万用表检测IGBT功率模块
IGBT的测量方法
ICBT的测量方法
1. 判断极性首先将万用表拨在R乘1K档，用万用表测量时，若某一极与其他两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其他两极仍为无穷大，则判断此极为栅极（G），其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小，在测量值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C),黑表笔接的为发射极（E).
2. 判断好坏将万用表拨在R乘10K档，用黑表笔接IGBT的集电极C红表笔接IGBT的发射极E，此时万用表的指针在零位。
用手同时触及一下栅极G和集电极C，这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站在指示的某一位置，然后用手同时触及一下栅极G和发射极E, 这时IGBT被阻断，万用表的表针回零位。
此时可
判断IGBT是好的。
3. 注意事项任何指针万用表铃可用于检测IGBT。
注意判断IGBT好坏时，一定要用万用表的R乘10K档，因为R乘1档一下格挡万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。
测量IGBT的办法
检测尽缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的简易方法1、判定极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表丈量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判定此极为栅极（G）。
其余两极再用万用表丈量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后丈量阻值较小。
在丈量阻值较小的一次中，则判定红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判定好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判定IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
留意判定IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判定IGBT的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
变频器功能参数很多，一般都有数十甚至上百个参数供用户选择。
实际应用中，没必要对每一参数都进行设置和调试，多数只要采用出厂设定值即可。
但有些参数由于和实际使用情况有很大关系，且有的还相互关联，因此要根据实际进行设定和调试。
因各类型变频器功能有差异，而相同功能参数的名称也不一致，为叙述方便，本文以富士变频器基本参数名称为例。
由于基本参数是各类型变频器几乎都有的，完全可以做到触类旁通。
整流桥和逆变桥的测量搞变频器维修与维护的，或是厂家使用变频器的维护电工。
变频器的最基本原理知识是必备的。
这样搞维修的学徒不至于事事问师傅。
变频器使用者在变频器出现一些故障后自己也可以初步判断一下故障原因，维修费用自然心里也比较有底。
功率模块的简易检测方法
由于功率模块主要部件是大功率管, 用以下方法可以大致检测功率管的好坏：万用表打到电阻档,用万用表的正表笔接到功率模块的直流电压输入端子P600上 , 地接到功率管的三相电源输出U2,V2,W2上,此时电阻应为无穷大 , 交换万用表的两个表笔,电阻应很少. 把万用表的一个表笔接到M600上,重复以上过程, 结果应该和上面的正好相反.电机温度报警的处理电机里面装有热敏电阻,其信号通过信号电缆反馈到驱动控制板里面,当温度达到报警值时,系统产生相应的报警 , 这时可以检测反馈端相应的电阻值,如果需要屏蔽该报警时,对611D可以通过在驱动参数MD1608(对611A的控制板是参数MD64)设定一个小于100的值,即可屏蔽该报警,该方法仅能使用于诊断. 611A主轴控制单元编码器报警的屏蔽驱动控制板能对连接的编码器进行监控,如果有异常,则产生相应的报警,611A的主轴控制板可以通过对参数MD P- 90的位2置1屏蔽该报警.611D驱动的V/F控制有时为了诊断用,需要对驱动进行开环的频率控制, 该方法仅能用于诊断用,且转速不能设得太高.设驱动参数MD1014为1即为开环的频率控制驱动的优化数控的驱动由电流环,速度环和位置环组成的,其优化一般由里及外层层优化,但由于电流环的参数在电机和功率模块的型号确定后用厂家的默认参数即可, 一般不需要优化,故优化时先优化速度环,再优化位置环即可. 速度环的优化,一般涉及到速度环增益和速度环时间常数, 速度环时间常数越大和增益越低,速度环越稳定 ,但精度和动态特性越差,一般来说,速度环时间常数设在10ms左右, 而速度环增益调整在使速度环的阶约响应有20-40的超调.位置环的优化涉及到位置环增益和加速度, 调整时先可以减少加速度值,再增加位置环增益值,保证系统稳定, 然后在适当增加加速度值,使之适应机床的机械特性,注意同一组的插补轴的位置环增益要一致,否则会影响加工精度.轴的屏蔽处理有时需要对单个轴进行屏蔽,具体步骤如下:（1）在相应的轴参数里,设MD13030和MD13024为0（2）在驱动配置菜单里,找到相应的模块,设为"no active"即可，这时,该轴就为虚拟轴,其相应的模块和电机就可以去掉了,如果要恢复,把上面的参数该回原来的值即可.轴的卸载处理：有时因机床需要对机床的轴要卸掉或装载,比如旋转分度头,这时候要插拔编码器和电机电源插座,然又不希望操作者改以上参数,这时候可以把该轴临时设为PARKING轴,具体方法是同时复位该轴的DB3X.DBX1.5和1.6既可。
IGBT管的万用表检测方法
IGBT管的万用表检测方法IGBT管的好坏可用指针万用表的Rxlk挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G、e两极及G、c两极的电阻，对于正常的IGBT管（正常G、C两极与G、c两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT管正常时，e、C极间均有4kΩ正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接c极，黑笔接e极，若所测值在3．5kΩl左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT管，若所测值在50kΩ左右，则所测IGBT 管内不含阻尼二极管。
对于数字万用表，正常情况下，IGBT管的C、C极间正向压降约为0．5V。
综上所述，内含阻尼二极管的IGBT管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得IGBT管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。
实际维修中IGBT管多为击穿损坏。
达林顿管的检测方法和参数达林顿晶体管DT（Dar1ington Transistor）亦称复合晶体管。
它采用复合过接方式，将两只或更多只晶体管的集电极连在一起，而将第一只晶体管的发射极直接耦合到第二只晶体管的基极，依次级连而成，最后引出E、B、C三个电极。
图1是由两只NPN或PNP型晶体管构成达林顿管的基本电路。
假定达林顿管由N只晶体管（TI-Tn）组成，每只晶体管的放大系数分别这hFE1、hFE2、hFEn。
则总放大系数约等于各管放大系数的乘积：hFE≈hFE1·hFE2……hFEn因此，达林顿管具有很高的放大系数，值可以达到几千倍，甚至几十万倍。
利用它不仅能构成高增益放大器，还能提高驱动能力，获得大电流输出，构成达林顿功率开关管。
