二极管课件解剖
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《常用元器件识别二极管》PPT课件讲义

常用的是发红光、绿光、黄光、 红外光的二极管。
负极
插件极性识别: 插件发光二极管的正负极可从引
脚长短或本体上的缺口来识别。
1)本体上的缺口旁边对应的脚 为负极,另一边为正极。
2)长脚为正极,短脚为负极。
插件发光二极管插装、焊接:
插件装前必须确认元器件是否有高 度要求。如有则必须用定高柱或定 高工装定高焊接。
插件稳压二极管插装、焊接要求 同插件整流二极管。
贴片稳压二极管的贴装、焊接要 求同贴片整流二极管。
5.4、开关二极管
定义:半导体二极管导通时相当 于开关闭合(电路接通),截止 时相当于开关打开(电路切断) ,所以二极管可作开关用。开关 二极管是专门用来做开关用的二 极管,它由导通变为截止或由截 止变为导通所需的时间比一般二 极管短。
。
5)丝印:
2、二极管定义
二极管属于半导体,它由N型 半导体与P型半导体构成,它们 相交的界面上形成PN结。
3、二极管特性
单向导电性!正极接高电位 ,负极接低电位时导通,反之截 止!
所以二极管的方向性是非常重要 的。
4、二极管的主要参数
(1)最大整流电流IF
是指二极管长期连续工作时允许
通过的最大正向平均电流。IF的数
3)玻璃封装的二极管引线的弯曲处 距离管体不能太小,一般至少2mm。
4)安装二极管的位置尽可能不要靠 近电路中的发热元件。
5、二极管的分类
1)按功能分类:整流二极管, 发光二极管,检波二极管,开关 二极管,稳压二极管,变容二极 管。
2)按安装方式分类:插件二极 管、贴片二极管。
各类二极管常见的实物外形见下 图。
值是由二极管允许的温升所限定。
(2)最大反向工作电压URM
负极
插件极性识别: 插件发光二极管的正负极可从引
脚长短或本体上的缺口来识别。
1)本体上的缺口旁边对应的脚 为负极,另一边为正极。
2)长脚为正极,短脚为负极。
插件发光二极管插装、焊接:
插件装前必须确认元器件是否有高 度要求。如有则必须用定高柱或定 高工装定高焊接。
插件稳压二极管插装、焊接要求 同插件整流二极管。
贴片稳压二极管的贴装、焊接要 求同贴片整流二极管。
5.4、开关二极管
定义:半导体二极管导通时相当 于开关闭合(电路接通),截止 时相当于开关打开(电路切断) ,所以二极管可作开关用。开关 二极管是专门用来做开关用的二 极管,它由导通变为截止或由截 止变为导通所需的时间比一般二 极管短。
。
5)丝印:
2、二极管定义
二极管属于半导体,它由N型 半导体与P型半导体构成,它们 相交的界面上形成PN结。
3、二极管特性
单向导电性!正极接高电位 ,负极接低电位时导通,反之截 止!
所以二极管的方向性是非常重要 的。
4、二极管的主要参数
(1)最大整流电流IF
是指二极管长期连续工作时允许
通过的最大正向平均电流。IF的数
3)玻璃封装的二极管引线的弯曲处 距离管体不能太小,一般至少2mm。
4)安装二极管的位置尽可能不要靠 近电路中的发热元件。
5、二极管的分类
1)按功能分类:整流二极管, 发光二极管,检波二极管,开关 二极管,稳压二极管,变容二极 管。
2)按安装方式分类:插件二极 管、贴片二极管。
各类二极管常见的实物外形见下 图。
值是由二极管允许的温升所限定。
(2)最大反向工作电压URM
二极管——课件

通过二极管的标注判别
通过二极管的电极特征判别 通过二极管电极管键判别
图示
正极
说明 螺栓端为正极
正极 正极
正极
在元件表面标注 有二极管符号
有色环端为负极 另一端为正极
长管脚为正极 短管脚为负极
有一块比电极稍宽的管键
正极
为正极,另一端为负极
二极管的单向导电性
图a电路中灯泡发光,说明二极管加正向电压(正偏)时 导通;图b电路中灯泡不亮,说明二极管加反向电压(反偏) 时截止,这就是二极管的单向导电性。
2.二极管保护电路
二极管导通时的电流方向是从二极管的阳极至阴极。
二极管加正向电压
二极管加反向电压
二极管单向导电实验电路
二极管导通后的正向压降几乎不随流过的电流的大小而 变化,硅管的正向压降约为0.7V,锗管约为0.3V。
