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
（ ）（12）当晶体管工作在饱和区时，晶体管失去线性放大作用。
（ ）（13）在测量的稳压管参数时，稳压管的稳定电流Iz 是与稳定电压Uz 所对应的稳压管电流，只要不超过额定功率，电流愈大，稳压效果愈好。
（ ）（14）稳压管电路中，外加反向电压必须大于稳压管的稳定电压，并且必须串联一个电阻来限制反向击穿电流，从而保证稳压管安全正常工作，故称这个电阻为限流电阻。
（ ）（15）晶体管能够放大的内部条件是发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度，并且基区很薄，集电结面积较大。
（ ）（17）在本征半导体晶体中掺入微量的五价杂质元素，可形成P 型半导体。
( )（18）在本征半导体晶体中掺入微量的五价杂质元素，可形成N 型半导体。
( )（19）普通硅二极管的正向导通压降约等于0.7V （ ）。
（20）普通锗二极管的正向导通压降约等于0.7V （ ）。
（21）普通硅二极管的正向死区电压（门槛电压）约等于0.5V （ ）。
（22）普通锗二极管的正向死区电压（门槛电压）约等于0.5V （ ）。
半导体器件复习题
半导体器件复习题一、半导体基础知识1、什么是半导体？半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料。
常见的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）等。
其导电能力会随着温度、光照、掺入杂质等因素的变化而发生显著改变。
2、半导体中的载流子半导体中有两种主要的载流子：自由电子和空穴。
在本征半导体中，自由电子和空穴的数量相等。
3、本征半导体与杂质半导体本征半导体是指纯净的、没有杂质的半导体。
而杂质半导体则是通过掺入一定量的杂质元素来改变其导电性能。
杂质半导体分为 N 型半导体和 P 型半导体。
N 型半导体中多数载流子为自由电子，P 型半导体中多数载流子为空穴。
二、PN 结1、 PN 结的形成当 P 型半导体和 N 型半导体接触时，在交界面处会形成一个特殊的区域，即 PN 结。
这是由于扩散运动和漂移运动达到动态平衡的结果。
2、 PN 结的单向导电性PN 结正偏时，电流容易通过；PN 结反偏时，电流难以通过。
这就是 PN 结的单向导电性，是半导体器件工作的重要基础。
3、 PN 结的电容效应PN 结存在势垒电容和扩散电容。
势垒电容是由于空间电荷区的宽度随外加电压变化而产生的；扩散电容则是由扩散区内电荷的积累和释放引起的。
三、二极管1、二极管的结构和类型二极管由一个 PN 结加上电极和封装构成。
常见的二极管类型有普通二极管、整流二极管、稳压二极管、发光二极管等。
2、二极管的伏安特性二极管的电流与电压之间的关系称为伏安特性。
其正向特性曲线存在一个开启电压，反向特性在一定的反向电压范围内电流很小，当反向电压超过一定值时会发生反向击穿。
3、二极管的主要参数包括最大整流电流、最高反向工作电压、反向电流等。
四、三极管1、三极管的结构和类型三极管有 NPN 型和 PNP 型两种。
它由三个掺杂区域组成，分别是发射区、基区和集电区。
2、三极管的电流放大作用三极管的基极电流微小的变化能引起集电极电流较大的变化，这就是三极管的电流放大作用。
半导体器件物理复习题答案
半导体器件物理复习题答案一、选择题1. 半导体材料中，导电性介于导体和绝缘体之间的是：A. 导体B. 绝缘体C. 半导体D. 超导体答案：C2. PN结形成后，其空间电荷区的电场方向是：A. 由N区指向P区B. 由P区指向N区C. 垂直于PN结界面D. 与PN结界面平行答案：B3. 在室温下，硅的本征载流子浓度大约是：A. \(10^{10}\) cm\(^{-3}\)B. \(10^{12}\) cm\(^{-3}\)C. \(10^{14}\) cm\(^{-3}\)D. \(10^{16}\) cm\(^{-3}\)答案：D二、简答题1. 解释什么是PN结，并简述其工作原理。
答案：PN结是由P型半导体和N型半导体接触形成的结构。
P型半导体中空穴是多数载流子，N型半导体中电子是多数载流子。
当P型和N型半导体接触时，由于扩散作用，空穴和电子会向对方区域扩散，形成空间电荷区。
在空间电荷区，由于电荷的分离，产生一个内建电场，这个电场的方向是从N区指向P区。
这个内建电场会阻止进一步的扩散，最终达到动态平衡，形成PN结。
2. 描述半导体中的扩散和漂移两种载流子运动方式。
答案：扩散是指由于浓度梯度引起的载流子从高浓度区域向低浓度区域的运动。
漂移则是指在外加电场作用下，载流子受到电场力的作用而产生的定向运动。
扩散和漂移共同决定了半导体中的电流流动。
三、计算题1. 假设一个PN结的内建电势差为0.7V，求其空间电荷区的宽度。
答案：设PN结的空间电荷区宽度为W，内建电势差为Vbi，则有：\[ V_{bi} = \frac{qN_{A}N_{D}}{2\varepsilon}W \] 其中，q是电子电荷量，\( N_{A} \)和\( N_{D} \)分别是P型和N型半导体中的掺杂浓度，\( \varepsilon \)是半导体的介电常数。
通过这个公式可以计算出空间电荷区的宽度W。
四、论述题1. 论述半导体器件中的载流子注入效应及其对器件性能的影响。
(整理)第4章常用半导体器件-练习复习题
第4章：常用半导体器件-复习要点基本概念：了解半导体基本知识和PN结的形成及其单向导电性；掌握二极管的伏安特性以及单向导电性特点，理解二极管的主要参数及意义，掌握二极管电路符号；理解硅稳压管的结构和主要参数，掌握稳压管的电路符号；了解三极管的基本结构和电流放大作用，理解三极管的特性曲线及工作在放大区、饱和区和截止区特点，理解三极管的主要参数，掌握NPN型和PNP型三极管的电路符号。
分析依据和方法：二极管承受正向电压（正偏）二极管导通，承受反向电压（反偏）二极管截止。
稳压管在限流电阻作用下承受反向击穿电流时，稳压管两端电压稳定不变（施加反向电压大于稳定电压，否者，稳压管反向截止）；若稳压管承受正向电压，稳压管导通（与二极管相同）。
