硅PNP双极型晶体管(器件工艺技术)概述.
半导体器件技术在集成电路设计中的应用
半导体器件技术在集成电路设计中的应用随着科技的迅速发展，集成电路技术成为现代电子设备的核心。
而在集成电路设计中，半导体器件技术起着至关重要的作用。
本文将探讨半导体器件技术在集成电路设计中的应用，并重点介绍几种常见的半导体器件。
半导体器件是一种能够在特定条件下调控电流的器件，其特性在集成电路设计中起着重要的作用。
通过不同类型的半导体器件，可以实现不同的电子功能，如放大、开关、调节等。
以下是几种常用的半导体器件及其在集成电路设计中的应用：1. 双极型晶体管（BJT）：双极型晶体管是一种三层（NPN或PNP）结构器件，常用于集成电路中的放大和开关电路。
通过控制基极电流，可以有效地调节集电极电流，实现信号放大的功能。
BJT还可以用作开关，通过控制基极电流的开关状态，可以控制电路的导通和断开。
2. 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）：MOSFET是一种基于N型或P型半导体材料制造的晶体管。
它具有低功耗、高开关速度和较低的电流漏泄等优点，广泛应用于集成电路中。
在集成电路设计中，MOSFET常用于数字电路，例如逻辑门、存储器和微处理器等。
它还可以用于模拟电路设计，如运算放大器和滤波器。
3. 整流器：整流器是一种将交流电信号转换为直流电信号的半导体器件。
在集成电路设计中，整流器常用于电源管理电路。
它能够将输入的交流电信号转换为稳定的直流电信号，为其他电路提供可靠的电源。
整流器可分为半波整流器和全波整流器两种类型，在不同应用场景下选择合适的整流器类型。
4. 可调电阻：可调电阻是一种能够调节电阻值的半导体器件。
在集成电路设计中，可调电阻常用于模拟电路的设计，如音频放大器和滤波器。
通过调节电阻值，可以实现信号的增益和频率的调节，满足不同的应用需求。
5. 可控硅（SCR）：可控硅是一种用于高电流和高电压应用的半导体器件。
它可以用作开关或晶闸管，在集成电路设计中被广泛用于电源控制和电机控制等领域。
可控硅能够经受高压和高电流的冲击，并有较低的漏电流。
pnp晶体管工作原理
pnp晶体管工作原理PNP晶体管工作原理。
PNP晶体管是一种常用的半导体器件，它在电子设备中起着重要的作用。
了解PNP晶体管的工作原理对于理解电子设备的工作原理至关重要。
本文将介绍PNP晶体管的工作原理，帮助读者更好地理解这一器件的工作原理。
PNP晶体管是一种双极型晶体管，由三个掺杂不同材料的半导体层构成。
它由一层N型半导体夹在两层P型半导体之间组成。
PNP 晶体管的工作原理主要涉及电流的控制和放大。
当在基极端施加正电压时，会导致P型半导体中的空穴向基极流动。
这样就形成了一个电流，称为基极电流。
基极电流的大小取决于基极端的电压，当电压增大时，基极电流也会增大。
当基极电流流入基极时，会引起发射极和集电极之间的电流。
这是因为发射极和集电极之间的结是反向偏置的，当基极电流流入基极时，会减小这个反向偏置，从而使发射极和集电极之间的电流增大。
这样就实现了对发射极和集电极之间电流的控制。
这种控制电流的作用使得PNP晶体管可以被用来放大电流信号。
在PNP晶体管中，发射极和集电极之间的电流是由基极电流控制的。
当基极电流增大时，发射极和集电极之间的电流也会增大。
这种现象被称为电流放大。
PNP晶体管的电流放大作用使得它可以被用来放大弱信号，从而实现对信号的放大和控制。
除了电流放大作用，PNP晶体管还可以被用来实现电流的开关控制。
当在基极端施加足够大的正电压时，会使得基极电流增大，从而导致发射极和集电极之间的电流急剧增大。
这时，PNP晶体管就处于导通状态，可以用来控制电路中的开关。
当去除基极端的正电压时，基极电流减小，发射极和集电极之间的电流也减小，PNP晶体管就处于截止状态，电路中的开关也就关闭了。
综上所述，PNP晶体管的工作原理主要涉及电流的控制和放大。
通过对基极端的电压控制，可以实现对发射极和集电极之间电流的控制，从而实现对信号的放大和控制，同时也可以实现对电路的开关控制。
PNP晶体管在电子设备中有着广泛的应用，了解其工作原理对于理解电子设备的工作原理具有重要的意义。
