适用于片内集成的可修调低失调LDO
ldo芯片原理
ldo芯片原理LDO芯片（Low-Dropout Regulator Chip）是一种用于电源稳压的集成电路芯片。
它的原理是通过降低输入电压和输出电压之间的压差来实现稳定的电源输出。
LD0芯片在电子设备中广泛应用，例如移动电话、计算机、数字相机等。
LD0芯片的工作原理可以简单地描述为：在输入电压降低时，芯片内部的电路会自动调整以保持输出电压稳定。
当输入电压高于输出电压时，芯片内部的功率晶体管会关闭，从而阻断电流流动，使输出电压稳定在设定的值。
当输入电压降低时，芯片内部的电路会自动调节功率晶体管的导通，使更多的电流通过芯片，以保持输出电压不变。
LD0芯片具有以下几个优点：1.低压差：LD0芯片的压差通常在0.1V以下，这意味着输入电压与输出电压之间的损失非常小。
这对于需要稳定电源的电子设备非常重要，可以有效地降低电源噪声和电源波动。
2.高精度：LD0芯片的输出电压可以非常精确地设定，通常在几个毫伏的范围内。
这对于需要高精度电源的应用非常重要，例如精确测量、模拟电路等。
3.低功耗：LD0芯片的功耗非常低，一般在几微安到几毫安之间。
这对于电池供电的移动设备非常重要，可以延长电池的使用时间。
4.快速响应：LD0芯片具有快速响应的特点，可以在输入电压变化时迅速调整输出电压。
这对于需要快速稳定的电源的应用非常重要，例如无线通信、音频放大器等。
5.过热保护：LD0芯片内部通常集成了过热保护电路，可以在温度超过一定阈值时自动关闭输出，以保护芯片不受损坏。
LD0芯片的应用非常广泛，特别是在移动设备领域。
例如，在智能手机中，LD0芯片可以用于稳定供电给处理器、显示屏等关键部件，以确保设备正常运行。
在计算机中，LD0芯片可以用于稳定供电给内存、处理器等关键电路，以提高系统的稳定性和性能。
在数字相机中，LD0芯片可以用于稳定供电给图像传感器、图像处理器等关键部件，以提高图像质量和拍摄效果。
LD0芯片是一种用于电源稳压的集成电路芯片，通过降低输入电压和输出电压之间的压差来实现稳定的电源输出。
ldo稳压芯片工作原理
ldo稳压芯片工作原理LDO稳压芯片（Low-Dropout Regulator）是一种高精度、低压降的电压稳压器件。
其工作原理是以集成化的方式实现稳压功能，使输入电压在范围变化较大的情况下，输出电压基本不发生变化。
在实际电路中，LDO稳压芯片被广泛应用于电源管理和信号稳定等领域。
LDO稳压芯片的工作原理可以分为三个主要部分，即误差放大器、反馈电路和功率放大器。
误差放大器是LDO稳压芯片的核心，其作用是将输入电压与反馈信号进行比较，并计算出两者之间的差异，得到一个误差信号。
误差放大器通常由运算放大器、电阻、电容和多路开关等基本电子元件构成，其中运算放大器被作为放大输入误差信号的主要放大器。
反馈电路是对稳压芯片输出电压的监测和调节，用来保持输出电压在预定范围内稳定不变。
反馈电路通常由通过电压分压器和运算放大器构成，其通过反馈电压的作用，使误差信号被补偿，从而达到稳定输出电压的目的。
功率放大器也称为输出级，是稳压芯片电压放大和电流放大的基础。
其工作原理是将误差信号放大后，通过输出晶体管将一个较高的电压注入输出端，从而实现驱动负载的目的。
功率放大器可以使用单个晶体管或者复合放大器实现的输出结构。
总体来说，LDO稳压芯片不同于传统电阻稳压器，其内部集成多种功能模块，包括误差放大器、反馈电路和功率放大器等，稳压功能从而得到了进一步的提升。
同时，LDO稳压芯片在稳定性、动态响应、高精度等方面也有着明显的优势。
参考文献：1. P. C. Sen, Principles of Electric Machines and Power Electronics, 2/e, 20182. 刘春雷, 反激式降压稳压芯片设计及实现, 微电子学与计算机, 2021, 38(05): 50-563. 岳文军, 张亚东, 稳压电源及其在电源管理中的应用, 电源技术进展, 2017, 1(03): 16-20。
ldo稳压芯片手册
ldo稳压芯片手册LDO（Low Dropout Regulator）稳压芯片是一种常见的电源管理芯片，用于提供稳定的直流电压。
以下是对LDO稳压芯片的手册介绍：一、概述LDO稳压芯片是一种低压差线性稳压器，能够在输入电压和输出电压之间产生较低的电压差，同时提供稳定的输出电压。
与开关电源相比，LDO稳压芯片具有较低的噪声和较小的纹波，因此广泛应用于各种电子设备中，如手机、平板电脑、充电器等。
二、工作原理LDO稳压芯片的工作原理是通过调整内部晶体管的导通电阻来控制输出电压。
当输入电压发生变化时，内部晶体管的导通电阻也会相应调整，从而保持输出电压的稳定。
同时，LDO稳压芯片还具有过流保护、过温保护等保护功能，以确保芯片的安全运行。
