硅材料制备技术专业简介

专业代码530607

专业名称硅材料制备技术

基本修业年限三年

培养目标

本专业培养德、智、体、美全面发展，具有良好职业道德和人文素养，掌握硅材料生产原理基本知识，具备硅材料生产、检测与工艺分析能力，从事硅材料制备、分析检测与管理工作的高素质技术技能人才。

就业面向

主要面向硅材料行业，从事多晶硅、单晶硅、铸锭硅等岗位生产现场操作与管理、产品质量检测与分析、安全生产与管理等工作。

主要职业能力

1.具备对新知识、新技能的学习能力和创新创业能力；

2.具备应用高纯硅材料相关理论知识指导生产的能力；

3.具备进行多晶硅、单晶硅、铸锭硅等岗位生产操作及现场巡检，正确处理生产现场突发事故的能力；

4.具备进行多晶硅、单晶硅、铸锭硅产品质量检测分析的能力；

5.具备一定的计算机应用，专业英语阅读、翻译和交流能力；

6.具有个人职业安全防护、三废与环境保护的职业意识。

核心课程与实习实训

1.核心课程

半导体硅材料实用基础、化工单元操作技术、多晶硅生产技术、硅材料检测技术、单晶硅生长技术、化工仪器仪表及自动化、化工安全与环保等。

2.实习实训

在校内进行钳工基础、电工及安全用电基础、核心岗位课程综合技能等实训。在多晶硅（化工）及光伏企业进行实习。

职业资格证书举例

多晶制取工单晶片加工工硅冶炼工半导体原料制备工

衔接中职专业举例

化学工艺工业分析与检验化工机械与设备

接续本科专业举例

化学工程与工艺应用化学冶金工程

光伏材料制备技术专业介绍

光伏材料制备技术专业介绍集团文件版本号：（M928-T898-M248-WU2669-I2896-DQ586-M1988）

光伏材料制备技术专业一、我的专业：你愿意在新能源领域蓬勃发展的今天，成为在光伏材料加工、光伏系统安装及相关行业从事生产运行、产品检测与质量控制、生产技术管理、光伏系统设备检测与维护等工作的高端技能型人才吗？光伏材料加工与应用技术专业开办于2011年，是教育部财政部“支持高等职业学校提升专业服务产业发展能力项目”重点建设专业，2016年正式更名为光伏材料制备技术专业。二、我的培养模式我们对太阳能行业工作岗位和典型工作任务分析，按照认知规律，职业成长规律，形成了“以工作过程为导向”的“三段进阶”人才培养模式。三、我的课程与东方电气集团校企合作建成省级精品课1门、院级精品课1门，教学团队开发的实训设备连续两年获甘肃省教学成果奖，并出版特色多部特色教材。四、我的实践为了培养大家的职业素养与职业技能，我们投资3500万元建成全国唯一的集七种光伏发电型式于一体的2.1MW校内光伏电站，进行教学实训与生产实习。并建有0.4MW光伏建筑一体化智能微网系统、光伏发电效率测试中心、新能源实训中心（内含光伏发电技术、太阳模拟跟踪光

伏发电控制、风光互补发电控制、可编程逻辑控制、传感器与检测、电工技术等与光伏发电相关实训室）。五、我的老师该专业教学团队为院级优秀教学团队，并参与了国家级新能源类专业教学资源库建设工作。六、我的未来可在光伏系统集成企业，从事光伏系统的设计、安装、调试与维护等工作，也可在光伏发电系统设备制造企业，从事光伏产品的生产、测试、质检、销售与技术服务工作。另外，本专业学生可通过“专升本”等途径继续学业深造，直接与兰州理工大学新能源学院“新能源科学技术”专业相对接。

