硅片接收和检验
硅检检验标准培训
②根据<送检单>，查看已检数量和来料总数，确认待检数量。
38
2. 5S及工具交接 ①5S方面（ATM机器、地面、垃圾箱、桌面）是否干净整洁，各类物品 是否按规定区域有序摆放。 ②工具方面（推车、游标卡尺、外径千分尺、封箱器、计算器、塞尺、 同心度模板、花岗岩平台、面粗糙度计及其标准片、四探针测试 仪及其标准片，ATM机器校准片）是否完好无损，并且按规定区域 有序摆放。
2-2导电类型
导电类型：P型和N型； 目前我们执行的是P型工艺，N型为不合格； 测量仪器ATM机器。
10
2-3电阻率
电阻率： 用来表示各种物质电阻特性的物理量。电阻率 ρ 单位 为欧姆·厘米 （ohm*cm ）
（单晶 ） 合格：0.5-3 让步：3-6 不合格：＞6或＜0.5 （多晶 ） 合格：0.5-3 无让步 不合格：＞3或＜0.5 测量仪器：四探针测试仪或ATM自动分选机 注：测试硅片中心点。
A.少子寿命 B.导电类型 C.电阻率
3
1-1边长
边长（规格）：125S 156S 156E
合格范围：±0.5mm 例:125合格范围124.50-125.50 让步范围：±0.6mm 例:125让步范围124.40-124.49或125.51-125.60 不合格范围：＜-0.6或＞0.6mm 例:125不合格范围＜124.40或＞125.60
孪晶 不合格
未加工好 不合格
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3-7其它不良
裂纹 不合格
针孔 不合格
26
硅片检验要求
1.只接受掺硼片，不接受掺镓片及氧施主片。 2.等外片、让步接收片中不允许有多种缺陷让步，否则作为不合格。 3.正品片试检合格率单晶＜95%、多晶＜98%，作为批退处理；合格率 单晶≥95%、多晶≥98%，进行试投。 4.等外品片试检合格率＜85%（包括单晶、多晶），作为批退处理；合 格率≥85%，进行试投。 5.硅片试检抽样 来料数量 抽检数量 ≤50000pcs 3000pcs 50001-100000pcs 6000-7000pcs ＞100000pcs 10000-12000pcs
半导体硅片检验过程控制模版
半导体硅片检验过程控制模版1. 引言半导体硅片是半导体器件的基础材料，其质量直接影响到半导体器件的性能和可靠性。
为了保证硅片质量，需要对其进行严格的检验过程控制。
本文将介绍半导体硅片检验过程控制的模版，包括硅片的准备、检验方法、检验依据、检验设备及其校准、测试参数、记录和验证等内容。
2. 硅片准备在进行半导体硅片检验前，需要对硅片进行准备工作，以确保检验的准确性和可重复性。
硅片准备的步骤如下：1.清洗：使用超声波清洗机对硅片进行清洗，去除表面的杂质和污染物。
2.干燥：将清洗后的硅片放入干燥器中，通过热风或真空吹干硅片，确保表面完全干燥。
3.检查：检查硅片表面是否有明显的缺陷，如裂纹、划痕等。
4.包装：将准备好的硅片放入防尘袋或防静电包装袋中，以防止再次受到污染。
3. 检验方法半导体硅片的检验方法主要包括外观检查、尺寸测量、电特性测试等。
根据不同的检验目的和要求，选择相应的检验方法和仪器设备。
以下是常用的检验方法：1.外观检查：用肉眼或显微镜观察硅片表面是否有明显的缺陷和污染，如裂纹、划痕、气泡等。
2.尺寸测量：使用显微镜或光学投影仪等设备，测量硅片的尺寸参数，如直径、厚度、边缘平整度等。
3.电特性测试：使用特定的测试仪器，对硅片进行电气性能测试，包括电阻、电容、电压等参数的测量。
4. 检验依据在进行半导体硅片检验过程中，需要依据相应的标准和规范进行。
以下是常用的检验依据：1.国家标准：根据中国国家标准对半导体硅片的质量要求进行检验。
2.行业标准：根据半导体行业协会或厂商的标准和规范进行检验。
3.客户要求：根据客户的特定要求进行检验，如尺寸范围、电性能参数等。
5. 检验设备及其校准在进行半导体硅片检验过程中，需要使用相应的仪器设备，并确保其准确性和可靠性。
以下是常用的检验设备和其校准要求：1.显微镜：选择适用于硅片检验的显微镜，并定期对其进行校准，以确保观察结果的准确性。
2.光学投影仪：用于测量硅片的尺寸参数，选择适用的光学投影仪，并进行定期校准和验证。
太阳能硅片检测工作技能经验
太阳能硅片检测工作技能经验摘要：一、引言二、太阳能硅片检测的重要性三、太阳能硅片检测的工作原理四、太阳能硅片检测的具体方法1.外观检查2.厚度测量3.隐裂检测4.有机物检测5.电阻率测量6.压阻系数检测五、太阳能硅片检测的工作技能与经验1.熟练掌握检测设备的使用2.准确判断检测结果3.及时发现并解决问题4.良好的沟通与协作能力六、总结正文：一、引言随着太阳能行业的迅猛发展，太阳能硅片检测工作越来越受到重视。
本文将详细介绍太阳能硅片检测的相关内容，以期为从事相关工作的人员提供参考。
二、太阳能硅片检测的重要性太阳能硅片是太阳能电池板的重要组成部分，其质量直接影响到太阳能电池板的发电效率。
因此，对太阳能硅片进行严格的检测是保证太阳能电池板质量的关键环节。
三、太阳能硅片检测的工作原理太阳能硅片检测主要通过对硅片的形状、厚度、表面质量、电阻率等方面进行检查，以评估硅片的性能。
具体方法包括外观检查、厚度测量、隐裂检测、有机物检测、电阻率测量、压阻系数检测等。
四、太阳能硅片检测的具体方法1.外观检查：通过肉眼或显微镜观察硅片表面的颜色、光泽、平整度等，判断硅片表面是否存在划痕、污渍等不良现象。
2.厚度测量：使用厚度计对硅片的厚度进行测量，确保硅片的厚度符合标准要求。
3.隐裂检测：采用红外成像技术或超声波检测方法，检查硅片内部是否存在隐裂，以预防隐裂导致硅片在使用过程中破裂。
4.有机物检测：使用傅里叶红外光谱仪（FTIR）检测硅片表面的有机物含量，防止有机物污染影响硅片的发电效率。