在光电耦合器中，也有用达林顿管作为接收管的。
达林顿管产品大致分成两类，一类是普通型，内部无保护电路，另一类则带有保护电路。
IGBT的检测方法
IGBT的检测办法【1 】IGBT有三个电极,分离称为栅极G(也叫掌握极或门极).集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)一.用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极依据场效应管的PN结正.反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极.具体办法：将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分离测出其正.反向电阻值.当某两个电极的正.反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分离是漏极D和源极S.因为对结型场效应管而言,漏极和源极可交换,剩下的电极肯定是栅极G.也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）随意率性接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值.当消失两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分离为漏极和源极.若两次测出的电阻值均很大,解释是PN结的反向,即都是反向电阻,可以剖断是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,解释是正向PN结,等于正向电阻,剖断为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极.若不消失上述情形,可以更换黑.红表笔按上述办法进行测试,直到判别出栅极为止.（2）用测电阻法判别场效应管的利害测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极.栅极与源极.栅极与漏极.栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的利害.具体办法：起首将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,平日在几十欧到几千欧规模（在手册中可知,各类不合型号的管,其电阻值是各不雷同的）,假如测得阻值大于正常值,可能是因为内部接触不良;假如测得阻值是无限大,可能是内部断极.然后把万用表置于R ×10k档,再测栅极G1与G2之间.栅极与源极.栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无限大,则解释管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则解释管是坏的.要留意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测.（3）用感应旌旗灯号输人法估测场效应管的放大才能具体办法：用万用表电阻的R×100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,给场效应管加上1.5V 的电源电压,此时表针指导出的漏源极间的电阻值.然后用手捏住结型场效应管的栅极G,将人体的感应电压旌旗灯号加到栅极上.如许,因为管的放大感化,漏源电压VDS和漏极电流Ib都要产生变更,也就是漏源极间电阻产生了变更,由此可以不雅察到表针有较大幅度的摆动.假如手捏栅极表针摆动较小,解释管的放大才能较差;表针摆动较大,标明管的放大才能大;若表针不动,解释管是坏的.依据上述办法,我们用万用表的R×100档,测结型场效应管3DJ2F.先将管的G极开路,测得漏源电阻RDS为600Ω,用手捏住G极后,表针向左摆动,指导的电阻RDS为12kΩ,表针摆动的幅度较大,解释该管是好的,并有较大的放大才能.应用这种办法时要解释几点：起首,在测试场效应管用手捏住栅极时,万用表针可能向右摆动（电阻值减小）,也可能向左摆动（电阻值增长）.这是因为人体感应的交换电压较高,而不合的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不合（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致,实验标明,多半管的RDS增大,即表针向左摆动;少数管的RDS减小,使表针向右摆动.但无论表针摆动偏向若何,只要表针摆动幅度较大,就解释管有较大的放大才能.第二,此办法对MOS场效应管也实用.但要留意,MOS场效应管的输人电阻高,栅极G 许可的感应电压不该过高,所以不要直接用手去捏栅极,必须用于握螺丝刀的绝缘柄,用金属杆去碰触栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极,引起栅极击穿.第三,每次测量完毕,应该G-S极间短路一下.这是因为G-S结电容上会充有少量电荷,树立起VGS电压,造成再进行测量时表针可能不动,只有将G-S极间电荷短路放失落才行.（4）用测电阻法判别无标记的场效应管起首用测量电阻的办法找出两个有电阻值的管脚,也就是源极S和漏极D,余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2.把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来,对换表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极D;红表笔所接的为源极S.用这种办法判别出来的S.D极,还可以用估测其管的放大才能的办法进行验证,即放大才能大的黑表笔所接的是D极;红表笔所接地是8极,两种办法检测成果均应一样.当肯定了漏极D.源极S的地位后,按D.S的对应地位装人电路,一般G1.G2也会依次瞄准地位,这就肯定了两个栅极G1.G2的地位,从而就肯定了D.S.G1.G2管脚的次序.（5）用测反向电阻值的变更断定跨导的大小对VMOSN沟道加强型场效应管测量跨导机能时,可用红表笔接源极S.黑表笔接漏极D,这就相当于在源.漏极之间加了一个反向电压.此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳固的.将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高.当用手接触栅极G时,会发明管的反向电阻值有显著地变更,其变更越大,解释管的跨导值越高;假如被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变更不大.二.场效应管的应用留意事项（1）为了安然应用处效应管,在线路的设计中不克不及超出管的耗散功率,最大漏源电压.最大栅源电压和最大电流等参数的极限值.（2）各类型场效应管在应用时,都要严厉按请求的偏置接人电路中,要遵照场效应管偏置的极性.如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不克不及加正偏压;P沟道管栅极不克不及加负偏压,等等.（3）MOS场效应管因为输人阻抗极高,所以在运输.贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏障包装,以防止外来感应电势将栅极击穿.尤其要留意,不克不及将MOS场效应管放人塑料盒子内,保管时最好放在金属盒内,同时也要留意管的防潮.（4）为了防止场效应管栅极感应击穿,请求一切测试仪器.工作台.电烙铁.线路本身都必须有优越的接地;管脚在焊接时,先焊源极;在连入电路之前,管的全体引线端保持互相短接状况,焊接完后才把短接材料去失落;从元器件架上取下管时,应以恰当的方法确保人体接地如采取接地环等;当然,假如能采取先辈的气热型电烙铁,焊接场效应管是比较便利的,并且确保安然;在未关断电源时,绝对不成以把管插人电路或从电路中拔出.