光伏材料知识点

1.晶体分类：离子晶体，共价晶体，分子晶体，金属晶体。 2.共价键特点：饱和性和方向性。 3.硅属于间接能隙半导体。 4.半导体分为本证半导体和杂质半导体，杂质填充方式有间隙和替位。 5.P-N 结正反向接法（辨别即可） 6.晶向：晶列取向，通常用晶向指数来描述。晶胞中任取一格点作为原点，则任一格点位矢R=ma+nb+pc ，那么该晶列晶向指数可表示为[m n p]。 7.晶面：晶体中的原子可以看成是分布在一系列平行而等距的平面。平行的晶面组成晶面族密勒指数来描述晶面的方向。任选一格点为原点，以晶胞基矢a,b,c 为坐标轴，晶面在坐标轴上截距r,s,t 的倒数比即为密勒指数，表示为（hkl ）。 8.峰瓦数：比如，一个1m2、转换效率为18%的太阳电池，在赤道附近它的输出功率为180Wp （1000W/m2×1m2×18%） 9.太阳级多晶硅原料制备流程：冶金级多晶硅制造，SiHCl3制造与纯化，SiHCl3氢气还原。 10.直拉（CZ ）法单晶硅制造流程：加料、熔化；熔接；缩颈生长；放肩生长；等晶生长；收尾生长。 11.直拉（CZ ）法单晶硅制造中碳，氧杂质分布情况：K<1,意味着杂质在晶体中的浓度始终小于在熔体中的浓度，也就导致随着晶体生长杂质含量越来越多。例如：碳杂质K=0.07 K>1,意味着杂质在晶体中的浓度始终大于在熔体中的浓度，也就导致随着晶体生长杂质含量越来越少。例如：氧杂质K=1.27 (换言之，就是氧杂质头部多尾部少，碳杂质头部少尾部多。) 12.磷硅玻璃成份：52O P ，2SiO 13.表面制绒：硅材料制绒方法可分为干法和湿法。干法有机械刻槽，反应离子刻蚀，光刻等。湿法是传统的刻蚀方法，又被称为化学腐蚀法。1)单晶硅碱制绒(碱制绒腐蚀液:NaOH 和IPA NaOH ，IPA ，NaSiO3 NaOH ，乙醇)2)多晶硅酸制绒(酸制绒腐蚀液：HNO3，HF ，HNO3作为氧化剂，HF 是络合剂) 14.减反射膜：减反射膜光学厚度为1/4入射光波长，折射率为外界介质与硅片折射率乘积的平方根。减反射膜材料的选择标准：减反射膜厚度及折射率是减反射膜制备的两个重要参数，除此之外，还需要考虑其他一些问题：减反射膜对光的吸收要小；物理化学稳定性；制备工艺难易及成本。 15.电池片丝网印刷的三步骤:背电极印刷及烘干（浆料：Ag /Al 浆）；背电场印刷及烘干（浆料：Al 浆）；正面电极印刷及烘干（浆料：Ag 浆）。

【半导体研磨精】半导体晶圆的生产工艺流程介绍

?从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序）：晶棒成长--> 晶棒裁切与检测--> 外径研磨--> 切片--> 圆边--> 表层研磨--> 蚀刻--> 去疵--> 抛光--> 清洗--> 检验--> 包装 1 晶棒成长工序：它又可细分为： 1）融化（Melt Down）将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点1420°C以上，使其完全融化。 2）颈部成长（Neck Growth）待硅融浆的温度稳定之后，将〈1.0.0〉方向的晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸（一般约6mm左右），维持此直径并拉长 100-200mm，以消除晶种内的晶粒排列取向差异。 3）晶冠成长（Crown Growth）颈部成长完成后，慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸（如 5、6、8、12吋等）。 4）晶体成长（Body Growth）不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度达到预定值。 5）尾部成长（Tail Growth） 1

当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离。到此即得到一根完整的晶棒。 2 晶棒裁切与检测（Cutting & Inspection）将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾部分，并对尺寸进行检测，以决定下步加工的工艺参数。 3 外径研磨（Su rf ace Grinding & Shaping）由于在晶棒成长过程中，其外径尺寸和圆度均有一定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必须对外径进行修整、研磨，使其尺寸、形状误差均小于允许偏差。 4 切片（Wire Saw Sl ic ing）由于硅的硬度非常大，所以在本工序里，采用环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。 5 圆边（Edge Profiling）由于刚切下来的晶片外边缘很锋利，硅单晶又是脆性材料，为避免边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片表面光洁和对后工序带来污染颗粒，必须用专用的电脑控制设备自动修整晶片边缘形状和外径尺寸。 ? 6 研磨（Lapping）研磨的目的在于去掉切割时在晶片表面产生的锯痕和破损，使晶片表面达到所要求的光洁度。 7 蚀刻（Etching） 1

光伏材料制备技术经验专业介绍

该专业教学团队为院级优秀教学团队，并参与了国家级新能源类专业教学资源库建设工作。六、我的未来可在光伏系统集成企业，从事光伏系统的设计、安装、调试与维护等工作，也可在光伏发电系统设备制造企业，从事光伏产品的生产、测试、质检、销售与技术服务工作。另外，本专业学生可通过“专升本”等途径继续学业深造，直接与兰州理工大学新能源学院“新能源科学技术”专业相对接。

芯片制造-半导体工艺教程

芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication ----A Practical Guide to Semicondutor Processing 目录: 第一章:半导体工业[1][2][3] 第二章:半导体材料和工艺化学品[1][2][3][4][5]第三章:晶圆制备[1][2][3] 第四章:芯片制造概述[1][2][3] 第五章:污染控制[1][2][3][4][5][6] 第六章:工艺良品率[1][2] 第七章:氧化第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验第十章:高级光刻工艺第十一章:掺杂第十二章:淀积第十三章:金属淀积第十四章:工艺和器件评估第十五章:晶圆加工中的商务因素第十六章:半导体器件和集成电路的形成第十七章:集成电路的类型第十八章:封装附录:术语表

