电力电子期末精彩试题.及问题详解
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。
5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
7.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
8.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
10.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
(完整版)电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子复习姓名：***电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
第 1 章 电力电子器件1. 电力电子器件一般工作在 __开关 __状态2. 在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 要为 __开关损耗 __。
3. 电力电子器件组成的系统，一般由 存在电压和电流的过冲，往往需添加4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为复合型器件 三类5. 电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通，承受反相电压截止6. 电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。
7. 肖特基二极管的开 关损耗 _小于 _快恢复二极管的开关损耗。
8. 晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止 __ 。
9. 对同一晶闸管，维持电流 IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL __大于__IH 。
10. 晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为， UDSM_大于__Ubo 。
11. 逆导晶闸管是将 _二极管 _与晶闸管 _反并联 _（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12. G TO 的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13. M OSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系， 其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区 __。
14. 电力 MOSFET 的通态电阻具有 __正__温度系数。
15. I GBT 的开启电压 UGE （th ）随温度升高而 _略有下降 __，开关速度 __小于 __电力MOSFET 。
16. 按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型 _两类。
电力电子技术试题__通态损耗 __，而当器件开关频率较高时， 功率损耗主 __控制电路 __、 _驱动电路 主电路 三部分组成，由于电路中_单极型器件 _ 、 _双极型器件17.I GBT的通态压降在1/2 或1/3 额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2 或1/3 额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末复习10套及答案
电力电子技术期末复习10套及答案考试试卷(1)卷一、填空（这道题有8个小问题，每个空白1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2.为了降低自身损耗，提高效率，电力电子设备一般工作在开关状态。
当设备的工作频率较高时，开关损耗将成为主要损耗。
3、在pwm控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4.面积等效原则指的是___________________________基本相同。
5.在GTR、GTO、IGBT和MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，最大的单管输出功率是多少6、设三相电源的相电压为u2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其最大正向电压为。
7.如果逆变器电路的负载连接到电源，则称为逆变器。
如果它与负载相连，则称为逆变器。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用v1,vd1,v2,vd2表示)。
（1）在从0到T1的时间段内，当前路径为__；（2）在T1~T2时间段内，电流路径为__；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、多项选择题（本题共有10个子题，前4题各得2分，其余各得1分，共计14分）1、单相桥式pwm逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）a、 V1和V4打开，V2和V3关闭，B和V1正常打开，V2正常关闭，V3和V4交替打开和关闭，C，V1和V4关闭，V2和V3打开d、v1常断，v2常通，v3与v4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）a、当晶闸管的触发角大于电路的功率因数角时，晶闸管的导通角小于180度b、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作c、晶闸管的触发角小于电路的功率因数角。
