51单片机外扩RAM
51单片机外部ram扩展c程序及硬件结构
c程序#include<reg52.h>#include<absacc.h>#define uchar unsigned char#define uint unsigned intint n,m;void main(){unsigned int i;while(1){for(i=0x0000;i<=0x7fff;i++){XBYTE[i]=n;//写入ram}for(i=0x7fff;i>0x0000;i--){m=XBYTE[i];//读外部存储器}}}62256外部ram芯片相关知识：XBYTE是一个地址指针（可当成一个数组名或数组的首地址），它在文件absacc.h中由系统定义，指向外部RAM（包括I/O口）的0000H单元，XBYTE后面的中括号[ ]0x2000H 是指数组首地址0000H的偏移地址，即用XBYTE[0x2000]可访问偏移地址为0x2000的I/O端口。
这个主要是在用C51的P0，P2口做外部扩展时使用，其中XBYTE [0x0002]，P2口对应于地址高位，P0口对应于地址低位。
一般P2口用于控制信号，P0口作为数据通道。
比如：P2.7接WR，P2.6接RD，P2.5接CS，那么就可以确定个外部RAM的一个地址，想往外部RAM的一个地址写一个字节时，地址可以定为XBYTE [0x4000]，其中WR，CS为低，RD为高，那就是高位的4，当然其余的可以根据情况自己定，然后通过XBYTE [0x4000] = 57;这赋值语句，就可以把57写到外部RAM的0x4000处了，此地址对应一个字节。
XBYTE 的作用,可以用来定义绝对地址,是P0口和P2口的,其中P2口对应的是高位,P0口对应的是低位如XBYTE[0x1234] = 0x56;则等价于mov dptr,#1234hmov @dptr,#56h谢谢大家。
第7章MCS-51单片机的常用外设扩展
（2）数据线
2732的8位数据线直接与单片机的P0口相连。P0口作 为地址/数据线分时复用。
（3）控制线
CPU执行2732中存放的程序指令时，取指阶段就是对 2732进行读操作。注意，CPU对EPROM只能进行读操作， 不能进行写操作。CPU对2732的读操作控制都是通过控制线 实现的。2732控制线的连接有以下几条：
2.硬件电路 单片机与6116的硬件连接如图7-4所示。
3.连线说明
• 地址线：A0～A10连接单片机地址总线P0.0～P0.7、P2.0、P2.1、P2.2 共11根；
• 数据线：I/O0～I/O7连接单片机的数据线，即P0.0～P0.7；
• 控制线：片选端连接单片机的P2.7，即单片机地址总线的最高位A15； 读允许线连接单片机的读数据存储器控制线；
• 对于没有内部ROM的单片机或者程序较长、片内ROM容 量不够时，用户必须在单片机外部扩展程序存储器。 MCS-51单片机片外有16条地址线，即P0口和P2口，因此 最大寻址范围为64K字节（0000H—FFFFH）。
• 这里要注意的是，MCS-51单片机有一个管脚 EA跟程序存 储器的扩展有关。如果接高电平，那么片内存储器地址范 围是0000H—0FFFH（4K字节），片外程序存储器地址范 围是1000H—FFFFH（60K字节）。如果接低电平，不使 用片内程序存储器，片外程序存储器地址范围为0000H— FFFFH（64K字节）。
1. 芯片选择
单片机扩展数据存储器常用的静态RAM芯片有6116（2K×8 位）、6264（8K×8位）、62256（32K×8位）等。
根据题目容量的要求我们选用SRAM6116，采 用单一+5V供电，输入输出电平均于TTL兼容，具有 低功耗操作方式，管脚如图7-3所示。
51单片机对外部ram的存取
51单片机对外部ram的存取用#include "absacc.h"头文件，对于典型的电路接法，直接写ram=XBYTE[0x0000]或XB YTE[0x0000]=ram就能完成对ram的读写么，外部WR，OE，ALE信号就不用控制了么。
是不是先前要有什么设置。
最好举一个完整的例子说明一下，对外部的电路也做一下简单的说明，控制信号都是怎么接的，接法不一样对应的程序一改怎么变？初学者，渴望赐教。
提问者采纳是的。
对于典型电路接法，对应的WR、OE、ALE信号引脚接在RAM芯片对应引脚，单片机会自动配置各个引脚的时序，以完成XBYTE指令直接访问外部RAM的功能。