以上安然措施在应用处效应管时必须留意.（5）在装配场效应管时,留意装配的地位要尽量防止接近发烧元件;为了防管件振动,有须要将管壳体紧固起来;管脚引线在曲折时,应该大于根部尺寸5毫米处进行,以防止弯断管脚和引起漏气等.对于功率型场效应管,要有优越的散热前提.因为功率型场效应管在高负荷前提下应用,必须设计足够的散热器,确保壳体温度不超出额定值,使器件长期稳固靠得住地工作.总之,确保场效应管安然应用,要留意的事项是多种多样,采纳的安然措施也是各类各样,宽大的专业技巧人员,特殊是宽大的电子快活爱好者,都要依据本身的现实情形动身,采纳切实可行的办法,安然有用地用好场效应管.三.VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管,其全称为V型槽MOS场效应管.它是继MOSFET之后新成长起来的高效.功率开关器件.它不但继续了MOS场效应管输入阻抗高（≥μA阁下）,还具有耐压高（最高1200V）.工作电流大（1.5A～100A）.输出功率高（1～250W）.跨导的线性好.开关速度快等优秀特征.恰是因为它将电子管与功率晶体管之长处集于一身,是以在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）.功率放大器.开关电源和逆变器中正获得普遍应用.VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等长处,尤其是其具有负的电流温度系数,即在栅-源电压不变的情形下,导通电流会随管温升高而减小,故不消失因为“二次击穿”现象所引起的管子破坏现象.是以,VMOS管的并联得到普遍应用.众所周知,传统的MOS场效应管的栅极.源极和漏极大大致处于统一程度面的芯片上,其工作电流根本上是沿程度偏向流淌.VMOS管则不合,从图1上可以看出其两大构造特色:第一,金属栅极采取V型槽构造;第二,具有垂直导电性.因为漏极是从芯片的不和引出,所以ID不是沿芯片程度流淌,而是自重掺杂N+区（源极S）动身,经由P沟道流入轻掺杂N-漂移区,最后垂直向下到达漏极D.电流偏向如图中箭头所示,因为流畅截面积增大,所以能经由过程大电流.因为在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层,是以它仍属于绝缘栅型MOS场效应管.国内临盆VMOS场效应管的重要厂家有877厂.天津半导体器件四厂.杭州电子管厂等,典范产品有VN401.VN672.VMPT2等.下面介绍检测VMOS管的办法.1．剖断栅极G将万用表拨至R×1k档分离测量三个管脚之间的电阻.若发明某脚与其字两脚的电阻均呈无限大,并且交换表笔后仍为无限大,则证实此脚为G极,因为它和别的两个管脚是绝缘的.2．剖断源极S.漏极D由图1可见,在源-漏之间有一个PN结,是以依据PN结正.反向电阻消失差别,可辨认S极与D 极.用交换表笔法测两次电阻,个中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.3．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路,选择万用表的R×1档,黑表笔接S极,红表笔接D极,阻值应为几欧至十几欧.因为测试前提不合,测出的RDS（on）值比手册中给出的典范值要高一些.例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管,RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典范值）.4．检讨跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档,红表笔接S极,黑表笔接D极,手持螺丝刀去碰触栅极,表针应有显著偏转,偏转愈大,管子的跨导愈高.留意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管,但绝大多半产品属于N 沟道管.对于P沟道管,测量时应交换表笔的地位.（2）有少数VMOS管在G-S之间并有呵护二极管,本检测办法中的1.2项不再实用.（3）今朝市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交换电机调速器.逆变器应用.例如美国IR公司临盆的IRFT001型模块,内部有N沟道.P沟道管各三只,组成三相桥式构造.（4）如今市售VNF系列（N沟道）产品,是美国Supertex公司临盆的超高频功率场效应管,其最高工作频率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小旌旗灯号低频跨导gm=2000μS.实用于高速开关电路和广播.通讯装备中.（5）应用VMOS管时必须加适合的散热器后.以VNF306为例,该管子加装140×140×4（mm）的散热器后,最大功率才干达到30W.（6）多管并联后,因为极间电容和散布电容响应增长,使放大器的高频特征变坏,经由过程反馈轻易引起放大器的高频寄生振荡.为此,并联复合管管子一般不超出4个,并且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻.检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）利害的简略单纯办法1.断定极性起首将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它南北极阻值为无限大,更换表笔后该极与其它南北极的阻值仍为无限大,则断定此极为栅极（G）.其余南北极再用万用表测量,若测得阻值为无限大,更换表笔后测量阻值较小.在测量阻值较小的一次中,则断定红表笔接的为集电极（C）;黑表笔接的为发射极（E）.2.断定利害将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的集电极（C）,红表笔接IGBT的发射极（E）,此时万用表的指针在零位.用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C）,这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的偏向,并能站住指导在某一地位.然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E）,这时IGBT被阻断,万用表的指针回零.此时即可断定IGBT是好的.3.留意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT.留意断定IGBT利害时,必定要将万用表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测利害时不克不及使IGBT导通,而无法断定IGBT的利害.此办法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的利害.变频器.软起动器.PLC.人机界面.低压电器.电气主动化工程.恒压供水装备.音乐喷泉掌握体系.变频器维修等.。
如何用数字万用表检测IGBT好坏？
如何用数字万用表检测IGBT好坏？展开全文“如何判断IGBT模块是否失效，是硬件工程师和现场支持工程师经常面临的一个问题。
数字万用表是常用设备，用万用表来准确的判断IGBT好坏对故障分析大有裨益。
”我采用的检测IGBT模块步骤如下：1、万用表打到二极管测量档。
GE短接，黑表笔接C极，红表笔接E极。
万用表显示二极管正向压降值正确；(2)、万用表打到高电阻档。
GE短接，黑表笔接E极，红表笔接C极。
正向压降为100KΩ级以上；CG短接，黑表笔接E极，红表笔接C极。
正向压降为几十Ω级以下；3、万用表打到电容测量档。
测量GE两端电容大小。
