高频特性影响因素
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回破损耗
Return loss
越趋近于0,反射损耗越严重
驻波比
voltage standing wave ratio
数值越小越好,无反射VSWR=1.0
影响因素 导体OD不均匀,弯折,不圆整 绝缘偏芯,OD不稳定,不圆整 发泡度不均匀 驻波比改善:导体OD,绝缘OD稳定,外观圆整,同芯度稳定良好,
串音
Cross talk
越趋近于0,串音越严重(负数)
改善因素:对绞张力稳定,节距均匀,发泡均匀
延时
影响因素:
Time delay
发泡度变大,介电常数变小,延迟变小 对绞节距变大,延迟变小 成缆节距变大,延迟变小
传播速率
V=1/介电系数
velocity of propagation
延迟差
种类: Intra-piar skew Inter-Pair skew
衰减ห้องสมุดไป่ตู้
影响因素: 1.同轴线
Attenuation
越趋近于0,损耗越小,负数损耗越大
阻抗变大,衰减变小 绝缘OD变大,阻抗变大,衰减变小 导体OD变大,衰减变小 发泡度变大,介电常数变小,衰减变小 编织密度、编织+AL结构、AL厚度增加,衰减减小 2.对绞线 导体OD变大,衰减变小 导体节距变大,衰减变小 绞合外观影响衰减稳定性 绝缘OD变大,阻抗变大,衰减变小 绝缘发泡度变大,衰减变小 对绞节距变大,衰减变小,其屏蔽厚度变大,衰减变小,松紧影响衰减稳定 成缆节距变大,衰减变小 总屏蔽厚度与密度变大,衰减变小 对内延时差(Time delay skew)变大,衰减变大 衰减变大改善:加大导体OD,绝缘OD,绝缘发泡度,介质损耗角正切低的材料 芯线圆整,发泡均匀,水中电容调小
特性阻抗 Impedance
种类
单端阻抗 差动阻抗 工模阻抗
影响因素: 1.同轴线
single Ended Impedance Differential Mode Impedance Common Mode Impedance
发泡度变大,介电常数变小,阻抗变大 绝缘OD变大,阻抗变大 导体OD变大,阻抗变小 阻抗偏小改善:上加大OD或加大发泡率,调小电容值,编织层缚紧 2.对绞线 发泡度变大,介电常数变小,阻抗变大 绝缘OD变大,阻抗变大 导体OD变大,阻抗变小 对绞节距:a.非屏蔽对:节距变大,阻抗变大b.屏蔽线对:节距变大,阻抗变小 绕包、编织越紧,阻抗变小 成缆节距变大,阻抗变小
Time delay skew
差分对内延时差 差分对剑延时差
影响因素: 绝缘OD,发泡度,对绞节距,成缆节距影响延时差