这里您所担心的对外部WR，OE，ALE信号的控制实际上是把典型电路接法与用单个引脚模拟端口外接RAM的使用方法混淆了。
比如89C2051单片机，其外部引脚没有P0口和WR、RD、OE、ALE这些引脚，某些情况下非得需要其配合外置RAM使用时，需要定义某些IO脚（譬如P1）模拟为数据接口、某些IO脚（譬如P1、P3）模拟为地址接口、某些IO模拟WR、RD、OE、ALE功能。
这个时候就需要控制了：先准备好要告诉RAM给它发送地址了（控制模拟ALE那个引脚的电平）,然后控制模拟WR的那个引脚，准备告诉RAM你是要给它写地址；然后往地址接口上放地址数据，准备告诉RAM读什么地址（控制模拟的P0、P2口）；片选通知RAM来读取地址（模拟OE的那个引脚给片选电平，通常低电平为选中）；等待RAM响应后，转换WR和RD的电平读出RAM在上述地址中存储的数据。
大致如此，你可以在相应的学习板或者自己搭建的板子上试试~。
51单片机资源扩展：扩展片外RAM
51 单片机资源扩展：扩展片外RAM
上一文中扩展了单片机的程序存储器，4KB 存储空间提升到64KB。
其
实，4K 的代码空间还凑合，但是51 自带的256B 数据存储空间使用起来还
真紧张，其中留给用户的连128B 都不到，所以不得不扩展片外RAM。
扩展RAM 方法和扩展ROM 差不多，都是占用P0/P2 口做地址线，同时P0 用锁
存器74373 分时复用地址和数据信号。
以前扩展RAM 是用汇编语言访问存储器，好处是定位精准，指哪打哪，
坏处就是：程序规模一大就有点难维护了，所以还得改用C 实现。
对应于汇编语言用R1,R0/DPTR 访问外部RAM，keil C 扩展了存储类型，增加了如pdata(等同用movx @Rn 访问方式)/xdata(等同于movx @DPTR 访问方式)存储类型用于访问片外ram。
同时，还提供了绝对地址访问的宏，
如PBYTE/XBYTE，查看定义：
[cpp] view plain copy#define PBYTE((unsigned char volatile pdata*)0);
#define XBYTE((unsigned char volatile xdata*)0);。
51单片机 同时扩展ROM,RAM的具体实现及kiel的具体设置
51MCU内部有RAM，ROM，不同于8031。
尽管如今的增强行51MCU的内部RAM，ROM可能已经很大的空间。
但就技术而言，扩展RAM，ROM还是需要学会的。
对于不同的设计方案需求，扩展可能基于以下任何一种设计：A，只扩展RAMB，只扩展ROMC，扩展ROM，RAM****************************总线扩展时，P2口是否可用做普通IO口************************************这种扩展是基于总线扩展的，所以，P0P2口就已经不可以再做它用了（有网友提供信息，总线扩展P2还可以做普通IO口用，有两种可能：1，P2口复用，如同P1利用373锁存器。
2，在总线扩展时，只用到了低地址总线，P2口未用到。
就作为普通IO口应用。
由于技术还不到位，不做评论。
）*******************************************扩展RAM****程序************************************************扩展RAM，在程序中定义的xdata类型XBYTE类型等地址范围在外部RAM的变量，对其读写的过程。
用C51语言编写程序，且使用总线扩展的RAM，则时序电路不用考虑，WR RD等信号由编译器/硬件自动完成。
**************************************编译器设置*****************************************内部RAM：0x00~~0xFF外部RAM：0x0000~~0xFFFFRAM的地址虽重复，但是两个RAM是没有关系的，所以不会造成干扰使用了外部RAM，就在工程选项---off-chip xdata memory中设置start：0x0000 size：0xFFFF（根据具体的RAM大小设置size）。
*******************************扩展RAM时的变量定位及连续读取问题********************************* ROM，RAM的扩展时，需要用到变量的绝对地址定位，函数定位等。
基于51单片机外部扩展RAM的调试