双极型晶体管知识讲座
双极型晶体管知识讲座大家好，今天我想给大家讲一下双极型晶体管的知识。
双极型晶体管是一种常见的晶体管器件，也是现代电子技术中非常重要的一部分。
它由两个PN结组成，其中一段是N型材料，另一段是P型材料。
这两个节电之间的区域称为基区。
首先，我们来讨论一下P型材料。
P型材料是由掺入一些三价元素（如硼）形成的，这些元素减少了材料中自由电子的数量，同时增加了正电荷的载流子（空穴）的数量。
在P型材料中，有大量的正电荷载流子，而几乎没有自由电子。
接下来，我们来讨论一下N型材料。
N型材料是由掺入一些五价元素（如磷）形成的，这些元素增加了材料中自由电子的数量，同时减少了正电荷的载流子（空穴）的数量。
在N型材料中，有大量的自由电子，而几乎没有正电荷载流子。
当P型材料和N型材料通过PN结连接在一起时，一个重要的现象就出现了，那就是电子和空穴会互相扩散。
这种现象被称为扩散效应。
当电子和空穴扩散到PN结的对面时，电位差会发生改变，从而形成了一个电场。
这个电场被称为内建电场。
当我们给PN结提供一个外部电压时，就可以改变内建电场的强度。
当外部电压为正时，也就是正向偏置，内建电场会被削弱，电子和空穴可以很容易地通过PN结相互扩散。
这时，PN结的电阻会变得非常小，电流可以流过PN结，晶体管就处于导通状态。
相反地，当外部电压为负时，也就是反向偏置，外部电压会增强内建电场，从而阻止电子和空穴扩散。
这时，PN结的电阻会变得非常大，电流无法流过PN结，晶体管就处于截止状态。
通过控制基区的电压，我们可以控制晶体管的工作状态，从而实现信号的放大和开关控制。
双极型晶体管在现代电子电路中广泛应用，如放大器、开关电路、振荡器等。
总结一下，双极型晶体管是一种由PN结组成的器件。
它通过控制基区的电压来控制晶体管的工作状态。
在正向偏置下，晶体管导通；在负向偏置下，晶体管截止。
双极型晶体管在电子电路中扮演着重要的角色，为我们的现代科技奠定了坚实的基础。
谢谢大家！双极型晶体管（BJT）广泛应用于电子行业中，在多种电子电路中都扮演着关键角色。
双极型晶体管的工艺制作流程
双极型晶体管的工艺制作流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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双极型晶体管制造工艺
双极型晶体管的制造工艺包括衬底选择、多次光刻和扩散过程等步骤。
具体如下：
1. 衬底选择：首先确定衬底的材料类型，确认其电阻率以及晶向。
这是为了确保晶体管的性能能够满足设计要求。
2. 第一次光刻：进行N+隐埋层扩散孔的光刻，这一步骤是为了形成晶体管的隐埋层，为后续的扩散过程做准备。
3. 外延层淀积：在衬底上淀积外延层，这通常是为了形成一个纯净的半导体层，为晶体管的后续制作提供基础。
4. 第二次光刻：进行P隔离扩散孔的光刻，这一步是为了形成晶体管的隔离区域，防止不同器件之间的相互干扰。
5. 第三次光刻：进行P区基区扩散孔的光刻，这一步骤是为了形成晶体管的基区，是晶体管的重要组成部分。
6. 第四次光刻：进行N+发射区扩散孔的光刻，这一步骤是为了形成晶体管的发射区，完成晶体管的主要结构。
此外，双极型晶体管还可以通过BiCMOS技术与MOSFET制作在一块集成电路上，这样可以结合双极型晶体管的电流放大能力和MOSFET的低功耗特点，从而发挥两者的优势。
在整个制造过程中，还需要考虑到区域的少数载流子浓度，以确保集电极的载流子能够正常流动。
总的来说，双极型晶体管的制造是一个复杂的过程，涉及到材料科学、光学、化学等多个领域。
每一步都需要精确的控制，以确保最终产品的性能和可靠性。
双极型晶体管
晶体管的特性 一、晶体管结构简介 1.晶体管的两种结构
双极型晶体管(BJT)
一、晶体管结构简介 1.晶体管一般由NPN和 PNP两种结构组成 2.晶体管有三个区:
以NPN型晶体 管为例。
பைடு நூலகம்
基区(P):很薄,空穴浓度较 小——引出基极b. 发射区(N):与基区的接触 面较小——引出发射极e. 集电区(N):与基区的接触 面较大——引出集电极c.