(完整版)电力电子期末试题.及答案
1．晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？解：晶闸管导通的条件是：晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。
门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。
导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。
晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流。
关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极－阴极间电压或增大主电路中的电阻。
晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降），阻断时两端电压由主电路电源电压决定。
2．调试图所示晶闸管电路，在断开负载R d测量输出电压U d是否可调时，发现电压表读数不正常，接上R d后一切正常，请分析为什么？习题2图解：当S断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管门极加触发信号，此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管无法导通，电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值，所以此读数不准。
在S合上以后，Rd介入电路，晶闸管能正常导通，电压表的读数才能正确显示。
3．画出图1-35所示电路电阻R d上的电压波形。
图1-35 习题3图解：4．说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。
解：KP100-8E表示额定电流100A、额定电压8级（800V、通态平均电压组别E（0.7＜U T≤0.8）普通晶闸管。
5．晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同？解：由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能，所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同，采用的是平均电流，而不是有效值，又称为通态平均电流。
所谓通态平均电流是指在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中，当不超过额定结温且稳定时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。
6．型号为KP100－3、维持电流I H＝3mA的晶闸管，使用在习题图所示的三个电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？习题6图解：（a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流的数倍。
电子行业电力电子学期末试题
电子行业电力电子学期末试题一、简答题1.请简述电力电子的定义和应用领域。
答：电力电子是指将电力与电子技术相结合的技术领域。
它研究电源、电动机的控制和调节，以及其他与电能的转换、控制和调节有关的技术。
它在电力系统、电机驱动、电力电子变换器、能量储存等领域有广泛应用。
2.什么是PWM调制技术？简述其工作原理和应用。
答：PWM调制技术是脉宽调制技术的简称。
它通过改变脉冲的宽度来控制输出电压或电流的大小。
其工作原理是在一个固定的周期内，通过改变脉冲的宽度，使得脉冲的平均值与所需的输出值相匹配。
应用方面，PWM调制技术广泛应用于电力电子变换器、电机控制、照明系统等领域。
3.请简述电力电子变换器的分类和功能。
答：电力电子变换器按输入、输出和工作方式可以分为多种类型，如AC-DC变换器、DC-DC变换器、DC-AC变换器等。
主要功能方面，电力电子变换器用于实现电能的变换、控制和调节，将电能从一种形式转换成另一种形式。
其应用广泛，在电力系统、工业控制、电动机驱动、可再生能源系统等方面起到重要作用。
二、计算题1.一个三相整流桥接电路的输入电压为380V，输出电流为20A，求电阻负载下的平均输出电压。
答：平均输出电压（Vo）= 输入电压（Vi）/ 方根号2 = 380V / 方根号2 ≈ 267.95V2.已知一个DC-DC升压变换器，输入电压为12V，输出电压为48V，负载电流为2A，求输入电流和功率。
答：输入电流（Ii）= 输出电压（Vo）× 负载电流（Io）/ 输入电压（Vi） = 48V × 2A / 12V = 8A输入功率（Pi）= 输入电压（Vi）× 输入电流（Ii） = 12V × 8A = 96W3.一台三相电机的额定功率为5kW，额定电压为380V，运行效率为0.85，求电机的额定电流。
答：额定电流（Ie）= 额定功率（Pe）× 1000 / （三相电压（Ve）× √3 × 运行效率（η））= 5kW × 1000 / （380V × √3 ×0.85）≈ 10.16A三、综合题某工厂需要安装一个照明系统，该系统的输入电压为380V，输出电压为36V，负载为60个LED灯，每个灯功率为10W。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章电力电子器件J 电力电子器件一般工作在 —开关— 状态。
冬在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为—开关损耗—。
3. 电力电子器件组成的系统，一般由 —控制电路__、_驱动电路_、 _主电路—三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 一单极型器件_、—双极型器件_、一复合型器件_三类。
L 电力二极管的工作特性可概括为—承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