基于51单片机外部扩展RAM的调试作者：左厚臣前言当51单片机需占用大量的RAM就不得不扩展外部RAM了，如何扩展呢？怎样才算成功了呢，本实验利用HM6264ALP-12 RAM芯片作为51单片机的外部RAM进行调试，并进行了整理。
关键字：51单片机外部RAM HM6264一、需准备资料1、STC12C5A60S2芯片资料，STC官网下载2、HM6264A_datasheet，文库内搜索下载3、74ls373-datasheet，文库内搜索下载二、电路设计根据HM6264A_datasheet和STC12C5A60S2芯片资料绘制电路图如下：三、Keil编译器设置使用外部扩展RAM需在片外Xdata存储内写上外部RAM的起始地址及RAM大小，否则在编译程序时可能会报错。
四、调试程序根据HM6264A_datasheet和STC12C5A60S2芯片资料可以看出，HM6264ALP写时序读时序及地址建立时间保持时间都是纳秒级的，而STC12C5A60S2基本都是微秒级的，所以51单片机的这些时序无需改动，程序如下：#include <STC12C5A60S2.H>#define u8 unsigned char#define u16 unsigned int#define EXTRAM 2//AUXR寄存器EXTRAM位//EXTRAM =0使用内部扩展RAM//EXTRAM =1使用外部扩展RAMu16 y;u8 xdata x[8192];void main(){x[8189]=0x11;x[8190]=0x22;x[8191]=0x33;x[8192]=0x44;AUXR |= (1<<EXTRAM); //使用外部扩展RAM TMOD = 0x20;SM0 = 0;//SM1 = 1;//串口1工作方式1TH1 = 243;TR1 = 1;//启动定时器1TI=0;for(y=8189;y<8193;y++){SBUF = x[y];while(TI==0);TI=0;}while(1);}串口打印结果如下：符合程序要求。
单片机外部扩展常用芯片讲解
0 0 1 0 0 0 0 0 20H
0 0 1 0 0 0 0 1 21H
0 0 1 0 0 0 1 0 22H
……
……
0 0 1 1 0 0 0 0 30H
……
……
0 0 1 1 1 1 0 0 3CH
0 0 1 1 1 1 0 1 3DH
0 0 1 1 1 1 1 0 3EH
0 0 1 1 1 1 1 1 3FH
2、译码法
8051
A0～A15
A13 A15 VCC A14
A B C G1 G2A G2B
138
Y1 Y0
A0～ A12 2764 CE
A0～ A12 6264 CE1
2764地址：0000H～1FFFH, 6264地址：2000H～3FFFH
C BA A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0
00000 00011
0 00 0 00 0 0 0 00 1 11 1 11 1 1 1 11
Y0
地址译码范围：0000H～1FFFH 共 8 K字节
0 0 1 0 0 0 00 0 00 0 0 0 00
0 0 1 1 1 1 11 1 11 1 1 1 11
Y1
地址译码范围：2000H～3FFFH 共 8 K字节
A、B、C。 3）输出线：
Y0～Y7
2、74LS138 真值表
G1 G2A G2B C B A Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7
1 0 0 00 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 00 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 0 0 01 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 0 01 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 10 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 10 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 0 0 11 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 11 1 1 1 1 1 1 1 1 0 × × × ××× 1 1 1 1 1 1 1 1