5.电阻率测量：通过四探针电阻率仪测量硅片的电阻率，评估硅片的导电性能。
6.压阻系数检测：使用压阻系数测量仪对硅片的压阻系数进行检测，评估硅片的压力敏感性能。
五、太阳能硅片检测的工作技能与经验1.熟练掌握检测设备的使用：从事太阳能硅片检测工作的人员需要熟练掌握各种检测设备的使用方法，如厚度计、红外成像仪、四探针电阻率仪等。
2.准确判断检测结果：检测人员需要具备一定的专业知识和经验，能够准确判断检测结果，并及时发现硅片存在的问题。
单晶硅片检验作业指导书
单晶硅片检验作业指导书
1.目的规范单晶硅片检验项目和判定准则，指导单晶硅片进料检验作业流程，控制产品
的品质，提供符合生产需求的原材料。
2.范围适用于各规格的单晶硅片的检验判定
3.定义详见品质检验标准
4.职责
生产部下发产品技术要求文件至相关部门
针对客户要求编制产品检验标准
严格按照检验标准的要求执行
5.内容
产品的基本检验要求
检验环境室温，有良好的光照
运输储存要求
产品应储存在清洁，干燥的环境，避免酸碱腐蚀性气氛，避免油污，灰尘颗粒气氛运输过程中轻拿轻放，严禁抛掷，大力放置，且须采取防震，防潮措施。
核对相关信息
收料凭证与供应商来料规格信息核对，外包装无破损。
报料信息需于实物料号一致，数量，规格准确无误。
太阳能硅片检测工作技能经验
太阳能硅片检测工作技能经验（实用版）目录一、引言二、太阳能硅片的概述三、硅片检测的重要性四、硅片检测的工作技能五、硅片检测的经验分享六、结论正文【引言】随着环保意识的不断增强和可再生能源的广泛应用，太阳能光伏产业得到了快速发展。
其中，太阳能硅片作为光伏组件的关键原材料，其质量直接影响到光伏组件的性能和寿命。
因此，硅片检测工作在光伏产业中具有举足轻重的地位。
本文将为大家分享一些太阳能硅片检测的工作技能和经验。
【太阳能硅片的概述】太阳能硅片，又称为光伏硅片，是利用太阳能光伏效应将光能转化为电能的关键部件。
硅片表面具有光吸收层，通过吸收太阳光，产生电子与空穴，从而形成电流。
硅片的质量、表面粗糙度、杂质含量等因素都会影响其光电转换效率。
【硅片检测的重要性】硅片检测是在硅片生产和应用过程中的关键环节，其目的是确保硅片的质量符合标准，提高光伏组件的性能和寿命。
硅片检测主要包括表面质量、缺陷、厚度、电阻率、光电转换效率等方面的检测。
【硅片检测的工作技能】1.掌握检测仪器的使用方法：硅片检测涉及多种仪器，如光学显微镜、扫描电子显微镜、红外热像仪、光电性能测试仪等。
操作人员需要熟练掌握各种仪器的使用方法，以保证检测结果的准确性。
2.熟悉检测标准和方法：硅片检测需要遵循一定的标准和方法，操作人员应熟悉相关标准和方法，确保检测过程的规范性。
3.提高检测效率：硅片检测工作量大，操作人员需要提高检测效率，缩短检测时间，降低生产成本。
【硅片检测的经验分享】1.细致观察：在检测过程中，操作人员要仔细观察硅片的表面质量、缺陷、厚度等，发现问题及时处理。
2.沟通协作：硅片检测涉及多个环节，操作人员之间要进行有效沟通，确保检测工作的顺利进行。
3.不断学习：硅片检测技术不断发展，操作人员要关注行业动态，学习新知识，提高自己的技能水平。
【结论】总之，硅片检测工作对于保障太阳能硅片质量和提高光伏组件性能具有重要意义。
操作人员要具备一定的工作技能和经验，才能确保检测结果的准确性和可靠性。
硅片检测
1618845313一、硅片检测 硅片是太阳能电池片的载体，硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低，因此需要对来料硅片进行检测。
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。
其中，光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数；微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹；另外还有两个检测模组，其中一个在线测试[url=]模组[/url]主要测试硅片体电阻率和硅片类型，另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前，需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测，并自动剔除破损硅片。
硅片检测设备能够自动装片和卸片，并且能够将不合格品放到固定位置，从而提高检测精度和效率。
二、表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀，在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。
由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的短路电流和转换效率。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。
大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。
制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20～25μm，在腐蚀绒面后，进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，应尽快扩散制结。
三、扩散制结 太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换，而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。
扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。
把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器，通过三氯氧磷和硅片进行反应，得到磷原子。
硅片质检工作总结
硅片质检工作总结
硅片质检工作是半导体行业中至关重要的一环，它直接影响着半导体产品的质
量和性能。
在这篇文章中，我们将对硅片质检工作进行总结，探讨其重要性和挑战，以及如何提高质检效率和精度。
首先，硅片质检工作的重要性不言而喻。
硅片作为半导体材料的基础，其质量
直接影响着整个半导体产品的质量。
因此，对硅片进行严格的质量检查是非常必要的。
质检工作涉及到硅片的外观、尺寸、表面平整度、杂质含量等多个方面，需要使用各种先进的检测设备和技术来进行检测。
然而，硅片质检工作也面临着诸多挑战。
首先，硅片的尺寸非常小，因此需要
使用高分辨率的显微镜和其他检测设备来进行观察和测量。
其次，硅片的表面非常脆弱，容易受到外界环境的影响，因此在质检过程中需要特别小心和细致。
此外，硅片的杂质含量对产品性能有着重要影响，因此需要使用高灵敏度的检测设备来进行检测。
为了提高硅片质检工作的效率和精度，我们可以采取一些措施。
首先，可以引
入自动化设备和智能化系统，提高质检的自动化程度，减少人工操作的影响。
其次，可以加强对质检设备的维护和保养，确保其性能稳定和精度高。
另外，可以加强对质检人员的培训和技能提升，提高其对质检工作的认识和理解。
总之，硅片质检工作是半导体行业中至关重要的一环，对产品质量和性能有着
直接的影响。
在面对诸多挑战的同时，我们可以通过引入自动化设备、加强设备维护和人员培训等措施来提高质检效率和精度，确保产品质量和客户满意度。
半导体硅片检验过程控制模版
半导体硅片检验过程控制模版摘要：一、半导体硅片检验过程概述1.硅片检验的重要性2.硅片检验的主要步骤二、半导体硅片检验过程控制模板1.硅片检验流程的标准化2.检验设备与工具的要求3.检验人员的培训与资质4.检验数据的管理与分析5.检验过程的持续改进正文：半导体硅片作为半导体产业链中的关键材料，其质量对整个产业的发展具有举足轻重的作用。
硅片检验过程的控制模板可以确保硅片的质量满足生产需求，从而推动半导体产业的健康发展。
硅片检验过程主要包括外观检查、尺寸测量、表面质量检测、晶格结构分析等步骤。
首先，通过外观检查可以初步判断硅片的表面是否存在明显的缺陷。
接着，尺寸测量可以确保硅片的尺寸精度达到生产要求。
表面质量检测可以发现硅片表面的微小瑕疵，如颗粒、划痕等。
最后，晶格结构分析可以评估硅片的晶体质量，从而为生产提供准确的硅片质量信息。
为了确保硅片检验过程的有效性与高效性，需要建立一个控制模板。
首先，硅片检验流程的标准化是至关重要的。
这需要对检验过程中的各个步骤进行详细的规定，以便检验人员能够按照统一的标准进行操作。
同时，检验设备与工具的要求也是必不可少的。
合适的设备与工具能够提高检验的准确性，降低人为因素带来的误差。
此外，对检验人员的培训与资质认证也是控制模板的重要内容。
检验人员需要具备专业的知识和技能，以便能够准确地判断硅片的质量。
同时，定期对检验人员进行培训和资质认证，可以确保他们始终掌握最新的检验技术，从而提高检验过程的准确性。
检验数据的管理与分析对于硅片质量的改进具有重要意义。
通过对检验数据的整理和分析，可以发现生产过程中存在的问题，并为改进提供依据。
此外，及时将检验数据反馈给生产部门，也有助于提高产品的质量。
最后，检验过程的持续改进是控制模板的核心。
只有不断地对检验过程进行优化，才能确保硅片质量的持续提升，从而满足半导体产业对硅片质量的日益严格的要求。
光伏组件生产过程检验
光伏组件生产过程检验一、原材料检验1.硅片的检验硅片是光伏组件的重要组成部分，其质量直接影响光伏组件的性能和寿命。
硅片的检验主要包括光电转换效率、厚度均匀性、晶体缺陷等方面的评估。
常用的检验方法有电池效率测试、透明度测试、缺陷检测仪等。
2.背电接触材料的检验背电接触材料是连接硅片和电路系统的关键材料，其质量直接影响光伏组件的电流传输和热量传递。
背电接触材料的检验主要包括导电性能、热传导性能等方面的评估。
常用的检验方法有电阻测试、热导率测试等。
3.封装材料的检验封装材料是保护光伏组件内部电路和硅片免受外部环境侵害的重要材料。
封装材料的检验主要包括防水性能、耐候性能、粘接性能等方面的评估。
常用的检验方法有粘接强度测试、水侵测试、耐候性测试等。
二、生产工艺检验1.硅片制备工艺检验硅片制备是光伏组件生产过程中的关键环节，主要包括切割、清洗、腐蚀等工艺。
硅片制备工艺的检验主要包括切割精度、清洗效果、腐蚀均匀性等方面的评估。
常用的检验方法有显微镜观察、亮度检测仪等。
2.电池片制备工艺检验电池片制备是将硅片进行光电转换的关键工艺，主要包括薄膜沉积、电极制备、烧结等工艺。
电池片制备工艺的检验主要包括薄膜均匀性、电极粘接性、烧结效果等方面的评估。
常用的检验方法有电池效率测试、显微镜观察等。
3.封装工艺检验封装工艺是将电池片和背电接触材料封装到透明玻璃或背板中的关键工艺，主要包括涂胶、压合、边框固定等工艺。
封装工艺的检验主要包括胶水均匀性、压合质量、边框固定稳定性等方面的评估。
常用的检验方法有拉伸测试、压力测试等。
三、成品检验1.外观检验外观是光伏组件的重要指标之一，包括色差、表面平整度、边框完整度等方面。
外观检验主要通过目视检查和立体显微镜观察。
2.电气性能检验电气性能是光伏组件的核心指标之一，包括开路电压、短路电流、最大功率等方面。
电气性能检验主要通过电流－电压特性曲线测试仪等设备进行。
3.可靠性检验可靠性是光伏组件的长期性能和寿命的保证，主要包括温度循环测试、湿热试验、机械冲击测试等方面。