二极管反向截止时,仍有很小的反向电流。在一定范 围内,即使反向电压增大,反向电流基本保持不变,所以又 称为反向饱和电流。
§7-1 二极管
一、二极管的单相导电性
半导体二极管简称二极管,是电子电路中最基本的半导体 器件。二极管都有两个引出极,一个称为正极,另一个称为 负极。二极管的图形符号如图所示,文字符号为“V”或 “VD”。
玻璃封装
塑料封装
金属封装
二极管的外形
发光二极管
二极管的图形符号
几种常见二极管的正、负极
判别方法 通过二极管的造型判别
三、二极管的简单检测
根据二极管正向电阻小、反向电阻大的特性,可用 万用表的电阻挡大致判断出二极管的极性和好坏。将万 用表置于R×100或R×1k电阻挡,并将两表笔短接调零。
用万用表检测二极管
测正向电阻
测反向电阻
通过二极管的电极特征判别 通过二极管电极管键判别
图示
正极
说明 螺栓端为正极
正极 正极
正极
在元件表面标注 有二极管符号
有色环端为负极 另一端为正极
长管脚为正极 短管脚为负极
有一块比电极稍宽的管键
正极
为正极,另一端为负极
二极管的单向导电性
图a电路中灯泡发光,说明二极管加正向电压(正偏)时 导通;图b电路中灯泡不亮,说明二极管加反向电压(反偏) 时截止,这就是二极管的单向导电性。
2.二极管保护电路
二极管导通时的电流方向是从二极管的阳极至阴极。
二极管加正向电压
二极管加反向电压
二极管单向导电实验电路
二极管导通后的正向压降几乎不随流过的电流的大小而 变化,硅管的正向压降约为0.7V,锗管约为0.3V。
二极管反向截止时,仍有很小的反向电流。在一定范 围内,即使反向电压增大,反向电流基本保持不变,所以又 称为反向饱和电流。
§7-1 二极管
一、二极管的单相导电性
半导体二极管简称二极管,是电子电路中最基本的半导体 器件。二极管都有两个引出极,一个称为正极,另一个称为 负极。二极管的图形符号如图所示,文字符号为“V”或 “VD”。
玻璃封装
塑料封装
金属封装
二极管的外形
发光二极管
二极管的图形符号
几种常见二极管的正、负极
判别方法 通过二极管的造型判别
三、二极管的简单检测
根据二极管正向电阻小、反向电阻大的特性,可用 万用表的电阻挡大致判断出二极管的极性和好坏。将万 用表置于R×100或R×1k电阻挡,并将两表笔短接调零。
用万用表检测二极管
测正向电阻
测反向电阻
2019年第2讲二极管.ppt

(2)放大区:
发射结电压正向偏置(且uBE >Uon)且集电结反 向偏置。 (3)饱和区: 发射结和集电结均处于正向偏置。
晶体管的三个工作区域
对于共射电路:
状态
截止
uBE <Uon
≥ Uon ≥ Uon
uCE VCC
≥ uBE ≤ uBE
iC
ICEO ≈0
放大 饱和
βiB <βiB
1.3.4 晶体管的主要参数
MOS管的特性
1)增强型MOS管 开启 电压
在恒流区时,iD I DO (
uGS 1) 2 U GS(th)
式中I DO为uGS 2U GS(th)时的iD
2)耗尽型MOS管 夹断 电压
场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
N沟道 (uGS<0,uDS>0) 结型 P沟道 (uGS>0,uDS<0) N沟道 (uGS>0,uDS>0) 场效应管 增强型 P沟道 (uGS<0,uDS<0) 绝缘栅型 N 沟道 ( u 极性任意, u > 0 ) GS DS 耗尽型 P沟道 (uGS 极性任意, uDS<0)
1.4.1 结型场效应管
N沟道和 P沟道
N沟道管的符号
导电 沟道
N沟道结型场效应管的 结构示意图
1.栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用(uDS=0)
N沟道结型管:
UGS(off)
沟道最宽
沟道变窄
沟道消失 称为夹断
2.漏-源电压对漏极电流的影响
uGD>UGS(off) uGD=UGS(off)
预夹断
uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种? uGS>0才工作在恒流区的场效应管有哪几种? uGS<0才工作在恒流区的场效应管有哪几种?