51单片机外扩ROM方法
51 单片机外扩ROM 方法
51 单片机外扩ROM 方法
强烈建议用户尽可能不要考虑外扩程序存储器，如果非扩不可，可以仿照
下图所示电路进行扩展
图中P0 口输出外部ROM 的低8 位地址信号，P2 口输出高8 位地址信
号；ALE 端输出地址锁存信号，/PSEN 输出程序存储器输出使能信号。
两个模块
P89V51RD2 单片机内部有64K 用户ROM 区和8K BOOT ROM 区两个模块
两个模块在物理上是分开的，尽管地址重合，但一般不会发生冲突。
用户程序存储区
P89V51RD2 内部有64K Flash ROM，不需要用户再进行ROM 扩展
地址范围：0000H～FFFFH
其内部分配和其他51 系列单片机是相同的
Flash ROM 可以反复擦除和下载程序
擦除和编程的方法
并行编程器
ISP （在系统编程：In-System Program）。
51单片机的扩展
使用SRAM6264进行片外RAM扩展(2008-11-14 11:04:42)转载标签：分类：单片机c51sram外部扩展6264杂谈MCS-51单片机在扩展RAM的地址空间为0000H--FFFFH共64KB，读写外部RAM时用MOVX指令，用RD选通RAM OE端，用WR选通RAM WE端。
扩展外部RAM芯片一般采用静态RAM，6264具有8KB空间，它需要13位地址（A0-A12），使用P0,P2.0-P2.4作为地址线，P2.7作为片选线。
6264的全部空间为0000H-1FFFH。
Intel 6264芯片6264是一种8K×8的静态存储器，其内部组成如图2．5（a）所示，主要包括512×128的存储器矩阵、行／列地址译码器以及数据输入输出控制逻辑电路。
地址线13位，其中A12～A3用于行地址译码，A2～A0和A10用于列地址译码。
在存储器读周期，选中单元的8位数据经列I/O控制电路输出；在存储器写周期，外部8位数据经输入数据控制电路和列I／O控制电路，写入到所选中的单元中。
6264有28个引脚，如图2．5（b）所示，采用双列直插式结构，使用单一＋5 V电源。
其引脚功能如下：（1）Intel 6264的特性及引脚信号Intel 6264的容量为8KB，是28引脚双列直插式芯片，采用CMOS工艺制造A12～A0（address inputs）：地址线，可寻址8KB的存储空间。
D7～D0（data bus）：数据线，双向，三态。
OE（output enable）：读出允许信号，输入，低电平有效。
WE（write enable）：写允许信号，输入，低电平有效。
CE1（chip enable）：片选信号1，输入，在读/写方式时为低电平。
CE2（chip enable）：片选信号2，输入，在读/写方式时为高电平。
VCC：+5V工作电压。
GND：信号地。
图2．5 6264的内部结构图及引脚图6264的工作方式如表2．2所示。
51单片机外部存储器的扩展
1. 片内带程序存储器的最 小应用系统 片内带程序存储器 的8051、 8751本身即可构 成一片最小系统，只要将 单片机接上时钟电路和复 位电路即可, 同时EA 接高 电平, ALE、PSEN 信号不 用， 系统就可以工作。 (1) 系统有大量的I/O线可供用户使用: P0、 P1、 P2、 P3四个口都可以作为I/O口使用。 (2) 内部存储器的容量有限, 只有128 B的RAM和4 KB的程序存储器。
8051单片机的总线扩展 8051单片机的总线扩展
系统扩展概述
最小应用系统 单片机系统的扩展是以基本的最小系统为 基础的, 故应首先熟悉最小应用系统的结构。 实 际 上 ， 内 部 带 有 程 序 存 储 器 的 8051 或 8751单片机本身就是一个最简单的最小应用系 统，许多实际应用系统就是用这种成本低和体 积小的单片结构实现了高性能的控制。 对于内部无程序存储器的芯片8031来说, 则 要用外接程序存储器的方法才能构成一个最小 应用系统。
口作为高8位的地址总线 二、以P2口作为高 位的地址总线 口作为高
P0口的低 位地址加上 的高 位地址就可以形成 位的 口的低8位地址加上 的高8位地址就可以形成 口的低 位地址加上P2的高 位地址就可以形成16位的 的寻址能力。 地址总线，达到64KB的寻址能力。 地址总线，达到 的寻址能力 实际应用中，往往不需要扩展那么多地址， 实际应用中，往往不需要扩展那么多地址，扩展多少用 多少口线，剩余的口线仍可作一般I/O口来使用 口来使用。 多少口线，剩余的口线仍可作一般 口来使用。