有几十nH的电容值；二极管的测量可以比较准确的判断其好坏。
IGBT测试其正向压降就可以判断其好坏。
目前常用的数字万用表，而且在高电阻档测量的时候测量电压一般是9V，可以开启IGBT，因此可以测量得到IGBT开启时的等效电阻，这个时候电阻值是非常小的了。
这一步重要的是可以明确判断门极可以控制CE之间的等效电阻，有两种电阻值。
所谓的半导体就是指具有高电阻和低电阻两种状态么。
我认为忽略第二步直接测量门极电容是一种便捷准确的方法，绝大部分的IGBT模块失效模式下，内部IGBT晶元门极结构都会遭到破坏。
无论是短路还是开路，是都测量不到有效的电容值的。
只有在IGBT良好的情况下才能测量到有效的几十nH的电容值。
测量的时候，尽量让GE处于短接状态。
防止操作不注意碰到门极引起门极击穿损坏。
本文是作者自己理解和整理，可能会有误解和偏差，欢迎加我微信交流指正。
利用万用表对IGBT模块判别的误区
利用万用表对IGBT模块判别的误区嘉兴斯达半导体有限公司STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD2011?03?29利用万用表对 IGBT 模块判别的误区编写:陈浩审阅:Norman Day前言:对于装有 IGBT模块的系统出现异常或损坏时,如何才能快速地判断系统中的模块是否正常?一般客户首先选用的是万用表判定,但在使用万用表的判定过程中,很多客户往往没有准确可行的方法,甚至存在着一定的误区。
一般人往往会利用万用表的一些测试数据做为一个判定标准,去判断同个模块或不同模块的好坏,但是这种判断是不可取的,不同万用表的测试原理存在着一定的差异,而且即便是同一块万用表,由于其测试精度的限制,也会造成一定的误差。
本文就从介绍万用表部分测量功能的原理入手,进一步说明在利用万用表对 IGBT 模块好坏判别时的误区。
万用表测量简介:万用表的测量档有传统的电压档、电流档、电阻档等,如今的数字万用表还包括鸣蜂档、二级管档,三极管档、电容档、温度档等。
下面主要从常用的电阻档、电压档、二极管档和电容档出发,简要介绍下各档的测试原理:电阻档:一般常见到手持万用表测试电阻大部分是万用表输出一个电压源为测试电路电源,通过对内部电路中的电流测量来确认外接阻值,如图一为简化示意图。
R1 是表内阻抗的总和,为可变电阻,作用是调节测试范围,一般能调节到几个固定内部阻抗。
假设表内电源电压为U ,电流为I ,外接待测电U阻为 R,那么 R -R1。
由于 R1 的可调最小阻抗是固定的,所以当外接待测I就会超过其最大值,而使待测量的数值不具电阻 R小于某一值时,表内电流I参考意义。
同样的,当电阻大到一定程度时,也会产生同样的问题。
所以当表内阻抗 R1 固定时,表内电流检测装置的精度决定了电阻档的检测精度,表内电流检测装置电流检测范围决定了电阻档的检测范围。
1 Application Note AN7007 V0.0嘉兴斯达半导体有限公司STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD图一万用表电阻测试示意图图二万用表电压测试示意图 2 Application Note AN7007 V0.0嘉兴斯达半导体有限公司STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD电压档:一般常见到手持万用表测量电压是通过内部电阻与测试回路并联,通过测试内部回路中的电流换算得出,如图二为简化示意图。
用万用表检查IGBT方法
Freqcon变流器_现场故障信息记录表附件A：
用万用表检查IGBT方法
1、目的：当变流柜内功率模块出现损坏后，必须对柜内除IGBT4上半桥以外的所有IGBT进行测量，防止故障扩大化。
2、工具：万用表
3、操作方法：
注意：所有操作必须在主断路器断开，正、负直流母排放电完毕后才可进行！
打开IGBT柜门，用直流电压档测量直流母线电压，确认电压低于24V。
然后将万用表设为二极管档位，按照下表测量功率模块，并记录数据。
表格 1 IGBT模块压降测量
注：二极管导通压降为
左右，请在《国产Freqcon变流器_现场故障信息记录手册_20100408_A0》中记录所有模块上下桥臂二极管导通压降。
IGBT4上桥臂与制动电阻并联无法测试反并联二极管导通压降，可测阻值为0.9ohm。
如要测量导通压降可将IGBT4交流端AC连线断开。
表格 2 DIODE模块压降测量
如果现场测量与上述现象不符，则IGB模块损坏，请更换模块并和电控联系。
变频器IGBT模块检测
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性, 万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数值显示,则门极性能变差，此模块应更换。当正反向测试结果为零时,说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。
测试一台变频器的IGBT管是好还是坏
功率模块的好坏判断主要是对功率模块内的续流两极 管的判断.对于IGBT模块我们还需判断在有触发电压的情况下能否导通和关断
以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除,使用二极管测试档，红表笔接P(集电极c1)，黑表笔依次测U、V、W，万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W，万用表显示数值为400左右；黑表笔接P，性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。IGBT模块损坏时,只有击穿短路情况出现。
使用数字万用表对IGBT模块进行检验
使用数字万用表对IGBT模块进行检验（IGBT）模块是一种模块化（半导体）产品，由IGBT(绝缘栅双极（晶体管）（芯片）)和续流（二极管）芯片(续流二极管芯片)通过特定的电路桥封装而成。
封装后的IGBT模块直接应用于逆变器、UPS 等设备。
以两单元举例：用数字（万用表）测量静态（检测）：把数字万用表置于×100档，检测黑电笔接1端子、红电笔接2端子，呈现电阻值为无穷大；电笔对调，呈现电阻值应在400Ω左右。
用同样的方法，检测黑电笔接3端子、红电笔接1端子，呈现电阻值为无穷大;电笔对调，呈现电阻值应在400Ω左右。
如果满足以上条件，说明此igbt模块的两个单元没有明显的故障。
动态测试：把数字万用表的档位置于乘10K档，用黑电笔接4端子，红电笔接5端子，这时黑电笔接3端子红电笔接1端子，这时电阻值为300-400Ω，把电笔对调也是有大约300-400Ω的电阻值说明此igbt模块单元是完好的。
使用相同的方法测试端子1和2之间的igbt模块。
如果满足上述条件，igbt模块也处于良好状态。
将数字万用表拨在R×10KΩ挡，用黑电笔接igbt模块的漏极(D)，红电笔接igbt模块的源极(S)，这时数字万用表的指针指在无穷处。
用手指同时触及一下栅极(G)和漏极(D)，这时igbt模块被触发导通，数字万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
之后再用手指同时触及一下源极(S)和栅极(G)，这时igbt模块被阻断，数字万用表的指针回到无穷处。
这时就可以判别igbt模块是好的。
注意：若进第2次检测时，应短接一下源极(S)和栅极(G)。
所有指针式万用表皆可用作检测igbt模块。
注意判别igbt模块好坏时，一定要将数字万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡之下各档数字万用表内部电池电压太低，检测好坏时没法使igbt模块导通，而没法判别igbt模块的好坏。
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IGBT模块测量与判断
IGBT模块测量与判断简介IGBT模块是现代电力电子技术中的重要器件，主要用于变频器、逆变器、交直流混合电源等电力设备中。