发射极 发射结 N P IEP IEN IBN 集电结 N ICN 集电极
e IE
－
IC c +
ICBO
VEE
空穴
电子
－ + I B b
VCC
顾名思义：发射区的作 二、晶体管的电流分 用是发射电 子,集电区的作 配和放大作用 用是收集电子,下面以NPN 为例分析 载流子 1.型三极管 晶体管正常工作时 (即电子和空穴)在晶体管内 各极电压的连接及作 部的传输情况。 用
IC
IB +
b +
c
VCE
VBB
－
VBE
－ e
IE
三、晶体管的特性曲 线 V CC 1. 共射极电路的特性 曲线
共射电路输入特性曲线 共射电路输出特性曲线
双极型晶体管(BJT)
输入特性曲线的作法 IB=f(VBE ) IV =常数
CE
三、晶体管的特性曲线 1.共射电路的特性曲线 (1)输入特性
输入特性曲线就 是研究三极管be 之间输入电流 I B 随输入电压 V B E 的变化规律。
电流方向 基极
连接BJT各极间电压的一般特性 晶体管的电流分配 晶体管的放大作用
双极型晶体管(BJT)
二、晶体管的电流分 发射结必须处于正向 配与放大作用 偏置——目的削弱发射结 1.晶体管各PN结电压连 集电结必须处于反向偏 接的一般特性 分析集射结电 发射结变薄有 置——目的增强集电结
硅基双极晶体管
硅基双极晶体管
硅基双极晶体管（silicon bipolar transistor）是一种常用的半导体器件，利用硅（Si）作为基底材料制造。
它由三个区域组成：发射区（emitter）、基区（base）和集电区（collector）。
其中，发射区和集电区为N型掺杂，而基区为P型掺杂。
硅基双极晶体管的工作原理基于两个PN结之间的正向和反向偏置。
当发射区与基区的PN结处于正向偏置时，通过发射结注入的小电流引起基区中的载流子增加。
这些载流子穿过基区并进入集电区。
当集电区与基区的PN结处于反向偏置时，集电区形成一个高电场，将来自基区的大部分载流子吸收。
硅基双极晶体管有三种工作模式：
1.放大模式：当发射结正向偏置，基极-发射结电压Vbe大于硅基双
极晶体管的压降时，晶体管处于放大模式。
此时，小的输入信号电流可通过控制Vbe来控制输出电流。
2.截止模式：当发射结与基极之间的电压低于硅基双极晶体管的压
降时，晶体管处于截止模式。
此时，输出电流非常小。
3.饱和模式：当发射结正向偏置时，基极-发射结电压Vbe等于或略
大于硅基双极晶体管的压降时，晶体管处于饱和模式。
此时，输出电流是最大的。
硅基双极晶体管在各种电子设备中广泛应用，例如放大器、开关和逻辑门等。
它具有高增益、快速响应和稳定性好等优点，在电子工业中
起着重要作用。
微电子概论第二章微电子概论 第三节 双极型晶体管
1
1
iCBO ic
说明 > ，由于接近1，所以达
1
几十乃至上百。主要是由于输入端
由微弱的复合电流控制，而输出端
有大的漂移电流增强
➢穿透电流、注入效率与输运系数 (1) 穿透电流
iB
iCBO iCn
令 IC EO (1 ) IC B O
则 iC iB ICEO
当 iB=0 时， iC=ICEO
(2)注入效率
Rb
iB
iE
VBB
iE
称ICEO为穿透电流
发射区向基区注入电流的效率： = iEn/ie
(3)输运系数
基区向集电区电子输运的效率： = iCn/iEn 显然， = iCn/ie ≈
iC Rc
VCC
➢电压放大原理
N
共基极电压放大倍数GV及功率放大倍数GP
GV
iC RC iere
RC re
作业2
1. 已知：一只NPN型双极型晶体管共发射极 连接，测得其电压放大倍数为15，功率放 大倍数为930，基极电流Ib = 50 A，求解 以下问题：（1）画出电路图，并标出发射 极电流Ie、集电极电流Ic和基极电流Ib方向；
（2）求电流放大倍数；（3）求发射极电
流Ie、集电极电流Ic。
2. 能否将BJT的e、c两个电极交换使用，为什 么？
iB′ ic iE iB
共发射极 大
大 大
共基极 大
大
iCn iCBO
iB iE
iE
iC Rc VCC
iC Rc