理想二极管和理想稳压管：作理想化处理即正向导通电压为零，反向截止电阻无穷大。
三极管工作在放大区：发射结承受正偏电压；集电结承受反偏电压；三极管工作在饱和区：发射结承受正偏电压；集电结承受正偏电压；三极管工作在截止区：发射结承受反偏电压；集电结承受反偏电压；难点：含二极管和稳压管电路分析，三极管三种工作状态判断以及三极管类型、极性和材料的判断。
一、填空题1.本征半导体中价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，留下一个空位称为空穴，它们分别带负电和正电，称为载流子。
2.在本征半导体中掺微量的五价元素，就称为N型半导体，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴，它主要依靠多数载流子导电。
3.在本征半导体中掺微量的三价元素，就称为P型半导体，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子，它主要依靠多数载流子导电。
4.PN结加正向电压时，有较大的电流通过，其电阻较小，加反向电压时处于截止状态，这就是PN结的单向导电性。
5.在半导体二极管中，与P区相连的电极称为正极或阳极，与N区相连的电极称为负极或阴极。
6.晶体管工作在截止区的条件是：发射结反向偏置，集电结反向偏置。
7.晶体管工作在放大区的条件是：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
半导体器件物理复习题完整版
半导体器件物理复习题一． 平衡半导体： 概念题：1. 平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义）所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。
在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。
2. 本征半导体：本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。
3. 受主（杂质）原子：形成P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素）。
4. 施主（杂质）原子：形成N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素）。
5. 杂质补偿半导体：半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。
6. 兼并半导体：对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度，费米能级高于导带底（0F c E E ->）；对P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有效状态密度。
费米能级低于价带顶（0F v E E -<）。
7. 有效状态密度：穴的有效状态密度。
8. 以导带底能量c E 为参考，导带中的平衡电子浓度：其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。
9. 以价带顶能量v E 为参考，价带中的平衡空穴浓度：其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。
10.11.12.13. 14. 本征费米能级Fi E ：是本征半导体的费米能级；本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近，g c v E E E =-。
？15. 本征载流子浓度i n ：本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度00i n p n ==。
硅半导体，在300T K =时，1031.510i n cm -=⨯。
16. 杂质完全电离状态： 当温度高于某个温度时，掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质；掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质，称谓杂质完全电离状态。
电子技术基础复习题模拟电路部分半导体器件1PN结的最主要
电子技术基础复习题模拟电路部分一、半导体器件1、PN 结的最主要特性是 ，即加一定的正向电压时________，加一定的反向电压时_________。
2、硅二极管的导通电压约为 V ，锗二极管的导通电压约为 V 。
3、晶体三极管工作在 区时,关系式I C =βI B 才成立,工作在截止区时,I C =______。
工作在__________区时V CE ≈0。
4、稳压二极管正常工作时应工作在__________状态,发光二极管正常工作时应工作在__________状态。
5、电路如图所示，由电路参数可知，晶体管处于（ ）A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.无法确定6、根据下图硅三极管三个极的电位，判定它们的状态。
二、基本放大电路1、在三种组态基本放大电路中，_______组态同时有电压和电流放大作用，______组态输入电阻最大，______组态没有电压放大作用，只有电流放大作用。
2、共发射级放大器对信号有_______和_______作用。
3、射极输出器是共_________接法的放大器，它的反馈类型是__________________。
4、多级放大器常见的耦合方式有 耦合、变压器耦合、 耦合。
三种耦合方式中只有_________耦合可以放大直流信号。
5、负反馈使放大器的放大倍数 ，但放大器的稳定性 非线性失真_______，通频带_______。
6、直流放大器采用直接耦合方式，除静态工作点要相互影响外，还存在 问题。
7、射极输出器的特点是：输入电阻___________ ，输出电阻___________，电压放大倍数___________，且有一定的电流放大能力和功率放大能力。