在实际运用中，IGBT模块的电性能、热性能和可靠性往往是影响整个电力设备工作性能的关键因素之一。
因此，IGBT模块的测量和判断非常重要。
本文将介绍IGBT模块测量方法和判断方法，帮助读者更好地了解和使用IGBT 模块。
IGBT模块测量方法1. DC电阻测量DC电阻测量是IGBT模块测试中最常见的方法之一。
通过测量IGBT模块正负级之间发生通断的DC电阻来判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到DC电阻档位。
2.将正负级之间的引脚测量，分别记录正负极间电阻。
3.将正负级引脚交换后再次测量，记录正负极间电阻。
4.比较两次测量结果，如果读数相同，则IGBT模块正负级之间没有短路。
如果读数大幅变化，则IGBT模块正负级之间可能存在短路。
2. 电压测量电压测量是IGBT模块测试中常用的方法之一，测量IGBT模块正负级引脚是否有电压，以判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到电压档位。
2.将正负级之间的引脚测量，分别记录正负级之间的电压。
3.如果读数为0，则正负级之间没有电压，说明IGBT模块正负级之间不存在导通问题。
3. 电流测量电流测量是IGBT模块测试中比较常用的方法之一，测量IGBT模块负载电流是否正常，以判断器件的状态。
测量步骤：1.将万用表调整到电流档位。
2.将正负级之间连接负载，分别记录正负级引脚的电流。
3.如果读数过大或过小，则说明IGBT模块存在问题。
IGBT模块判断方法1. 观察外观首先，可以通过观察IGBT模块的外观，判断器件是否受损或破碎。
如果IGBT 模块外观有破损、变形、划痕等，说明器件可能存在损伤，需要进一步检查。
2. 测量IGBT模块正负级引脚间电阻通过DC电阻测量方法，可以判断IGBT模块正负级之间的通断（正常应该读数接近无穷大，如果出现很小的电阻值，表示器件存在短路现象）。
IGBT的检测方法
IGBT的检测办法之五兆芳芳创作IGBT有三个电极，辨别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极按照场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极.具体办法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，辨别测出其正、反向电阻值.当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极辨别是漏极D和源极S.因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G.也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值.当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极其栅极，其余两电极辨别为漏极和源极.若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，便是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极.若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述办法进行测试，直到判别出栅极其止.（2）用测电阻法判别场效应管的黑白测电阻法是用万用表丈量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的黑白.具体办法：首先将万用表置于R×10或R×100档，丈量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧规模（在手册中可知，各类不合型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极.然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的.要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测.（3）用感应信号输人法估测场效应管的缩小能力具体办法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值.然后用手捏住结型场效应管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上.这样，由于管的缩小作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要产生变更，也就是漏源极间电阻产生了变更，由此可以不雅察到表针有较大幅度的摆动.如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的缩小能力较差；表针摆动较大，标明管的缩小能力大；若表针不动，说明管是坏的.按照上述办法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F.先将管的G极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住G极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的缩小能力.运用这种办法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）.这是由于人体感应的交换电压较高，而不合的场效应管用电阻档丈量时的任务点可能不合（或任务在饱和区或在不饱和区）所致，试验标明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动.但无论表针摆动标的目的如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的缩小能力.第二，此办法对MOS场效应管也适用.但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极G允许的感应电压不该太高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以避免人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿.第三，每次丈量完毕，应当G-S极间短路一下.这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，成立起VGS电压，造成再进行丈量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行.（4）用测电阻法判别无标记的场效应管首先用丈量电阻的办法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S 和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2.把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来，对调表笔再丈量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极其漏极D；红表笔所接的为源极S.用这种办法判别出来的S、D极，还可以用估测其管的缩小能力的办法进行验证，即缩小能力大的黑表笔所接的是D极；红表笔所接地是8极，两种办法检测结果均应一样.当确定了漏极D、源极S的位置后，按D、S的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序.