VCC iB VBB
➢电流增益关系
iE iC iB iE iB iCn iC iCn ICBO iB iB ICBO
双极型晶体管介绍
双极型晶体管品体管的极限参数品体管的极限参数双极型晶体管(BipolarTransistor)由两个背匏背型空构成的具有电流放大作用的晶体三极管。
起源于1948年发明的点接触晶体三极管，50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。
双极型晶体管有两种基本结构：PNP型和NPN型。
在这3层半导体中，中间一层称基区，外侧两层分别称发射区和集电区。
当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。
双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。
同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度快，但输入阻抗小，功耗大。
双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可竟性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、臼控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。
晶体管：用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域，并形成两个PN结，就构成了晶体管.晶体管分类：NPN型管和PNP型管输入特性曲线：描述了在管乐降UCE一定的情况下，基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性，可表示为：硅管的开启电压约为0.7V,铸管的开启电压约为0.3V。
输出特性曲线：描述基极电流旧为一常量时，集电极电流iC与管乐降uCE之间的函数关系。
可表示为：双击型晶体管输出特性可分为三个区♦截止区：发射结和集电结均为反向偏置。
IE@0,IC@0,UCE@EC,管子失去放大能力。
如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。
♦饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。
在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE@0,IC=EC/RC,把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。
♦放大区：发射结正偏，集电结反偏。
放大区的特点是：♦IC受IB的控制，与UCE的大小几乎•无关。
因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。
♦特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，问隔越大表示管子电流放大系数b越大。
双极型晶体管
双极型晶体管电子和空穴两种载流子都起作用的晶体管，又称结型晶体管。
1948年，人们发现原始的点接触晶体管具有放大作用,但由于金属丝与晶体表面的接触很不可靠,因此使用受到很大限制。
1950年，用切克劳斯基法拉出锗单晶，接着又拉出硅单晶。
1951年发展锗的区域提纯技术和硅的无坩埚区域提纯技术,获得纯度达99.999999％的锗、硅单晶。
在PN结理论发展的基础上，加上锗材料、硅材料制备技术的进展，1951年用合金法制成合金结晶体管。
1955年杂质向半导体中扩散的新技术得到发展，1956年制成扩散型晶体管，使晶体管的工作频率提高两个数量级。
1959年硅表面热生长二氧化硅工艺和光刻技术的发展，促使1960年研制成功平面型晶体管。
由于晶体管表面有了钝化层，使器件的稳定性大为提高。
平面技术为集成电路和大规模集成电路的研究打下基础。