#1 第一章半导体工业--1 芯片制造-半导体工艺教程点击查看章节目录 by r53858 概述本章通过历史简介，在世界经济中的重要性以及纵览重大技术的发展和其成为世界领导工业的发展趋势来介绍半导体工业。并将按照产品类型介绍主要生产阶段和解释晶体管结构与集成度水平。目的完成本章后您将能够： 1. 描述分立器件和集成电路的区别。 2. 说明术语“固态，” “平面工艺”，““N””型和“P”型半导体材料。 3. 列举出四个主要半导体工艺步骤。 4. 解释集成度和不同集成水平电路的工艺的含义。 5. 列举出半导体制造的主要工艺和器件发展趋势。一个工业的诞生电信号处理工业始于由Lee Deforest 在1906年发现的真空三极管。1真空三极管使得收音机, 电视和其它消费电子产品成为可能。它也是世界上第一台电子计算机的大脑，这台被称为电子数字集成器和计算器（ENIAC）的计算机于1947年在宾西法尼亚的摩尔工程学院进行首次演示。这台电子计算机和现代的计算机大相径庭。它占据约1500平方英尺，重30吨，工作时产生大量的热，并需要一个小型发电站来供电，花费了1940年时的400, 000美元。ENIAC的制造用了19000个真空管和数千个电阻及电容器。真空管有三个元件，由一个栅极和两个被其栅极分开的电极在玻璃密封的空间中构成(图1.2)。密封空间内部为真空，以防止元件烧毁并易于电子的====移动。真空管有两个重要的电子功能，开关和放大。开关是指电子器件可接通和切断电流；放大则较为复杂，它是指电子器件可把接收到的信号放大，并保持信号原有特征的功能。真空管有一系列的缺点。体积大，连接处易于变松导致真空泄漏、易碎、要求相对较多的电能来运行，并且元件老化很快。ENIAC 和其它基于真空管的计算机的主要缺点是由于真空管的烧毁而导致运行时间有限。这些问题成为许多实验室寻找真空管替代品的动力，这个努力在1947年12月23曰得以实现。贝尔实验室的三位科学家演示了由半导体材料锗制成的电子放大器。

半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程 N型硅：掺入V族元素--磷P、砷As、锑Sb P型硅：掺入III族元素—镓Ga、硼B PN结：半导体元件制造过程可分为前段（FrontEnd）制程晶圆处理制程（WaferFabrication；简称WaferFab）、晶圆针测制程（WaferProbe）；後段（BackEnd）构装（Packaging）、测试制程（InitialTestandFinalTest）一、晶圆处理制程晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件（如电晶体、电容体、逻辑闸等），为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程，以微处理器（Microprocessor）为例，其所需处理步骤可达数百道，而其所需加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘（Particle）均需控制的无尘室（Clean-Room），虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之後，接著进行氧化（Oxidation）及沈积，最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成晶圆上电路的加工与制作。二、晶圆针测制程经过WaferFab之制程後，晶圆上即形成一格格的小格，我们称之为晶方或是晶粒（Die），在一般情形下，同一片晶圆上皆制作相同的晶片，但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品；这些晶圆必须通过晶片允收测试，晶粒将会一一经过针测（Probe）仪器以测试其电气特性，而不合格的的晶粒将会被标上记号（InkDot），此程序即称之为晶圆针测制程（WaferProbe）。然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒三、IC构装制程 IC構裝製程（Packaging）：利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的：是為了製造出所生產的電路的保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。半导体制造工艺分类半导体制造工艺分类一双极型IC的基本制造工艺： A在元器件间要做电隔离区（PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离）ECL（不掺金）（非饱和型）、TTL/DTL（饱和型）、STTL（饱和型）B在元器件间自然隔离 I2L（饱和型）半导体制造工艺分类二MOSIC的基本制造工艺：根据栅工艺分类 A铝栅工艺 B硅栅工艺

工业机器人简介及发展前景

工业机器人简介及发展前景工业机器人是面向工业领域的多关节机械手或多自由度的机器人。工业机器人是自动执行工作的机器装置，是靠自身动力和控制能力来实现各种功能的一种机器。它可以接受人类指挥，也可以按照预先编排的程序运行，现代的工业机器人还可以根据人工智能技术制定的原则纲领行动。工业机器人最显著的特点有以下几个： (1)可编程。生产自动化的进一步发展是柔性启动化。工业机器人可随其工作环境变化的需要而再编程，因此它在小批量多品种具有均衡高效率的柔性制造过程中能发挥很好的功用，是柔性制造系统中的一个重要组成部分。 (2)拟人化。工业机器人在机械结构上有类似人的行走、腰转、大臂、小臂、手腕、手爪等部分，在控制上有电脑。此外，智能化工业机器人还有许多类似人类的“生物传感器”，如皮肤型接触传感器、力传感器、负载传感器、视觉传感器、声觉传感器、语言功能等。传感器提高了工业机器人对周围环境的自适应能力。 (3)通用性。除了专门设计的专用的工业机器人外，一般工业机器人在执行不同的作业任务时具有较好的通用性。比如，更换工业机器人手部末端操作器（手爪、工具等）便可执行不同的作业任务。 (4)工业机器技术涉及的学科相当广泛，归纳起来是机械学和微电子学的结合-机电一体化技术。第三代智能机器人不仅具有获取外部环境信息的各种传感器，而且还具有记忆能力、语言理解能力、图像识别能力、推理判断能力等人工智能，这些都是微电子技术的应用，特别是计算机技术的应用密切相关。因此，机器人技术的发展必将带动其他技术的发展，机器人技术的发展和应用水平也可以验证一个国家科学技术和工业技术的发展水平。当今工业机器人技术正逐渐向着具有行走能力、具有多种感知能力、具有较强的对作业环境的自适应能力的方向发展。当前，对全球机器人技术的发展最有影响的国家是美国和日本。美国在工业机器人技术的综合研究水平上仍处于领先地位，而日本生产的工业机器人在数量、种类方面则居世界首位。构造分类工业机器人由主体、驱动系统和控制系统三个基本部分组成。主体即机座和执行机构，包括臂部、腕部和手部，有的机器人还有行走机构。大多数工业机器人有3～6个运动自由度，其中腕部通常有1～3个运动自由度；驱动系统包括动力装置和传动机构，用以使执行机构产生相应的动作；控制系统是按照输入的程序对驱动系统和执行机构发出指令信号，并进行控制。工业机器人按臂部的运动形式分为四种。直角坐标型的臂部可沿三个直角坐标移动；圆柱坐标型的臂部可作升降、回转和伸缩动作；球坐标型的臂部能回转、俯仰和伸缩；关节型的臂部有多个转动关节。工业机器人按执行机构运动的控制机能，又可分点位型和连续轨迹型。点位型只控制执行机构由一点到另一点的准确定位，适用于机床上下料、点焊和一般搬运、装卸等作业；连续轨迹型可控制执行机构按给定轨迹运动，适用于连续焊接和涂装等作业。工业机器人按程序输入方式区分有编程输入型和示教输入型两类。编程输入型是将计算机上已编好的作业程序文件，通过RS232串口或者以太网等通信方式传送到机器人控制柜。示教输入型的示教方法有两种：一种是由操作者用手动控制器(示教操纵盒)，将指令信号传给驱动系统，使执行机构按要求的动作顺序和运动轨迹操演一遍；另一种是由操作者直