硅片尺寸检测工作原理
硅片尺寸检测工作原理
硅片尺寸检测是通过光学测量方法实现的。
工作原理如下：
1. 准备工作：首先，需要将需要测量的硅片样品放置在一个固定的位置上，并确保其表面处于水平状态。
2. 光学测量：使用一个光源照射到硅片的表面上，光线经过硅片表面时会发生折射和反射。
这些反射和折射会被捕捉并转化为电信号。
3. 接收和处理信号：通过使用一个光学传感器，将这些反射和折射信号捕捉并转化为电信号。
然后，使用一个数据处理系统对这些信号进行处理和分析。
4. 计算尺寸：通过分析和处理电信号，可以确定硅片的尺寸。
根据硅片的特定形状和边界特征，可以计算硅片的长度、宽度、厚度等尺寸参数。
5. 结果显示和记录：最后，通过一个显示器或计算机界面，可以将测量结果显示出来，并进行记录和存储。
总的来说，硅片尺寸检测通过光学测量的方式，利用光线的特性和反射折射的原理，实现对硅片尺寸的测量和分析。
硅片检验
硅片进货检验规程
1、从仓库领取同一硅片供应商一定数量的硅片。
2、用“BD-86A型半导体电阻率测试仪”测出每片硅片的原始方块电阻，
并按照20 Ω/□一档进行分档存放。
（详见《硅片进货检验报告单》）
3、用测厚仪测出每片硅片的厚度并按20μm一档进行分档存放。
（详见《硅片进货检验报告单》）
4、在检测硅片方块电阻和厚度的同时，挑出外观不良的硅片另外存放。
（外观不良包括：裂纹、划痕、污垢、崩边、缺角、厚度不一、边距不一、形状不规则等）
5、检验结束后按要求填写好《硅片检验报告单》。
6、将检验好的硅片统一摆放的固定位置。
尚德-硅片检验质量控制
4、如果混入到正常尺寸硅片中 生产，会导致刻蚀异常、印 刷不良
硅片不良-孪晶
19
1、孪晶交界的部位使得内 部晶体结构上存在差异， 后续制造过程中，在电池 片转换效率上存在影响
2、由于孪晶不可能做出与 正常硅片一致的转换效 率，所以孪晶的存在变相 减少了硅片的实际有效面 积。
清洗
甩干
1-2尺寸测量
边长
5
对角线
1-3 TV / TTV测试
6
五点法测试： 边缘4个、中心点1个， 探头直径为14mm， 探头中心点到硅片 边缘为10mm 。
目前我司有两种检测设备，MS203和MANZ全自动硅片分选设备， 技术标准规定五点法的测试方法，在技术要求没有比昂更之前，质量部会 以MS203设备的测试结果为准进行投诉处理，避免投诉后引起争议。
硅片检验质量控制
质量部：宋纯瑶
目录 1、硅片检验流程 2、不良品图例 3、原材料投诉流程 4、赔偿机制
1、硅片检验流程
全检
包装
300片抽一片１片， 超 过300片抽2片
少子寿命
全检
１００片每盒的抽１片 ３００片每盒的抽３片
直角
１００片每盒的抽１片 ３００片每盒的抽３片
碎片，缺角，崩边，污渍，台阶，穿孔 裂纹，划伤，无倒角
结束
5、硅片赔偿机制 33
硅片赔偿机制合同在2月1日到货的硅片开始实行。（从单晶开始）
硅材料实验室本月完成新标准的修订和受控工作。 09年1月开始采购部新签合同按新标准执行， 2009Q2开始原有签订的长期合同开始按新标准执行。 在此之前采购部完成原有合同的变更。
质量部09年元月开始按新标准执行。
5、丝网印刷刮板通过时可能造成 因挤压造成的碎片。
硅片检验总结
硅片检验总结简介硅片是半导体行业中的重要组成部分，其质量直接影响着芯片制造的成本和可靠性。
硅片检验是确保硅片质量的关键环节，本文将总结硅片检验过程中的主要内容和注意事项。
检验内容外观检验外观检验是对硅片表面进行检查，确保硅片没有明显的损伤和污染。
主要包括以下几个方面：1.成品硅片外观：检查硅片表面是否平整，是否有划痕、裂纹或凹陷等缺陷。
2.硅片尺寸：通过测量硅片的长度、宽度和厚度，确保其尺寸符合要求。
3.表面污染：使用显微镜或其他仪器检查硅片表面是否有灰尘、油污等杂质。
光学检验光学检验是通过使用光学仪器对硅片进行检查，以确定其光学性能是否符合要求。
主要包括以下几个方面：1.反射率测量：使用反射光谱仪测量硅片在不同波长下的反射率，以确定其光学性能。
2.透明度测试：使用透射光谱仪测量硅片透射光谱，以确定其透明度。
3.表面平整度测量：使用表面平整度仪测量硅片表面的平整度，以确定其光学性能。
电性能检验电性能检验是通过对硅片进行电性能测试，以确定其电子行为是否符合要求。
主要包括以下几个方面：1.导电测试：使用导电测试仪测量硅片的电阻值，以评估其导电性能。
2.接触电阻测量：使用接触电阻测试仪测量硅片上金属电极与硅片之间的接触电阻。
3.PN结测试：使用PN结测试仪测量硅片上PN结的电流特性，以判断其质量。
检验注意事项1.检验设备的选择：根据不同的检验内容，选择合适的仪器设备进行检验，确保测试结果准确可靠。
2.检验环境的控制：硅片对污染特别敏感，因此在检验过程中要注意控制检验环境的洁净度，避免污染对检验结果的影响。
3.操作人员的技术要求：硅片检验需要操作人员具备一定的专业知识和技术水平，以确保检验过程的准确性和可靠性。
4.记录和存档：对每个硅片的检验结果进行详细记录，并建立完善的存档系统，以备后续追溯和查证。
总结硅片检验是确保硅片质量的关键环节，在半导体行业中具有重要的意义。
通过对硅片的外观检验、光学检验和电性能检验，可以有效评估硅片的质量，并采取相应的措施进行调整和改进。
soi硅片检验标准
soi硅片检验标准一、尺寸检查1.1 检查内容：硅片的尺寸应符合规定的尺寸要求，包括长度、宽度和厚度。
1.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。
1.3 判定标准：若实际尺寸与规定尺寸的偏差在±0.05mm范围内，则判定为合格。
二、表面质量2.1 检查内容：硅片的表面应光滑、洁净，无划痕、裂纹、凹坑等缺陷。
2.2 检查方法：通过目视或使用5倍放大镜进行检查。