基本结构双极型晶体管有两种基本结构;PNP型和NPN型（图1），由两个背靠背的PN结组成。
在这三层半导体中,中间一层叫基区(B)，左右两层分别叫发射区(E)和集电区(C)。
发射区和基区间形成发射结，集电区和基区间形成集电结。
晶体管按功率耗散能力大小可分为小功率管、中功率管、大功率管。
按工作频率的高低可分为低频管、高频管、微波管。
按制造工艺又可分为合金管、合金扩散管、台式管、外延平面管（图2）。
合金管的基区宽度和结电容都较大,频率性能差,一般仅用于低频电路。
合金扩散管的基区由扩散形成,基区较薄,基区杂质分布所形成的内建场能加速少数载流子渡越，因此它的频率特性较好，可用于高频范围。
外延平面管的基区和发射区都可用扩散或离子注入工艺形成，基区宽度可精确控制到 0.1微米。
采用电子束曝光、干法腐蚀等新工艺可获得亚微米的管芯图形线条。
因此，它的工作频率可从超高频一直延伸到微滤 X波段。
外延平面管加上掺金工艺可制成超高速开关管和各种高速集成电路（如ECL电路）。
放大作用对于 NPN晶体管共发射极电路，若在发射结上加正偏压，在集电结上加负偏压，则晶体管处于放大状态。
igbt 器件和工艺技术
igbt 器件和工艺技术IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高压高功率晶体管器件。
它结合了MOSFET和双极晶体管的优点，并克服了它们的缺点。
IGBT器件主要用于电力变换、电机驱动和其他高功率电子设备中。
IGBT器件的结构复杂，主要由PNP型双极晶体管和N型MOSFET组成。
双极晶体管用于负责电流控制，而MOSFET用于控制开关。
两者结合的结果是，IGBT既有MOSFET的高输入阻抗和低输入电流，又有双极晶体管的低饱和压降和高电流放大倍数。
这使得IGBT器件成为高效率和高性能应用的理想选择。
在IGBT器件的工艺技术方面，主要有以下几个关键步骤。
首先是材料准备，主要是选择合适的半导体材料和衬底材料。
通常使用的半导体材料包括硅（Si）和碳化硅（SiC）。
接下来是晶体生长，通过将合适的原始材料在高温环境中进行化学反应，使其形成晶体结构。
然后是晶圆加工，将晶体切割成薄片，形成所需的晶圆。
接下来是薄膜沉积，将薄膜层沉积在晶圆上，通常使用物理气相沉积（PECVD）或化学气相沉积（CVD）等技术。
然后是光刻和蚀刻，将所需的图案转移到薄膜上，并通过蚀刻来形成所需的结构。
最后是封装和封装测试，将器件封装在合适的封装中，并进行电性能测试和可靠性测试。
IGBT器件的工艺技术的发展主要有以下几个趋势。
首先是向更小尺寸的器件迈进。
随着科技的发展，器件尺寸越来越小，可以提供更高的功率密度和更高的效率。
其次是向低损耗和高集成度迈进。
通过改进材料和工艺技术，减小器件的开关损耗和导通损耗，并提高器件的集成度和功能。
再次是向高温和高压环境适应迈进。
IGBT器件通常用于高温和高压环境中，因此需要具备良好的高温和高压耐受性。
最后是向节能和环保方向迈进。
随着节能和环保意识的增强，IGBT器件的设计和工艺技术也越来越注重节能和环保。
总之，IGBT器件是一种重要的高压高功率晶体管器件，其工艺技术的发展趋势主要包括向更小尺寸、低损耗和高集成度、高温和高压环境适应以及节能和环保方向迈进。
双极结型晶体管基础知识
双极结型晶体管基础知识双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构。
双极结型晶体管，外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，主要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置；BJT种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共发射极、共基极和共集电极放大电路。
BJT与一般的晶体三极管有相似的结构、工作原理。
