专升本电子专业课考试大纲的单片机重点整理

2012年电气工程及其自动化、电子信息工程、网络工程专业（专

升本）专业课考试大纲

第一部分：《电子电路》（150 分）

•模拟电路（75 分）

•理解半导体二极管、稳压管的特性及主要参数。

•掌握单相桥式整流、滤波电路的组成、工作原理和输出直流电压的估算。

•理解稳压管稳压电路的工作原理及性能指标。

•理解半导体三极管的原理、外部特性，了解三极管共射特性曲线和主要参数。

•了解场效应管的工作特点、外部特性及主要的参数。

•掌握单管共射（共源）、共集（共漏）、共基（共栅）放大电路的组成，工作原理、特点及微变等效电路分析法，要求会画放大电路的直流通路和交流通路，熟练掌握静态工作点和放大电路的 A u 、R i 、R o 的计算。

•理解多级放大器工作原理及Au 的计算。掌握差分放大器，包括差模信号与共模信号的概念、双端输入、双端输出的差分放大器的工作原理与抑制零点漂移的工作原理。

•掌握差分放大器的主要性能指标的计算（含直流工作点、差模放大倍数、共模大倍数、共模抑制比）。

•了解通用集成运算放大器的组成、工作原理及其主要特性，掌握“虚

短”、“虚断”的概念。

•要求正确理解什么是反馈，掌握判别电路是否存在反馈？是正反馈还是负反馈？是交流反馈还是直流反馈（或同时存在）？是电压反馈还是电流反馈？是串联反馈还是并联反馈？

•了解反馈的表示方法、理解方框图表示的物理概念、理解负反馈放大电路的一般表达式及其应用条件，掌握在深度负反馈条件下放大电路闭环增益的估算。了解负反馈对放大电路性能的影响。

•掌握由理想运放放大器组成的反相、同相比例电路，加法运算电路，减法运算电路、积分电路和微分电路。

•了解频率响应和失真的概念。理解单管放大电路的f L 、f H 计算，了解波特图的画法。

•掌握单门限电压比较器（包括过零比较器）的电路组成、工作原理及传输特性。

•掌握正弦波振荡电路的振荡条件和RC 桥式正弦波振荡电路的电路组成，振荡频率的计算，了解稳幅原理。

•理解三点式LC 正弦波振荡电路结构及其工作原理。

•了解石英晶体振荡器的工作原理

•了解功率放大器的三种工作状态：甲类、乙类和甲乙类的工作特点以及功率、效率、非线性失真的物理概念和相互关系。

•理解OTL 功率放大电路的工作原理输出功率和效率的计算。•掌握具有放大环节的串联反馈型稳压电路的组成、输出电压的调节、稳压原理。

参考用书：《模拟电子技术》，胡艳如编，高等教育出版社

（二）、数字电路（75 分）

1. 掌握二、十、十六进制数、常用二~ 十进制码间的相互转换方法。

2. 掌握逻辑代数基本公式、定律、定理。

3. 掌握逻辑函数四种表示方法（函数式、真值表、卡诺图、逻辑图）及相互转换。

4. 掌握逻辑函数公式法化简、卡诺图（含约束函数）化简。

5. 掌握各种逻辑门符号、功能特点。

6. 了解TTL 反相器静态特性（电压传输特性、输入、输出特性）。

7. 掌握触发器功能描述方法（特性表、特性方程、状态图、时序波形）。

8. 掌握各种触发器动作特点、异步置“ 0” 端作用。

9. 了解施密特触发器、单稳态触发器、多谐振荡器工作原理、参量计算。

10. 掌握集成555 定时器功能、其应用电路及工作波形、参量计算。

11. 掌握组合逻辑电路分析方法和设计方法

12. 掌握译码器、数据选择器功能及应用

13. 了解编码器、加法器、分配器、比较器功能。

14. 了解同步计数器、异步计数器、寄存器、移位寄存器功能、应用。

15. 掌握同步时序电路分析方法。

16. 掌握中规模集成计数器构成N 进制方法。

17. 掌握D/A 转换器基本电路组成及主要参数。

18. 了解A/D 转换器组成、分类、特点。

19. 掌握存储器容量扩展，采用ROM 实现组合逻辑函数方法。

20. 了解可编程器件分类、结构特点。

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第二部分：《单片机原理及应用》（150 分）

一、了解MCS-51 单片机的CPU 的结构，掌握几种地址指针PC 、DPTR 、SP 的功能、运用。

1，CPU=运算器+控制器

2，单片机主要构成：CPU+存储器（数据存储器+程序存储器）+并行IO口+串行IO口+中断系统+定时器/计数器+时钟电路3、PC:16位程序计数器。它总是指向下一条要执行的指令的地址，程序执行时自动加1。可以分为PCH和PCL.

4、DPTR:16位寄存器。它通常用作访问外部存储器的地址指针。可以分为DPH和DPL.

MOVX A,@DPTR :读外部数据存储器。

MOVX @DPTR ，A ：写外部数据存储器。

MOVC A,@A+DPTR : 读程序存储器，查表指令。

5、SP：8位堆栈指针。用于存放栈顶的地址。

二、掌握MCS-51 单片机的存储器配置、堆栈定义、生成方式和运用操作。

0、存储器配置属于哈佛结构。

1、RAM存储器:256字节（128+128：SFR,定义好）

低128字节：工作寄存器区（00H~1FH）+可位寻址区

(20H~2FH)

例MOV 24H ,#FFH; CLR 24H 。24H=EFH

SFR地址能够被8整除的单元---可位寻址

2、存储器外部可以扩展到64K.由地址线（P0：低8位/P2口

高8位）决定。16条。

存储容量=2的n次方。n为地址线条数。

1k=1024BYTE=2的10次方。

3、程序存储器的几个特殊地址：