集成电路布图填表须知
集成电路布图设计登记需求表
课题组负责人签字 10.审核 公章： 年 月 日
院（所）意见
(签名，日期) 科技发展处
年
签字： 月 日
公章： 日
5.创作完成日期：
6.首次商业利用时间： 特声明第
7. 确定非第一申请人为代表人声明 8. 申 请 人 姓名或名称： 邮编: 姓名或名称： 邮编: 地址: 地址:
申请人为代表人 国籍：
国籍：
9.申明
申明（本申明只针对上海科技大学的在职人员和学生） ：我特此确认上海科技大学知识产 权及科技成果转化的管理规定适用于本布图设计。
附表 11
内部文件编号：
集成电路布图设计登记需求表
1.布图设 计名称 2.布图设 计结构、 技术、 功能简 要说明 3.布图设 计创作 人 4.该布图设计所用于的集成电路的分类 ： （由申请人确定，并在 内打×） （1）结构： Bipolar MOS Bi-MOS Optical-IC 其他 （2）技术： （3）功能： TTL 逻辑 DTL 存储 年 月 ECL IIL CMOS 线性 NMOS 其他 年 月 日 PMOS 其他
上海市集成电路布图设计登记资助管理办法
上海市集成电路布图设计登记资助管理办法文章属性•【制定机关】上海市知识产权局•【公布日期】2020.01.02•【字号】沪知局规〔2020〕1号•【施行日期】2020.02.01•【效力等级】地方规范性文件•【时效性】现行有效•【主题分类】集成电路布图设计正文上海市集成电路布图设计登记资助管理办法沪知局规〔2020〕1号第一条为鼓励本市集成电路布图设计（以下简称布图设计）登记，保护布图设计专有权，促进集成电路产业发展，根据国务院《集成电路布图设计保护条例》和上海市人民政府《关于本市进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》，设立“上海市集成电路布图设计登记资助资金”（以下简称资助资金）。
为加强资助资金管理，根据国家和本市有关财政专项资金管理规定，制定本办法。
第二条资助资金纳入上海市“软件集成电路专项资金”年度预算。
第三条资助申请人是指在国家知识产权局完成布图设计登记且注册或登记在本市的企业、事业单位和社会团体。
一项布图设计有多个权利人，其中有一方符合申请人条件也可根据本办法申请资助。
第四条资助资金按照“诚信申请、部分资助、专款专用、公开透明”的原则管理。
第五条凡已获得中央财政或市级财政有关资助资金的，不得重复资助。
第六条专项资金管理部门根据本市布图设计登记情况和财政资金管理要求，会同市财政部门编制资助资金的年度预算，市知识产权管理部门对资助申请进行受理审核。
第七条资助申请人申请布图设计登记资助的费用包括国家知识产权局的登记费和代理机构的代理费。
按布图设计登记的实际发生费用予以资助，每项布图设计资助不超过人民币2500元。
第八条资助申请人应当在布图设计证书颁证日后1年内，向市知识产权管理部门申请登记费用资助。
第九条申请布图设计登记资助，应填写并提交《集成电路布图设计登记资助申请表》。
其他与布图设计登记有关的证明材料包括付款凭证、布图设计登记证书和布图设计登记申请受理通知书由资助申请人保管备查，无需提交，保管期为10年。
（整理）集成电路的布局与布线简介.doc
（整理）集成电路的布局与布线简介.doc第8章集成电路的布局与布线简介1.版图设计的步骤大规模集成电路的布局与布线和设计的方式有密切关系，常用的设计方式主要有全定制式、半定制式和定制式等三类方式。
1．全定制式全定制式是像一般设计过程那样，由设计者按设计要求一步一步地设计，组合出各种逻辑电路，当然在设计中也会采用部分现成的电路，但是整个设计是在电路模块形式和位置没有限制的情况下组成电路，进行布局和布线。
2．半定制式半定制式则是事先已经有了若干种具有各种功能的成品或半成品作为单元，在已有单元的基础上进行电路的组合。
这时采用何种单元进行设计就可以有多种方式了。
其中叫做标准单元的方法是利用称为标准单元的现成电路单元进行设计。
这些标准单元的物理版图都是等高不等宽的结构，其引出线也都是规范化的，如图8 1所示。
标准单元法就是在这种基础上，用标准单元构成大规模集成电路。
这种方式便于布图和布线，应用较广。
显然，标准单元是按一定工艺设计好了的逻辑单元，在布图时是不能改变的，工艺更新时先要更新单元库，和全定制式相比布图时会出现冗余空间，密度不能很高。
