高频特性影响因素
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回破损耗
Return loss
越趋近于0，反射损耗越严重
驻波比
voltage standing wave ratio
数值越小越好，无反射VSWR=1.0
影响因素 导体OD不均匀，弯折，不圆整 绝缘偏芯，OD不稳定，不圆整 发泡度不均匀 驻波比改善：导体OD,绝缘OD稳定，外观圆整，同芯度稳定良好，
串音
Cross talk
越趋近于0，串音越严重（负数）
改善因素：对绞张力稳定，节距均匀，发泡均匀
延时
影响因素：
Time delay
发泡度变大，介电常数变小，延迟变小 对绞节距变大，延迟变小 成缆节距变大，延迟变小
传播速率
V=1/介电系数
velocity of propagation
延迟差
种类： Intra-piar skew Inter-Pair skew
衰减ห้องสมุดไป่ตู้
影响因素： 1.同轴线
Attenuation
越趋近于0，损耗越小,负数损耗越大
阻抗变大，衰减变小 绝缘OD变大，阻抗变大，衰减变小 导体OD变大，衰减变小 发泡度变大，介电常数变小，衰减变小 编织密度、编织+AL结构、AL厚度增加，衰减减小 2.对绞线 导体OD变大，衰减变小 导体节距变大，衰减变小 绞合外观影响衰减稳定性 绝缘OD变大，阻抗变大，衰减变小 绝缘发泡度变大，衰减变小 对绞节距变大，衰减变小，其屏蔽厚度变大，衰减变小，松紧影响衰减稳定 成缆节距变大，衰减变小 总屏蔽厚度与密度变大，衰减变小 对内延时差（Time delay skew）变大，衰减变大 衰减变大改善：加大导体OD,绝缘OD，绝缘发泡度，介质损耗角正切低的材料 芯线圆整，发泡均匀，水中电容调小
特性阻抗 Impedance
种类
单端阻抗 差动阻抗 工模阻抗
影响因素： 1.同轴线
single Ended Impedance Differential Mode Impedance Common Mode Impedance
发泡度变大，介电常数变小，阻抗变大 绝缘OD变大，阻抗变大 导体OD变大，阻抗变小 阻抗偏小改善：上加大OD或加大发泡率，调小电容值，编织层缚紧 2.对绞线 发泡度变大，介电常数变小，阻抗变大 绝缘OD变大，阻抗变大 导体OD变大，阻抗变小 对绞节距：a.非屏蔽对：节距变大，阻抗变大b.屏蔽线对：节距变大，阻抗变小 绕包、编织越紧，阻抗变小 成缆节距变大，阻抗变小
Time delay skew
差分对内延时差 差分对剑延时差
影响因素： 绝缘OD,发泡度，对绞节距，成缆节距影响延时差