匚电力二极管的主要类型有 一普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7_肖特基二极管的开关损耗 _小于_快恢复二极管的开关损耗。
二晶闸管的基本工作特性可概括为 —正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止—。
生对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流IL 在数值大小上有IL__大于—IH 。
10. 晶闸管断态不重复电压 UDSM 与转折电压 Ubo 数值大小上应为，UDSM 大于—Uba丄逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_ （如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
生GTO 勺__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13. MOSFET 勺漏极伏安特性中的三个区域与 GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 _截止区_、前者的饱和区对应后者的 — 放大区__、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区—。
14. 电力MOSFET 勺通态电阻具有—正—温度系数。
15J GBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而_略有下降—，开关速度—小于—电力MOSFET 。
生按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压驱动型_和一电流驱动型_两类。
17J GBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有 —负―温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有 —正―温度系数。
电力电子技术期末复习考卷综合(附答案,题目配知识点)
一、填空题：1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和变流技术。
2、举例说明一个电力电子技术的应用实例变频器、调光台灯等。
3、电力电子承担电能的变换或控制任务，主要为①交流变直流（AC—DC）、②直流变交流（DC—AC）、③直流变直流（DC—DC）、④交流变交流（AC—AC）四种。
4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态，但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装散热器。
5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大，电力电子器件总是工作在开关状态，其损耗包括三个方面：通态损耗、断态损耗和开关损耗。
6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM和反向重复峰值电压URRM中较小标值作为该器件的额电电压。
选用时，额定电压要留有一定的裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。
7、只有当阳极电流小于维持电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
导通：正向电压、触发电流（移相触发方式）8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路可能会出现失控现象，为了避免单相桥式半控整流电路的失控，可以在加入续流二极管来防止失控。
9、整流电路中，变压器的漏抗会产生换相重叠角，使整流输出的直流电压平均值降低。
10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发角。
☆从晶闸管导通到关断称为导通角。
☆单相全控带电阻性负载触发角为180度☆三相全控带阻感性负载触发角为90度11、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2√2U1 。
（电源相电压为U1）三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 2.45U2。
（电源相电压为U2）为了保证三相桥式可控整流电路的可靠换相，一般采用双窄脉冲或者宽脉冲触发。
12、四种换流方式分别为器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流。
13、强迫换流需要设置附加的换流电路，给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。
电力电子技术期末考试及标准答案
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _小于__Ubo 。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
15.IGBT 的开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
电力电子期末试题.和答案解析
1．晶闸管导通得条件就是什么？导通后流过晶闸管得电流由什么决定？晶闸管得关断条件就是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？解：晶闸管导通得条件就是：晶闸管阳极与阴极之间加正向阳极电压。
门极与阴极之间加适当得正向阳极电压。
导通后流过晶闸管得电流由主电路电源电压与负载大小决定。
晶闸管得关断条件就是：阳极电流小于维持电流。