三、控制信号线 ALE：地址锁存信号，用以实现对低8位地址的锁存。 ：地址锁存信号，用以实现对低 位地址的锁存 位地址的锁存。 PSEN：片外程序存储器读选通信号。 ：片外程序存储器读选通信号。 EA：程序存储器选择信号。为低电平时，访问外部程序存储 ：程序存储器选择信号。 低电平时，访问外部程序存储 外部 高电平时，访问内部程序存储器。 内部程序存储器 器；为高电平时，。 RD：片外数据 ： 存储器读选通信 号。 P2 ALE P0 8051 PSEN WR RD A8~A15 地址 A0~A7 锁存器 D0~D7 地址总线
51单片机如何进行ROM外扩
51单片机如何进行ROM外扩强烈建议用户尽可能不要考虑外扩程序存储器，如果非扩不可，可以仿照下图所示电路进行扩展图中P0 口输出外部ROM 的低8 位地址信号，P2 口输出高8 位地址信号；ALE 端输出地址锁存信号，/PSEN 输出程序存储器输出使能信号。
两个模块P89V51RD2 单片机内部有64K 用户ROM 区和8K BOOT ROM 区两个模块两个模块在物理上是分开的，尽管地址重合，但一般不会发生冲突。
用户程序存储区P89V51RD2 内部有64K Flash ROM，不需要用户再进行ROM 扩展地址范围：0000H～FFFFH 其内部分配和其他51 系列单片机是相同的Flash ROM 可以反复擦除和下载程序擦除和编程的方法并行编程器ISP （在系统编程：In-System Program）直接调用单片机BOOTROM 区的IAP 函数IAP （在应用编程：In-Application Program)一般情况下优先使用ISP 方式，更方便、更快捷关于BOOT ROM 区存储介质：Flash Memory 容量：8K 字节存储内容：ISP 引导程序和IAP 函数这些程序出厂时已经由PHILIPS 已经写入，用户可以对其修改，但建议一般用户不要试图修改它。
单片机在复位后会等待400ms，如果在此期间用户在上位计算机上运行了FlashMagic 等类似ISP 软件，且串口通信正常，单片机将进入BOOT ROM 区运行ISP 引导程序；否则，单片机在400ms 以后将自动从用户ROM 区0000H 单元开始运行用户程序关于ISPISP 在系统编程：In-System Program，指用户不必把单片机从目标板上取下来，在特定的软件配合下直接通过串口（或其他端口）就可以对单片机进行读取、擦除、设置和程序下载等操作，从而取代了并行编程器的很多功能。
现在越来越。
51单片机扩展外部RAM
51单片机扩展外部RAM
今天这个是是以前做过的，没做成，扩展ROM的时候失败了~~不过今天主要的就是扩展外部的RAM，这个相对比较简单点，不想外部的ROM还要设置太多的编译器~~
单片机扩展外部RAM
一、扩展总线
1、简介（这种扩展是基于总线扩展的，所以，P0、P2口就已经不可以再做它用了）
1）数据总线宽度为8位，由P0口提供；
2）地址总线宽度为16位，可寻址范围2的16次，也就是64K。
低8位
A7~A0由P0口经地址锁存器提供，高8位A15~A8由P2口提供。
由于P0口是数据、地址分时复用，所以P0口输出的低8位必须用地址锁存器进行锁存；
3）控制总线由RD、WR、PSEN、ALE和EA等信号组成，用于读/写控制、片外RAM选通、地址锁存控制和片内、片外RAM选择。
地址锁存器一般选用带三态输出缓冲输出的8D锁存器74LS373。
2、片外RAM的操作时序
进行RAM的扩展，其扩展方法较为简单容易，这是由单片机的优良扩展性
能解决的。
单片机的地址总线为16位，扩展的片外RAM的做大容量为
64KB，地址为0000H~FFFFH。
1）由于51单片机采用不同的控制信号指令，尽管RAM和ROM地址是重
叠的，也不会发送混乱。
2）51单片机对片内和片外ROM的访问使用相同的指令，两者的选择是由。
51单片机外部存储器的扩展
一、地址线旳译码
存储器芯片旳选择有两种措施：线选法和译码法。
1、线选法。所谓线选法，就是直接以系统旳地址线作为 存储器芯片旳片选信号，为此只需把用到旳地址线与存储 器芯片旳片选端直接相连即可。 2、译码法。所谓译码法，就是使用地址译码器对系统旳 片外地址进行译码，以其译码输出作为存储器芯片旳片选 信号。译码法又分为完全译码和部分译码两种。