二极管及应用PPT课件

NO.3 光电(光敏)二极管
1、符号
NO.3 光电(光敏)二极管
2、特性:将光信号转变成电信号 3、工作条件:加反向电压。工作在反向偏置状态(反向 截止区)。
NO.3 光电(光敏)二极管
4、主要参数: (1)最高工作电压 VRM:光电二极管在无光照条件下,反 向电流不超过 0.1 A 时所能承受的最高反向电压。VRM 越 大,管子性能越稳定。
6、两个稳压二极管串联 (1)U导通=0.7V,UZ1=6V,UZ2=8V。 ③两反
NO.2 稳压二极管
6、两个稳压二极管串联 (1)U导通=0.7V,UZ1=6V,UZ2=8V。 ④两正
NO.2 稳压二极管
7、两个稳压二极管并联 假设两个硅稳压二极管,VZ1的稳压值是6V,VZ2的稳压值是
8V,他们的导通压降均为0.7V。现将他们两并联,可以得到几种输 出电压值?
NO.2 稳压二极管
7、两个稳压二极管并联 (1)U导通=0.7V,UZ1=6V,UZ2=8V。 ①一正一反
NO.2 稳压二极管
7、两个稳压二极管并联 (1)U导通=0.7V,UZ1=6V,UZ2=8V。 ②一反一正
NO.2 稳压二极管
7、两个稳压二极管并联 (1)U导通=0.7V,UZ1=6V,UZ2=8V。 ③两反
8V,他们的导通压降均为0.7V。现将他们两串联,可以得到几种输 出电压值?
NO.2 稳压二极管
6、两个稳压二极管串联 (1)U导通=0.7V,UZ1=6V,UZ2=8V。 ①一正一反
NO.2 稳压二极管
6、两个稳压二极管串联 (1)U导通=0.7V,UZ1=6V,UZ2=8V。 ②一反一正
NO.2 稳压二极管
NO.4 变容二极管
第一章二极管-PPT课件

本征半导体:
四价元素
外层四个电子
原子实或惯性核 为原子核和内层电子组成
价电子为相邻两原子所共有
3.本征激发:
本征激发 电子空穴 成对产生
自由电子(带负电-e)
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
4.载流子 :自由 +4 运动的带电粒子:
电子带负电: +4 -e=-1.6×10-19c,
空穴带正电:
e=1.6×10-19c.
锗管UD(on)=0.2V。
(2)反向特性: 二极管两端加上反向 电压时,反向饱和电流IS很小(室温下, 小功率硅管的反向饱和电流IS小于0.1μA。 (3)反向击穿特性 二极管两端反向电压 超过U(BR)时,反向电流IR随反向电压的增大 而急剧增大, U(BR) 称为反向击穿电压。
(5)齐纳击穿:由高浓度掺杂材料制成的PN结中耗尽区宽度很窄,即使反向电
压不高也容易在很窄的耗尽区中形成很强的电场,将价电子直接从共价键中拉出 来产生电子-空穴对,致使反向电流急剧增加,这种击穿称为齐纳击穿。
§1 .2 二极管的特性及主要参数 一、 半导体二极管的结构和类型
构成:PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管(Diode) 符号:阳极(正极) 阴极(负极) 分类: 1.根据材料 硅二极管、锗二极管 2.根据结构 点接触型、面接触型、平面型 1.二极管的结构和符号
空穴(带正电+e)
5.复 合: 自由电子和空穴在运动 中相遇重新结合成对消 失的过程。 电子电流:IN
空穴电流:IP 共有电子 递补运动
+4
+4
整流二极管基本原理 ppt课件

平均电流( I D )与反向峰值电压( U M )
是选择整流管的主要依据。
PPT课件
6
半波整流电路
该电路以“牺牲”一半交流为代价而换取整流的 效果,电流利用率很低,常用在高电压、小电流 的场合。
PPT课件
7
半波整流电路
I. 二极管上的平均电流: I D I R
II. 二极管上承受的最高电压: UM 2E2
整流二极管主要用于各种低频整流电路。
PPT课件
4
整流电路的主要参数
一.整流输出电压的平均值与脉动系数
(衡量整流电路性能)
整流输出电压平均值:
Uo
1
2
2
0 uod(t)
脉动系数S:
定义为整流输出电压的基波峰值
比。
U
与平均值
o1m
UO
之
PPT课件
5
整流电路的主要参数
二、平均电流与反向峰值电压:
12
桥式整流电路
几种常见的硅整流桥外形:
PPT课件
13
整流元件的使用
在高电压或大电流的情况下,若手头没有承受高电压或整 定大电滤的整流元件,可以把二极管串联或并联起来使用
有几只二极管并联,流经每只二极管的电流就等于总电流 的几分之一
PPT课件
14
整流元件的使用
有几只管子串联,每只管子承受的反向电压就应等于总电 压的几分之一。
I. 二极管上承受的最大的电压:U M 2 2E2
II. 二极管上平均电流:
ID
1 2 IR
III.输出电压的平均值: U sc 0.9E2
PPT课件
11
桥式整流电路
其波形图和全波整流 是一样的,但该电路 每只二极管承受的反 向电压等于变压器次 级电压的最大值,比 全波整流电路小一半。
是选择整流管的主要依据。
PPT课件
6
半波整流电路
该电路以“牺牲”一半交流为代价而换取整流的 效果,电流利用率很低,常用在高电压、小电流 的场合。
PPT课件
7
半波整流电路
I. 二极管上的平均电流: I D I R
II. 二极管上承受的最高电压: UM 2E2
整流二极管主要用于各种低频整流电路。
PPT课件
4
整流电路的主要参数
一.整流输出电压的平均值与脉动系数
(衡量整流电路性能)
整流输出电压平均值:
Uo
1
2
2
0 uod(t)
脉动系数S:
定义为整流输出电压的基波峰值
比。
U
与平均值
o1m
UO
之
PPT课件
5
整流电路的主要参数
二、平均电流与反向峰值电压:
12
桥式整流电路
几种常见的硅整流桥外形:
PPT课件
13
整流元件的使用
在高电压或大电流的情况下,若手头没有承受高电压或整 定大电滤的整流元件,可以把二极管串联或并联起来使用
有几只二极管并联,流经每只二极管的电流就等于总电流 的几分之一
PPT课件
14
整流元件的使用
有几只管子串联,每只管子承受的反向电压就应等于总电 压的几分之一。
I. 二极管上承受的最大的电压:U M 2 2E2
II. 二极管上平均电流:
ID
1 2 IR
III.输出电压的平均值: U sc 0.9E2
PPT课件
11
桥式整流电路
其波形图和全波整流 是一样的,但该电路 每只二极管承受的反 向电压等于变压器次 级电压的最大值,比 全波整流电路小一半。
《电工电子技术》课件——二极管

参考点
整流、检波、
限幅、钳位、开
关、元件保护、 t 温度补偿等。
二极管阴极电位为 8 V ui > 8V,二极管导通,可看作短路 uo = 8V ui < 8V,二极管截止,可看作开路 uo = ui
4、特殊二极管—稳压二极管
稳压二极管和 一般的PN结二极 管在结构上没有本 质区别,但是稳压 二极管工作在反向 击穿状态,一般的 二极管则不能工作 在此状态。稳压二 极管的反向特性比 普通二极管更陡一 些。
光电二极管是在反向电压作用下工 作的,没有光照时,反向电流极其微弱, 叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增 大到几十微安,称为光电流。光的强度 越大,反向电流也越大。
光的变化引起光电二极管电流变化, 这就可以把光信号转换成电信号,成为 光电传感器件。
知识点:
1、二极管的伏安特性 2、特殊二极管(稳压二极管、发光二极管、光电二极管)
0.8ui iR U zW 10R 10
联立方程1、2,可得:
——方程2
ui 18.75V R=0.5k
特殊二极管—发光二极管
它是半导体二极管的一种,可以把电能转化成光 能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组 成,也具有单向导电性。
当给发光二极管加上正向电压后,从P区注入到N 区的空穴和由N区注入到P区的电子,在PN结附近数 微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合,产生自 发辐射的荧光。
《电工电子技术》
二极管1
导入
导体与绝缘体:
绝缘体导电性能:
导体导电性能:
导体:
绝缘体:
半导?体:
半导体特性:具有单向导电性。
二极管特性动画教程.swf
学习与讨论
自然界哪些物质是半导体? 在什么条件下,半导体导电?电流方向?