关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极－阴极间电压或增大主电路中得电阻。
晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降），阻断时两端电压由主电路电源电压决定。
2．调试图所示晶闸管电路，在断开负载R d测量输出电压U d就是否可调时，发现电压表读数不正常，接上R d后一切正常，请分析为什么？习题2图解：当S断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管门极加触发信号，此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管无法导通，电流表上显示得读数只就是管子漏电流形成得电阻与电压表内阻得分压值，所以此读数不准。
在S合上以后，Rd介入电路，晶闸管能正常导通，电压表得读数才能正确显示。
3．画出图1-35所示电路电阻R d上得电压波形。
图1-35 习题3图解：4．说明晶闸管型号KP100-8E代表得意义。
解：KP100-8E表示额定电流100A、额定电压8级（800V、通态平均电压组别E（0、7＜U T≤0、8）普通晶闸管。
5．晶闸管得额定电流与其她电气设备得额定电流有什么不同？解：由于整流设备得输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能，所以晶闸管额定电流得标定与其她电器设备不同，采用得就是平均电流，而不就是有效值，又称为通态平均电流。
所谓通态平均电流就是指在环境温度为40℃与规定得冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中，当不超过额定结温且稳定时，所允许通过得工频正弦半波电流得平均值。
6．型号为KP100－3、维持电流I H＝3mA得晶闸管，使用在习题图所示得三个电路中就是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？习题6图解：（a）图得目得就是巩固维持电流与擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流得数倍。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR _，属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR _。
15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲；主要用于驱动小功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲；可以触发大功率的晶闸管。
17、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为零电流开关与零电压开关两大类。
电力电子技术期末考试试题及答案(1)
电力电子技术试题第 1 章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在 __开关 __状态。
2. 在往常状况下，电力电子器件功率消耗主要为__通态消耗 __，而当器件开关频次较高时，功率消耗主要为__开关消耗 __。
3.电力电子器件构成的系统，一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分构成，因为电路中存在电压和电流的过冲，常常需增添 _保护电路 __。
4. 按内部电子和空穴两种载流子参加导电的状况，电力电子器件可分为_单极型器件 _ 、 _双极型器件 _ 、_复合型器件 _三类。
5. 电力二极管的工作特征可归纳为_蒙受正向电压导通，蒙受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要种类有 _一般二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。
7. 肖特基二极管的开关消耗 _小于_快恢复二极管的开关消耗。
8.晶闸管的基本工作特征可归纳为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，保持电流IH 与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于 __IH 。
10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为， UDSM大于 __Ubo。
11.逆导晶闸管是将 _二极管 _与晶闸管 _反并联 _（怎样连结）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的 __多元集成 __构造是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13. MOSFET的漏极伏安特征中的三个地区与GTR共发射极接法时的输出特征中的三个地区有对应关系，此中前者的截止区对应后者的_截止区 _、前者的饱和区对应后者的__放大区 __、前者的非饱和区对应后者的_饱和区 __。
14.电力 MOSFET的通态电阻拥有 __正 __温度系数。
15.IGBT 的开启电压 UGE（ th ）随温度高升而 _略有降落 __，开关速度 __小于 __电力 MOSFET。
16. 依据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型 _和 _电流驱动型 _两类。
电力电子期末试题.及答案
1 •晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？解：晶闸管导通的条件是： 晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。
门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。