ALE
8051
LE OE
P0.7
8D 8Q
P0.6
7D 7Q
P0.5
6D 6Q
P0.4
5D 5Q
P0.3
4D 4Q
P0.2
3D 3Q
P0.1
2D 2Q
P0.0
1D 1Q
74HC573 地址总线扩展电路
OE：输出允许端，为0
时芯片有效。
A7
LE：锁存控制端，高电
A6 平时，锁存器旳数据输出端
A5 Q旳状态，与数据输入端D
（1）完全译码。地址译码器使用了全部地址线，地址与存储 单元一一相应，也就是1个存储单元只占用1个唯一旳地址。
（2）部分译码。地址译码器仅使用了部分地址线，地址与存 储单元不是一一相应，而是1个存储单元占用了几种地址。
❖ 二、扩展存储器所需芯片数目旳确定
❖
若所选存储器芯片字长与单片机字长
一致，则只需扩展容量。所需芯片数目按下式
07~00 I0~I7
× 8 ）
扩
锁存器
展
74 HC 573 D0~D7
8位数据
RD
OE
WR
GND WE
图2.2-13 8031与6264的连接
如何利用51单片机同时扩展RAM和ROM
如何利用51单片机同时扩展RAM和ROM
下面这个系统中，8051同时扩展片外程序存储器和数据存储器，两片存储器的片选信号都接地，即同时有效，也就是说，这两片存储器无需选择。
51同时扩展RAM和ROM
下面来分析这个问题，该系统中虽然有两片存储器，但由于两片存储器的输入，输入允许信号不同，程序存储器没有输入允许，其输出允许由8051的引脚PSEN控制，只有当程序存储器的片选信号和输出允许信号同时有效时，程序存储器的总线才挂接到CPU总线上。
否则，程序存储器的所有总线引脚都为高阻态，即相当于存储器与CPU总线断开。
数据存储器的输入允许端为WR，受控于8051的P3.6，输出允许信号为RD，受控于8051的P3.7，数据存储器要与8051挂接的条件是片选信号有效且输入，输出允许信号中至少有一个有效，可见，在该系统中，要使两片存。
51单片机 存储器的扩展
P1.0 P1.1 P1.2 P1.3 P1.4 P1.5 P1.6
Vcc Vss /CS A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 6116 A8 A9 A10 23 22 19
18
XTAL2
P1.7 P2.0
+5V
+ 10uf
9
RESET/Vpd
P2.1 P2.2 P2.3
8282
EA/Vdd
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0FFFH
终 止 地 址
与P2口相连
通过地址锁存器与P0口相连
注意：没有接入地址线的引线均为0(程序存储器ROM)
线路图
+5V 40
Vcc
20
Vss P1.0 P1.1 P1.2 P1.3 P1.4 P1.5 P1.6
1 2 3 4 5 6 7 8 21 22 23 24 25 26 27 28 39 38 37 36 35 34 33 32
P2.4 P2.5 P2.6
27
28 39 38 37 36 35 34 33 32
STB
/OE
31 10 11 I/O 13 14 15 16 17
11
9
9 10 11 13 14 15 16 17 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 I/O5 I/O6 I/O7 /OE 20 /WE 21
1、外部存储器及其地址空间
外部存储器的扩展原因 外部存储器及其地址空间 存储器扩展方法 地址线的设计要求
外部存储器的扩展原因
大学51系列单片机第八章习题及参考答案
大学51系列单片机第八章习题及参考答案一、填空题1、MCS-51外扩ROM、RAM或I/O时，它的地址总线是P0、P2 口。
2、12根地址线可寻址 4 KB存储单元。
3、微机与外设间传送数据有程序传送、中断传送和DMA传送三种传送方式。
4、74LS138是具有3个输入的译码器芯片，其输出作为片选信号时，最多可以选中8 块芯片。
5、74LS273通常用来作简单输出接口扩展；而74LS244则常用来作简单输入接口扩展。
6、并行扩展存储器，产生片选信号的方式有线选法和译码法两种。
7、在存储器扩展中，无论是线选法还是译码法，最终都是为了扩展芯片的片选端提供信号。
8、起止范围为0000H-3FFFH的存储器的容量是16 KB。
9、11根地址线可选2KB 个存储单元，16KB存储单元需要14 根地址线。