2.3 判定标准：若硅片表面存在上述缺陷，则判定为不合格。
三、厚度测量3.1 检查内容：硅片的厚度应符合规定的厚度要求。
3.2 检查方法：使用精度为0.01mm的卡尺进行测量。
3.3 判定标准：若实际厚度与规定厚度的偏差在±0.02mm范围内，则判定为合格。
四、翘曲度测量4.1 检查内容：硅片的翘曲度应符合规定的翘曲度要求。
4.2 检查方法：将硅片放置在水平面上，使用精度为0.01mm的直尺进行测量。
4.3 判定标准：若翘曲度超过规定范围，则判定为不合格。
五、电阻率测量5.1 检查内容：硅片的电阻率应符合规定的电阻率要求。
5.2 检查方法：使用电阻率测试仪进行测量。
5.3 判定标准：若电阻率超过规定范围，则判定为不合格。
六、吸光度测量6.1 检查内容：硅片的吸光度应符合规定的吸光度要求。
6.2 检查方法：使用吸光度计进行测量。
6.3 判定标准：若吸光度超过规定范围，则判定为不合格。
七、化学成分分析7.1 检查内容：硅片的化学成分应符合规定的化学成分要求。
7.2 检查方法：使用光谱分析仪进行测量。
7.3 判定标准：若化学成分不符合规定要求，则判定为不合格。
八、机械强度测试8.1 检查内容：硅片的机械强度应符合规定的机械强度要求。
8.2 检查方法：使用万能材料试验机进行测试。
半导体硅片的检验准则
半导体硅片的检验准则半导体硅片的检验准则导语：半导体硅片检验是半导体制造过程中非常重要的环节。
本文将深入探讨半导体硅片的检验准则，包括其基本原理、常见的检验方法和标准，以及对检验结果的分析和评估。
一、背景介绍在半导体工业中，半导体硅片是制造集成电路的重要基础材料。
而半导体硅片的质量直接影响着电子器件的性能和可靠性。
在半导体生产过程中进行严格的检验至关重要。
二、基本原理半导体硅片的检验是通过测量和分析其物理参数和工艺特征来判断其质量。
主要包括以下几个方面：1. 外观检验：包括观察硅片表面是否有裂纹、划痕、污染等缺陷，以及检查硅片的尺寸和平整度是否符合要求。
2. 电特性检验：通过测量硅片的电阻、电容、电压等参数，判断其电性能是否满足设计要求。
3. 表面特性检验：通过使用显微镜、扫描电子显微镜等设备，观察硅片表面的形貌、晶粒结构等特征，以评估其晶体质量和晶粒大小的均匀性。
4. 化学污染检验：通过使用化学分析方法，检测硅片中的有害杂质、金属离子等污染物的含量，以评估其纯度。
三、常见的检验方法和标准1. 外观检验：通常采用目视检查和显微镜观察的方式进行，以国家相关标准为准。
2. 电特性检验：包括电阻测量、电容测量、霍尔效应测量等方法，仪器主要包括多用电表、LCR桥、霍尔效应测试仪等。
3. 表面特性检验：常用的方法有显微镜观察、原子力显微镜观察、扫描电子显微镜观察等，根据不同应用领域制定相应的表面粗糙度、晶粒尺寸等标准。
4. 化学污染检验：一般通过化学分析方法，如电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)、能谱仪或质谱仪等，以国际标准或公司内部标准为依据。
四、检验结果的分析和评估半导体硅片的检验结果通常会输出各项参数的数值以及对应的标准值。
根据数值的大小和与标准值的偏差，可进行以下分析和评估方面的工作：1. 质量评估：将检验结果与已设定的标准进行对比，评估硅片是否合格，是否可继续用于下一工序的制造。
2. 偏差分析：对超出标准范围的数据进行分析，找出问题所在，进一步改进生产工艺。
硅片检验工作总结
硅片检验工作总结
硅片检验是半导体制造过程中至关重要的一环，它直接关系到产品质量和生产
效率。
在过去的一段时间里，我们团队进行了大量的硅片检验工作，并取得了一些重要的经验总结。
首先，我们发现了一些常见的硅片缺陷，例如晶格缺陷、氧化层缺陷和金属污
染等。
通过对这些缺陷的深入研究和分析，我们建立了一套完善的检验标准和流程，能够及时准确地发现并处理这些缺陷，从而保证了产品的质量。
其次，我们在硅片检验设备的选型和维护方面也做了大量工作。
我们选择了先
进的光学显微镜和电子显微镜等设备，能够对硅片进行高分辨率、高灵敏度的检测。
同时，我们也加强了设备的日常维护和保养工作，确保设备的稳定性和可靠性。
此外，我们还注重了检验人员的培训和素质提升。
我们组织了一系列的培训课程，包括硅片检验的基本知识、设备操作技能和缺陷分析方法等。
通过这些培训，我们的检验人员能够熟练掌握检验技术，提高工作效率和准确性。
最后，我们还进行了硅片检验工作的效率优化。
我们对检验流程进行了细致的
分析和优化，简化了繁琐的操作步骤，提高了工作效率。
同时，我们也引入了一些先进的智能化设备和软件，能够自动化地完成部分检验工作，进一步提高了检验效率。
总的来说，硅片检验工作是一个细致、复杂的工作，需要全面的技术支持和团
队合作。
通过我们团队的努力和总结，我们已经建立了一套完善的硅片检验体系，能够有效地保障产品质量和生产效率。
希望我们的经验总结能够对其他相关领域的工作有所启发和帮助。
半导体硅片检验标准
半导体硅片检验标准
半导体硅片检验标准
半导体硅片是半导体器件制造的基础材料之一，因此其检验标准至关重要。
以下是半导体硅片检验标准的详细说明。
1. 外观检查
外观检查是半导体硅片检验的最基本要求。
在检查外观时，应检查硅片表面是否有裂纹、破损、划痕、气泡等缺陷，同时也应检查硅片的形状是否符合要求。
2. 表面检测
表面检测可以通过使用光学显微镜、SEM（扫描电子显微镜）等仪器来完成。
该检测可以用来评估硅片表面的平整度、颗粒数量、颗粒大小等因素。
需要注意的是，有些表面缺陷可能在目测外观检查时并不明显，因此表面检测往往会被认为是最灵敏的检测方法之一。
3. 清洗检验
清洗检验可以确定硅片表面是否存在落在硅片上的污染物。