二极管PPT课件

1、半导体的特点:
(1)半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 。 (2)半导体受外界光和热的刺激时,其导电能力将会有显著变化。 (3)在纯净半导体中,加入微量的杂质,其导电能力会急剧增强 。
半导体中两种携带电荷粒子: (1)空穴(带正电荷) (2)自由电子(带负电荷)
载流子
第1页/共21页
2、P型半导体和N型半导体
空穴 自由电子
多数载流子(简称多子) 少数载流子(简称少子)
第3页/共21页
+++ + +++ + +++ +
N 型半导体
P 型半导体
无论是P型半导体还是N型半导体都是中性 的,通常对外不显电性。
掺入的杂质元素的浓度越高,多数载流子 的数量越多。
只有将两种杂质半导体做成PN结后才能成 为半导体器件。
I
反向击穿 电压U(BR)
反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。
P– +N 反向特性
外加电压大于反向击 穿电压二极管被击穿, 失去单向导电性。
正向特性
P+ – N 硅0.7V左右
导通压降 锗0.3V左右 U
死区电压
硅管0.5V, 锗0.2V。
外加电压大于死区 电压二极管才能导通。
第12页/共21页
即处于正向导通状态,所以H1指示灯发光。
图1-3 [例1.1]电路图
第14页/共21页
4. 晶体二极管的主要参数
(1)最大整流电流IFM
指管子长期运行时,允许通过的最大直流电流。
(2)反向击穿电压UBR
指管子反向击穿时的电压值。
(3)最高反向工作电压URM
二极管正常工作时允许承受的最高反向电压 (约为UBR的一半)。
第4页/共21页
(1)半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间 。 (2)半导体受外界光和热的刺激时,其导电能力将会有显著变化。 (3)在纯净半导体中,加入微量的杂质,其导电能力会急剧增强 。
半导体中两种携带电荷粒子: (1)空穴(带正电荷) (2)自由电子(带负电荷)
载流子
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2、P型半导体和N型半导体
空穴 自由电子
多数载流子(简称多子) 少数载流子(简称少子)
第3页/共21页
+++ + +++ + +++ +
N 型半导体
P 型半导体
无论是P型半导体还是N型半导体都是中性 的,通常对外不显电性。
掺入的杂质元素的浓度越高,多数载流子 的数量越多。
只有将两种杂质半导体做成PN结后才能成 为半导体器件。
I
反向击穿 电压U(BR)
反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。
P– +N 反向特性
外加电压大于反向击 穿电压二极管被击穿, 失去单向导电性。
正向特性
P+ – N 硅0.7V左右
导通压降 锗0.3V左右 U
死区电压
硅管0.5V, 锗0.2V。
外加电压大于死区 电压二极管才能导通。
第12页/共21页
即处于正向导通状态,所以H1指示灯发光。
图1-3 [例1.1]电路图
第14页/共21页
4. 晶体二极管的主要参数
(1)最大整流电流IFM
指管子长期运行时,允许通过的最大直流电流。
(2)反向击穿电压UBR
指管子反向击穿时的电压值。
(3)最高反向工作电压URM
二极管正常工作时允许承受的最高反向电压 (约为UBR的一半)。
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二极管说课课件解剖

涉县职教中心 张晓刚
9
SHEXIANZHIYEJISHUJIAOYUZHONGXIN
《电子技术基础》 张龙兴主编 高等教育出版社出版
说学法
以学生为主体,自主、合作、探究。
引导学生采用自主学习法、动 手实验、分析讨论、归纳总结等 学习方法,培养学生的动口、动 手、动脑和团结协作的能力,发 挥学生的主观能动性,激发学生 的学习兴趣,活跃课堂气氛。
常见二极管
注:可以有效地实现专业与产业、企业、岗位对接。
14
《电子技术基础》
张龙兴主编 高等教育出版社出版
课堂互动
重 通过预习学生已经知道二极管具有 单向导电特性。但如何验证,成为问题
点 的关键。由教师给出实验器材(分组), 指导学生设计“验证二极管单向导电特