10、32KB RAM存储器的首地址若为2000H，则末地址为9FFF H。
11、假定一个存储器有4096个存储单元，其首地址为0，则末地址为0FFFH 。
12、除地线公用外，6根地址线可选64 个地址，11根地址线可选2048 个地址。
13、单片机扩展的内容有程序存储器扩展、数据存储器扩展及I/O口的扩展等。
二、选择题1、当8031外扩程序存储器8KB时，需使用EPROM2716（ C ）A、2片B、3片C、4片D、5片2、某种存储器芯片是8KB*4/片，那么它的地址线根数是（ C ）A、11根B、12根C、13根D、14根3、74LS138芯片是（ B ）A、驱动器B、译码器C、锁存器D、编码器4、MCS-51外扩ROM、RAM和I/O口时，它的数据总线是（ A ）A、P0B、P1C、P2D、P35、6264芯片是（ B ）A、E2PROMB、RAMC、Flash ROMD、EPROM6、一个EPROM的地址有A0----A11引脚，它的容量为（ B ）。
A、2KBB、4KBC、11KBD、12KB7、单片机要扩展一片EPROM2764需占用（ C ）条P2口线。
51单片机片外扩展RAM
51 单片机片外扩展RAM
一.概述
普通51 单片机可以片外扩展ROM 和RAM 各64K 字节的空间，在实际应用中很少扩展外部ROM，一般都是扩展RAM，因为普通51 单片机的内部RAM 实在太少，只有128-256 字节，处理数据量较大时往往不
够用。
而片外扩展RAM 需要占用P0 口、P2 口和P3.6、P3.7，消耗了18 个IO 口，导致IO 口又不够用。
为了解决以上矛盾，大容量的51 单片机（增强型51 单片机）应运而生，这种单片机一般内置1K-16K 的RAM 和16K-64K 的ROM，价格也相对昂贵。
在某些情况下，用普通51 单片机通过片外扩展RAM 要比直接使用增强型51 单片机更能节约成本。
所以，学习51 单片机片外扩展RAM 是很有必要的。
二.电路设计
在WSF-51DB 开发板上，扩展了32K RAM（HM62256B），地址锁存芯片用74HC573。
如果片外扩展RAM，P0 口作为数据和地址低字节的复用端口，不需要加上拉排阻，当然，加上拉排阻也没有影响。
需要注。
51单片机RAM区域的划分
我们的 STC89C52 共有 512 字节的 RAM，分为 256 字节的片内 RAM 和 256 字节的片外RAM。一般情况下，我们是使用 data 区域，data 不够用了，我们就用 xdata，如果希望程序执行效率尽量高一点，就使用 pdata 关键字来定义。其它型号有更大的 RAM 的 51 系列单片机，如果要使用更大的 RAM，就必须得用 xdata 来访问了。
51 单片机的 RAM 分为两个部分，一块是片内 RAM，一块是片外 RAM。标准 51 的片内 RAM 地址从 0x00H～0x7F 共 128 个字节，而现在我们用的 51 系列的单片机都是带扩展片内 RAM 的，即 RAM 是从 0x00～0xFF 共 256 个字节。片外 RAM 最大可以扩展到 0x0000～0xFFFF 共 64K 字节。这里有一点大家要明白，片内 RAM 和片外 RAM 的地址不是连起来的，片内是从 0x00 开始，片外也是从 0x0000 开始的。还有一点，片内和片外这两个名词来自于早期的 51 单片机，分别指在芯片内部和芯片外部，但现在几乎所有的 51 单片机芯片内部都是集成了片外 RAM 的，而真正的芯片外扩展则很少用到了，虽然芯片内部的，我们的 STC89C52 就是这样。以下是几个 Keil C51 语言中的关键字，代表了 RAM 不同区域的划分，大家先记一下。
前边介绍单片机资源的时候，我们提到过 STC89C52 共有 512 字节的 RAM，是用来保存数据的，比如我们定义的变量都是直接存在 RAM 里边的。但是单片机的这 512 字节的 RAM在地位上并不都是平等的，而是分块的，块与块之间在物理结构和用法上都是有区别的，因此我们在使用的时候，也要注意一些问题。
对于外部 RAM 来说，使用 pdata 定义的变量存到了外部 RAM 的 0x00~0xFF 的地址范围内，这块地址的访问和 idata 类似，都是用通用寄存器间接寻址，而如果你定义成 xdata，可以访问的范围更广泛，从 0 到 64K 的地址都可以访问到，但是它需要使用 2 个字节寄存器DPTRH 和 DPTRL 来进行间接寻址，速度是最慢的。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