8、为了提高放大器的输入电阻，并使输出电压稳定，应引入反馈类型是__________9、分压式偏置的共射放大电路中，若把旁路电容ＣＥ开路，则放大电路的电压放大倍数将（ ），输入电阻（ ）A.增大B.减小C.基本不变D.不能确定ABC10.单级共发射极低频小信号放大器如图所示，已知V G=12V，R B=300KΩ，R C=2KΩ，β=80，r be=1KΩ求：（1）画出该放大器的交、直流通路（2）静态工作点（3）输入电阻r i，输出电阻r o（4）空载时放大器的电压放大倍数A V（5）带上负载R L=2K 时的电压放大倍数A V11．如图为一低频电压放大电路，三极管的β=50，R b1=20kΩ，R b2=10k，Rc=2kΩ，Re=1kΩ，V G=12V求：（1）画出直流通路和交流通路（2）求静态工作点（3）空载时的电压放大倍数A V（4）若R L=2KΩ，则放大器的放大倍数A V又为多少？G +VOG三、集成运算放大器 1、集成运放实质上是一种内部采用 耦合的具有高放大倍数的多级放大器。
常用半导体器件复习题
常用半导体器件复习题第1章常用半导体器件一、判断题（正确打“√”，错误打“某”，每题1分）1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。
（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。
（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。
（）4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。
（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。
()7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。
()8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。
()9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。
()10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。
()一、判断题答案：（每题1分）1．√；2．某；3．√；4．√；5．某；6．某；7．√；8．某；9．某；10．某。
二、填空题（每题1分）1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。
4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。
5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。
6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。
7．PN结加正向电压时，空间电荷区将8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流范围内表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。
9．晶体三极管三个电极的电流I、I、I的关系为：EBC10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色二、填空题答案：（每题1分）1．空穴2．扩散运动3．PN结4．导通5．反向6．发射机e7．变薄8．反向9．I＝I＋IEBC10．材料三、单项选择题（将正确的答案题号及内容一起填入横线上，每题1分）1．在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P型半导体。
1半导体器件复习练习题二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放
半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I s将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( ) 载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管ArrayC.PNP 型硅管D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的β1 = 30，V2的β2 =50，则复合后的β约为（）。
A．1500 B.80 C.50 D.3015、发光二极管发光时，工作在( )。
电工学-电子技术复习题
（1）求出Q点；
（2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的 和Ri；
（3）求出Ro。
7、电路如图P2.13所示，晶体管的＝100， =100Ω。
（1）求电路的Q点、 、Ri和Ro；
（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？
电工学-电子技术复习题
一、填空题：（要求）
1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；
2、图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？
3、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，求图中电路的输出电压Uo。已知稳压管的正向压降为0.7V。
4、图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示_______图。
18、已知某共射放大电路的中频电压放大倍数为Aum=-1000，fL=10Hz fH=1MHz，
请画出该放大电路的对数幅频特性曲线图。
19、在下图所示运算放大电路中，已知v1=10mV，v2=30mV，推导输入输出表达式，并求vo=?