光伏材料的发展及应用

光伏材料的发展及应用摘要：太阳能光伏发电技术是集半导体材料、电力电子技术、现代控制技术、蓄电池技术及电力工程技术于一体的综合性技术是当今新能源发电领域的一个研究热点。本文介绍了光伏发电技术的相关概念，综述了该领域的主要研究内容和应用现状，并对光伏发电产业的未来发展趋势进行分析。关键词：太阳能电池材料；光伏发电材料 0 引言随着全球经济的迅速发展和人口的不断增加，以石油、天然气和煤炭等为主的化石能源正逐步消耗，能源危机成为世界各国共同面临的课题。与此同时，化石能源造成的环境污染和生态失衡等一系列问题也成为制约社会经济发展甚至威胁人类生存的严重障碍。新能源应用正成为全球的热点。太阳能资源是最丰富的可再生能源之一，它分布广泛，可再生，不污染环境，是国际上公认的理想替代能源。光伏发电是太阳能直接应用的一种形式。作为一种环境友好并能有效提高生活标准的新型发电方式，光伏发电技术正在全球范围内逐步得到应用。 1太阳能光伏发电原理及运用材料 1.1太阳能光伏发电的工作原理 “光伏发电”是将太阳光能直接转换为电能的一种发电形式。1839年，法国科学家贝克勒尔(A．E．Becqure1)首先发现了“光生伏打效应(Photovoltaic Effect)”。然而，第一个实用单晶硅光伏电池(Solar Cel1)直到一个多世纪后的1954年才在美国贝尔实验室研制成功。20世纪70年代中后期开始，光伏电池技术不断完善，成本不断降低，带动了光伏产业的蓬勃发展。光伏发电原理如图1所示。PN结两侧因多数载流子(N 区中的电子和P区中的空穴)向对方的扩散而形宽度很窄的空间电荷区w，建立自建电场E i。它对两边多数载流子是势垒，阻挡其继续向对方扩散；但它对两边的少数载流子(N 区中的空穴和P区中的电子)却有牵引作用，能把它们迅速拉到对方区域。稳定平衡时，少数载流子极少，难以构成电流和输出电能。但是，如图la、b所示，光伏电池受到太阳光子的冲击，在光伏电池内部产生大量处于非平衡状态的电子一空穴对，其中的光生非平衡少数载流子(即N 区中的非平衡空穴和P区中的非平衡电子)可以被内建电场E i牵引到对方区域，然后在光伏电池中的PN 结中产生光生电场E PV一当接通外电路时，即可流出电流，输出电能。当把众多这样小的太

半导体工艺流程

1、清洗集成电路芯片生产的清洗包括硅片的清洗和工器具的清洗。由于半导体生产污染要求非常严格，清洗工艺需要消耗大量的高纯水；且为进行特殊过滤和纯化广泛使用化学试剂和有机溶剂。在硅片的加工工艺中，硅片先按各自的要求放入各种药液槽进行表面化学处理，再送入清洗槽，将其表面粘附的药液清洗干净后进入下一道工序。常用的清洗方式是将硅片沉浸在液体槽内或使用液体喷雾清洗，同时为有更好的清洗效果，通常使用超声波激励和擦片措施，一般在有机溶剂清洗后立即采用无机酸将其氧化去除，最后用超纯水进行清洗，如图1 —6所示。图1—6硅片清洗工艺示意图工具的清洗基本米用硅片清洗同样的方法。 2、热氧化热氧化是在800~1250C高温的氧气氛围和惰性携带气体（N2）下使硅片表面的硅氧化生成二氧化硅膜的过程，产生的二氧化硅用以作为扩散、离子注入的阻挡层，或介质隔离层。典型的热氧化化学反应为：