问 性”的实验电路图,如下图示: 题 解 决
理论联系实际,强化动手,突出技能训练。
《电子技术基础》 张龙兴主编 高等教育出版社出版
说学法
以学生为主体,自主、合作、探究。
做 中 学
学 中 做
理论联系实际,强化动手,突出技能训练。
《电子技术基础》 张龙兴主编
教具使用 教学准备
高等教育出版社出版
多媒体课件
教学资源网
万
用
手机充电器
表
不同类型的二极管若干
组 引导大家认识二极管。例如手机 充电器等含有二极管的电器(见
教 右图)。
学 这样会让学生感觉到二极管在 生活中的重要性,激发学生探究 手机充电器
新知的欲望。
团
2、以组为单位分发各种类型的
队 二极管若干,观察,认识二极管。 同学间相互讨论二极管的组成结
合 构和二极管上银环的意义引出二
二极管PPT学习课件PPT教案

Cj容抗很小,PN结单向导电性会因Cj的交流旁 路作用而变差。
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第9页/共30页
晶体二极管电路分析方法
分析二极管电路主要采用:图解法、简化分析法、 小信号等效电路法。(重点掌握简化分析法)
➢图解法
利用二极管曲线模型和管外电路所确定的负载线, 通过作图的方法进行求解。 要求:已知二极管伏安特性曲线和外围电路元件值。 分析步骤: ▪写出管外电路直流负载线方程。
(2) 把红表笔 和 黑表笔分别与二极管的两引脚连接,观 察其阻 值并记 下;然 后把两 表笔对 调再与 二极管 两引脚 连接, 再次观 察并记 录下阻 值.
二极管的测量
2、测量方法 表笔的连接
黑表笔
第27页/共30页
1100.00 1100.00
1k
红表笔
数字式万 用表
本页完 继续
二极管在使用时必须先判别其性能 的优劣 ,然后 判别“ +”、“ -”极 引脚, 在接入 电路时 二极管 引脚的 极性是 不能接 反的。 2、测量方法 (1)把万用表打至电阻档(档) 并调到1 k 的量程上;
t
由此可画出vO的波形。
退出
第13页/共30页
➢小信号分析法
即将电路中的二极管用小信号电路模型代替,利用 得到的小信号等效电路分析电压或电流的变化量。
分析步骤:
▪ 将直流电源短路,画交流通路。 ▪ 用小信号电路模型代替二极管,得小信号等效电路。 ▪ 利用小信号等效电路分析电压与电流的变化量。
退出
第14页/共30页
(4) 极性判别 :测得阻值小时,黑笔所接二极管 的那端 引脚是 二极管 的“ + ”极,红笔所接二极管的那端引脚是 二极管 的“- ”极.
二极管的测量
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晶体二极管电路分析方法
分析二极管电路主要采用:图解法、简化分析法、 小信号等效电路法。(重点掌握简化分析法)
➢图解法
利用二极管曲线模型和管外电路所确定的负载线, 通过作图的方法进行求解。 要求:已知二极管伏安特性曲线和外围电路元件值。 分析步骤: ▪写出管外电路直流负载线方程。
(2) 把红表笔 和 黑表笔分别与二极管的两引脚连接,观 察其阻 值并记 下;然 后把两 表笔对 调再与 二极管 两引脚 连接, 再次观 察并记 录下阻 值.
二极管的测量
2、测量方法 表笔的连接
黑表笔
第27页/共30页
1100.00 1100.00
1k
红表笔
数字式万 用表
本页完 继续
二极管在使用时必须先判别其性能 的优劣 ,然后 判别“ +”、“ -”极 引脚, 在接入 电路时 二极管 引脚的 极性是 不能接 反的。 2、测量方法 (1)把万用表打至电阻档(档) 并调到1 k 的量程上;
t
由此可画出vO的波形。
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➢小信号分析法
即将电路中的二极管用小信号电路模型代替,利用 得到的小信号等效电路分析电压或电流的变化量。
分析步骤:
▪ 将直流电源短路,画交流通路。 ▪ 用小信号电路模型代替二极管,得小信号等效电路。 ▪ 利用小信号等效电路分析电压与电流的变化量。
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(4) 极性判别 :测得阻值小时,黑笔所接二极管 的那端 引脚是 二极管 的“ + ”极,红笔所接二极管的那端引脚是 二极管 的“- ”极.