20、理想比例运放电路如下图所示，试指出反馈的类型，并求其电压放大倍数
A.约为原来的2倍B.约为原来的0.5倍C.基本不变D.约为原来的4倍
15、对于如图所示电路，问关于放大倍数的计算，以下式子哪个正确？
A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)] B.-β[(Rc||RL)/rbe] C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)]
现代半导体器件物理复习题
如对您有帮助，欢迎下载支持，谢谢！半导体器件物理复习题1．简述 Schrodinger 波动方程的物理意义及求解边界条件。
2．简述隧道效应的基本原理。
3．什么是半导体的直接带隙和间接带隙。
4．什么是 Fermi-Dirac 概率函数和 Fermi 能级，写出 n(E) 、p(E)与态密度和 Fermi 概率函数的关系。
5．什么是本征 Ferm 能级？在什么条件下，本征 Ferm 能级处于中间能带上。
6．简述硅半导体中电子漂移速度与外加电场的关系。
7．简述 Hall 效应基本原理。
解释为什么 Hall 电压极性跟半导体类型(N 型或 P 型) 有关。
8．定性解释低注入下的剩余载流子寿命。
9．一个剩余电子和空穴脉冲在外加电场下会如何运动，为什么？10．当半导体中一种类型的剩余载流子浓度突然产生时，半导体内的净电荷密度如何变化？为什么？11．什么是内建电势？它是如何保持热平衡的？12．解释 p-n 结内空间电荷区的形成机理及空间电荷区宽度与外施电压的关系。
13．什么是突变结和线性剃度结。
14．分别写出 p-n 结内剩余少子在正偏和反偏下的边界条件。
15．简述扩散电容的物理机理。
16．叙述产生电流和复合电流产生的物理机制。
17．什么理想肖特基势垒？用能带图说明肖特基势垒降低效应。
18．画出隧道结的能带图。
说明为什么是欧姆接触。
19．描述npn 三极管在前向有源模式偏置下的载流子输运过程。
20．描述双极晶体管在饱和与截止之间开关时的响应情况。
21．画出一个 n-型衬底的 MOS 电容在积聚、耗尽和反型模式下的能带图。
22．什么是平带电压和阈值电压23．简要说明 p-沟道器件的增强和耗尽型模式。
24．概述 MESFET 的工作原理。
25．结合隧道二极管的 I-V 特性，简述其负微分电阻区的产生机理。
26．什么是短沟道效应？阐述短沟道效应产生的原因及减少短沟道效应的方法。
短沟道效应(shortchanneleffect)：当金属 -氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 的沟道长度 L 缩短到可与源和漏耗尽层宽度之和 (WS WD)相比拟时，器件将发生偏离长沟道(也即 L 远大于WS WD)的行为，这种因沟道长度缩短而发生的对器件特性的影响，通常称为短沟道效应。
01常用半导体器件练习题
第1章常用半导体器件一．选择题1、半导体导电的载流子是____C____，金属导电的载流子是_____A__.A．电子 B．空穴 C．电子和空穴Ｄ．原子核2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是___A_____型半导体.A。
P B。
N C。
PN D。
电子导电3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是____B____型半导体。
A。
P B。
N C。
PN D. 空穴导电4、N型半导体多数载流子是B，少数载流子是 A ；P型半导体中多数载流子是 A ，少数载流子是B 。
A．空穴 B．电子Ｃ．原子核Ｄ．中子5、杂质半导体中多数载流子浓度取决于 D ，少数载流子浓度取于 B .A．反向电压的大小 B．环境温度 C．制作时间 D．掺入杂质的浓度6、PN结正向导通时，需外加一定的电压U,此时,电压U的正端应接PN结的 A ，负端应接PN结 B 。
A．P区 B．N区7、二极管的反向饱和电流主要与 B 有关。
（当温度一定时，少子浓度一定,反向电流几乎不随外加电压而变化,故称为反向饱和电流。
)A．反向电压的大小 B．环境温度 C．制作时间 D．掺入杂质的浓度8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 A 的关系曲线。
A．V D-I D B．V D-r D C．I D—r D D．f—I D9、用万用表测量二极管的极性,将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管的 C .A．正极 B．负极 C．无法确定10、下列器件中， B 不属于特殊二极管。
A．稳压管 B．整流管 C．发光管 D．光电管11、稳压二极管稳压，利用的是稳压二极管的 C 。
A．正向特性 B．反向特性 C．反向击穿特性12、稳压管的稳定电压V Z是指其 D 。