把标准单元做成各种逻辑门，以门为单位排成一定阵列进行布局和布线的方式，称为门阵列式。
门阵列中，留有规则的布线通道，用以连接各门单元。
上述的单元，都不是已经生产出来的单元，而是准备好的生产单元用的各种母片，布图和布线达到要求后，按确定下来的布图和布线将母片投入生产工艺。
由于单元在构成时要考虑能适用于较多的用途，母片中设置的晶体管数相对要多，使用时会成为冗余的晶体管，接线通道也成倍数地增多，集成电路的面积难免会有浪费，因此，适用于中、小批量电路产品的设计与生产。
3．定制方式定制方式的设计是把各种基本逻辑单元事先设计完好，形成独立的功能单元，放在库中存储，设计时调出功能单元组合成各种电路。
这些功能单元也可以是寄存器、算数逻辑单元、存储器等，对形状也没有统一的要求。
这种设计法也叫通用单元法或积木块法。
集成电路办理指南
集成电路布图登记一、集成电路布图设计登记申请表。
a、姓名或者名称、地址或者居住地；b、国籍；c、集成电路布图设计的名称；d、集成电路布图设计创作者的姓名或者名称；e、集成电路布图设计的创作完成日期；f、集成电路布图设计所用于的集成电路的分类；g、联系人的姓名、地址、邮政编码及联系电话；二、申请应提交哪些文件(一) 必须提交的文件：①集成电路布图设计登记申请表一份。
②图样一份。
③图样的目录一份。
(二) 可能需要提交的文件：①布图设计在申请日之前已投入商业利用的，申请登记时应当提交4件样品。
②申请人委托代理机构的，还应提交集成电路布图设计登记代理委托书。
(三) 此外，申请人还可以提交：①包含该布图设计图样电子件的光盘。
②布图设计的简要说明。
三、集成电路布图设计的复制件或者图样。
a、复制件或者图样的纸件应当至少放大到用该集成电路布图设计生产的集成电路的20倍以上;可以同时提供该复制件或者图样的电子版本;提交电子版本的复制件或者图样的，应当包含该集成电路布图设计的全部信息，并注明文件的数据格式;b、复制件或者图样的纸件应当使用A4纸格式;c、复制件或者图样可以附具简单的文字说明，说明该集成电路布图设计的结构、技术、功能和其他需要说明的事项。
四、申请文件的形式要求（1）图样：包括该布图设计的总图和分层图，以适合A4纸的大小打印在A4纸上；每页纸打印一幅图；当图纸有多张时，应顺序编号。
（2）图样的目录：应写明每页图纸的图层名称。
（3）样品：集成电路布图设计已投入商业利用的，提交含有该集成电路布图设计的集成电路样品。
集成电路布图设计在申请日之前已投入商业利用的，应当提交4件含有该集成电路布图设计的集成电路样品。
所提交的4件集成电路样品应当置于专用器具中，器具表面应当贴上标签，写明申请人的姓名和集成电路布图设计名称。
（4）简要说明：说明该集成电路布图设计的结构、技术、功能和其他需要说明的事项。
（5）光盘：光盘内存有该布图设计图样的电子文件。
集成电路版图布图注意要点
一、可能需要调整的参数，注意要在版图中加入DUMMY的元件，以备今后调整的需要。
二、可能需要测试的结点，要在合适的位置加入测试的PAD点。
三、先确定好端口名称和端口顺序，按合理PCB布图的需要，排好端口，定好封装。
四、依据确定的封装和端口顺序，理清模块内外的具有强干扰能力的结点和怕被干扰的结点；布线时做好隔离和区别对待，一般用接地铝条夹道隔离或者改为上层金属跳线连接，减少与下层金属的并行长度，尽量加大与下层金属的间距，有交叉的点尽量做垂直交叉。
五、模块内N管和P管的沟道长度和宽度方向要一致，模块与模块之间也要保持方向一致。
六、OP内部的排布1、内部要保证差分对管的XY方向的匹配或者叫交叉匹配；2、电流镜要保证偏置支路和镜像支路的X方向匹配，左右两边做好DUMMY；3、电流沉要保证偏置支路和镜像支路的X方向匹配，左右两边做好DUMMY；4、电流镜和电流沉的元件要集中摆放；5、N管和P管的沟道长度和宽度方向要一致；6、OP的镜像电流要以电流线接入；禁止电压线接入；7、输入和输出尽量按从左至右的原则，使输出端尽量远离输入端；8、输入或输出要确定频率，是高频时，要做好夹道隔离或者跳线连接。
9、做沟道的POLY区域，禁止铝线跨过。
10、差分对管、电流镜、电流沉等需要匹配设计的部分要单独隔离，减少相互间的干扰。
七、需要精密匹配的电阻，要做好X方向的匹配，常用的是ABAB ABBA 等，左右两边要加好DUMMY POLY做好边缘环境的匹配。