BJT由一片半导体上的两个pn结组成，可以分为PNP或NPN型两种结构，图1中给出了两种BJT的符号以及其三个输出端子的定义。
图1 NPN型和PNP型双极晶体管的符号为电力半导体器件，BJT大多采用NPN型结构。
BJT的三层两结结构并非由单纯的电路连接形成，而需较复杂的工艺制作过程。
大多数双极型功率晶体管是在重掺杂的N+硅衬底上，用外延生长法在N+上生长一层N-漂移层，然后在漂移层上扩散P基区，接着扩散N+发射区，因此称之为三重扩散。
基极与发射极在一个平面上做成叉指型以减少电流集中和提高器件电流处理能力。
三重扩散台面型NPN型BJT的结构剖面示意图如图2所示。
图中掺杂浓度高的N+区称为BJT的发射区，其作用是向基区注入载流子。
基区是一个厚度为几μm至几十μm之间的P型半导体薄层，它的任务是传送和控制载流子。
集电区则是收集载流子的N型半导体层，常在集电区中设置轻掺杂的N-区以提高器件的耐压能力。
不同类型半导体区的交界处则形成PN结，发射区与基区交界处的PN结称为发射结（J1），集电区与基区交界处的PN 结称为集电结（J2）。
双极晶体管PPT课件
Irb I ne
Isb
1
I rb I ne
I sb I ne
体复合 表面复合
对均匀基区
对缓变基区
0*
1
Wb 2L2nb
SASWb Ae Dnb
S为表面复合速率
0*
1
Wb
L2nb
SASWb N B Ae Dnb NB 0
47
4. 基区宽变效应
基区有效宽度随集电结偏压而变化的现象称为基区宽度调变 效应（厄尔利效应）
Ine
I ne
1
Ie Ine I pe Ire 1 I pe Ire
Ine Ine
43
2. 发射区重掺杂效应对电流放大系数的影响
发射区过重的掺杂不仅不能提高发射效率，反而使发射效率降低
1）形成杂质带尾，禁带变窄 Eg Eg Eg'
Eg
3q3
16 s
NE
S kT
Eg ni ni2 ND NDeff
1
Dpe
N
BWb
)
1
Wb2 2L2nb
1
Dpe NBWb Dnb NEWe
Wb2 2L2nb
Dnb NEWe
或者
( 1
1
eWb
)
1
Wb2 2L2nb
1
eWb bWe
1
Wb2 2L2nb
bWe
1
eWb bWe
Wb2 2L2nb
29
4、共射极电流增益
0
0 10
1
10
41
3.3 晶体管的直流电流增益 3.3.3 提高放大系数的途径 1、减小基区宽度 （基区少子浓度梯度大，且复合损失小）
pnp晶体管工作原理
pnp晶体管工作原理PNP晶体管工作原理。
PNP晶体管是一种常见的双极型晶体管，它由P型半导体、N型半导体和P型半导体三层结构组成。
它的工作原理主要涉及PNP结构和控制电流的作用。
下面我们将详细介绍PNP晶体管的工作原理。
首先，我们来看PNP结构。
PNP晶体管由P型半导体基片、N型半导体发射极和P型半导体基极组成。
当在基极端加上正电压，而在发射极端加上负电压时，P型半导体的空穴和N型半导体的电子被吸引，从而在P型半导体与N型半导体之间形成一个电流。
这样，PNP结构中的电子和空穴就会向基极端流动，从而形成了PNP晶体管的工作基础。
其次，我们来看PNP晶体管的控制电流作用。
PNP晶体管的工作原理是通过控制基极电流来控制集电极电流。
当在基极端加上一定的电流时，就会在发射极和基极之间形成一个电流，从而控制集电极的电流。
通过这种方式，PNP晶体管可以实现电流放大的功能，从而应用于各种电子设备中。
总的来说，PNP晶体管的工作原理主要包括PNP结构和控制电流的作用。
通过PNP结构的电子和空穴的流动，以及控制基极电流来控制集电极电流，PNP晶体管可以实现电流放大的功能。
这种工作原理使得PNP晶体管在各种电子设备中得到了广泛的应用，如放大电路、开关电路等。
除了以上介绍的工作原理，PNP晶体管还有许多其他特性和应用。
例如，它具有较高的开关速度和较低的噪声水平，适用于高频和低噪声放大器。
此外，它还可以用于电压比较器、振荡器、多谐振荡器等电路中。
因此，PNP晶体管在电子领域有着广泛的应用前景。
综上所述，PNP晶体管的工作原理涉及PNP结构和控制电流的作用。
