模电期末复习资料讲解

放大信号
iC=βiB iE=(1+β) iB 工作条件： 发射结正 偏；集电 极反偏 （PNP； NPN）。放 大区、饱 和区、截 止区
放大信号
iD iD I
IDSDSO((vVvVGPGTSS
1)2 1)2
工作条件：
增强型栅源
电压大于开
启电压；加
漏源电压。
耗尽型栅源
电压大于夹
断电压；加
PNP型
绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道
C与E一般不可倒置使用 D与S有的型号可倒置使用
载流子 多子扩散少子漂移
多子漂移
输入量
电流输入
电压输入
控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm)
理解半导体三极管
电流控制器件 iC=βiB iE=(1+β) iB 特性曲线 输入：
甲类：一个周期内均导通 乙类：导通角等于180° 甲乙类：导通角大于180°
丙类：导通角小于180°
2、掌握乙类双电源对称放大电路
组成:乙类推挽形式
乙类较甲类的优点 丙类较乙类的优点
计算:
输管直效出耗流率功供率电功率PP0 T12PVPVRoVmL2V2omVPOCPCR0VmLOm
对输入电阻 串联负反馈：使输入电阻增加 并联负反馈：使输入电阻减小
对输出电阻 电压负反馈：使输出电阻减小，输出电压稳定。 电流负反馈：使输出电阻增加 ，输出电流稳定
1. 选定需要的反馈类型
信号源性质 对输出信号的要求 对输入、输出电阻的要求
2. 确定反馈系数的大小
深度负反馈时
Af

1 F
3. 适当选择反馈网络中的电阻阻值
(理想模型、恒压模型）
稳压二极管
反向偏置 且VI＞VZ； IZmin ≤ IZ ≤ IZmax
稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都 加于稳压管上，从而使输出稳定 参数：VZ、IZ、PZM、
R
+
IR
IO
+
IZ
VI
DZ
VO
RL
-
-
双极型和场效应型三极管的比较
结构
双极型三极管 NPN型
场效应三极管 结型耗尽型 N沟道 P沟道
功率放大器
1、了解放大器的三种工作状态
甲类：在整个周期IC≥O导通角3600η高=50% 乙类：在半个周期IC≥O导通角1800η高=78.5% 甲乙类:在大半个周期IC≥O导通角1800＜θ＜3600
分析功率放大电路常采用图解法
信号幅度大 特性曲线
图解法分析
三种工作状态
三极管根据正弦信号整个周期内 的导通情况，可分为几个工作状态：
2、放大电路组成及特性（考点：静态工作点的计算、接法是否正确、各 器件的作用）
重点掌握单管共射、共集电路(包括分压式和射极偏置) 电路的组成和工作原理,
共射极放大电路
3、熟练掌握用估算法求电路的静态工作点Q
了解图解法
求Q点 直流负载线 交流负载线
分析非线性失真 饱和失真 静态点过高 截止失真 静态点过低 信号过大 增益过大引起的失真
1. 反馈
反馈通路——信号反向传输的渠道
开环 ——无反馈通路
闭环 ——有反馈通路
正反馈与负反馈
判别方法：瞬时极性法。即在电路中，从输入端开始，沿着 信号流向，标出某一时刻有关节点电压变化的斜率 （正斜率或负斜率，用“+”、“-”号表示）。共射、共集、共基、差分、
运放输入与输出间的瞬时极性法关系
交流反馈与直流反馈 串联并联 电压电流
模拟电子技术复习课
本教材总体框架
第九章
信号发生器
第九章 第二、四、五、六、七章 第八章
信号滤波 放大器 功率放大
稳压电源
第三、十章
器件
普通二极管
单向导电性
应用：整流 限幅 开关
分析方法： 理想模型 恒压模型 小信号
稳压二极管 三极管 场效应管
运放
击穿稳压 （其它特性 与二极管 相同）
应用：稳压 分析方法： 稳压电路须 确保工作于 击穿区
1 2
VCC 2 RL
4 VCC
功效管的选择
PT1=0.2Pom管耗最大时 Vom=0.6Vcc
V(BR)CEO＞2Vcc IcM＞Vcc/RL
3、掌握甲乙类对称功率放大电路（为克服交越失真）
克服交越失真的措施
利用二极管 利用VBE扩大电路偏置
单电源互补电路（OTL） 双电源互补电路（OCL）
组成：必须有电容C 计 算 ： 将 上 述 公 式 中 的 VCC 用 VCC/2 代替
漏源电压。
可变电阻区、
恒流区、截
止区
放大信号
虚断、虚 短
工作条件： 负反馈（闭 环）
器件
普通二极管
判断工作状态 计算电流、电压
画波形图
稳压二极管
判断工作状态 计算电流、电压
画波形图
三极管 场效应管
判断工作状态 管子类型
计算静态电流、电压 判断失真类型
直流通路
及解决办法
普通二极管
形成——由于浓度差，而出现扩散运动，在中间形成空 间电荷区
饱和区：发射结、集电结均正偏， VBE=0.7V, VCE=0.3V
输出： 放大区:发一正,集一反, VBE=0.7遵循iC=βiB
截止区: 发射结、集电结均反偏 VBE＜0.5V 时已进入截止区
参数：集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功耗 PCM
三极管构成放大电路 共射、共集、共基组态
1、理解放大和放大电路的性能指标 (放大倍数，输入、输出电阻）
确定最大输出电压幅度VOm(交流负载线)
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4、共射、共集电路的计算（交流通路、小信号等效电路）
FET 场效应管
MOSFET (IGFET) 绝缘栅型
JFET 结型
增强型
N沟道 P沟道
耗尽型
N沟道 P沟道
N沟道 （耗尽型）
组态对应关系： BJT
FET
CE
CS
CC
CD
CB
CG
直流偏置及静态工作点的计算
共源放大电路的计算

1 A F 1时

1 A F 1时

1 A F 0时


Af
A

1 AF
正反馈
1 A F 称为反馈深度
负反馈
环路电压增益=
Vb Va
A F
自激
Xs
变换网络 Xi +
Xid
基本放大
Xo
K
–
电路 A
Xf
反馈网络 F
提高增益的稳定性 减小非线性失真， 抑制干扰噪声，扩 展通频带 增大或减小输入、输出电阻
又由于空间电荷区的内电场作用，存在漂移运动 单向导电性 —— 不外加电压，扩散运动=漂移运动，iD=O
加正电压，扩散运动>漂移运动形成iD 加反向电压，扩散运动为O，只有很小的漂
移运动 形成反向电流 特性方程：iD=IS（eVo/VT-1） 特性曲线
硅管：死区 0.5v，导通电压 0.6-0.7v 锗管：死区 0.1v，导通电压 0.2v