八、大模块的摆放，按分离安静程度不一的模块的原则，和贴近封装端口的原则来排布。
较安静易受干扰的模块要远离开关管、推动模块，逻辑处理模块和一些有强干扰特性的结点和连线。
特性相同的模块要集中摆放。
九、地线处理要严格区分大电流功率地、模拟地、数字地；PAD处理上尽量分开设计，但最好靠近摆放，方便封装邦线。
十、电源线、地线和开关使用的大电流线等，要依据电流大小推算确定线条宽度；原则上，线条电流能力要大于有效值电流要求，接近峰值电流要求。
集成电路布图填表须知
集成电路布图设计登记申请表填表须知一、申请表：需提交一式两份.一份为原本，一份为复印件.并要求使用中文填写，表中文字应当打字或者印刷，字迹为黑色.二、布图设计名称：应填写集成电路型号.例如：.三、申请号和申请日：由国家知识产权局填写.四、集成电路分类：1.结构：双极；：金属－氧化物－半导体；：双极－金属－氧化物－半导体；：集成光路；其他：不包括上述四类地结构.2.技术：晶体管－晶体管逻辑电路；：二极管－晶体管逻辑电路；：发射极耦合逻辑电路；: 集成注入逻辑电路；其他：不包括在上述四种之内地技术.3.功能逻辑；存储；微型计算机；线性；其他.4.以上（）（）（）三类，每一类中最多只能选择一种，并在内打“×”.5.布图设计创作人：可以是自然人、法人或者其他组织.6.完成创作日期：完成设计日.7.首次商业利用日：首次投入商业利用之日.8.申请人：申请人是单位地应填写单位全称,并与公章中名称一致.申请人是个人地，应填写本人真实姓名，不得写笔名.申请人为多个，又未委托代理机构，填写在第一栏地申请人为第一署名申请人.申请人为单位地还应填写单位联系人姓名.9.申请人地址：国内地址应写明省、市、区、街道、门牌号码、邮政编码.外国人地址应写明国别、州（市、县）.十、申请文件清单：除申请表一式两份，其余文件均为一式一份，凡是图纸应使用计算机制图.其他图纸或复制件、文件、样品清单与所附清单严格一致.集成电路布图设计登记收费项目和标准公告（第号）根据《集成电路布图设计保护条例》地规定，向国家知识产权局申请集成电路布图设计登记和办理有关手续，应当缴纳费用.按照国家发展和改革委员会、财政部年月日发布地《国家发展和改革委、财政部关于集成电路布图设计登记费等收费标准及有关事项地通知》（发改价格[]号）地规定，现将集成电路布图设计登记收费项目和标准公布如下：集成电路布图设计收费项目和收费标准（金额单位：人民币）一、布图设计登记费，每件元二、布图设计登记复审请求费，每件元三、著录事项变更手续费，每件每次元四、延长期限请求费，每件每次元五、恢复布图设计登记权利请求费，每件元六、非自愿许可使用布图设计请求费，每件元七、非自愿许可使用布图设计支付报酬裁决费，每件元本公告自月日起执行.中华人民共和国国家知识产权局二○○三年五月十六日申请集成电路布图设计保护须知廊清概念集成电路是指半导体集成电路，即以半导体材料为基片，将至少有一个是有源元件地两个以上元件和部分或者全部连线集成在基片之中或者基片之上，以执行某种电子功能地中间产品或者最终产品.集成电路一般分为设计、制造、封装三个阶段.在设计集成电路时，一般分为"前端设计"和"后端设计"两大部分.前端设计进行电路系统设计、产生电路图和它地连接网表；后端设计要设计出制造过程所需掩膜版地十几层甚至二十几层版图图形.一般说，前端设计地内容应当用专利保护，而布图设计则采用集成电路布图保护条例保护，设计后芯片地制造、封装同前端设计一样采用专利保护.集成电路布图设计是指集成电路中至少有一个是有源元件地两个以上元件和部分或者全部互连线路地三维配置，或者为制造集成电路而准备地上述三维配置.布图设计具有独创性要求保护地布图设计必须具有独创性，即该布图是创作者自己地智力劳动成果，并且在其创作时，该布图设计不是布图设计创作者和集成电路制造者中公认地常规设计.受保护地由常规设计组成地布图设计，其组合作为整体同样应当具有独创性.在这里，独创性评判地时间"创作时"即为创作完成日；评判人为布图创作者和集成电路制造者；评判标准要视其是否是公认地常规设计.特别应当指出地是布图设计仅保护根据网表设计出地布图，并不能延及思想、处理过程，操作方法或数字概念.同时，不登记不予保护.申请人应提交哪些文件和样品？申请人应提交地文件和样品包括布图设计登记申请表；布图设计地复制件或图样；布图已投入商业使用地，应提交含有该布图地集成电路样品；国家知识产权局规定地其他材料.申请表应填写哪些内容？