A．反向偏置电压 B．正向导通电压 C．死区电压 D．反向击穿电压13、光电二极管有光线照射时，反向电阻 A .（反压下，光照产生光电流）A．减少 B．增大 C．基本不变 D．无法确定14、三极管的主要特征是具有____C____作用。
(完整版)常用半导体元件习题及答案
第5章常用半导体元件习题5.1晶体二极管一、填空题：1．半导体材料的导电能力介于和之间，二极管是将封装起来，并分别引出和两个极。
2．二极管按半导体材料可分为和，按内部结构可分为＿和，按用途分类有、、四种。
3．二极管有、、、四种状态，PN 结具有性，即。
4．用万用表（R×1K档）测量二极管正向电阻时，指针偏转角度，测量反向电阻时，指针偏转角度。
5．使用二极管时，主要考虑的参数为和二极管的反向击穿是指。
6．二极管按PN结的结构特点可分为是型和型。
7．硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V；硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V。
8．当加到二极管上反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
9．利用万用表测量二极管PN结的电阻值，可以大致判别二极管的、和PN结的材料。
二、选择题：1. 硅管和锗管正常工作时，两端的电压几乎恒定，分别分为( )。
A.0.2-0.3V 0.6-0.7VB. 0.2-0.7V0.3-0.6VC.0.6-0.7V 0.2-0.3VD. 0.1-0.2V0.6-0.7V的大小为( )。
2.判断右面两图中，UABA. 0.6V 0.3VB. 0.3V 0.6VC. 0.3V 0.3VD. 0.6V 0.6V3.用万用表检测小功率二极管的好坏时，应将万用表欧姆档拨到（）Ω档。
A.1×10B. 1×1000C. 1×102或1×103D. 1×1054. 如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) 。
A. 内部短路B. 内部断路C. 正常D. 无法确定5. 当硅二极管加0.3V正向电压时，该二极管相当于( ) 。
A. 很小电阻B. 很大电阻C.短路D. 开路6．二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（）。
A．反偏 B．正偏 C．不变D. 断路7．当环境温度升高时，二极管的反向电流将（）A．增大 B．减小 C．不变D. 不确定8．PN结的P区接电源负极，N区接电源正极，称为（）偏置接法。
(完整版)常用半导体器件选择复习题
第4章常用半导体器件-选择复习题1．半导体的特性不包括。
A. 遗传性B.光敏性C.掺杂性D. 热敏性2．半导体中少数载流子在内电场作用下有规则的运动称为。
A.漂移运动B. 扩散运动C.有序运动D.同步运动3．N型半导体中的多数载流子是。
A.自由电子B.电子C.空穴D.光子4．P型半导体中的多数载流子是。
A.空穴B.电子C. 自由电子D.光子5．本征半导体中掺微量三价元素后成为半导体。
A.P型B.N型C.复合型D.导电型6．本征半导体中掺微量五价元素后成为半导体。
A. N型B. P型C.复合型D.导电型7．在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是。
A.扩散运动B.漂移运动C.有序运动D.同步运动8．将一个PN结两端各加一条引线，再封装起来，就成为一只。
A.二极管B. 三极管C.电子管D.晶闸管9．当外电场与内电场方向相同时，阻挡层，电子不容易通过。
A.变厚B.变薄C. 消失D.变为导流层10．当外电场与内电场方向相反时，阻挡层，电子容易通过。
A.变薄B. 变厚C. 消失D.变为导流层11．PN结的基本特性是。
A.单向导电性B. 半导性C.电流放大性D.绝缘性12．晶体三极管内部结构可以分为三个区，以下那个区不属于三极管的结构。
A.截止区B. 发射区C.基区D.集电区13．稳压二极管一般要串进行工作，以限制过大的电流。
A 电阻 B电容 C电感 D电源14．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V15．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V16．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A． 3V B．0 V C．10V D．1.5V17．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
A．0V B．3V C．10V D．1.5V18．下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= 。
半导体器件物理复习题完整版
Al l 半导体器件物理复习题一．平衡半导体：概念题：1.平衡半导体的特征（或称谓平衡半导体的定义）所谓平衡半导体或处于热平衡状态的半导体，是指无外界（如电压、电场、磁场或温度梯度等）作用影响的半导体。