通过对这些原理的深入理解，我们可以更好地应用PNP晶体管，并在实际应用中发挥其作用。
希望本文对您对PNP晶体管的工作原理有所帮助。
双极型晶体管
iC
iB b c +
输
入 信
uBE
号
-
VBB
e VCC
共发射极放大电路
基极电流iB是由发射结间 负 电压uBE控制的。
载 u i u B E iB iC
在集电极回路中串接一个 负载电阻，就可以在负载 电阻两端得到相应的幅度 较大的变化电压。
第三节
iE e
c iC
-
输
u 入
BE
第四章
晶体管的结构和类型
双
极
晶体管的电流分配关系和放大作用
型
晶
晶体管的特性曲线
体
管
晶体管的主要参数
温度对晶体管参数的影响
第三节
双极型晶体管可简称为晶体管，或半导体三极管， 用BJT（Bipolar Junction Transistor）来表示。
晶体管
PNP型
硅晶体管 锗晶体管
晶体管类型
NPN型
3DG6
0 0.2 0.4 0.6 0.8 uBE(V)
c
特 3. 继续增大uCE，曲线右 点 移的距离很小。
μA
b iB
常用uCE=1V的一条曲线来 RW1 代表uCE>1V的所有输入特
性曲线
u +V BE -
VBB
e
PNP型锗晶体管和NPN型硅晶体管输入特性 第三节
iB(mA)
0.16 uCE=0V
-6V
iC(mA)
在输出特性的坐标系上画出
60
PCM iCuCE 的曲线，称为
50
集电极最大功率损耗线。
40 30
20
若温度升高会引起PCM值下降
10 0
双极型晶体管
iC
iB b c +
输
入 信
uBE
号
-
VBB
e VCC
共发射极放大电路
基极电流iB是由发射结间 负 电压uBE控制的。
载 u i u B E iB iC
在集电极回路中串接一个 负载电阻，就可以在负载 电阻两端得到相应的幅度 较大的变化电压。
第三节
iE e
c iC
-输u 入 NhomakorabeaBE
0 0.2 0.4 0.6 0.8 uBE(V)
c
特 3. 继续增大uCE，曲线右 点 移的距离很小。
μA
b iB
常用uCE=1V的一条曲线来 RW1 代表uCE>1V的所有输入特
性曲线
u +V BE -
VBB
e
PNP型锗晶体管和NPN型硅晶体管输入特性 第三节
iB(mA)
0.16 uCE=0V
-6V
第三节
晶
电流放大系数
体
管
的
极间反向电流
主
要
参
极限参数
数
频率参数
（一）电流放大系数
1.共射直流电流放大系数
第三节
2.共射交流短路电流放大系数β
3.共基直流电流放大系数
和共基交流放大系数
1.共射直流电流放大系数
第三节
表示静态（无输入信号）时的电流放大系数。即集电极
电压UCE一定时，集电极电流和基极电流之间的关系。
+ V
uBE
-
V
+ -
--
RW2
VCC
iC(mA)
0.12 20℃
12
0.10
第三讲双极型晶体管
iB UCE=0V 10 1
uBE
对于一定的uBE ，当uCE增大到一定值后，集电结的电场已足够强，可以将发射区注入到基 区的绝大部分非平衡少子收集到集电区，因此即使再增大uCE ， iC也不可能明显增大了。
1 一 般 ：为 几 十 到 几 百
（五）BJT的结偏置电压与各极电流的关系
1、发射结正偏电压uBE对各极电流的作用——正向控制作用。 发射极电流实际上是正偏发射结的正向电流：
iE ISeuBE/UT;
u i BE
两者是指数关系。
E
iC iE;
iB
iE
1
uBE iC、 iB
uCB
iB
发射结
发射 区
集电结 基区
集电 区
E
B
C
uCB
iE
I euBE/UT S
uCB通过厄利效应对BJT电流的影响远不如uBE对电流的正向控制作用大，但它的存在使BJT的电流受控关系 复杂化，使之成为所谓的“双向受控元件”，由此带来分析的复杂化，并有可导致放大器因“内反馈”而
性能变坏。
（六）BJT的截止和饱和工作状态 c
与单个PN结的反向饱和电流一样。 IB = -ICBO， IC = ICBO ICBO的值很小，硅管小于1µA，锗管约10µA，受温度影响很 大。