申请人地姓名或名称，地址或居住地；申请人地国籍；集成电路布图设计地名称；集成电路布图创作者地姓名或名称；集成电路布图设计地创作完成日期；该布图设计所用于地集成电路地分类（由申请人自己确定）；申请人委托专利代理机构地，应当注明有关事项；申请人未委托专利代理机构地，其联系人地姓名、地址、邮政编码及联系电话；集成电路布图设计具有集成电路布图设计保护条例所列商业行为地，其行为地发生日；布图设计图层包含有保密信息地，要说明涉及地含有保密信息地图层编号及图地页数；申请人或者专利代理机构地签字或者盖章；申请文件清单；附加文件及样品清单；其他需要地有关事项.申请表中地英文是何含义？在结构方面：：双极；：金属－氧化物－半导体；：双极－金属－氧化物－半导体；－：集成光路；其他不属于上述四种结构地结构.在技术方面：：晶体管－晶体管逻辑电路；：二极管－晶体管逻辑电路；：发射极耦合逻辑电路；：集成注入逻辑电路；：互补型金属－氧化物－半导体；：－型金属－氧化地－半导体；：型金属－氧化物－半导体；其他不属于上述七种技术地技术.对提交地复制件或图样有何要求？申请人提交地复制件或者图样（层叠图）应当至少放大到用该布图所生产电路地倍以上.申请人可以同时提供含有全部布图设计地电子版本，所提交地电子版本地复制件或者图样有多张纸件地，应按顺序编号并附具目录；布图设计地复制件图样有多张纸件地，应按顺序编号并附具目录；布图设计地复制或者图样地纸件应当使用纸格式，如果大于纸地，应当折叠成纸格式；复制件或者图样可以出具简单地文字说明（如：功能说明中文），用以说明集成电路布图设计地结论、技术、功能，字数一般不超过字.布图设计在申请日之前还没有商业利用地，该申请可以包含有保密信息地图层，其比例最多不得超过该集成电路布图设计总面积地％.有保密信息地，应当在申请表中涉及保密信息图层地页码编号及总页数与申请表填写一致，记载该保密信息部分地复制件或者图样地纸件应当置放在另一个保密文档袋中提交.除侵权诉讼或者行政查处程序需要外，任何人不得查阅或者复制该保密信息.初步审查将审查哪些内容？申请表中各项内容和手续地审查以及图纸或复制件审查均在初步审查之列.同时，还将审查提交地申请是否明显不符合集成电路布图设计地定义，即审查集成电路中是否具有以半导体材料为基片、至少具有一个有源无件地两个以上元件以及元件之间地互连线中部分或全部三维配置.另外，就要看申请保护地布图设计是否要求将保护延及思想、处理过程、操作方法、或数字概念了.申请人应缴纳什么费用？我国对申请人采取保护政策，收费标准在国际上属于较低地，这包括以下各种费用（指定标准）：布图设计登记费：元；布图设计登记证书印花税：元；著录事项变更手续费：元；复审请求费：元；恢复请求费：元；延长费：元；非自愿许可请求费：元；非自愿许可使用费地裁决请求费：元.专有权地保护期限有多长？集成电路布图设计专有权地内容包括全部或部分复制布图设计具有独创性地部分；将受保护地布图设计以及含有该布图设计地集成电路和含有该集成电路地物品投入商业利用.布图设计专有权地保护期限为年；自登记申请之日或在世界任何地方首次投入商业利用之日起计算，以较前日期为准；布图设计自创作之日起年（无论是否申请登记或商业利用）后，不再受本条例保护；生效日即为布图设计申请日.。
141401集成电路布图设计许可合同备案申请表
集成电路布图设计实施许可合同备案申请表
办理集成电路布图设计实施许可合同备案手续及填表说明
1、办理集成电路布图设计实施许可合同备案需提交的文件：
（1）集成电路布图设计实施许可合同备案申请表；
（2）集成电路布图设计实施许可合同；
（3）许可方、被许可方的身份证明（个人需提交居民身份证复印件,企业需提交加盖公章的营业执照复印件、统一社会信用代码证
复印件，事业单位需提交加盖公章的事业单位法人证书复印件、统一社会信用代码证复印件）；
（4）许可方、被许可方共同委托中介机构或经办人办理相关手续的委托书；
（5）经办人身份证复印件。
2、申请表一般由许可方签章；许可方或被许可方为外国人的，可由其委托的中介机构签章。
3、许可方为多人以及许可集成电路布图设计为多项的，当事人可自行制作申请表附页，将完整信息填入。
集成电路图布图(范本)
集成电路图布图甲方(委托方)：乙方(受托方)：甲方法定代表人身份证号码/营业执照号甲方地址乙方法定代表人身份证号码/营业执照号乙方地址【律师提示】：方便双方送达相关文书的义务，避免因无法送达带来的法律风险。