Si + O2f SiO2 3、扩散扩散是在硅表面掺入纯杂质原子的过程。通常是使用乙硼烷（B2H6）作为N —源和磷烷（PH3）作为P+源。工艺生产过程中通常分为沉积源和驱赶两步，典型的化学反应为： 2PH3 f 2P + 3H2 4、离子注入离子注入也是一种给硅片掺杂的过程。它的基本原理是把掺杂物质（原子）离子化后，在数千到数百万伏特电压的电场下得到加速，以较高的能量注入到硅片表面或其它薄膜中。经高温退火后，注入离子活化，起施主或受主的作用。 5、光刻光刻包括涂胶、曝光、显影等过程。涂胶是通过硅片高速旋转在硅片表面均匀涂上光刻胶的过程；曝光是使用光刻机，并透过光掩膜版对涂胶的硅片进行光照，使部分光刻胶得到光照，另外，部分光刻胶得不到光照，从而改变光刻胶性质；显影是对曝光后的光刻胶进行去除，由于光照后的光刻胶和未被光照的光刻胶将分别溶于显影液和不溶于显影液，这样就使光刻胶上形成了沟槽。光刻胶基片------------ ?涂胶后基片 1 1 1 1 ~ 显影后基片V------------- 曝光后基片 6、湿法腐蚀和等离子刻蚀

光伏材料制备技术经验专业介绍优选稿

光伏材料制备技术经验专业介绍集团公司文件内部编码：（TTT-UUTT-MMYB-URTTY-ITTLTY-

工业机器人背景介绍

郑州领航机器人有限公司工业机器人的背景介绍机器人是近代自动控制领域中出现的一项新技术，并成为现代机械制造中的一个重要组成部分。机器人显著地提高了劳动生产率，改善产品质量，对改善劳动条件和产品的快速更新换代起着十分重要的作用，加快实现工业生产机械化和自动化的步伐。尤其在高温、高压、粉尘、噪音以及带有放射性和污染的场合，应用的更为广泛。因而受到各先进国家的重视，投入大量人力物力加以研究和应用。工业机器人是机器人学的一个分支，它代表了机电一体化的最高成就。工业机器人，一般指的是在工厂车间环境中，配合自动化生产的需要，代替人来完成材料或零件的搬运、加工、装配等操作的一种机器人。国际标准化组织(ISO)对工业机器人所下的定义是“机器人是一种自动的、位置可控的、具有编程能力的多功能机械手，这种机械手具有几个轴，能借助于可编程序操作来处理各种材料、零件、工具和专用设备，以执行种种任务”。它综合了机械工程、电子工程、计算机技术、自动控制及人工智能等多种科学的最新研究成果，是机电一体化技术的典型代表。随着科学技术的不断发展，人们对机器人的工作能力提出了更高的要求，不仅要求机器人的外形美观、操作简单，而且具有一定的稳定性、灵活性和开放性。

随着科学和技术的不断发展，在过去的几个世纪里，人类在许多方面都取得了重大的进展。机器人技术作为人类最伟大的发明之一，自2世纪60 年代初问世以来，经历了短短的50 年，已取得巨大的进步。工业机器人在经历了诞生、成长、成熟期后，已成为制造业中必不可少的核心装备，而且工业机器人不仅在工厂里成了工人必不可少的伙伴，而且正在以惊人的速度向航空航天、军事、服务、娱乐等人类生活的各个领域渗透。据世界机器人联合会统计，仅2014 年全球工业机器人销量就达到22.5万部，较上年增长27%，触及纪录最高点。预计2015 年增长率会更大。根据2012 年的统计，世界使用机器人最多的国家是日本，约31 万台；其次为美国、德国的16 万台和韩国的14 万台。我国的工业机器人发展的历史已经有20 多年，从“七五”科技攻关开始，正式列入国家计划，在国家的组织和支持下，通过“七五”、“八五”科技攻关，不仅在机器人的基础理论和关键技术方面取得重大突破，而且在工业机器人整机方面，己经陆续掌握了喷漆、弧焊、点焊、装配和搬运等不同用途、典型的工业机器人整机技术，并成功的应用于生产，掌握了相关的应用工程知识。但总的看来，我国的工业机器人技术及其工程应用的水平和国外的相比还有一定的距离。我国目前拥有工业机器人为13 万台，位居世界第五。同发达国家相比，我国机器人密度仍然较低，因此机器人需求量很大，以目前25%的年增长率，我国工业机器人保有量有望在2018 年超越日本达到世界