在检查过程中，应确保清洗剂、气氛和温度等条件正确，从而保证检验的可靠性。
4. 检测杂质
杂质是半导体硅片中一个普遍而重要的概念。
在检测杂质时，可以使用玻璃齐墩试剂等方法，对硅片进行表面浸泡。
此外，还可以使用SIMS（二次离子质谱）等方法，对硅片内部的杂质进行检测。
5. 检测电性能
在半导体硅片的制造和生产过程中，电性能的检测是至关重要的。
可以使用四点探针法、霍尔效应仪等方法，对硅片的电性能进行检测。
总之，半导体硅片检验标准非常严格，因此需要依靠多种检测手段确保硅片质量的稳定性和可靠性。
只有通过科学的检验方法，才能确保半导体器件的品质和性能。
南京中电公司硅片检验标准
多晶硅片
导电类型
（Conductivity type）
P
电阻率范围（Resistivity）
Ω.cm
1-3Ω.cm
少子寿命（Lifetime）
us；
≥2us
碳含量
（Carbon concentration）
atoms/cm3
≤5.0×1017atoms/cm3
氧含量
（Oxygen concentration）
规格尺寸
（Dimension）
宽度（Width）
mm
156±0.5mm
硅片对角
（Wafer Diagonal）
mm
219.2±0.5mm
Bevelangle0.5～2mmin450
厚度（Thickness）
um
200±20μm
电学性能参数
（perf长方法
（Growth method）
1、目的
为了规范硅片的检验工作，明确硅片检验的项目和检验标准，特制定本文件。
2、范围
适用于对南京中电电气公司硅片的分选工序。
3、职责
品质管理中心：负责对硅片进行检验，确保分选后的硅片等级达到客户的要求。
4、作业内容
多晶硅片检验项目和标准
类别（Sort）
项目（Item）
单位（Unit）
指标/参数/要求（Index/Parameter/Request）
小亮边（Tiny Luminance Edge）
长度≤硅片边长的1/2，宽度≤片厚的
1/3
边缘缺陷（Edge defact）
深不大于0.5mm；长不大于1.5mm；
清洗硅片流程范文
清洗硅片流程范文清洗硅片是在硅片制造过程中的关键步骤之一，目的是去除硅片上的杂质和污染物，保证硅片的纯净度和表面质量。
以下是一种常用的清洗硅片的流程，供参考。
1.硅片接收：接收硅片后，首先要进行外观检查，确保硅片无明显破损和污染。
然后，在严格的洁净室环境下进行下一步处理。
2.前处理：硅片表面常常附着有机物、金属离子和沉淀物等杂质。
在清洗之前，首先要将硅片放入超声波清洗槽中，用氢氟酸和浓硝酸混合液进行化学清洗，去除表面的有机污染物和氧化层。
3.水洗：化学清洗后，将硅片放入纯净水中进行漂洗，去除化学清洗剂残留。
漂洗过程一般使用多级流动清洗装置，确保水质的纯净度，以防止二次污染。
4.酸性清洗：在水洗之后，可以使用酸性溶液来清除硅片表面的金属离子和沉淀物。
常用的酸性清洗剂有硝酸、氢氟酸和硫酸等。
清洗时间和温度需根据具体的硅片特性来确定。
5.碱性清洗：酸性清洗之后，硅片还需要进行碱性清洗，以便进一步去除酸性清洗剂残留和其他有机污染物。
常见的碱性清洗剂有氢氧化钠和氢氧化铵等。
碱性清洗过程也需要严格控制温度和时间，以免对硅片产生不可逆的损害。
6.再次水洗：用纯净水进行漂洗，将碱性清洗剂彻底清除，防止二次污染。
水洗时还可以利用超声波等物理作用，增强清洗效果。
7.干燥：将硅片放入高温的烘箱或真空烘箱中，以除去水分，使硅片表面干燥。
干燥温度要适当，过高会烧毁硅片，过低则干燥时间过长、效率低下。
8.检验：清洗完成后，对硅片进行外观检查和检测，确保硅片符合质量要求。
常用的检验方法包括目视检查、显微镜观察、吸光度测试等。
以上是一种常用的清洗硅片的流程，硅片的制造厂商可以根据自身需求进行调整和改进。
在整个流程中，关键是严格控制洁净室环境、选择合适的清洗剂和工艺参数，并进行合适的检验，以保证硅片的质量和纯净度。
硅片接收和检验
原硅片接收检验标准1．目的：规定本公司的硅片检验流程，保证和持续提高产品质量2．范围：用于本公司硅片的来料检验过程3．职责：质量部门负责按照本标准严格执行硅片的来料检验工作。
4.内容4.1硅片中金属杂质和碳氧含量标准，见表1表一硅片中金属杂质和碳氧含量杂志种类基体总金属杂质含量（fe cr nicu）ppba表面总金属杂质含量（fe zn na）ppba氧（at0ms/cm3）碳（atoms/cm3）杂质含量（单晶N-type）≤50 ≤70 ≤9×1017≤5×1016杂质含量（单晶P-type）≤50 ≤70 ≤9×1017≤5×1016杂质含量（多晶P-type）≤50 ≤70 ≤3×1017≤5×10174.2硅片检验方法：Ltem检验项目Level检验水平AQL%Conductive type导电类型H 1Resistivity电阻率 1 Thickness tolerance厚度 1 TTV厚度变化量 1 Bow弯曲度 1Appearance外观Lndents凹坑 1 Chips崩边 1 Saw Marks切痕 1 Craters应力 1 Cracks裂纹 1 Else其他 14.2 P型单晶硅片检验标准见表2检验项目合格标准检验方法说明导电类型P型冷热探针测试仪器电阻率（∩.cm）1-3/3-6 四探针测试仪器径向电阻率不均匀度RRV<25% 四探针测试仪器对边宽(mm) 125±0.5 165±0.5数显游标卡尺对角钱(mm) 150±1 165±1200±1 205±1数显游标卡尺圆弧长(mm) 27.77-32.20/10.4-14.1119.93-23.80/14.43-18.16模具方片角度90°±0.3°角尺厚度(ｕm)200±20设备1.硅片的平均厚度为200微米;2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;3.