二极管的测量
二极管1-1PPT课件
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(2)P型半导体( 在硅(锗)中掺入 3 价元素(硼、铟等))
空穴
多子
P型半导体中空穴数远远大于电子数。 多子是空穴(其数量主要取决于杂质的掺杂浓度) 少子是电子(其数量主要取决于环境N结的形成
(1)多子扩散逐渐加宽空间电荷层(耗尽层,阻挡层),形成 逐渐增强并阻碍多子扩散、阻碍空间电荷层加宽的内电场。
工作电流越大,稳压效果越好; (2)稳定电压UZ 稳压管工作电流为规定值时,稳压管两端的电压;
(3)动态电阻RZ RZ = △UZ / △IZ ;
(4)最大功耗 PZM 在管子不致于过热损坏前提下的最大功率损耗值; PZM = UZ × IZM ;
(5)电压温度系数 描述稳定电压对于温度的敏感程度;温度系数越小越好; 衡量稳压管的温度稳定性;
二级管 PN结
一、半导体 1、纯净半导体(硅、锗)中的载流子(电子与空穴)
(1)在外界能量作用下产生 成对存在的电子与空穴。
(2)在电场作用下产生,由 电子形成电子流,而由
。
(3)电子与空穴成对复合。
2、杂质半导体中 (1)N型半导体( 在硅(锗)中掺入 5 价元素(磷、砷等))
多子
N型半导体中电子数远远大于空穴数。 多子是电子(其数量主要取决于杂质的掺杂浓度) 少子是空穴(其数量主要取决于环境的温度)
③按用途分:普通二极管、整 流二极管、检波二极管、稳 压二极管、开关二极管、变 容二极管、光电二极管等。
(2)判断二极管质量的好坏
二次测得的正、反向电阻值很小或接近于0 ——管子已击穿
电压的增加而增加。 PN结反偏:PN结截止,电阻很大,反向电流很小;
第二节 半导体二极管
一、二极管的结构
1、组成 PN结、阳极引线、 阴极引线、管壳;
二极管PPT课件(完整版)

测量时表针不能稳定在某一阻值上,二极 管稳定性能差。
2.脱开电路反向检测法:
R×10K ∞
0
用万用表的R ×10K档,黑
挡
表笔接二极管的极负,红表笔接
Ω
二极管的正极,此时表针应向右
偏转一个很小的角度,所指示阻
值较大。此时阻值越大越好。
测量反向电阻 数百KΩ 反向电阻为零 远小于几百KΩ 表针不动 测量时表针不稳定
正极
常见的标注形式
色点标注
正极
外壳上标出 电路符号
正极 负极
电路符号极性标注
负极
外形特征识别二 极管极性方法
2.二极管故障处理方法
二极管故障种类和特征
故障名称
故障特征
开路
二极管正、负极之间已经断开,正向和反向电阻均 为无穷大。二极管开路后,它的负极没有电压输出。
击穿
二极管正负极间已经通路,正反向电阻一样大。二 极管击穿后,不一定表现为正负极间电阻为零,会 有一些电阻值。负极没有正常信号电压输出,会出 现电路过流故障。
4.通电在路检测法:
通电情况下测量二极管的导通管压降。电路通电后,万用表直流电压2.5V 挡,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极。测试结果解说如表:
类型、管压降
解
说
硅 0.6V 说明二极管工作正常,处于正向导通状态 二 远大于0.6V 二极管没有导通,如果导通则二极管有故障
极 管
接近0V
二极管处于击穿状态,无单向导电性,所在回路 的电流会剧增。
2)二极管的体积不大,比 一般电阻要小些;
3)部分二极管的外壳上标 有二极管电路符号.