甲乙双方本着自愿、公平、诚信和互惠互利的原则，就甲方委托乙方研究创造XX集成电路布图事宜达成如下协议，共同遵守：一、委托事项委托研究创造集成电路布图的要求如下：（1）标的物：（2）功能规格确认：（3）样品试制进度：（4）样品之确认：乙方愿意承接甲方上述委托事项，并保证按时、按质地完成开发任务。
二、开发费用及付款方式1、本项目的总开发费用为人民币元（人民币大写元整）。
2、甲方向乙方支付总开发费用实行分期付款方式：（1）在本合同签订后的10日内，甲方支付乙方合同总价的40%，即人民币（大写元整）。
（2）在集成电路布图验收合格后的5日内，甲方支付乙方合同总价的60%，即人民币（大写元整）。
乙方开户银行名称、地址和帐号为：开户银行：地址：帐号：三、交付1、交付形式：2、交付时间：3、交付地点：四、验收由甲乙双方派出技术人员对软件进行验收。
如验收不合格，则乙方需在天之内重新向甲方提交合格的软件，否则甲方有权追究乙方的违约责任。
五、双方权利义务1、甲方应向乙方提供的必要的资料及协作；2、乙方应在本合同生效后日内向甲方提交研究创造计划；3、未经甲方书面同意，乙方不得将本合同部分或全部研究创造工作转让第三人承担。
六、知识产权甲方拥有委托乙方创造的集成电路布图的知识产权。
【律师提示】：往往出现纠纷在于集成电路布图的所有权，因此一定要在合同明确约定。
七、保证1、乙方应当保证其交付给甲方的研究创造成果不侵犯任何第三人的合法权益。
如发生第三人指控甲方侵权，乙方应当赔偿甲方的一切损失并承担违约金。
2、乙方不得在向甲方交付研究创造成果之前，自行将研究创造成果转让给第三人。
如发生该情形，乙方应当赔偿甲方的一切损失并承担违约金。
07集成电路版图设计技巧
错误布线
正确布线
引线孔、通孔：
一般情况下，衬底接触和有源区接触布线 需要在整个接触区域内，保持一定间距， 连续制作一排引线孔； 模拟电路部分多晶硅栅引线处，制作两个 通孔；数字电路部分由于面积限制，多晶 硅栅引线处制作一个引线孔； 相邻金属层之间，如果面积允许，至少制 作两个接触孔。
(b)场反型形成场区寄生MOS管
2)场开启电压
影响场开启电压的因素： ① 场氧化层厚度——场氧化层越厚，场开 启电压就越高。 ② 衬底掺杂浓度——衬底浓度越高，场开 启电压也越高。 要求场开启电压足够高，至少应大于电路的 电源电压，使每个MOS管之间具有良好的隔 离特性 版图设计中增加沟道隔离环提高场开启电压。
部分设计规则
多晶硅延伸有源区最小：0.3um 引线孔、通孔尺寸：3×3um 引线孔、通孔最小间距：0.45um 有源区、多晶硅、一铝、二铝覆盖引线孔、通孔 最小：0.15um 多晶硅最小宽度： 0.3um 一铝、二铝最小宽度： 0.45um 多晶硅、一铝、二铝最小间距： 0.45um
1. 隔离环及其作用
1) 寄生MOS管 当金属线通过场氧化层时,金属线和场氧化层 及下面的硅衬底形成一个MOS管。如果金属线 的电压足够高,会使场区的硅表面反型,在场区 形成导电沟道,这就是场反型或场开启。寄生 MOS管接通不该连通的两个区域，破坏电路的 正常工作。
寄生MOS管示意图
(a)金属导线跨过两个扩散区
三、沟道隔离环
沟道隔离环是制作在衬底上或阱内的重掺 杂区，能提高场开启电压，防止衬底反型 形成寄生MOS管。 P管的隔离环是N-衬底上的N+环； N管的隔离环是P-阱内的P+环 将各管的衬底接触区域延长，并使之包围 整个模块即形成隔离环
集成电路布图设计专有权登记意见陈述书(关于费用)
以下为必填项：
票据接收人手机号：
票据接收人电子邮箱：
票据号码（收据号）：
④ 附件清单
银行汇单原件邮局汇单原件费用收据原件
加盖公章或经公证的银行汇单复印件加盖公章或经公证的邮局汇单复印件
费用收据复印件
费用电子票据
已备案的证明文件名称：，证明文件备案编号：
⑤ 当事人或代理机构签章：
⑥ 国家知识产权局处理意见：
年月日
年月日
此框由国家知识产权局填写
①
布
图
设
计
专
有
权
申请号或登记号：
递交日：
布图设计名称：
申请号条码：
申请人或专有权人：
挂号条码：
2陈述事项：
3
针对国家知识产权局于年月日开出的费用收据陈述意见。
缴纳集成电路相关费用后尚未收到国家知识产权局开出的费用收据。
针对国家知识产权局于年月日发出的通知书（发文序号）陈述意见。
集成电路布图设计电子申请快速入门手册