同批硅片的厚度要呈正态分布,即测量数据的均值±3，＆应在厚度规定的范围内厚度不均匀度TT V≦30设备在保证硅片表面厚度情况,对硅片表面取五点测试(中心点以及距四周边缘6ｍｍ各取一点)来换算厚度变化量位错密度(个/cm²) ＜1000 供方保证项有效载流子寿命＞1.35ｕｓ，且＞1.4ｕｓ占90%以上WT-1000少子寿命测试仪体少子寿命＞15ｕｓSINTON少子寿命测试仪扩散后测试光致衰减LI D≤3%预投流程验证硅片中心低响应（黑心片）比例＜0.05% 预投流程验证弯曲度≦40 塞尺切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度≤10ｕｍ凹坑无凹坑目视硅片表面平整,无硅落现象穿孔无穿孔目视沾污无沾污目视不允许有肉眼可见的油污,硅粉,清洗剂,水痕崩边无崩边目视应力无应力手感当硅片拿在手上轻微晃动时不能有嘣咚嘣咚的响声孪晶无孪晶目视从外观看,出现两个及以上的晶体划伤无划伤目视只要在硅片表面有明显肉眼可见异物划过的痕迹,不论长度和面积大小都不合格氧化膜末磨无氧化膜末磨目视缺口无缺口目视缺角无缺角目视裂纹/隐裂无裂纹/隐裂目视偏心偏离度＜0.5ｍｍ模具4.3 P型多晶硅片检验标准见表3检验项目合格标准检验方法说明导电类型P型冷热探针测试仪电阻率（∩.cm）1-3/3-6 四探针测试仪径向电阻率不均匀RRV<25% 四探针测试仪对边宽（mm）125±0.5156±0.5数显游标卡尺对角线(mm) 175±1219±1数显游标卡尺倒角(mm) 1×45°模具方片角度90°±30°角尺厚度200±20数显千分表或硅片检片机1.硅片的平均厚度为200微米;2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;3.同批硅片的厚度要呈正态分布,即测量数据的均值±3，＆应在厚度规定的范围内厚度不均匀度TT V≦30数显千分表在保证硅片表面厚度情况,对硅片表面取五点测试(中心点以及距四周边缘6ｍｍ各取一点)来换算厚度变化量有效载流子寿命＞1.35ｕｓ，且＞1.4ｕｓ占90%以上WT-1000少子寿命测试仪体少子寿命＞2ｕｓSINTON少子寿命测试仪扩散后测试光致衰减LI D≦2%预投流程验证弯曲度≦40 塞尺微晶1厘米长度内≦5个晶粒目视硅片表面任一方向明显切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度≤10ｕｍ凹坑无目视硅片表面平整,无硅落现象穿孔无目视粘污无目视不允许有肉眼可见的油污,硅粉,清洗剂,水痕崩边无目视应力无当硅片拿在手上轻微晃动时不能有嘣咚嘣咚的响声划伤无只要在硅片表面有明显肉眼可见异物划过的痕迹,不论长度和面积大小都不合格缺口无缺角无裂纹/隐裂无4.4 N型单晶硅片检验标准，见表4检验项目合格标准检验方法说明导电类型N型冷热探针测试仪器电阻率（∩.cm）1-3/3-6 四探针测试仪器径向电阻率不均匀度RRV<25% 四探针测试仪器对边宽(mm) 125±0.5 156±0.5数显游标卡尺对角钱(mm) 165±1200±1 205±1数显游标卡尺圆弧长(mm) 10.40-14.1119.93-23.80/14.43-18.16模具方片角度90°±0.3°角尺厚度(ｕm)200±20数显千分表或硅片检片机1.硅片的平均厚度为200微米;2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;3.同批硅片的厚度要呈正态分布,即测量数据的均值±3，＆应在厚度规定的范围内厚度不均匀度TT V≦30数显千分表在保证硅片表面厚度情况,对硅片表面取五点测试(中心点以及距四周边缘6ｍｍ各取一点)来换算厚度变化量位错密度(个/cm²) 无供方保证项体少子寿命＞1000ｕｓSINTON少子寿命测试仪扩散后测试光致衰减LI D≤0.5%预投流程验证硅片中心低响应（黑心片）比例＜0.05% 预投流程验证弯曲度(um) ≦40 塞尺切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度≤10ｕｍ凹坑无凹坑目视硅片表面平整,无硅落现象穿孔无穿孔目视沾污无沾污目视不允许有肉眼可见的油污,硅粉,清洗剂,水痕崩边无崩边目视应力无应力手感当硅片拿在手上轻微晃动时不能有嘣咚嘣咚的响声孪晶无孪晶目视从外观看,出现两个及以上的晶体划伤无划伤目视只要在硅片表面有明显肉眼可见异物划过的痕迹,不论长度和面积大小都不合格氧化膜末磨无氧化膜末磨目视缺口无缺口目视缺角无缺角目视裂纹/隐裂无裂纹/隐裂目视偏心偏离度＜0.5ｍｍ模具。
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原硅片接收检验标准
1．目的：规定本公司的硅片检验流程，保证和持续提高产品质量2．范围：用于本公司硅片的来料检验过程
3．职责：质量部门负责按照本标准严格执行硅片的来料检验工作。
4.内容
4.1硅片中金属杂质和碳氧含量标准，见表1
表一硅片中金属杂质和碳氧含量
杂志种类
基体总金属杂
质含量（fe cr ni
cu）ppba
表面总金属杂质含
量（fe zn na）ppba
氧
（at0ms/cm3）
碳
（atoms/cm3）
杂质含量
（单晶N-type）≤50 ≤70 ≤9×1017≤5×1016
杂质含量
（单晶P-type）≤50 ≤70 ≤9×1017≤5×1016
杂质含量
（多晶P-type）≤50 ≤70 ≤3×1017≤5×1017
4.2硅片检验方法：
Ltem检验项目Level检验水平AQL%
Conductive type导电类型
H 1