单片机外部RAM扩展模块
MCS-51系列单片机外部RAM为64K，在一些特殊场合下，远不能满足需要，
本文就AT89C51讨论MCS-51系列单片机大容量RAM的扩
首先介绍128K随机读取RAM HM628128。
HM628128
是32脚双列直插式128K静态随机读取RAM，它具有容
量大、功耗低、价格便宜、集成度高、速度快、设计和
使用方便等特点。
如若在系统中加入掉电保护电路，保
护数据有很高的可靠性，可以和EEPROM相媲美。
技术特性：
（1）最大存取时间为120ns；
（2）典型选通功耗75mW；典型未选通功耗10uW；
（3）使用单一5V电源供电；
（4）全静态存储器，不需要时钟及时序选通信号；
（5）周期时间与存取时间相等；
（6）采用三态输出电路，数据输入和输出端公用；
图6 HM628128外部引脚（7）所有输入和输出引脚均与TTL电平直接兼
容；
（8）有两个片选端，适合于低功耗使用，即为了保存信息，用电池作为后
备电源。
保存信息的最低电源电压Vcc=2V。
引脚安排及功能表：
图6是HM628128的外部引脚排列图，各引脚名称及功用分别如下：
A0～A16是17条地址线；I/O0～I/O7是8条双向数据线；CS1是片选1，低电平有效，CS2是片选2，高电平有效；WR是写控制线，当CS1为低电平，CS2为高电平时，WR的上升沿将I/O0～I/O7上的数据写到A0～A16选中的存储单元
中；OE是读出允许端，低电平有效。
HM628128的功能表如表3所示。
其中，H表示高电平，L表示低电平，X表示任意状态
由于AT89C51直接外部RAM容量为64K，地址线为16条，其中低8位地址和数据分时复用，因此需要外部地址锁存器和ALE锁存信号来锁存低8位地址。
又由于AT89C51的外部数据和外设地址通用，若扩展外设必然占用数据地址。
因此本系统采用P2.7（A15）口来区分数据和外设：当P2.7（A15）口为高电平时，
选择外部数据；P2.7（A15）口为低电平时，则为外设。
因此，直接外部数据容量和外设数量都为32K ，可用地址线为15条。
本系统外部扩展RAM 为256K ，地址线18条。
要达到18条地址线，则必须扩展。
理论上可行方法很多，如以P1口的某几位作为最高位地址输出、外加锁存器锁存高位地址等。
本系统采用后者，以保留P1口，况且外设空间充裕。
扩展电路如图7所示：
图7 RAM 地址扩展电路
当读写外部数据时，首先应往高位地址锁存器中送入高位地址，然后再以DPTR 为间接地址访问外部数据，注意最高位地址应为1，即数据区最低地址为8000H 。
以下程序段演示了外部数据的读写。
……
MOV DPTR ，#0020H ；0020H 为高位地址锁存器的地址
MOV A ，#00H ；00H 表示第一个32K 空间
MOVX @DPTR ，A ；写入地址数据
MOV DPTR ，#8000H ；8000H 为每个32K 的第一个字节地址
MOVX A ，@DPTR ；从地址单元读取数据
……
若最后一句换为:
MOVX @DPTR ，A
则为向RAM 中写数据。
同时作者还利用HM628128的数据保持特性为其加入了掉电保护电路。
当主电源关闭时，备用电源发挥作用，这样RAM 内的数据就不会丢失。
其特性如表4所示。
译码器
地址总线
CS1 0V
图8 CS2控制数据保持时序
根据表4和图8可知，只要在系统上电或断电期间保证使HM628128的CS2立即变为低电平（CS2≤0.2V ）或WR 立即变为高电平就可使其中的数据维持不变，图9可实现这一功能。
≥Vcc-0.2V
图9掉电保护电路
其原理如下：当系统正常时，电流通过D1向HM628128供电，同时向电池BT 充电，当系统电源切断时，将由电池供电。
上电时，系统电源对C1充电，在此期间CS2是输入要经过一定的延时后才能变为高电平，同时，由于U1、U2的电源是由系统电源对C2充电来建立的，这就保证了在上电时HM628128处于写静止状态。
在系统掉电瞬间，由于U1、U2由Vs供电，仍处于工作状态，电源掉电致使U1的输入立即变低，WR端变为低电平，从而禁止对HM628128的写入。
同时C1也通过D2和R2放电，从而使CS2变为低电平。
因此在掉电瞬间和掉电后，HM628128也处于写禁止状态。
经实践证明，本电路工作可靠，RAM中数据保存完整。