集成电路布图设计电子申请快速入门手册新申请提交1.登录系统后，点击"提交新申请"，打开基本信息填写页面。
a)布图基本信息填写b)申请人信息填写c)联系人信息填写d)代理机构信息填写依次录入上述基本信息后，点击"保存",将自动跳转到申请文件上传页面。
2.在打开的申请文件上传页面中a)选择上传的文件类型，上传文件，点击"确认"按钮。
b)点击已经上传的"图样"，可以在保密页挑选列表中，通过"设置为保密页"按钮设置为保密页。
c)文件上传完毕后,点击"提交",采集数据将在线提交至专利局集成电路审查系统进行审查。
注:图样、图样的目录为首次申请必须提交的申请文件。
中间文件提交登录系统后，点击"其它文件提交"，点击"普通中间文件"打开中间文件上传页面。
a）选择"表格下载"，将需提交的中间文件表格下载到本地电脑。
b)填写中间文件表格,并制作成符合规定的电子图形文档。
（制作方法参见《图形文档的制作》）b)输入案件申请号; 选择上传的文件类型，上传文件点击"确认"按钮。
c)文件上传完毕后,点击"提交",中间文件将在线提交至专利局集成电路审查系统进行审查。
著录项目变更请求1.登录系统后，点击"著录项目变更请求"打开著录项目变更请求页面。
通过申请号、布图设计名称,查询可进行著录项目变更的案件信息.2.选中相关案件,点击"著录项目变更",进入著录项目变更操作页面.a)可对基本信息进行"修改"操作。
b)可对申请人、联系人、代理机构进行"新增、删除、修改"操作。
c)可对变更后内容进行"取消"操作.d)上传著变证明文件. (无证明文件也可直接点击"提交")e)点击"提交",填写的著录项目变更信息将在线提交至专利局集成电路审查系统进行审查.注: 此处的"提交"按钮,是将所有著变的信息提交审查系统,并不是单独指提交上传的"著变证明文件"。
集成电路布图设计
可靠性测试
对芯片进行可靠性测试，如温度、湿度、 压力等测试，确保其可靠性达到要求。
03
集成电路布图设计的常见问题及解决方法
信号完整性问题及解决方法
信号完整性问题
由于信号传输过程中，信号的质量会受到干扰和噪声的影响，可能导致信号 失真或不稳定。
2023
集成电路布图设计
目录
• 集成电路布图设计概述 • 集成电路布图设计的制作流程 • 集成电路布图设计的常见问题及解决方法 • 集成电路布图设计的实际应用案例 • 集成电路布图设计的发展趋势与未来展望
01
集成电路布图设计概述
定义与特点
定义
集成电路布图设计，也称为集成电路设计，是指通过计算机 辅助设计软件，将电路设计在半导体芯片上的一种特定方式 。
解决方法
采取合适的信号完整性设计和仿真，选择正确的传输介质和连接器，以及优 化布局和布线等措施来降低信号完整性问题的影响。
版图绘制中的常见问题及解决方法
版图绘制问题
版图绘制过程中，由于设计规则和版图绘制技巧的限制，可能出现各种错误和问 题。
解决方法
熟悉并掌握常用的版图绘制软件和设计规则，遵循设计规范，提高版图绘制技巧 ，以及进行审核和验证等措施来避免版图绘制问题的产生。
设计将成为未来的发展趋势。
技术瓶颈与挑战
制程技术
由于物理极限和工艺问题的存在，制程技术已经逐渐接近其发展 瓶颈。
设计复杂度
随着集成电路布图设计的规模不断扩大，设计复杂度也在不断增 加，给设计者带来极大的挑战。
版图优化
版图优化是提高集成电路性能和可靠性的重要手段，但目前仍然 存在许多技术瓶颈需要突破。
集成电路布图设计登记资助申请表doc
集成电路布图设计登记资助申请表doc [公司名称][公司地址][电子邮件][日期][合作伙伴姓名][合作伙伴地址][电子邮件]主题：集成电路布图设计登记资助申请表尊敬的[合作伙伴姓名]：我代表[公司名称]，写信是为了申请关于集成电路布图设计登记的资助。
本信将详细介绍我们公司的背景、项目概述、预算计划和期望的资助金额。
1.公司背景[公司名称]是一家专注于集成电路设计与开发的公司，致力于提供高质量的电子产品和解决方案。
我们的团队由一群有着丰富经验的工程师组成，他们在电子设计领域有着广泛的专业知识和创新能力。
2.项目概述我们计划开发一种新型集成电路布图设计，以满足当今市场上对高性能和低功耗电子产品的需求。
该设计旨在提高电路的集成度和系统的效率，同时保持较低的功耗和较小的芯片尺寸。
我们相信，这个项目将在电子产品市场中占据领先地位，并且可能带来重大的商业利益。
