模拟电子技术基础李国丽第一章习题答案

（a） VA
(10
2
3
3
20 1 ) 1 4
10V
VB
20
2
3
3
8V
VA VB ，所以 D1 导通
（b）
VA
(10
2
2
3
15 4 ) 1 4
5k I
5k I
D1
D1
10 V
10 V
D2
D2
(a)
5k I
D1 40 V
D2
(b) 5k I
40 V
D1
D2
(c)
(d)
图题1.4
解： （a）图中，两个二极管导通， I 10 5 2mA
（b）图中，由于 D2 反向截止，所以电流为反向饱和电流 10μA。 （c）图中，D2 反向击穿，保持击穿电压 30V，所以 I (40 30) 5 2mA
图选择题 7
v
8．PN 结的特性方程是 i I S (eVT 1) 。普通二极管工作在特性曲线的 正向区 ；稳
压管工作在特性曲线的 反向击穿区 。 二．判断题（正确的在括号内画√，错误的画×）
1．N 型半导体可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。
（×）
2．在 P 型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素可以改型为 N 型半导体。
1 半导体二极管
自我检测题
一．选择和填空 1．纯净的、结构完整的半导体称为 本征半导体，掺入杂质后称 杂质半导体。若掺入
五价杂质，其多数载流子是 电子 。 2．在本征半导体中，空穴浓度 C 电子浓度；在 N 型半导体中，空穴浓度 B 电子
浓度；在 P 型半导体中，空穴浓度 A 电子浓度。 （A．大于，B．小于，C．等于） 3. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 C ，而少数载流子的浓度与 A 关
时的伏安特性如图中虚线所示。在 25℃时，该二极管的死区电压为 0.5 伏，反向击穿电压 为 160 伏，反向电流为 10-6 安培。温度 T1 小于 25℃。（大于、小于、等于）
i mA
30 25oC T1
20
10
150 100 50 0 0 .5 1
-0.001
-0.002 -0.003
v /V
系十分密切。 （A．温度，B．掺杂工艺，C．杂质浓度） 4. 当 PN 结外加正向电压时，扩散电流 A 漂移电流，耗尽层 E ；当 PN 结外加反
向电压时，扩散电流 B 漂移电流，耗尽层 D 。 （A．大于，B．小于，C．等于，D．变宽，E．变窄，F 不变 ） 5．二极管实际就是一个 PN 结，PN 结具有 单向导电性 ，即处于正向偏置时，处于
得VA 4.96V
源自文库
ID
VA
0.7 R3
1.42mA
1.33电路如图题1.3所示，已知D1为锗二极管，其死区电压Vth＝0.2V，正向导通压降为 0.3V；D2为硅二极管，其死区电压为Vth＝0.5V，正向导通压降为0.7V。求流过D1、D2的电 流I1和I2。
10k
I1
I2
100
100
15V
D1
V2
I
2R
11.3 3R
2R
7.53V
V1＝0.7+V2=8.23V
（b）D 截止，I=0，V1＝12V， V2＝0V 1.6 忽略图题 1.6 中二极管的死区电压，试判断图中二极管是否导通。
2k
4k
3k
10V
A
B
3k
D1
3k
1k
3k
10V
A
20V
2k
D2
B 15V
1k
2k
4k
2k
(a)
(b)
图题 1.6 解：先将 D 断开，计算 A、B 点对地电压
（×）
7．稳压管是一种特殊的二极管，它通常工作在反向击穿状态（√ ），它不允许工作在
正向导通状态（×）。
习题
1.1 图题 1.1 各电路中，vi 5Sinωt(V) ，忽略 D 的导通压降和死区电压，画出各电路相应 的输出电压波形。
vo
D
vi
RL
vo
t
o
(a) D
vo
vi
RL
vo
t
o 10V
(b) D
+10V
R 1 20k ID
A
R 2 10k
D
-6V (a)
+10V
R 1 2k ID
A D
R 2 10k R 3 3k
-6V (b)
图题1.2
解：（a）VA 6 0.7 5.3V
ID
10 VA R1
0 VA R2
1.3mA
（b） 10 VA VA (6) VA 0.7
R1
R2
R3
导通 状态；反向偏置时，处于 截止 状态。 6. 普通小功率硅二极管的正向导通压降约为_B ，反向电流一般_C_；普通小功率锗二
极管的正向导通压降约为_A_，反向电流一般_D_。 （A．0.1～0.3V，B．0.6～0.8V，C．小于，D．大于） 7. 已知某二极管在温度为 25℃时的伏安特性如图选择题 7 中实线所示，在温度为 T1
（d）图中，D1 导通， I 40 5 8mA
1.5 试确定图题 1.5（a）和图（b）中的二极管是否导通，并计算电压 V1 和 V2 的值（设 二极管正向导通电压为 0.7V）
+12V R
V1 D
V2 2R
+12V 2R
V1 D
V2 R
(a)
(b)
图题 1.5 解： （a）图中，D 导通， I (12 0.7) 3R 11.3 3R
D2
图题1.3 解：由于 D1 的死区电压小于 D2 的死区电压，应该 D1 先导通。设 D1 通、D2 截止，此 时
I1
15 0.3 10103 100
A
1.46mA
D2 两端电压＝I1×100＋0.3＝0.45V
小于 D2 的开启电压，所以 D2 截止，因此
I2＝0
1.4设二极管的正向导通压降可以忽略不计，反向饱和电流为10μA，反向击穿电压为 30V，并假设一旦击穿反向电压保持30V不变，不随反向击穿电流而变化。求图题1.4中各电 路的电流I。
（√）
3．P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（×）
4．PN 结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。
（√）
5．由于 PN 结交界面两边存在电位差，所以当把 PN 结两端短路时就有电流流过。 （ × ）
6．PN 结方程既描写了 PN 结的正向特性和反向特性，又描写了 PN 结的反向击穿特性。
vo
vi
RL
vo
t
o 10V
(c)
图题 1.1 解： （a）图中，vi>0 时，二极管截止，vo=0；vi<0 时，二极管导通，vo= vi。
vO V
2
t
0
5
（b）图中，二极管导通，vo= vi +10。
vO V
15
10
5
0
2
t
（c）图中，二极管截止，vo=0。
vO V
vO = 0
t
0
1.2 求图题 1.2 所示电路中流过二极管的电流 ID 和 A 点对地电压 VA。设二极管的正向 导通电压为 0.7V。