导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。
晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流。
关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极一阴极间电压或增大主电路中的电阻。
晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降） ，阻断时两端电压由主电路电源电压决定。
2•调试图所示晶闸管电路，在断开负载R d 测量输出电压 U d 是否可调时，发现电压表读数不正常，接上 R d 后一切正常，请分析为什么？解：当S 断开时，由于电压表内阻很大，即使晶闸管门极加触发信号，此时流过晶闸 管阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管无法导通，电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值，所以此读数不准。
在 S 合上以后，Rd 介入电路，晶闸管能正常导通，电压表的读数才能正确显示。
3•画出图1-35所示电路电阻 R d 上的电压波形。
图1-35习题3图解:习题2图4•说明晶闸管型号 KP100-8E 代表的意义。
解：KP100-8E 表示额定电流100A 、额定电压 8级(800V 、通态平均电压组别 E ( 0.7 V U T < 0.8)普通晶闸管。
5 •晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同？解：由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能， 所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同，采用的是平均电流，而不是有效值，又称为通态平均电流。
所谓通态平均电流是指在环境温度为 40C 和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于 170 ° 电阻性负载电路中，当不超过额定结温且稳定时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。
6. 型号为KP100 — 3、维持电流I H = 3mA 的晶闸管，使用在习题图所示的三个电路中是否合理？为什么(不考虑电压、电流裕量)？解：(a )图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流的数倍。
大学电力电子技术期末考试试题与答案详解(总5页)
题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 得分一、〔共 15分〕 1．写出以下电路符号的名称或简称。
〔a 〕晶闸管 (b) 电力MOSFET (c) GTR (d)IGBT2．画出单结晶体管的电路符号及伏安特性；说明单结晶体管的导通条件和截止条件。
导通条件：u e ＞U p ，i e ＞I p 〔2分〕 截止条件：u e ＜U v ，i e ＜I v 〔2分〕3．在第1题所给的器件中，哪些属于自关断器件？〔b 〕，〔c 〕，〔d 〕二、〔共 18 分〕 具有续流二极管的单相桥式全控整流电路，对发电机励磁绕组供电。
绕组的电阻为5Ω，电感为0.4H ，励磁直流平均电流I d 为30A ，交流电源电压U 2为220V 。
〔1〕画出电路图；〔2〕计算晶闸管和续流二极管的电流有效值；电源电流I 2、容量S 和功率因数；〔3〕作出整流输出电压u d 、输出电流i d 和电源电流i 2的波形；〔4〕假设电压和电流都考虑2倍的平安裕量，采纳KP50－8的晶闸管是不是合理什么缘故〔1〕〔3分〕 〔3〕〔6分〕〔2〕〔6分〕由R I U U dd =+=2cos 19.02α解得α=59o〔4〕〔3分〕 ∵A A I I T AV T 5022257.1)(〈=⨯=∴A I I d T 4.172=⋅-=παπ V V U U U RRM DRM 800622222〈=⨯==A I I d DR 2.17=⋅=πα ∴采纳KP50－8的晶闸管是合理的。
A I I T 6.2422=⋅=KVA U I S 541222==83.0cos 2=⋅==SR I S P d d φ得分 评卷人得分 评卷人三、〔共 25 分〕变流电路如以下图。
：U 2=200V ，R =2Ω，L =∞，L B =1mH ，α=45o ，E M =100V 。
1．计算输出直流平均电压U d 、平均电流I d 和换流重叠角γ；标出U d 和E M 的实际极性，说明变流电路和直流电动机的工作状态。
电力电子技术期末考试模拟试题2及答案
电力电子技术模拟试题2一、（20）简答题：1.试举例叙述全控型器件和半控型器件的区别？2.为什么说“器件是基础，变流是核心”？3.试说明MOSFET器件当栅源电压大于阈值电压时器件产生了什么物理现象？4.引起有源逆变失败的原因有哪几种？5.电力电子可以实现哪些变换？6.电力电子保护电路可以包括哪些保护电路形式？7.试阐述电压型逆变器电路的特点（2分）。
二、(10)如右图的单相全波可控整流电感-电阻负载的主回路，试画出电路分别工作在α=60°整流时的输出电压波形、电流波形、变压器次级电流波形和DT1两端电压波形。
并计算当U2=220伏时的输出直流平均电压U d。
三、(15)在图中画出三相半波逆变电路β=600时的输出电压波形、电流波形、晶闸管DT1两端电压波形，1）计算当U2=220伏、回路总电阻为2Ω时输出平均电压Ud、平均电流Id2）并标明逆变输出电压U d和电动机电势的方向。
四、（15）如图所示用IGBT构成的可逆斩波电路，试叙述电路的几种工作方式。
1）计算当E=12伏、E M=5伏、回路电阻R=2Ω、α=0.5时其降压斩波电路的输出电压U0、I02）其正反转电路分别是怎样完成升压斩波电路的。
五、（10）已知三相半波可控整流电路电感负载，L=0.2H，R=2Ω，U=220伏。