（5）用测反向电阻值的变更判断跨导的大小对VMOSN沟道增强型场效应管丈量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压.此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的.将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高.当用手接触栅极G时，会发明管的反向电阻值有明显地变更，其变更越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变更不大.二、场效应管的使用注意事项（1）为了平安使用场效应管，在线路的设计中不克不及超出管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值.（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性.如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不克不及加正偏压；P沟道管栅极不克不及加负偏压，等等.（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以避免外来感应电势将栅极击穿.尤其要注意，不克不及将MOS场效应管放人塑料盒子内，保管时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮.（4）为了避免场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、任务台、电烙铁、线路自己都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持相互短接状态，焊接完后才把短接资料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方法确保人体接地如采取接地环等；当然，如果能采取先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较便利的，并且确保平安；在未关断电源时，绝对不成以把管插人电路或从电路中拔出.以上平安措施在使用场效应管时必须注意.（5）在装置场效应管时，注意装置的位置要尽量避免靠近发烧元件；为了防管件振动，有需要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸5毫米处进行，以避免弯断管脚和引起漏气等.对于功率型场效应管，要有良好的散热条件.因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超出额外值，使器件长期稳定可靠地任务.总之，确保场效应管平安使用，要注意的事项是多种多样，采纳的平安措施也是各类各样，泛博的专业技巧人员，特别是泛博的电子快乐喜爱者，都要按照自己的实际情况出发，采纳切实可行的办法，平安有效地用好场效应管.三、VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管.它是继MOSFET之后新成长起来的高效、功率开关器件.它不但承继了MOS场效应管输入阻抗高（≥μA左右），还具有耐压高（最高1200V）、任务电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性.正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压缩小器（电压缩小倍数可达数千倍）、功率缩小器、开关电源和逆变器中正取得普遍应用.VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性缩小区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象.因此，VMOS管的并联得到普遍应用.众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其任务电流根本上是沿水平标的目的流动.VMOS管则不合，从图1上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采取V型槽结构；第二，具有垂直导电性.由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D.电流标的目的如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流.由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管.国际生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等.下面介绍检测VMOS管的办法.1．判定栅极G 将万用表拨至R×1k档辨别丈量三个管脚之间的电阻.若发明某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且互换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的.2．判定源极S、漏极D由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此按照PN结正、反向电阻存在差别，可识别S极与D极.用互换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极.3．丈量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧.由于测试条件不合，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些.例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）.4．查抄跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高.注意事项：（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管.对于P沟道管，丈量时应互换表笔的位置.（2）有少数VMOS管在G-S之间并有庇护二极管，本检测办法中的1、2项不再适用.（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交换电机调速器、逆变器使用.例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P 沟道管各三只，组成三相桥式结构.（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高任务频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS.适用于高速开关电路和播送、通信设备中.（5）使用VMOS管时必须加适合的散热器后.以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才干达到30W.（6）多管并联后，由于极间电容和散布电容相应增加，使缩小器的高频特性变坏，通过反应容易引起缩小器的高频寄生振荡.为此，并联复合管管子一般不超出4个，并且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻.检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）黑白的简略单纯办法1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表丈量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极其栅极（G）.