在这种情况下，材料的所有特性均与时间和温度无关。
2.本征半导体：本征半导体是不含杂质和无晶格缺陷的纯净半导体。
3.受主（杂质）原子：形成P 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅲ族元素）。
4.施主（杂质）原子：形成N 型半导体材料而掺入本征半导体中的杂质原子（一般为元素周期表中的Ⅴ族元素）。
5.杂质补偿半导体：半导体中同一区域既含受主杂质又含施主杂质的半导体。
6.兼并半导体：对N 型掺杂的半导体而言，电子浓度大于导带的有效状态密度，费米能级高于导带底（）；对P 型掺杂的半导体而言，空穴浓度大于价带的有0F c E E ->效状态密度。
费米能级低于价带顶（）。
0F v E E -<7.有效状态密度：在价带能量范围（）内，对价带量子态密度函数~v E -∞8.以导带底能量为参考，导带中的平衡电子浓度：c Ee an dAl i nod o其含义是：导带中的平衡电子浓度等于导带中的有效状态密度乘以能量为导带低能量时的玻尔兹曼分布函数。
9.以价带顶能量为参考，价带中的平衡空穴浓度：v E 其含义是：价带中的平衡空穴浓度等于价带中的有效状态密度乘以能量为价带顶能量时的玻尔兹曼分布函数。
10.11.12.13.14.本征费米能级：Fi E 是本征半导体的费米能级；本征半导体费米能级的位置位于禁带中央附近，15.本征载流子浓度：i n 本征半导体内导带中电子浓度等于价带中空穴浓度的浓度。
硅半导体，在00i n p n ==时，。
300T K =1031.510i n cm -=⨯16.杂质完全电离状态：当温度高于某个温度时，掺杂的所有施主杂质失去一个电子成为带正电的电离施主杂质；掺杂的所有受主杂质获得一个电子成为带负电的电离受主杂质，称谓杂质完全电离状态。
半导体复习参考试题
一、填空题1. 自由电子的能量与波数的关系式为（0222)(m k h k E =），孤立原子中的电子能量（大小为2220408n h q m E n ε-=的分立能级），晶体中的电子能量为（电子共有化运动）所形成的（准连续）的能带。
2. 温度一定时，对于一定的晶体，体积大的能带中的能级间隔（小），对于同一块晶体，当原子间距变大时，禁带宽度（变小）。
3. 玻尔兹曼分布适用于（非简并）半导体，对于能量为E 的一个量子态被电子占据的概率为（)ex p()ex p()(00T k E T k E E f F B -⋅=），费米分布适用于（简并）半导体，对于能量为E 的一个量子态被电子占据的概率为（)ex p(11)(0T k E E E f F -+=），当EF 满足（T k E E T k E E V F F C 0022≤-≤-或）时，必须考虑该分布。
4. 半导体材料中的（能带结构（直接复合））、（杂质和缺陷等复合中心（间接复合））、（样品形状和表面状态（表面复合））等会影响非平衡载流子的寿命，寿命值的大小反映了材料晶格的（完整性），是衡量材料的一个重要指标。
5. Si 属于（间接）带隙半导体。
导带极小值位于布里渊区的（<100>方向）上由布里渊区中心点Г到边界X 点的（0.85倍）处，导带极值附近的等能面是（长轴沿<100>方向的旋转椭球面），在简约布里渊区，共有（6）个这样的等能面。
6. Ge 属于（间接）带隙半导体。
导带极小值位于布里渊区的（<111>方向）上由布里渊区边界L 点处，导带极值附近的等能面是（长轴沿<111>方向的旋转椭球面），在简约布里渊区，共有（4）个这样的等能面。
7. GaAs 属于（直接）带隙半导体。
导带极小值位于布里渊区中心点Г处，极值附近的等能面是（球面），在简约布里渊区，共有（1）个这样的等能面。
在布里渊区的（<111>方向）边界L 点处，存在高于能谷值0.29eV 的次低能谷，简约布里渊区一共有（8）个这样的能谷。
电子技术试题
《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件一、选择1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是[ A ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管 2V 6VD.PNP型锗管 1.3V2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ C ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ B ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流I CBO将[ B ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定7、下列选项中，不属三极管的参数是[ B ]A.电流放大系数βB.最大整流电流I FC.集电极最大允许电流I CMD.