Resistivity电阻率 1 Thickness tolerance厚度 1 TTV厚度变化量 1 Bow弯曲度 1
Appearance
外观Lndents凹坑 1 Chips崩边 1 Saw Marks切痕 1 Craters应力 1 Cracks裂纹 1 Else其他 1
4.2 P型单晶硅片检验标准见表2
检验项目合格标准检验方法说明导电类型P型冷热探针测试仪器
电阻率（∩.cm）1-3/3-6 四探针测试仪器
径向电阻率不均匀
度
RRV<25% 四探针测试仪器
对边宽(mm) 125±0.5 165±0.5数显游标卡尺
对角钱(mm) 150±1 165±1
200±1 205±1
数显游标卡尺
圆弧长(mm) 27.77-32.20/10.4-14.11
19.93-23.80/14.43-18.16
模具
方片角度90°±0.3°角尺
厚度(ｕm)200±20设备1.硅片的平均厚度为200微米;
2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;
3.同批硅片的厚度要呈正态分布,即测量数据的均值±3，＆应在厚度规定的范围
内
厚度不均匀度TT V≦30设备在保证硅片表面厚度情况,对硅片表面取五点测试(中心点以及距四周边缘6ｍｍ各取一点)来换算厚度变化量
位错密度(个/cm²) ＜1000 供方保证项
有效载流子寿命＞1.35ｕｓ，且＞1.4ｕ
ｓ占90%以上
WT-1000少子寿命测试仪
体少子寿命＞15ｕｓSINTON少子寿命测试仪扩散后测试
光致衰减LI D≤3%预投流程验证
硅片中心低响应（黑
心片）
比例＜0.05% 预投流程验证
弯曲度≦40 塞尺
切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度≤10ｕｍ凹坑无凹坑目视硅片表面平整,无硅落现象穿孔无穿孔目视
沾污无沾污目视不允许有肉眼可见的油污,硅
粉,清洗剂,水痕崩边无崩边目视
应力无应力手感当硅片拿在手上轻微晃动时
不能有嘣咚嘣咚的响声孪晶无孪晶目视从外观看,出现两个及以上的
晶体划伤无划伤目视只要在硅片表面有明显肉眼
可见异物划过的痕迹,不论长
度和面积大小都不合格
氧化膜末磨无氧化膜末磨目视
缺口无缺口目视
缺角无缺角目视
裂纹/隐裂无裂纹/隐裂目视
偏心偏离度＜0.5ｍｍ模具
4.3 P型多晶硅片检验标准见表3
检验项目合格标准检验方法说明
导电类型P型冷热探针测试仪
电阻率（∩.cm）1-3/3-6 四探针测试仪
径向电阻率不均匀RRV<25% 四探针测试仪
对边宽（mm）125±0.5
156±0.5
数显游标卡尺
对角线(mm) 175±1
219±1
数显游标卡尺
倒角(mm) 1×45°模具
方片角度90°±30°角尺
厚度200±20数显千分表或硅片检
片机1.硅片的平均厚度为200微米;
2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;
3.同批硅片的厚度要呈正态分布,即测量数据的均值±3，＆应在厚度规定的范围内
厚度不均匀度TT V≦30数显千分表在保证硅片表面厚度情况,对硅片
表面取五点测试(中心点以及距四
周边缘6ｍｍ各取一点)来换算厚度
变化量
有效载流子寿命＞1.35ｕｓ，且＞
1.4ｕｓ占90%以
上WT-1000少子寿命测
试仪
体少子寿命＞2ｕｓSINTON少子寿命测
试仪
扩散后测试
光致衰减LI D≦2%预投流程验证
弯曲度≦40 塞尺
微晶1厘米长度内≦5
个晶粒
目视硅片表面任一方向
明显切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度≤10ｕｍ
凹坑无目视硅片表面平整,无硅落现象
穿孔无目视
粘污无目视不允许有肉眼可见的油污,硅粉,清
洗剂,水痕
崩边无目视
应力无当硅片拿在手上轻微晃动时不能有
嘣咚嘣咚的响声
划伤无只要在硅片表面有明显肉眼可见异
物划过的痕迹,不论长度和面积大
小都不合格
缺口无
缺角无
裂纹/隐裂无
4.4 N型单晶硅片检验标准，见表4
检验项目合格标准检验方法说明
导电类型N型冷热探针测试仪器
电阻率（∩.cm）1-3/3-6 四探针测试仪器
径向电阻率不均匀
度
RRV<25% 四探针测试仪器
对边宽(mm) 125±0.5 156±0.5数显游标卡尺
对角钱(mm) 165±1
200±1 205±1
数显游标卡尺
圆弧长(mm) 10.40-14.11
19.93-23.80/14.43-18.16
模具
方片角度90°±0.3°角尺
厚度(ｕm)200±20数显千分表或硅片检片机1.硅片的平均厚度为200微米;
2.硅片表面所有厚度要在规定范围内,最薄处不低于180微米;
3.同批硅片的厚度要呈正态分布,即测量数据的均值±3，＆应在厚度规定的范围
内
厚度不均匀度TT V≦30数显千分表在保证硅片表面厚度情况,对硅片表面取五点测试(中心点以及距四周边缘6ｍｍ各取一点)来换算厚度变化量
位错密度(个/cm²) 无供方保证项
体少子寿命＞1000ｕｓSINTON少子寿命测试仪扩散后测试
光致衰减LI D≤0.5%预投流程验证
硅片中心低响应（黑
心片）
比例＜0.05% 预投流程验证
弯曲度(um) ≦40 塞尺
切痕无明显切痕手持式粗糙度测试仪允许的切痕深度≤10ｕｍ凹坑无凹坑目视硅片表面平整,无硅落现象穿孔无穿孔目视
沾污无沾污目视不允许有肉眼可见的油污,硅
粉,清洗剂,水痕崩边无崩边目视
应力无应力手感当硅片拿在手上轻微晃动时
不能有嘣咚嘣咚的响声
孪晶无孪晶目视从外观看,出现两个及以上的
晶体划伤无划伤目视只要在硅片表面有明显肉眼
可见异物划过的痕迹,不论长
度和面积大小都不合格
氧化膜末磨无氧化膜末磨目视
缺口无缺口目视
缺角无缺角目视
裂纹/隐裂无裂纹/隐裂目视
偏心偏离度＜0.5ｍｍ模具。