（2）集电极反向穿透电流ICEO ： 此电流从集电区穿越基区流至发射区，所以叫穿透电流。 ICEO= （1+）ICBO ( P30 ) ICBO和ICEO都是衡量BJT温度稳定性的重要参数，因ICEO大， 容易测量，所以常把ICEO作为判断管子质量的重要依据。
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四.双极结型晶体管的发展历史
• 1947.12.23日第一只点接触晶体管诞生-Bell Lab.(Bardeen、 Shockley、Brattain) • 1949年提出PN结和双极结型晶体管理论-Bell Lab.(Shockley) • 1951年制造出第一只锗结型晶体管-Bell Lab.(Shockley) • 1956年制造出第一只硅结型晶体管-美德州仪器公司（TI） • 1956年Bardeen、Shockley、Brattain获诺贝尔奖 • 1956年中国制造出第一只锗结型晶体管-（吉林大学高鼎三） • 1970年硅平面工艺成熟，双极结型晶体管大批量生产
双极性晶体管能够放大信号,提供较高的跨导和输 出电阻，并且具有较好的功率控制、高速工作以及耐 久能力，所以它常被用来构成放大器电路，或驱动扬 声器、电动机等设备，并被广泛地应用于航空航天工 程、医疗器械和机器人等应用产品中。 并且可以将它控制在截止和饱和状态下用作开关器 件。
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硅PNP双极型晶体管
PNP Bipolar Junction Transistors
小组成员 李 钊 戴金锐 王伟利
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目录 （1）器件的应用 （2）器件的结构及名称 （3）器件的制作工艺 （4）器件的发展历程 （5）双极型器件的扩展
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一、器件的应用
3
二、器件的结构图
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平衡条件下的PNP三极管的示意图
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C
B
E
C
B
E
三极管剖面图
三极管俯视图
C：collector 集电区 B：base 基区 E：emitter 发射区
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三、器件的制作工艺
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ห้องสมุดไป่ตู้
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五.双极型器件的扩展——异质结双极性晶体 管
在图中的异质结双极性晶体管中， 基极区域的能隙分布不均匀有利于 少数载流子（电子）通过基极区域。 图中浅蓝色表示耗尽层。
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异质结双极性晶体管（heterojunction bipolar transistor）是一种改良的双极性晶 体管，它具有高速工作的能力。研究发现，这种晶体管可以处理频率高达几百 GHz的超高频信号，因此它适用于射频功率放大、激光驱动等对工作速度要求苛 刻的应用。 异质结是PN结的一种，这种结的两端由不同的半导体材料制成。在这种双极性 晶体管中，发射结通常采用异质结结构，即发射极区域采用宽禁带材料，基极区 域采用窄禁带材料。常见的异质结用砷化镓（GaAs）制造基极区域，用铝-镓-砷 固溶体（AlxGa1-xAs）制造发射极区域。[1]:101采用这样的异质结，双极性晶 体管的注入效率可以得到提升，电流增益也可以提高几个数量级。