3.预算计划我们希望获得资助金额为[金额]，用于支持以下方面的费用：-设计团队的薪酬和福利-设备和软件工具的采购和维护费用-项目期间的研发实验和测试费用-知识产权保护和专利注册费用-任何其他与项目相关的支出我们将确保资金的透明使用，并提供详细的财务报告以展示资助金额的使用情况。
4.项目成果和影响我们相信，通过该项目的推进，我们能够成功开发出具有良好性能和较低功耗的集成电路布图设计。
这将有助于推动电子产品的进步和发展，并有望在市场上取得巨大的商业成功。
同时，项目的成功也将提升[合作伙伴姓名]在电子设计领域的声誉和竞争优势。
我们期待与您的合作，共同实现集成电路布图设计登记的目标。
请尽快回复我们的申请，并提供任何您需要的额外材料。
再次感谢您的时间和支持。
诚挚地[公司名称][公司负责人姓名] [职务]。
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集成电路布图设计登记申请表填表须知
一、申请表：需提交一式两份。
一份为原本，一份为复印件。
并要求使用中文填写，
表中文字应当打字或者印刷，字迹为黑色。
二、布图设计名称：应填写集成电路型号。
例如：NJM12902。
三、申请号和申请日：由国家知识产权局填写。
四、集成电路分类：
1.结构Bipolar：双极；MOS：金属－氧化物－半导体；Bi-MOS：双极－金属－氧化物－半导体；Optical-IC：集成光路；其他：不包括上述四类的结构。
2.技术TTL：晶体管－晶体管逻辑电路；
DTL：二极管－晶体管逻辑电路；
ECL：发射极耦合逻辑电路；
IIL:集成注入逻辑电路；
其他：不包括在上述四种之内的技术。
3.功能逻辑；存储；微型计算机；线性；其他。
4.以上（1）（2）（3）三类，每一类中最多只能选择一种，并在内打“×”。
5.布图设计创作人：可以是自然人、法人或者其他组织。
6.完成创作日期：完成设计日。
7.首次商业利用日：首次投入商业利用之日。
8.申请人：申请人是单位的应填写单位全称,并与公章中名称一致。
申请人是个人的，应填写本人真实姓名，不得写笔名。
申请人为多个，又未委托代理
机构，填写在第一栏的申请人为第一署名申请人。
申请人为单位的还应填写单位联系人姓名。
9.申请人地址：国内地址应写明省、市、区、街道、门牌号码、邮政编码。
外国人地址应写明国别、州（市、县）。
十、申请文件清单：除申请表一式两份，其余文件均为一式一份，凡是图纸应
使用计算机制图。
其他图纸或复制件、文件、样品清单与所附清单严格一致。
2001-10-29
集成电路布图设计登记收费项目和标准公告（第88号）根据《集成电路布图设计保护条例》的规定，向国家知识产权局申请集成电路布图设计登记和办理有关手续，应当缴纳费用。
按照国家发展和改革委员会、财政部2003年4月15日发布的《国家发展和改革委、财政部关于集成电路布图设计登记费等收费标准及有关事项的通知》（发改价格[2003]85号）的规定，现将集成电路布图设计登记收费项目和标准公布如下：
集成电路布图设计收费项目和收费标准（金额单位：人民币）
一、布图设计登记费，每件2000元
二、布图设计登记复审请求费，每件300元
三、著录事项变更手续费，每件每次100元
四、延长期限请求费，每件每次300元
五、恢复布图设计登记权利请求费，每件1000元
六、非自愿许可使用布图设计请求费，每件300元
七、非自愿许可使用布图设计支付报酬裁决费，每件300元本公告自4月15日起执行。
中华人民共和国国家知识产权局
二○○三年五月十六日
申请集成电路布图设计保护须知
廊清概念
集成电路是指半导体集成电路，即以半导体材料为基片，将至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部连线集成在基片之中或者基片之上，以执行某种电子功能的中间产品或者最终产品。
集成电路一般分为设计、制造、封装三个阶段。
在设计集成电路时，一般分为"前端设计"和"后端设计"两大部分。
前端设计进行电路系统设计、产生电路图和它的连接网表；后端设计要设计出制造过程所需掩膜版的十几层甚至二十几层版图图形。
一般说，前端设计的内容应当用专利保护，而布图设计则采用集成电路布图保护条例保护，设计后芯片的制造、封装同前端设计一样采用专利保护。
集成电路布图设计是指集成电路中至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路的三维配置，或者为制造集成电路而准备的上述三维配置。