正极,电流从 正极流向负极
此三角形表 示电流方向
负极 电流方向
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汽车电学基础课件
哈尔滨航空服务中等专业学校
第二章 半导体器件
PN结正 导通;电阻很小,正向电流较大
偏:
外电场削弱内电场 →耗尽层变窄→扩散运动>漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F
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汽车电学基础课件
哈尔滨航空服务中等专业学校
第二章 半导体器件
PN结反 截止;电阻很大,反向电流可近似为零
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第二章 半导体器件
§2-1:二极管 新阳综合三组:于坤
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第二章 半导体器件
请同学们观察下列几组图片,并找出共同点。
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第二章 半导体器件
二极管在汽车中的应用,你知道多少?
死区电压: 硅二极管为0.5V左右 30 锗二极管为0.2V左右
20
当正向电压超过死区电压后,二极管 10 导通,电流与电压关系近似指数关系。
死区 电压
正向特性
导通压降: 硅二极管为0.7V左右 锗二极管为0.3V左右
O
0.5 1.0 1.5 U/V
二极管正向特性曲线
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汽车电学基础课件
♥ 最大整流电流 IFM
指二极管长期运行时,允许通过管子的最大正向平均
电流。IFM的数值是由二极管允许的温升所限定。
♥ 最高反向工作电压 URM
工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值,否 则二极管可能被击穿。为了留有余地,通常将击穿电
压UBR的一半定为URM 。
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汽车电学基础课件
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汽车电学基础课件
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I/mA
二、二极管的伏安特性
30
20
Is
UBR
20
10
反向特性
10
死区 电压O 0.52源自4第二章 半导体器件
I
+
正向特性
UD -
1.0 1.5
UD/V
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-I/μА
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♥ 正向特性
第二章 半导体器件 I/mA
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第二章 半导体器件
♥ 反向特性
反向饱和电流
反偏时,反向电流值很小, 反向电阻很大,反向电压超
过UBR则被击穿。
UBR IS 20
I/mA
10
O
U/V 2
反向特性 4
反向击穿电压
-I/μA
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第二章 半导体器件
三、二极管的主要参数
第二章 半导体器件
4、LED灯在汽车上的应用:制动灯、转向信号 灯、后雾灯、倒车灯等。
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温故知新
第二章 半导体器件
大多数半导体器件所用主要材料是硅和锗
N型半导体:在硅或锗晶体中掺入少量的5价杂 质元素,他主要依靠电子导电,所以又称为电 子半导体。
1、二极管的整流电路
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2、臂架举高类汽车改 装车的支腿逻辑控制 与报警电路。
第二章 半导体器件
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3、二极管的续流作用
第二章 半导体器件
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第二章 半导体器件
课堂小结 针对本节课内容,请使用“我知道了,我理解 了”造一个句子。
通过这节课,我知道了二极管就是一个PN结 ,我理解了二极管具有单向导电性。
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第二章 半导体器件
我能行:
判断下图所示各电路中二极管的状态。
1、PN结的形成
第二章 半导体器件
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第二章 半导体器件
2、PN结的特性
PN结正向偏置—— 当外加直流电压使PN结P型半导 体的一端的电位高于N型半导体一端的电位时(也
就是允许电流流过PN结的条件),称PN结正向偏 置,简称正偏。
PN结反向偏置—— 当外加直流电压使PN结N型半 导体的一端的电位高于P型半导体一端的电位时 (阻止电流流过PN结的偏置条件),称PN结反向 偏置,简称反偏。
偏:
外电场加强内电场 →耗尽层变宽→漂移运动>扩散运动 →少子漂移形成反向饱和电流
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第二章 半导体器件
二极管的导电特性: 对应P区
二极管具有单向导电性,即
只允许电流以一个方向运动,
从正极流向负极。
正极
负极 对应N区
二极管的符号
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P型半导体:在硅或锗晶体中掺入少量的3价杂 质元素,他主要依靠空穴导电,所以又称为空 穴半导体。
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第一节 二极管
第二章 半导体器件
学习重点
二极管的导电特性
学习难点
二极管的伏安特性
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第二章 半导体器件
写出下图中各电路的输出电压值,设二极管导通电
压UD=0.7V。
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作业:
第二章 半导体器件
1、PN结具有(
)性能,即加( )电压
时导通,加( )电压时截止。
2、当晶体二极管导通后,硅二极管的正向压降
为( )V,锗二极管的正向压降为( )V。
3、查找一个关于二极管在汽车上的应用案例,
能够说出二极管是怎样工作。
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第二章 半导体器件
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