其余两极再用万用表丈量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后丈量阻值较小.在丈量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）.2、判断黑白将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位.用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的标的目的，并能站住指示在某一位置.然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零.此时便可判断IGBT是好的.3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT.注意判断IGBT黑白时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测黑白时不克不及使IGBT导通，而无法判断IGBT的黑白.此办法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的黑白.变频器、软起动器、PLC、人机界面、低压电器、电气自动化工程、恒压供水设备、音乐喷泉控制系统、变频器维修等.。
判断IGBT的方法
判断IGBT的方法1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G)。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极(C)，红表笔接IGBT的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极;PN结，定管型;顺箭头，偏转大;测不准，动嘴巴。
”下面让我们逐句进行解释吧。
一、三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。
根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管。
测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。
由万用电表欧姆挡的等效电路可知，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。
假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。
测试的第一步是判断哪个管脚是基极。
用万用表检测IGBT驱动模块
用万用表检测IGBT驱动模块1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT注意判断IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判断IGBT的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
逆变器IGBT模块检测：将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与e1、e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。
将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。
再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右；黑表笔接P,红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。
各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。
IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。
使用万用表等测试IGBT模块的方法
G/E（下桥臂）：短路 G/E（上桥臂）：G(+), E(-) C（上桥臂）：开路 CVCC电源输出电流：＜1mA CVCC电源输出电压：0V~15V(＜20V) 从0V开始，慢慢地增加VGE，如果只有很小 的电流流过，就说明G/E端并没有短路 备注：当上桥臂测试时，下桥臂G/E端必须短 路，用鳄鱼夹夹好 确保VGE不超过20V！
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二、用更多的测试设备测量IGBT好坏
(a)
(b) VCE测试电路实例图
(c)
测试实例，如上图 (a)所示，VCE从0V慢慢地升到20V，很小的电流流过，其 中(b)的测试结果模块是好的；若电流很大，如(c)的测试结果模块是坏的， C/E端短路。
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注意事项
• 以上方法适用于没有专业IGBT测试仪器时初步判断IGBT失效。如需要 做更为详尽的分析，请联系IGBT生产厂家做失效分析。
快速测试IGBT模块好坏的方法
--使用万用表、电流源、电压源来快速检测IGBT模块好坏 邱勉为 杨雪 2015.9
一、万用表初步判断IGBT好坏
• 在没有其他精密测量仪器时可以用万用表初步判断IGBT模块好坏。模 块正常情况下，G/E和C/E端的电阻值是无穷大或者兆欧级的，如果两 端的电阻值在欧姆级别或者千欧级时，请不要将此模块上电或者上机 运行。 • 以两单元IGBT模块来说，将数字万用表调至欧姆档，分别测量上桥和 下桥，具体方法如下面图片所示。注意在测C/E端时红黑表笔的位置不 能颠倒，否则测量的是续流二极管而不是IGBT。
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备注：当下桥臂测试时，上桥臂G/E端必须短 路，用鳄鱼夹夹好
确保VGE不超过20V！
二、用更多的测试设备测量IGBT好坏
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IGBT模块复验技术条件(进厂检验规范)
1.范围
本技术条件规定了常用IGBT 模块的复验技术要求、验收方法、检验规则及贮存要求。
本技术条件适用于成套电源设备中所选的IGBT 模块的进厂复验。
2.引用标准
XXXX 有时效性物质（材料）的控制规定。
3.复验技术条件
3.1 产品外包装必须完整，并附有制造厂厂名、产品合格证及表明产品技术要求的使用说明书。
3.2产品必须有型号、规格。
3.3产品外观结构部件不应有损坏、变形，外表镀层良好。
3.4产品型号、规格中的技术参数符合订货合同要求或采购组件表。
3.5具体技术要求见表1。
4 .验收方法
用目测方法检查3.「3.4,具体要求见表1。
5 .检验规则
采用全数检验方式。
有不合格项则该IGBT 模块作不合格论。
6.贮存
6.1复验完毕，应将合格产品装好入库。
6.2贮存场地应为户内，同时必须保持环境干燥与通风。
6.3产品贮存应符合XXXX 的规定。
旧底图总号
指导性技术文件
XXXXX
XXXX 有限公司
IGBT 模块复验技术条件。
IGBT的检测方法
IGBT的检测方法IGBT有三个电极，分别称为栅极G(也叫控制极或门极)、集电极C(亦称漏极)及发射极E(也称源极)。
万川达供您参考IGBT检测方法。
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。
具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。
当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。
因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。
