集成电路布图填表须知

集成电路布图设计登记申请表填表须知

一、申请表：需提交一式两份。一份为原本，一份为复印件。并要求使用中文填写，

表中文字应当打字或者印刷，字迹为黑色。

二、布图设计名称：应填写集成电路型号。例如：NJM12902。

三、申请号和申请日：由国家知识产权局填写。

四、集成电路分类：

1.结构Bipolar：双极；MOS：金属－氧化物－半导体；Bi-MOS：双极－金属－氧化物－半导体；Optical-IC：集成光路；其他：不包括上述四类的结构。

2.技术TTL：晶体管－晶体管逻辑电路；

DTL：二极管－晶体管逻辑电路；

ECL：发射极耦合逻辑电路；

IIL:集成注入逻辑电路；

其他：不包括在上述四种之内的技术。

3.功能逻辑；存储；微型计算机；线性；其他。

4.以上（1）（2）（3）三类，每一类中最多只能选择一种，并在内打“×”。

5.布图设计创作人：可以是自然人、法人或者其他组织。

6.完成创作日期：完成设计日。

7.首次商业利用日：首次投入商业利用之日。

8.申请人：申请人是单位的应填写单位全称,并与公章中名称一致。申请人是个人的，应填写本人真实姓名，不得写笔名。申请人为多个，又未委托代理

机构，填写在第一栏的申请人为第一署名申请人。申请人为单位的还应填写单位联系人姓名。

9.申请人地址：国内地址应写明省、市、区、街道、门牌号码、邮政编码。外国人地址应写明国别、州（市、县）。

十、申请文件清单：除申请表一式两份，其余文件均为一式一份，凡是图纸应

使用计算机制图。其他图纸或复制件、文件、样品清单与所附清单严格一致。2001-10-29

集成电路布图设计登记收费项目和标准公告（第88号）根据《集成电路布图设计保护条例》的规定，向国家知识产权局申请集成电路布图设计登记和办理有关手续，应当缴纳费用。按照国家发展和改革委员会、财政部2003年4月15日发布的《国家发展和改革委、财政部关于集成电路布图设计登记费等收费标准及有关事项的通知》（发改价格[2003]85号）的规定，现将集成电路布图设计登记收费项目和标准公布如下：

集成电路布图设计收费项目和收费标准（金额单位：人民币）

一、布图设计登记费，每件2000元

二、布图设计登记复审请求费，每件300元

三、著录事项变更手续费，每件每次100元

四、延长期限请求费，每件每次300元

五、恢复布图设计登记权利请求费，每件1000元

六、非自愿许可使用布图设计请求费，每件300元

七、非自愿许可使用布图设计支付报酬裁决费，每件300元本公告自4月15日起执行。

中华人民共和国国家知识产权局

二○○三年五月十六日

申请集成电路布图设计保护须知

廊清概念

集成电路是指半导体集成电路，即以半导体材料为基片，将至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部连线集成在基片之中或者基片之上，以执行某种电子功能的中间产品或者最终产品。

集成电路一般分为设计、制造、封装三个阶段。

在设计集成电路时，一般分为"前端设计"和"后端设计"两大部分。前端设计进行电路系统设计、产生电路图和它的连接网表；后端设计要设计出制造过程所需掩膜版的十几层甚至二十几层版图图形。一般说，前端设计的内容应当用专利保护，而布图设计则采用集成电路布图保护条例保护，设计后芯片的制造、封装同前端设计一样采用专利保护。

集成电路布图设计是指集成电路中至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路的三维配置，或者为制造集成电路而准备的上述三维配置。

布图设计具有独创性

要求保护的布图设计必须具有独创性，即该布图是创作者自己的智力劳动成果，并且在其创作时，该布图设计不是布图设计创作者和集成电路制造者中公认的常规设计。

受保护的由常规设计组成的布图设计，其组合作为整体同样应当具有独创性。

在这里，独创性评判的时间"创作时"即为创作完成日；评判人为布图创作者和集成电路制造者；评判标准要视其是否是公认的常规设计。

特别应当指出的是布图设计仅保护根据网表设计出的布图，并不能延及思想、处理过程，操作方法或数字概念。同时，不登记不予保护。

申请人应提交哪些文件和样品？

申请人应提交的文件和样品包括布图设计登记申请表；布图设计的复制件或图样；布图已投入商业使用的，应提交含有该布图的集成电路样品；国家知识产权局规定的其他材料。

申请表应填写哪些内容？

申请人的姓名或名称，地址或居住地；申请人的国籍；集成电路布图设计的名称；集成电路布图创作者的姓名或名称；集成电路布图设计的创作完成日期；该布图设计所用于的集成电路的分类（由申请人自己确定）；申请人委托专利代理机构的，应当注明有关事项；申请人未委托专利代理机构的，其联系人的姓名、地址、邮政编码及联系电话；集成电路布图设计具有集成电路布图设计保护条例所列商业行为的，其行为的发生日；布图设计图层包含有保密信息的，要说明涉及的含有保密信息的图层编号及图的页数；申请人或者专利代理机构的签字或者盖章；申请文件清单；附加文件及样品清单；其他需要的有关事项。

申请表中的英文是何含义？

在结构方面：Bipolar：双极；MOS：金属－氧化物－半导体；Bi-mos：双极－金属－氧化物－半导体；Optical－IC：集成光路；其他不属于上述四种结构的结构。

在技术方面：TTL：晶体管－晶体管逻辑电路；DTL：二极管－晶体管逻辑电路；ECL：发射极耦合逻辑电路；IIL：集成注入逻辑电路；CMOS：互补型金属－氧化物－半导体；NMOS：n－型金属－氧化的－半导体；PMOS：p-型金属－氧化物－半导体；其他不属于上述七种技术的技术。

对提交的复制件或图样有何要求？

申请人提交的复制件或者图样（层叠图）应当至少放大到用该布图所生产电路的20倍以上。申请人可以同时提供含有全部布图设计的电子版本，所提交的电子版本的复制件或者图样有多张纸件的，应按顺序编号并附具目录；布图设计的复制件图样有多张纸件的，应按顺序编号并附具目录；布图设计的复制