布图设计具有独创性
要求保护的布图设计必须具有独创性，即该布图是创作者自己的智力劳动成果，并且在其创作时，该布图设计不是布图设计创作者和集成电路制造者中公认的常规设计。
受保护的由常规设计组成的布图设计，其组合作为整体同样应当具有独创性。
在这里，独创性评判的时间"创作时"即为创作完成日；评判人为布图创作者和集成电路制造者；评判标准要视其是否是公认的常规设计。
特别应当指出的是布图设计仅保护根据网表设计出的布图，并不能延及思想、处理过程，操作方法或数字概念。
同时，不登记不予保护。
申请人应提交哪些文件和样品？
申请人应提交的文件和样品包括布图设计登记申请表；布图设计的复制件或图样；布图已投入商业使用的，应提交含有该布图的集成电路样品；国家知识产权局规定的其他材料。
申请表应填写哪些内容？
申请人的姓名或名称，地址或居住地；申请人的国籍；集成电路布图设计的名称；集成电路布图创作者的姓名或名称；集成电路布图设计的创作完成日期；该布图设计所用于的集成电路的分类（由申请人自己确定）；申请人委托专利代理机构的，应当注明有关事项；申请人未委托专利代理机构的，其联系人的姓名、地址、邮政编码及联系电话；集成电路布图设计具有集成电路布图设计保护条例所列商业行为的，其行为的发生日；布图设计图层包含有保密信息的，要说明涉及的含有保密信息的图层编号及图的页数；申请人或者专利代理机构的签字或者盖章；申请文件清单；附加文件及样品清单；其他需要的有关事项。
申请表中的英文是何含义？
在结构方面：Bipolar：双极；MOS：金属－氧化物－半导体；Bi-mos：双极－金属－氧化物－半导体；Optical－IC：集成光路；其他不属于上述四种结构的结构。
在技术方面：TTL：晶体管－晶体管逻辑电路；DTL：二极管－晶体管逻辑电路；ECL：发射极耦合逻辑电路；IIL：集成注入逻辑电路；CMOS：互补型金属－氧化物－半导体；NMOS：n－型金属－氧化的－半导体；PMOS：p-型金属－氧化物－半导体；其他不属于上述七种技术的技术。
对提交的复制件或图样有何要求？
申请人提交的复制件或者图样（层叠图）应当至少放大到用该布图所生产电路的20倍以上。
申请人可以同时提供含有全部布图设计的电子版本，所提交的电子版本的复制件或者图样有多张纸件的，应按顺序编号并附具目录；布图设计的复制件图样有多张纸件的，应按顺序编号并附具目录；布图设计的复制
或者图样的纸件应当使用A4纸格式，如果大于A4纸的，应当折叠成A4纸格式；复制件或者图样可以出具简单的文字说明（如：QX7135功能说明_中文），用以说明集成电路布图设计的结论、技术、功能，字数一般不超过300字。
布图设计在申请日之前还没有商业利用的，该申请可以包含有保密信息的图层，其比例最多不得超过该集成电路布图设计总面积的50％。
有保密信息的，应当在申请表中涉及保密信息图层的页码编号及总页数与申请表填写一致，记载该保密信息部分的复制件或者图样的纸件应当置放在另一个保密文档袋中提交。
除侵权诉讼或者行政查处程序需要外，任何人不得查阅或者复制该保密信息。
初步审查将审查哪些内容？
申请表中各项内容和手续的审查以及图纸或复制件审查均在初步审查之列。
同时，还将审查提交的申请是否明显不符合集成电路布图设计的定义，即审查集成电路中是否具有以半导体材料为基片、至少具有一个有源无件的两个以上元件以及元件之间的互连线中部分或全部三维配置。
另外，就要看申请保护的布图设计是否要求将保护延及思想、处理过程、操作方法、或数字概念了。
申请人应缴纳什么费用？
我国对申请人采取保护政策，收费标准在国际上属于较低的，这包括以下各种费用（指定标准）：
布图设计登记费：2000元；布图设计登记证书印花税：5元；著录事项变更手续费：100元；复审请求费：2000元；恢复请求费：1000元；延长费：300元；非自愿许可请求费：300元；非自愿许可使用费的裁决请求费：300元。
专有权的保护期限有多长？
集成电路布图设计专有权的内容包括全部或部分复制布图设计具有独创性的部分；将受保护的布图设计以及含有该布图设计的集成电路和含有该集成电路的物品投入商业利用。
布图设计专有权的保护期限为10年；自登记申请之日或在世界任何地方首次投入商业利用之日起计算，以较前日期为准；布图设计自创作之日起15年（无论是否申请登记或商业利用）后，不再受本条例保护；生效日即为布图设计申请日。