也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。
当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。
若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
具体方法：首先将万用表置于R ×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。
然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。
IGBT测量方法
IGBT电路图IGBT测量方法一正常IGBT测量：用数字万用表的二极管档测量，红表笔是+正极，黑表笔是-负极。
1IGBT的G端(门级)与E端（发射极）、C端（集电极）是不导通，所以Rge和Rgc理论阻值是100M Ω以上。
若G端和E端外围有并接电阻，Rge阻值=并接电阻阻值。
（用电阻档测）；2因IGBT的C\E端并接二极管.2.1若G\E端不加触发电压，E端（发射极）、C端（集电极）是单向导通。
用二极管档测，红表笔在E端，黑表笔在C端，表显示345，导通，导通压降为0.345V。
表笔相反测，表显示1，表示不导通；（表显示345，表示导通的压降为0.345V,万用表不同，IGBT不同，测量值有偏差，偏差值不大）2.2若G\E端加触发直流电压VGE=6V（VGE>Vt）, 红表笔在C端，黑表笔在E端,C端和E端正向导通，表显示345；2.3因G\E端相当一个小电容，当撤离外加触发电源，触发电压还存在，C端和E端正向还导通，电线短接G\E端，IGBT正向就不导通2.4 正常C/E端耐压测试：为什么用测量电机绝缘的摇表测试：1数字万用表的电压在DC9V内,电压低不能正确判断其耐压真实性。
2 因摇表的电压在DC500V内，与IGBT C/E端正常工作电压相同，可真实检测IGBT状况。
其电压可以通过速度控制，而且电源功率小，测量时不会发生意外。
3 摇表的正极接在C端，负极接在E端。
摇动摇表，显示的数值在100MΩ以上，同时用万用表测量电压，电压可以在150V以上。
二故障IGBT1 G端和C\E端阻值在KΩ以下，并接电阻除外；2 C\E端，用用二极管档测, 表显示100以下，并有声音提示，表示C\E短路；或者用电阻档测，阻值很小。
3 G\E端加触发电压，C\E端正向不导通；4 C/E端耐压测试: 摇表测试，显示的数值在1MΩ以下。
同时用万用表测量电压，电压在15V以下；。
IGBT模块的测试方法
IGBT模块的测试方法IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）模块是一种高性能的功率开关器件，主要用于交流电转直流电的变换和功率控制。
为了确保IGBT模块的正常运行和可靠性，需要进行相应的测试和检验。
1.外观检查：首先要对IGBT模块的外观进行检查，包括外壳是否完好，引脚是否弯曲或者损坏，有无明显的划痕或者焊接痕迹等。
如发现问题应及时处理或更换。
2.规格参数测试：对IGBT模块的规格参数进行测试，包括额定电压、额定电流、耐压、漏电流等参数的测试。
可以使用测试仪器如万用表、电桥等进行测试，确保IGBT模块符合规格要求。
3.电性能测试：通过测试IGBT模块的电性能来评估其性能指标。
包括静态工作特性测试、开关特性测试和动态电流特性测试等。
-静态工作特性测试：分别测量IGBT模块的输入电阻、输出电阻和反向漏极电阻。
可以利用电桥或者万用表进行测试。
-开关特性测试：测试IGBT模块的开关特性，包括导通电压降、截止电流、开启时间、关断时间等。
可以利用示波器和信号发生器等仪器进行测试。
-动态电流特性测试：测试IGBT模块在不同负载和工作频率下的电流响应能力。
可以通过施加正弦波或方波负载来进行测试。
4.温度测试：IGBT模块的工作温度是其可靠性和寿命的重要参数，需要进行温度测试。
可以使用红外测温仪或者热电偶进行测量，确保IGBT模块在规定的工作温度范围内。
5.保护功能测试：IGBT模块通常具有过流保护、过压保护、过温保护等功能，需要进行相应的保护功能测试。
可以通过模拟过流、过压、过温等情况来检验模块的保护功能是否正常。
除了以上测试方法，还需要注意以下几点：-测试环境：IGBT模块的测试环境应该干燥、无尘、温度适宜，避免灰尘和湿气对模块的影响。
-测试设备：使用高质量的测试设备和仪器，确保测试的准确性和可靠性。
-测试记录：进行测试时，应有详细的测试记录，包括测试时间、测试环境、测试设备和仪器、测试结果等信息，便于后续分析和检查。
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万用表检测IGBT功率模块
IGBT 管的好坏可用指针万用表的Rxlk 挡来检测，或用数字万用表的“二极管”挡来测量PN 结正向压降进行判断。
检测前先将IGBT 管三只引脚短路放电，避免影响检测的准确度；然后用指针万用表的两枝表笔正反测G 、e 两极及G 、c 两极的电阻，对于正常的IGBT 管（正常G 、C 两极与G 、c 两极间的正反向电阻均为无穷大；内含阻尼二极管的IGBT 管正常时，e 、C 极间均有4k Ω正向电阻），上述所测值均为无穷大；最后用指针万用表的红笔接 c 极，黑笔接e 极，若所测值在3 ．5k Ω l 左右，则所测管为含阻尼二极管的IGBT 管，若所测值在50k Ω左右，则所测IGBT 管内不含阻尼二极管。
对于数字万用表，正常情况下，IGBT 管的C 、C 极间正向压降约为0 ．5V 。
综上所述，内含阻尼二极管的IGBT 管检测示意图如图所示，表笔连接除图中所示外，其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得IGBT 管三个引脚间电阻均很小，则说明该管已击穿损坏；若测得IGBT 管三个引脚间电阻均为无穷大，说明该管已开路损坏。
实际维修中IGBT 管多为击穿损坏。
如果觉得以上方法不够形象，可以用指针万用表的10K电阻档，黑笔接模块C1，红笔接E1，一只手的大拇指摸到C1,另随便一手指摸G1，此时万用表显示模块导通；用手指将G1对E1短接，模块关
断。
同理，再测C2和E2。
若按以上方法万用表显示模块有一组或者两组不能正常导通和关断说明模块已坏。
检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的简易方法
1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为
无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发
射极（E）。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的
发射极（E），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电
极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住
指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时
IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT 是好的。
3、注意事项
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用
表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好
坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用于检测
功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。