检测与传感器知识点总结

第一章

1.传感器的功能：信息收集，信号数据的转换

2.传感器的组成：传感器通常由敏感元件、转换元件、调解转换电路3部分组成

3.衡量传感器静态特性的重要指标是线性度、灵敏度、迟滞、重复性和零点漂移等

线性度：是指传感器输出与输入之间的线性程度

灵敏度：是指传感器在稳态下的输出变化量与引起变化的输入变化量之比，用S表示

迟滞：传感器在正（输入量增大）反（输入量减小）行程期间，其输出--输入特性曲线不重合的现象

重复性：是指在同一工作条件下，输入量按同一方向做全量程连续多次变化时，所得特性曲线不一致的程度

零点漂移：当传感器无输入时，每隔一段时间对传感器的输出进行读数，其输出偏离零值的情况，即为零点漂移

温度漂移：是指温度变化时传感器输出值偏离程度

4.传感器的动态特性：最大超调量、延迟时间、上升时间、峰值时间、响应时间

第二章

1、应变式传感器可以测量力、荷重、应变、位移、速度、加速度等各种参数。

2、电阻应变效应：金属丝的电阻随其所受机械形变（拉伸或压缩）的大小变化。

3、电阻应变主要有四部分组成：电阻丝、基片、覆盖层和引出线。

4、按应变片敏感栅所用的材料不同，应变片可以划分为金属应变片和半导体应变片，其中金属应变片分为体型和薄膜型；半导体应变片分为体型、薄膜型、扩散型、PN结型及其他型。

5、半导体应变片的工作原理是基于半导体的压阻效应，压阻效应是指对半导体施加压力时半导体的电阻率会发生改变的现象。

6、产生应变片温度误差的主要因素有：（1）、敏感栅金属丝电阻本身随温度发生变化

（2）、试件材料和电阻丝的线膨胀系数的影响

7、电阻应变片的温度补偿方法有：线路补偿法和应变片自补偿两类。

8、应变片自补偿有选择式自补偿应变片和双金属敏感栅自补偿应变片。

9、根据电桥电源的不同，可分为直流电桥和交流电桥。

第三章

1.电感式传感器主要有自感式，互感式和涡流式三种

2.自感式电感传感器由线圈、铁心和衔铁三部分组成

3.自感式电感传感器的结构类型有变间隙式、变面积式、螺线管式（变气隙导磁系数）

4.自感式电感传感器的转换电路有交流电桥式、交流变压器式以及谐振式几种形式，其中交流电桥式最为常用，谐振式转换电路有谐振式调幅电路和谐振式调频电路

5.互感式电感传感器由一、二次绕组，铁心，衔铁三部分组成

6.互感式电感传感器的主要特性：输出电压特性，灵敏度，温度特性，零点残余电压的消除方法（提高互感式电感传感器的组成结构及电磁特性的对称性，引入相敏整流电路，采用外电路补偿法）

7.电涡流传感器的结构：变间隙式，变面积式，螺线管式，低频透射式，高频反射式

8.影响电涡流式传感器的灵敏度的因素：被测体材料对测量的影响，被测体大小和形状对测量的影响，传感器形状和大小对传感器灵敏度的影响

9.电涡流传感器的转换电路：调频式电路，调幅式电路

10.电涡流式传感器的应用：电涡流式传感器的应用领域很广，可进行位移，厚度，转速，

振动，温度等多参数的测量

第四章

1、电容式传感器：把某些非电量的变化通过一个可变电容转化成电容变化的装置。

2、平板电容传感器：C=

3、电容式传感器分为变极距型、变面积型、变介质型。

4、电容转换电路有调频转换电路、运算放大器式转换电路、二极管双T型交流电桥、脉冲宽度调制电路。

5、P64 P67

第五章

1.压电式传感器的工作原理：压电式传感器的工作原理是基于某些介质材料的压电效应。当沿着一定方向对某些电解质施力而使它变形时，其内部就产生极化现象。同时在它的两个表面上产生符号相反的电荷；当外力去掉后，又重新恢复不带电状态，这种现象称之为压电效应，又称为正压电效应。

2.沿X轴施力，而在垂直与X轴的晶体表面上产生电荷的现象，称之为“纵向压电效应”。沿Y轴施力，而在垂直与X轴的晶体表面上产生电荷的现象，称之为“横向压电效应”。上述均假设晶体沿X轴和Y轴方向受到压力。当晶体沿X轴和Y轴方向受到拉力作用时，同样有压电效应，只是电荷的极性随之改变。

压电系数矩阵！！！？？？P72

3.压电传感器的等效电路电压源电荷源

4.压电传感器的转换电路：压电式传感器本身的内阻抗很高，而输出的能量较小，因此它的转换电路通常需要接入一个高输入阻抗的前置放大器，其作用为：一是把它的高输出阻抗变换为低输出阻抗；二是放大传感器输出的微弱信号。

第六章

1、磁电式传感器有磁电感应式、霍尔式、磁敏电阻、磁敏二极管、磁敏晶体管等。

2、磁电式传感器是一种机—电能量转化型传感器。

3、磁电式传感器是利用导体和磁场发生相对运动产生感应电动势的原理制成的。

4、磁电式传感器基本上由以下3部分组成：○1磁路系统、○2线圈、○3运动机构。

5、通常所使用的磁电感因时传感器有恒磁通式和变磁通式。

6、恒磁通式：由永久磁铁（磁钢）、线圈、弹簧、金属框架和外壳等组成。

7、变磁通式又称为变磁阻式和变气隙式。

8、霍尔效应：当把一块金属或者半导体薄片垂直放在磁感应强度为B的磁场中，沿着垂直于磁场方向通过电流Ic，就会在薄片的另一对侧面产生电动势。

9、造成测量误差的主要因素有两类：半导体固有特性及半导体制造工艺的缺陷，主要表现为温度误差和零位误差。

10、温度误差的补偿方法：○1采用恒流源供电和输入回路并联电阻；○2选取合适的负载电阻Rl；○3采用恒压源和输入回路串联电阻；○4采用温度补偿元件。

11、产生零位误差的原因：制造工艺不可能保证两个霍尔电极绝对对称地焊在霍尔片的两侧，致使两电极点不能完全位于同一等位面上；此外霍尔片电阻率不均匀或片厚薄不均匀或控制电流极接触不良将使等位面歪斜。