工业机器人种类介绍

工业机器人种类介绍关键词：机器人,种类介绍移动机器人（AGV）移动机器人（AGV）是工业机器人的一种类型，它由计算机控制，具有移动、自动导航、多传感器控制、网络交互等功能，它可广泛应用于机械、电子、纺织、卷烟、医疗、食品、造纸等行业的柔性搬运、传输等功能，也用于自动化立体仓库、柔性加工系统、柔性装配系统（以AGV作为活动装配平台）；同时可在车站、机场、邮局的物品分捡中作为运输工具。国际物流技术发展的新趋势之一，而移动机器人是其中的核心技术和设备，是用现代物流技术配合、支撑、改造、提升传统生产线，实现点对点自动存取的高架箱储、作业和搬运相结合，实现精细化、柔性化、信息化，缩短物流流程，降低物料损耗，减少占地面积，降低建设投资等的高新技术和装备。点焊机器人焊接机器人具有性能稳定、工作空间大、运动速度快和负荷能力强等焊接机器人特点，焊接质量明显优于人工焊接，大大提高了点焊作业的生产率。点焊机器人主要用于汽车整车的焊接工作，生产过程由各大汽车主机厂负责完成。国际工业机器人企业凭借与各大汽车企业的长期合作关系，向各大型汽车生产企业提供各类点焊机器人单元产品并以焊接机器人与整车生产线配套形式进入中国，在该领域占据市场主导地位。随着汽车工业的发展，焊接生产线要求焊钳一体化，重量越来越大，165公斤点焊机器人是当前汽车焊接中最常用的一种机器人。2008年9月，机器人研究所研制完成国内首台165公斤级点焊机器人，并成功应用于奇瑞汽车焊接车间。2009年9月，经过优化和性能提升的第二台机器人完成并顺利通过验收，该机器人整体技术指标已经达到国外同类机器人水平。弧焊机器人弧焊机器人主要应用于各类汽车零部件的焊接生产。在该领域，国际大弧焊机器人型工业机器人生产企业主要以向成套装备供应商提供单元产品为主。

光伏材料

光伏材料——硫化锌邱德鹏 ZnS是II-VI族化合物，为直接带隙半导体材料，室温下带隙约为3.7eV，具有较高的激子束缚能（40meV）[1]。ZnS的研究历史比较长，自从1866年法国化学家Theodore Sidot发现荧光ZnS材料以来，对ZnS的研究已有140多年的历史，但早期的研究主要侧重于ZnS发光及稀磁特性上，对ZnS的制备、掺杂以及将其应用到太阳电池的研究都较少[2]。近年来由于II-VI族二元和三元化合物半导体在太阳电池方面的应用，特别是随着CdS/CdTe薄膜太阳电池转换效率的迅速提高，ZnS薄膜吸引了人们极大的注意，研究人员围绕ZnS薄膜的制备和掺杂开始进行大量的研究工作，并希望能将其集成到太阳电池中，形成新的光电转换器件或是提高现有太阳电池的光电特性[3]。硫化锌具有两种变形体：高温变体α-ZnS和低温变体β-ZnS，其相变温度为1020℃。α-ZnS为纤锌矿结构，六方晶系，晶格常数为a=0.384nm，c0=0.5180nm，z=2；β-ZnS是闪锌矿结构，面心立方，晶格常数为a=0.546nm，z=4，如图1所示。在自然界中稳定存在的是β-ZnS，常温下很难找到α-ZnS[4]。图1：硫化锌的两种晶格结构 ZnS的密度为4.30g/cm3，熔点为1050℃，无毒无害，对环境十分友好，其组成元素Zn与S在地球上的储量都较为丰富，开采合成成本低，ZnS具有大规模工业化生产的优势。ZnS作为一种重要的化合物半导体材料，其光电性能优良，禁带宽度较大，使其在短波长半导体激光器、紫外光电探测器等短波处光电器件领域具有巨大的潜在应用价值，被广泛地应用于各种光学和光电器件中，如平板显示器、红外光学窗口材料、发光二极管及太阳电池等领域[5]。实现ZnS材料ｎ型和ｐ型的高效稳定掺杂，是其在短波长光电器件领域应用的关键。然而，ZnS是一种极性较强的宽禁带半导体，容易产生比较多的施主性本征缺陷（如空位S）。从能带结构看，ZnS的价带顶较低，通常受主能级较深，加上本征施主性缺陷的补偿，高效稳定的ｐ型掺杂不易实现。此外，ZnS的导带底比较高，通常施主能级也偏深，实现低阻ｎ型ZnS掺杂也比较困难。正是由于宽禁带半导体掺杂的这种不对称性和强烈的自补偿效应，使得低阻ｎ型和ｐ型ZnS掺杂非常困难，强烈制约了ZnS在短波长光电器件领域的应用，目前仍没有很好的解决方案[6]。在太阳电池领域，ZnS主要应用在铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳电池中。近年来，国内外研究人员发现，ZnS可以替代CdS，在CIGS薄膜电池中充当缓冲层，且更有助于提高电池的光电转换效率和太阳电池寿命[7]。Cd、Zn同属IIB 族元素，其化学性质相似，导致其S化物ZnS和CdS的性质也极为相似，但是它们之间性质最明显的不同在于ZnS的光学带隙为3.7eV，高于CdS的2.4eV；从能带匹配的角度说，CdS无疑更具优势，但由于ZnS的禁带宽度更高，因此以ZnS为缓冲层的薄膜在厚度相同的情况下，将比CdS薄膜具有更高的光学透

