第四章 离子注入(作业)
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2.已知硅n型外延层的掺杂浓度为1.5×1016cm-3。现通过 注入B+来制作集电结，要求掺杂的峰值浓度达到 2×1019cm-3，结Biblioteka Baidu0.4μm。试估算入射离子所需要的 能量和剂量。
第四章
主
离子注入
讲：毛 维
mwxidian@126.com 西安电子科技大学微电子学院
第3次作业
1.已知硅n型外延层的掺杂浓度为1.5×1016cm-3。现用 硼离子注入形成基区，其能量为60keV。若注入剂量
为1×1015cm-2，试求注入的峰值浓度、结深、及注入 离子的平均浓度（假定为对称的高斯分布）。