画出当α角为260°时，接续流二极管和不接续流二极管时的输出电压波形和晶闸管DT1两端的波形，并计算这两种情况下的负载电流I d。
并计算流过晶闸管的电流有效值I T。
六、（10）如图所示的变流器保护电路，试叙述电路过流保护的工作原理及过程。
七、（10）图中给出了用双向晶闸管构成的调光电路。
1）试叙述电路的工作原理。
2）图中利用什么电路来获得移相电压，控制电压是以什么方式加到双向晶闸管上。
3）R2、C2组成的网络起什么作用？八、（10）图中是用IGBT构成的单相桥式逆变电路,试说明1)图中的电路为何种逆变器？2)图中的逆变器电路为何种换流方式？3)若器件为理想器件，且C的电容量大。
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1．晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？解：晶闸管导通的条件是：晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。
门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。
导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。
晶闸管的关断条件是：阳极电流小于维持电流。
关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极－阴极间电压或增大主电路中的电阻。
晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降），阻断时两端电压由主电路电源电压决定。
2．调试图所示晶闸管电路，在断开负载R d测量输出电压U d是否可调时，发现电压表读数不正常，接上R d后一切正常，请分析为什么？习题2图解：当S断开时，由于电压表阻很大，即使晶闸管门极加触发信号，此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流，晶闸管无法导通，电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表阻的分压值，所以此读数不准。
在S合上以后，Rd介入电路，晶闸管能正常导通，电压表的读数才能正确显示。
3．画出图1-35所示电路电阻R d上的电压波形。
图1-35 习题3图解：4．说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。
解：KP100-8E表示额定电流100A、额定电压8级（800V、通态平均电压组别E（0.7＜U T≤0.8）普通晶闸管。
5．晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同？解：由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能，所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同，采用的是平均电流，而不是有效值，又称为通态平均电流。
所谓通态平均电流是指在环境温度为40℃和规定的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中，当不超过额定结温且稳定时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。
6．型号为KP100－3、维持电流I H＝3mA的晶闸管，使用在习题图所示的三个电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？习题6图解：（a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念，擎住电流一般为维持电流的数倍。
本题给定晶闸管的维持电流I H＝3mA，那么擎住电流必然是十几毫安，而图中数据表明，晶闸管即使被触发导通，阳极电流为100V/50KΩ＝3 mA，远小于擎住电流，晶闸管不可能导通，故不合理。
（b）图主要是加强对晶闸管型号的含义及额定电压、额定电流的理解。
本图所给的晶闸管额定电压为300A、额定电流100A。
图中数据表明，晶闸管可能承受的最大电压为311V，大于管子的额定电压，故不合理。
（c）图主要是加强对晶闸管型号的含义及额定电压、额定电流的理解。
晶闸管可能通过的最大电流有效值为150A，小于晶闸管的额定电流有效值1.57×100＝157A，晶闸管可能承受的最大电压150V，小于晶闸管的额定电压300V，在不考虑电压、电流裕量的前提下，可以正常工作，故合理。
7．某晶闸管元件测得U DRM＝840V，U RRM=980V，试确定此晶闸管的额定电压是多少？解：根据将U DRM和U RRM中的较小值按百位取整后作为该晶闸管的额定值，将两者较小的840V按教材表1－2取整得800V，该晶闸管的额定电压为8级（800V）。
8．有些晶闸管触发导通后，触发脉冲结束时它又关断是什么原因？解：晶闸管的阳极加正向电压，门极加正向触发脉冲时，晶闸管被触发导通。
此后阳极电流逐渐上升到擎住电流后，去掉触发脉冲，则管子继续导通，知道电流升到负载电流后，进入正常工作状态。
如果阳极电流还没有升到擎住电流值就去掉门极脉冲，则晶闸管就不能继续导通而关断。
9．双向晶闸管额定电流的定义和普通晶闸管额定电流的定义有何不同？额定电流为100A的两只普通晶闸管反并联可以用额定电流为多少的双向晶闸管代替？解：双向晶闸管的额定电流用有效值表示，而普通晶闸管的额定电流是用平均值表示的。
额定电流100A的普通晶闸管，其通过电流的峰值为100A×π=314A，则双向晶闸管的额定电流为314/2=222A。
10．双向晶闸管有哪几种触发方式？一般选用哪几种？解：双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发： T1接正电压， T2接负；门极G接正，T2接负。
I- 触发： T1接正，T2接负；门极G为负，T2 接正。
Ⅲ+ 触发T1接负，T2接正，门极G接正，T2接负。