(工艺流程)2020年半导体硅片生产工艺流程及工艺注意要点

硅片生产工艺流程及注意要点简介硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10级净空房内完成。工艺过程综述硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类：能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表1.1的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的决定能使硅片受到尽可能少的损伤并且可以减少硅片的沾污。在以下的章节中，每一步骤都会得到详细介绍。表1.1 硅片加工过程步骤 1.切片 2.激光标识 3.倒角 4.磨片 5.腐蚀 6.背损伤 7.边缘镜面抛光 8.预热清洗 9.抵抗稳定——退火 10.背封 11.粘片 12.抛光 13.检查前清洗 14.外观检查

15.金属清洗 16.擦片 17.激光检查 18.包装/货运切片（class 500k）硅片加工的介绍中，从单晶硅棒开始的第一个步骤就是切片。这一步骤的关键是如何在将单晶硅棒加工成硅片时尽可能地降低损耗，也就是要求将单晶棒尽可能多地加工成有用的硅片。为了尽量得到最好的硅片，硅片要求有最小量的翘曲和最少量的刀缝损耗。切片过程定义了平整度可以基本上适合器件的制备。切片过程中有两种主要方式——内圆切割和线切割。这两种形式的切割方式被应用的原因是它们能将材料损失减少到最小，对硅片的损伤也最小，并且允许硅片的翘曲也是最小。切片是一个相对较脏的过程，可以描述为一个研磨的过程，这一过程会产生大量的颗粒和大量的很浅表面损伤。硅片切割完成后，所粘的碳板和用来粘碳板的粘结剂必须从硅片上清除。在这清除和清洗过程中，很重要的一点就是保持硅片的顺序，因为这时它们还没有被标识区分。激光标识(Class 500k) 在晶棒被切割成一片片硅片之后，硅片会被用激光刻上标识。一台高功率的激光打印机用来在硅片表面刻上标识。硅片按从晶棒切割下的相同顺序进行编码，因而能知道硅片的正确位置。这一编码应是统一的，用来识别硅片并知道它的来源。编码能表明该硅片从哪一单晶棒的什么位置切割下来的。保持这样的追溯是很重要的，因为单晶的整体特性会随着晶棒的一头到另一头而变化。编号需刻的足够深，从而到最终硅片抛光完毕后仍能保持。在硅片上刻下编码后，即使硅片有遗漏，也能追溯到原来位置，而且如果趋向明了，那么就可以采取正确的措施。激光标识可以在硅片的正面也可在背面，尽管正面通常会被用到。

……光伏发电技术及应用专业课程

公共必修课思想道德修养及法律基础、毛泽东思想、邓小平理论和“三个代表”重要思想概论、大学英语、大学体育、计算机文化基础、大学语文、军事理论、大学生就业与创业指导、沐浴经典、红色江西、形势政策专业基础课高等数学、大学物理、光伏技术概论、电工电子学、半导体物理器件、太阳电池材料、光伏设备概论专业课专业技能课工程计价与计量、工程制图、AutoCAD 专业必修课太阳电池原理与工艺、太阳能发电技术、光伏建筑电气控制技术、光伏系统设计与施工、供配电系统、光伏建筑工程专业任选课高级语言程序设计、工业计算机控制技术、新能源发电技术、专业英语集中实践教学太阳能发电技术课程设计、光伏系统设计与施工课程设计、光伏建筑工程课程设计、军事训练、入学教育、岗位实训、毕业设计(论文) 主干课程（1）《太阳电池原理与工艺》课程简介：本课程主要讲授光生伏打效应机理、p-n结、太阳电池的工作原理、制造工艺、测试和应用等方面的技术，使学生对太阳电池器件的原理及工艺有较为系统的掌握。（2）《太阳能发电技术》课程简介：本课程主要讲授太阳能光伏发电工作原理、内容包括太阳能电池组件的特性、结构及种类，功率调节器的工作原理、功能、电路构成及种类、选择方法、相关设备及部件，太阳能光伏发电系统设计与施工、维护检查与测量，熟悉太阳能光伏发电系统的法律法规及并网系统技术要求准则。（3）《光伏系统设计与施工》课程简介：主要介绍光伏系统的构成及设计原理和规则,阐述光伏系统的施工技术和方法。使学生初步掌握光伏系统的设计方法，了解光伏系统的施工步骤，为学生将来独立参与光伏系统的设计和施工打下基础。（4）《光伏建筑电气控制技术》课程简介：本课程主要结合光伏发电讲授建筑配电系统常用的电器元件、继电器、接触器控制的基本控制电路、建筑电气控制技术的设计、建筑中常用的电气设备的控制原理、可编程控制器的基本工作原理及其在光伏建筑中的应用等方面知识。（5）《太阳电池材料》课程简介：介绍太阳能及光电转换的基本原理、太阳电池的基本结构和工艺，着重从材料制备和性能的角度出发，阐述常用的太阳能光电材料的基本制备原理、制备技术以及材料结构组成对太阳电池的影响。（6）《工程计价与计量》课程简介：本课程主要介绍太阳发电建设项目在决策、设计、招投标、实施、竣工验收等阶段的计价方法，使学生初步掌握工程计价与计量专业技能，扩展学生的工程经济知识与相关

