二极管课件解剖

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第二章 半导体器件
课堂小结 针对本节课内容，请使用“我知道了，我理解 了”造一个句子。
通过这节课，我知道了二极管就是一个PN结 ，我理解了二极管具有单向导电性。
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第二章 半导体器件
我能行：
判断下图所示各电路中二极管的状态。
1、二极管的整流电路
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2、臂架举高类汽车改 装车的支腿逻辑控制 与报警电路。
第二章 半导体器件
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3、二极管的续流作用
第二章 半导体器件
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第二章 半导体器件
♥ 反向特性
反向饱和电流
反偏时，反向电流值很小， 反向电阻很大,反向电压超
过UBR则被击穿。
UBR IS 20
I/mA
10
O
U/V 2
反向特性 4
反向击穿电压
-I/μA
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第二章 半导体器件
三、二极管的主要参数
2、当晶体二极管导通后，硅二极管的正向压降
为（ ）V，锗二极管的正向压降为（ ）V。
3、查找一个关于二极管在汽车上的应用案例，
能够说出二极管是怎样工作。
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第二章 半导体器件
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第二章 半导体器件
写出下图中各电路的输出电压值，设二极管导通电
压UD＝0.7V。
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作业：
第二章 半导体器件
1、PN结具有（
）性能，即加（ ）电压
时导通，加（ ）电压时截止。
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第二章 半导体器件
PN结正 导通;电阻很小，正向电流较大
偏：
外电场削弱内电场 →耗尽层变窄→扩散运动＞漂移运动 →多子扩散形成正向电流I F
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第二章 半导体器件
PN结反 截止;电阻很大，反向电流可近似为零
偏：
外电场加强内电场 →耗尽层变宽→漂移运动＞扩散运动 →少子漂移形成反向饱和电流
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第二章 半导体器件
二极管的导电特性： 对应P区
二极管具有单向导电性，即
只允许电流以一个方向运动，
从正极流向负极。
正极
负极 对应N区
二极管的符号
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♥ 最大整流电流 IFM
指二极管长期运行时，允许通过管子的最大正向平均
电流。IFM的数值是由二极管允许的温升所限定。
♥ 最高反向工作电压 URM
工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值，否 则二极管可能被击穿。为了留有余地，通常将击穿电
压UBR的一半定为URM 。
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1、PN结的形成
第二章 半导体器件
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第二章 半导体器件
2、PN结的特性
PN结正向偏置—— 当外加直流电压使PN结P型半导 体的一端的电位高于N型半导体一端的电位时（也
就是允许电流流过PN结的条件），称PN结正向偏 置，简称正偏。
PN结反向偏置—— 当外加直流电压使PN结N型半 导体的一端的电位高于P型半导体一端的电位时 （阻止电流流过PN结的偏置条件），称PN结反向 偏置，简称反偏。
死区电压： 硅二极管为0.5V左右 30 锗二极管为0.2V左右
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当正向电压超过死区电压后，二极管 10 导通,电流与电压关系近似指数关系。
死区 电压
正向特性
导通压降： 硅二极管为0.7V左右 锗二极管为0.3V左右
O
0.5 1.0 1.5 U/V
二极管正向特性曲线
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第二章 半导体器件
4、LED灯在汽车上的应用：制动灯、转向信号 灯、后雾灯、倒车灯等。
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温故知新
第二章 半导体器件
大多数半导体器件所用主要材料是硅和锗
N型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的5价杂 质元素，他主要依靠电子导电，所以又称为电 子半导体。
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I/mA
二、二极管的伏安特性
30
20
Is
UBR
20
10
反向特性
10
死区 电压
O 0.5
2
4
第二章 半导体器件
I
+
正向特性
UD -
1.0 1.5
UD/V
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-I/μА
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♥ 正向特性
第二章 半导体器件 I/mA
P型半导体：在硅或锗晶体中掺入少量的3价杂 质元素，他主要依靠空穴导电，所以又称为空 穴半导体。
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第一节 二极管
第二章 半导体器件
学习重点
二极管的导电特性
学习难点
二极管的伏安特性
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第二章 半导体器件
§2-1：二极管 新阳综合三组：于坤
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第二章 半导体器件
请同学们观察下列几组图片，并找出共同点。
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第二章 半导体器件
二极管在汽车中的应用，你知道多少？