集电极最大允许耗散功率P CM8、温度升高时，三极管的β值将[ A ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定9、在N型半导体中，多数载流子是[ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质 10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大 11、 在P 型半导体中，多数载流子是 [ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质二、填空1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 ，而少数载流子的浓度则与 本征激发 有很大关系。
2、温度升高时，晶体管的电流放大系数β 增大 ，反向饱和电流I CBO 增大 ，正向结电压U BE 变小 。
(a.变大，d.变小，c.不变)3、在本征半导体中，电子浓度 等于 空穴浓度；4、在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度；5、在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度。
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第1章常用半导体器件
一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）
1．在N型半导体中，如果掺入足够量的三价元素，可将其改型成为P型半导体。
（）2．在N型半导体中，由于多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。
（）3．本征半导体就是纯净的晶体结构的半导体。
（）
4．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）
5．使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正偏，且集电结也是正偏。
（）6．晶体三极管的β值，在任何电路中都是越大越好。
( )
7．模拟电路是对模拟信号进行处理的电路。
( )
8．稳压二极管正常工作时,应为正向导体状态。
( )
9．发光二极管不论外加正向电压或反向电压均可发光。
( )
10．光电二极管外加合适的正向电压时，可以正常发光。
( )
一、判断题答案：（每题1分）
1．√；
2．×；
3．√；
4．√；
5．×；
6．×；
7．√；
8．×；
9．×；
10．×。
二、填空题（每题1分）
1．N型半导体中的多数载流子是电子，P型半导体中的多数载流子是。
2．由于浓度不同而产生的电荷运动称为。
3．晶体二极管的核心部件是一个，它具有单向导电性。
4．二极管的单向导电性表现为：外加正向电压时，外加反向电压时截止。
5．三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置，集电结偏置。
6．场效应管与晶体三极管各电极的对应关系是：场效应管的栅极G对应晶体三极管的基极b，源极S对应晶体三极管，漏极D对应晶体三极管的集电极c。
7．PN结加正向电压时，空间电荷区将。
8．稳压二极管正常工作时，在稳压管两端加上一定的电压，并且在其电路中串联一支限流电阻，在一定电流范围内表现出稳压特性，且能保证其正常可靠地工作。
9．晶体三极管三个电极的电流I
E 、I
B
、I
C
的关系为：。
10．发光二极管的发光颜色决定于所用的，目前有红、绿、蓝、黄、橙等颜色。
二、填空题答案：（每题1分）
1．空穴
2．扩散运动
3．PN结
4．导通
5．反向
6．发射机e
7．变薄
8．反向
9．I
E ＝I
B
＋I
C
10．材料
三、单项选择题（将正确的答案题号及内容一起填入横线上，每题1分）
1．在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入三价元素可形成P型半导体。
A、五价
B、四价
C、三价
D、二价
2．在本征半导体材料中，有目的的掺入杂质后，改变了。
A、多子的浓度
B、少子的浓度
C、半导体的体积
D、PN结的导电性能3．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A、增大
B、不变
C、减小
D、为零
v1.0 可编辑可修改4．设二极管导通电压U D＝，图示电路的输出电压值U0
为。
A、0V
B、2V
C、
D、
5．晶体二极管具有。
A、单向导电性
B、双向导电性
C、对信号有放大作用
D、负载特性6．要使发光二极管正常发光，其两端需外加：。
A、正向电压B、反向电压C、正、反向电压均可D、零偏置电压7．稳压二极管一旦被反向硬击穿，将。
A、保持原导电性能不变
B、绝对不能再使用
C、性能变坏，可以继续使用
D、对原电路没有影响
8．工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。