光伏材料的发展前景

光伏材料的发展前景 [摘要]光伏材料作为新能源的一种，在目前转化率暂且还不是很高的情况下，仍然具备很高的利用价值。目前，科技领先国正大力研发新型材料来提高光伏转化率。在目前环境问题越来越突出的情况下，光伏材料无疑是一种很好的替代材料。但是，研究过程也遇到过许多问题，包括光伏材料自身也有着许多使用限制，但是总的来说，研发升级光伏材料是有重要意义的，本文就光伏材料的发展前景进行探讨，希望能得到一些启示和预示。 [关键词]光伏材料；发展前景 [Abstract]Photovoltaic materials as a kind of new energy, at the current conversion rate is not very high, still has very high use At present, science and technology leading countries are vigorously developing new materials to improve the photovoltaic conversion rate. Under the condition of the current environmental problems more and more prominent, photovoltaic material is undoubtedly a good alternative. However, the research process also encountered many problems, including photovoltaic material itself also has use restrictions, but overall, the research and development to upgrade photovoltaic material was of great signif icance, this paper discusses the prospects of the development of photovoltaic materials, hope to get some enlightenment and predicted. [Key words]Photovoltaic materials;Prospects for development

半导体制造工艺流程简介

半导体制造工艺流程简介半导体制造工艺 1 NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为: 外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。 PNP小功率晶体管制造的工艺流程为: 外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查(tox)——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC 检查(R?)——前处理——基区氧化扩散——QC检查(tox、R?)——二次光刻——QC 检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理(P液)——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查(tox)——前处理——发射区再扩散(R?)——前处理——铝下CVD——QC检查(tox、R?)——前处理——HCl氧化——前处理——氢气处理——三次光刻——QC检查——追扩散——双结测试——前处理——铝蒸发——QC检查(tAl)——四次光刻——QC检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——QC检查(ts)——五次光刻——QC检查——大片测试——中测——中测检查(——

光伏发电技术及应用专业人才需求调研报告

光伏发电技术及应用专业人才需求调研报告为了充分了解光伏产业的人才需求情况，掌握市场动态，全面推进光伏发电技术及应用专业建设和深化教学改革，提高人才培养质量，能源工程系深入光伏产业相关企业进行实地调研。以就业为导向，从学生就业岗位需求的知识能力、知识结构情况，结合我院本专业的实际情况，确定专业教学改革思路、培养目标等，提出专业改革建议，满足市场经济对本专业人才方面的要求，为本行业培养合格的高端技能型人才，促进光伏发电技术及应用专业的发展。一、调研目的与对象（一）调研目的为彰显职业教育的特点，通过本次调研收集和分析光伏发电技术及应用专业学生的社会人才需求状况信息，了解社会、行业以及企业对光伏发电技术及应用专业人才知识、技能、素质要求的变化和趋势，为我院光伏发电技术及应用专业设置、招生规模、学生就业指导提供信息，为专业人才培养目标定位、教学计划和课程标准的修订、教学的改革提供依据和帮助，提高我校人才培养质量及毕业生的就业质量。（二）调研对象 1.武威海润光伏科技有限公司； 2.武威金太阳新能源高新技术集中区； 3.民勤红沙岗能源化工建材工业园区 4.武威荣宝照明科技有限公司 5.武威航天万源电机制造有限公司 6.安徽三安光电有限公司二、调研方法与内容（一）调研方法 1.网上调研 2.现场参观考察 3.专家咨询

4.座谈（二）调研内容 1．向企业人力资源部门了解企业总体岗位和光伏发电技术及应用专业涵盖的岗位。 2．访谈车间主管，了解光伏发电技术及应用专业人才成长经历以及在企业总体技术的地位和作用。 3．对涉及光伏发电技术及应用专业岗位的一线组长进行谈话和调研，了解他们的工作任务、岗位要求等。 4．访谈员工，了解高职毕业生目前所面临的问题和解决这些问题的途经和方法。 5．整体了解行业对人才需求的具体要求，以及适合相关岗位的课程。三、调研分析（一）行业发展对本专业人才需求的趋势 1．全国主要发达城市及各省人才需求情况为加快光伏等新能源推广应用与产业发展，国家、甘肃省相继出台了《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》、《国家中长期人才发展规划纲要（2010-2020年）》、《甘肃省国民经济和社会发展第十一个五年（2006-2010年）规划纲要》、加快光伏等新能源推广应用；实施光伏等新能源产业提升战略，紧紧抓住全球光伏产业和市场快速成长的机遇，大力发展光伏终端产品、光伏产业用装备及材料、半导体照明产品（LED）、光伏发电配套设备及产品，积极支持硅材料生产新技术的研发及应用。重点发展硅晶体电池、薄膜电池，从硅晶体的下游产品以及薄膜材料到电池组件，实现专业化、规模化、集约化生产，降低生产成本，提高产品竞争力；发展光伏产业生产关键设备，通过消化吸收关键技术，提高自主设计与制造水平。 2. 我市及周边地区，对本专业人才需求趋势目前武威市已拥有光伏产业企业10余家，产业规模达到年产值80亿元。在2011年一2012年度，武威光伏产业取得迅猛发展，规模以上企业单晶硅产值