Ⅲ- 触发T1接负， T2接正；门极G接负，T2接正。
一般选用I+和Ⅲ-。
11．说明图所示的电路，指出双向晶闸管的触发方式。
习题11图解：S置于位置1：双向晶闸管得不到触发信号，不能导通，负载上无电压S置于位置2：正半周，双向晶闸管Ⅰ+触发方式导通。
负半周，由于二极管VD反偏，双向晶闸管得不到触发信号，不能导通，负载上得到半波整流电压。
S 置于位置3：正半周，双向晶闸管Ⅰ+触发方式导通。
负半周，双向晶闸管Ⅲ-触发方式导通，负载上得到近似单相交流电压。
12．可关断晶闸管GTO 有哪些主要参数？其中哪些参数与普通晶闸管相同？哪些不同？解：可关断晶闸管GTO 的主要参数有：断态重复峰值电压、断态不娼妇峰值电压、反向重复峰值电压和反向不重复峰值电压、开通时间、关断时间等，这些参数定义与普通晶闸管相同。
与普通晶闸管不同的是：（1）最大可关断阳极电流I ATO 。
也是标称GTO 额定电流的参数。
与普通晶闸管的额定电流不同。
（2）电流关断增益off β。
定义为GMATO off I I =β （3）维持电流与擎住电流。
GTO 的维持电流和擎住电流的含义和普通晶闸管的含义基本相同。
但是，由于GTO 的多元集成结构，使得每个GTO 远的维持电流和擎住电流不可能完全相同。
因此把阳极电流减小到开始出现某些GTO 元不能再维持导通时的值称为整个GTO 的维持电流；而规定所有GTO 元都达到其擎住电流的阳极电流为GTO 的擎住电流。
13．名词解释控制角（移相角） 导通角 移相 移相围控制角α：控制角α也叫触发角或触发延迟角，是指晶闸管从承受正向电压开始到触发脉冲出现之间的电角度。
导通角θ：是指晶闸管在一周期处于导通的电角度。
移相：是指改变触发脉冲出现的时刻，即改变控制角α的大小。
移相围：是指一个周期触发脉冲的移动围，它决定了输出电压的变化围。
14．有一单相半波可控整流电路，带电阻性负载R d =10Ω，交流电源直接从220V 电网获得，试求：（1）输出电压平均值U d的调节围；（2）计算晶闸管电压与电流并选择晶闸管。
解：（1）输出电压的调节围：0~99V（2）KP20-715．单相半波整流电路，如门极不加触发脉冲；晶闸管部短路；晶闸管部断开，试分析上述3种情况下晶闸管两端电压和负载两端电压波形。
解：（1）晶闸管门极不加触发脉冲，即晶闸管呈阻断状态，可视作开路，所以输出电压和晶闸管两端电压波形如习题图15（a）所示。
（2）晶闸管部短路，显然晶闸管两端电压为零，此时输出电压和晶闸管两端电压波形如习题15图b）所示。
（3）晶闸管部开路，输出电压和晶闸管两端电压波形如习题15（c）所示。
习题15图16．画出单相半波可控整流电路，当 =60°时，以下三种情况的d u、T i及T u的波形。
1）电阻性负载。
2）大电感负载不接续流二极管。
3）大电感负载接续流二极管。
解：（1）波形如图（a）电阻性负载波形图（b）电感性负载不接续流二极管（c）电感性负载接续流二极管17．中小型发电机采用的单相半波晶闸管自激励磁电路如图，L为励磁电感，发电机满载时相电压为220V，要求励磁电压为40V，励磁绕组阻为2Ω，电感为0.1H，试求满足励磁要求时，晶闸管的导通角及流过晶闸管与续流二极管的电流平均值和有效值。
习题17图解：1）先求控制角2cos 145.02d α+=U U 192.012204045.02cos -=-⨯=α 得 α＝101° 则 θT ＝180°－101°＝79°θD ＝180°+101°＝281°由于ωL d =2πfL d =2×3.14×50×0.1=31.4Ω，所以为大电感负载，各电量分别计算如下A R U I d d d 20240=== A I I d dT 4.420360101180360180=⨯︒︒-︒=︒-︒=α A I I d T 4.9360180=︒-︒=α A I I d dD 6.1520360101180360180=⨯︒︒+︒=︒+︒=α A I I d D 6.17360180=︒+︒=α 2) V U U TM 31122== V U U DM 31122==3）选择晶闸管和续流二极管得型号V V U U TM 933~622311)3~2()3~2(Tn =⨯==A A I I T 12~957.14.9)2~5.1(57.1)2~5.1(T(AV)=== 取Tn U ＝700V ，T(AV)I ＝10A ；选择晶闸管型号为KP10－7。
V V U U 933~622311)3~2()3~2(DM Dn =⨯==A A I I 22~8.1657.16.17)2~5.1(57.1)2~5.1(D D(AV)===取Dn U ＝700V ，D(AV)I ＝20A ；选择晶闸管型号为ZP20－7。
4）是续流二极管开路造成的。
因为发电机励磁线圈为大电感负载，所以输出电压U d始终为零或电压很低。
18．某电阻性负载要求0～24V 直流电压，最大负载电流I d ＝30A ，如用220V 交流直接供电与用变压器降压到60V 供电，都采用单相半波整流电路，是否都能满足要求？试比较两种供电方案所选晶闸管的导通角、额定电压、额定电流值以及电源和变压器二次侧的功率因数和对电源的容量的要求有何不同、两种方案哪种更合理（考虑2倍裕量）？解：（1） 采用220V 电源直接供电，当α=0°时U d0＝0.45U 2=99V采用整流变压器降至60V 供电，当α=0°时U d0＝0.45U 2=27V所以只要适当调节α角，上述两种方案均满足输出0～24V 直流电压的要求。
（2）采用220V 电源直流供电，因为2cos 145.02d α+=U U ，其中在输出最大时，U 2＝220V ，U d ＝24V ，则计算得α≈121°，θT ＝180°－121°＝59°晶闸管承受的最大电压为U TM ＝2 U 2＝311V考虑2倍裕量，晶闸管额定电压U Tn =2U TM =622V流过晶闸管的电流有效值是I T ＝π42sin π2πd 2αα+-R U ，其中，α≈121°，Ω===8.03024d d d I U R 则I T ＝84A考虑2倍裕量，则晶闸管额定电流应为A I T T AV T 10757.128457.1)(=⨯== 因此，所选晶闸管的额定电压要大于622V ，额定电流要大于107A 。