A、83
B、91
C、100
D、1000 9．极限参数是为了晶体管安全工作对它的电压、电流和功率损耗的限制，属于晶体管极限参数的为。
A、共射极电流放大倍数β值
B、特征频率f
T
C、最大集电极耗散功率P
CM
D、静态工作点的电压值
10．图示电路中V
B =0V，二极管的管压降可以不计，当V
A
由0V跳到3V后，Y的电位应为。
A、3V
B、0V
C、12V
D、没法确定
三、单项选择题答案：(每题1分）
1．A、五价
2. A、多子的浓度
3. A、增大
4. A、0V
+V CC(+5V)
R
Y
D1
A
D2
B
3V
0V
5. A、单向导电性
6. A、正向电压
7. B、绝对不能再使用
8. C、100
9．C、最大集电极耗散功率P
CM
10．B、0V
四、简答题（每题5分）
1. 怎样由本征半导体得到P型半导体
2. 怎样由本征半导体得到N型半导体
3. 硅三极管BE结的导通电压为多少伏
4. 锗三极管BE结的导通电压为多少伏
5. 二极管的主要参数有哪些
6. 为什么半导体器件的温度稳定性差是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素
四、简答题答案：（每题5分）
1. 答：在本征半导体中掺入三价元素（如硼）可得到P型半导体。
2. 答：在本征半导体中掺入五价元素（如磷）可得到N型半导体。
3. 答：硅三极管BE结的导通电压为～伏。
4. 锗三极管BE结的导通电压为～伏。
5. 答：二极管的主要参数有：①最大整流电流I
F ；②最高反向工作电压U
R
；③最大瞬时
值反向电流I
R ；④最高工作频率f
M。
6. 答：因为在把半导体中存在两种运载电荷的粒子，即载流子。
外加电场时，带负电的自由电子和带正电的空穴均参与导电，且运动方向相反。
由于载流子数目很少，故导电性很差。
温度升高，热运动加剧，本证激发加剧，使少数载流子浓度增大，但掺杂浓度不变，相对增加较多的是少数载流子，使导电性增强，产生较大的噪声。
所以少子是影响温度稳定性的主要因素。
五、画图题（每题5分）
1. 电路如图所示，设二极管正向导通时的电压可忽略不计，已知
i
u＝10sinωt(v)，试画
出i u 与o u 的波形（注意时间坐标的对应关系）。
2. 电路如图所示，已知i u ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝。
试画出i u 与o u 的波形，并标出幅值（注意时间坐标的对应关系）。
3. 现测得某放大电路中两只三极管的两个电极的电流如图所示。
分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子符号。
4. 测得某放大电路中六只晶体管的各电极直流电位分别如图所示，这些管子均处于放大状态。
在圆圈中画出管子符号，并分别说明它们是硅管还是锗管。
五、画图题答案：（每题5分）
1. 解：①根据 i u 的表达式i u ＝10sin ωt (v)，可画出输入信号波形如图中的i u 所示；
②i u 正半周期时二极管正向偏置而导通，又因二极管正向导通时的电压可忽略不
计，所以o u ＝i u 。
i u 负半周期时二极管因反向偏置而截止，回路中无电流，所以输出电压o u ＝0。
③画出i u 与o u 的对应波形如图所示。
2. 解：①若考虑二极管导通电压U D ＝，由电路可以看出，当≤i u ≤+时，二极管D 1和D 2均截止，回路中无电流，所以o u ＝i u ；
②i u 正半周期且高于时，二极管D 1正向偏置而导通，D 2因反偏而截止，所o u ＝3V+=。
i u 负半周期时且低于时，二极管D 2因正向偏置而导通，D 1因反偏而截止，所以o u ＝-（3V+）
=。
③画出i u 与o u 的对应波形如图所示。
3. 解：①根据基尔霍夫电流定律和晶体管三个电极的各电极电流关系，对于（a ）图，第三个电极流出的电流I = 10μA + 1mA = mA ，且这个电极应为发射极 I e （符合I e = I b + I C ），根据电流的流向，该管应为NPN 型管；对于（b ）图，第三个电极流出的电流I = mA - 100μA = 5 mA ，且这个电极应为集电极 I C （符合I C =I E -I B ），根据电流的流向，该管
应为PNP型管。
②分别画出两只管子的符号如图所示。
4. 解：①由于硅管BE结的导通电压为～，锗管BE结的导通电压为～；
②NPN管正常放大应为正电压，即V
C ＞V
B
＞V
E
，而PNP管应为负电压，即V
C
＜V
B
＜V
E
；
③根据晶体管的放大条件，综合上述特点，得出各晶体管三个电极分别为上、中、下管脚及管型和材料得出如下结论：
管号T
1T
2
T
3
T
4
T
5
T
6
上e c e b c b
中b b b e e e
下c e c c b c
管型PNP NPN NPN PNP PNP NPN
材料Si Si Si Ge Ge Ge 画出各管子的图形如下图所示：。