三、性能参数1.输入电压范围：LDO稳压芯片的输入电压范围通常在2-10V之间，具体范围取决于不同型号的芯片。
2.输出电压：输出电压是LDO稳压芯片的主要参数之一，可以根据不同的应用需求进行选择，常见的输出电压有1.8V、3.3V、5V等。
3.负载电流：负载电流是指LDO稳压芯片能够提供的最大输出电流，通常在几十毫安到几安培之间。
4.电压差：电压差是指LDO稳压芯片的输入电压与输出电压之间的差值，通常在0.2-1V之间。
5.噪声和纹波：LDO稳压芯片的噪声和纹波较低，可以提供较为稳定的输出电压。
四、应用场景1.手机、平板电脑等移动设备：在这些设备中，LDO稳压芯片被用于提供稳定的电源电压，以确保设备的正常运行。
2.充电器：充电器中的LDO稳压芯片用于将输入的交流电压转换为稳定的直流电压，以供电池充电使用。
3.音频设备：在音频设备中，LDO稳压芯片被用于提供稳定的电源电压，以确保音频信号的稳定传输。
4.工业控制：在工业控制系统中，LDO稳压芯片被用于提供稳定的电源电压，以确保控制系统的正常运行。
总之，LDO稳压芯片是一种重要的电源管理芯片，具有广泛的应用前景。
在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的型号和参数，以确保系统的稳定性和可靠性。
ldo修调原理
ldo修调原理LDO修调原理引言：低压差稳压器（Low Dropout Regulator，简称LDO）是一种常见的电子元件，其主要功能是将输入电压稳定在设定的输出电压上。
LDO 的修调原理是指在输出电压变动时，通过内部电路的调整，使得输出电压能够保持在设定的值上。
本文将详细介绍LDO的修调原理及其工作原理。
一、LDO的基本原理LDO主要由一个差动放大器、一个误差放大器、一个比较器和一个功率放大器组成。
其基本工作原理是通过反馈控制，将输出电压与参考电压进行比较，然后根据差值调整控制回路，使输出电压保持恒定。
二、LDO的修调原理LDO的修调原理是指在输出电压发生变动时，通过内部电路的调整，使得输出电压能够保持在设定的值上。
LDO的修调原理主要包括以下几个方面：1. 反馈控制回路：LDO内部包含一个反馈控制回路，用于将输出电压与参考电压进行比较。
如果输出电压低于参考电压，控制回路会通过增大输出电流来提高输出电压；反之，如果输出电压高于参考电压，控制回路会通过减小输出电流来降低输出电压。
2. 建立稳定的参考电压：LDO的修调原理还需要建立一个稳定的参考电压作为参考。
通常情况下，LDO内部会使用电流源和电压参考器等元件来生成一个稳定的参考电压，用于与输出电压进行比较。
3. 输出电容的作用：LDO的输出端通常会连接一个输出电容，其主要作用是提供稳定的输出电压。
当输出电流突然变化时，输出电容可以提供额外的电流，保持输出电压的稳定性。
4. 控制回路的调整：LDO的修调原理还需要对控制回路进行调整，以保持输出电压的稳定。
调整控制回路可以通过改变反馈电阻、增大稳定电容等方式来实现。
三、LDO的工作原理LDO的工作原理是在基本原理的基础上，通过反馈控制和修调原理来实现稳定的输出电压。
其工作流程如下：1. 输入电压：LDO的输入端连接至电源电压，通常为较高的直流电压。
输入电压通过LDO的差动放大器进行放大，然后传递到误差放大器。
片外电容ldo 补偿
片外电容ldo 补偿片外电容（External Capacitor）在低压差线性稳压器（Low Dropout Regulator，简称LDO）中起到补偿的作用。
LDO是一种电压稳压器，用于将输入电压稳定输出到一个较低的电压，并且在输入电压低于输出电压时仍能正常工作。
在LDO中，片外电容通常被用来改善稳压器的稳定性和动态响应。
首先，让我们来看看片外电容如何补偿LDO的稳定性。
在LDO的反馈回路中，加入一个适当的片外电容可以提高LDO的阻尼比，从而改善系统的稳定性。
这是因为片外电容可以帮助减小LDO的开环增益，并且在高频时提供负反馈，从而减小系统的输出阻尼震荡，提高系统的稳定性。
其次，片外电容还可以改善LDO的动态响应。
在LDO中，由于内部晶体管的频率响应和负载电容的存在，可能会出现相位裕度不足的问题，导致LDO系统的稳定性和动态响应性能下降。
通过合适地选择片外电容的数值和类型，可以有效地提高LDO系统的相位裕度，从而改善系统的动态响应。
此外，还需要考虑片外电容对LDO系统的稳定性和瞬态响应的影响。
片外电容的数值和类型选择不当，可能会导致系统的稳定性下降，甚至引起振荡。
因此，在实际应用中，需要结合LDO的数据手册和设计指南，合理选择片外电容的数值和类型，以确保系统稳定性和动态响应性能。
总的来说，片外电容在LDO中起着重要的补偿作用，可以提高系统的稳定性和动态响应。
合理选择片外电容的数值和类型，是保证LDO系统正常工作的关键之一。
在实际设计中，需要仔细考虑片外电容的影响，从多个角度全面评估系统的稳定性和动态响应性能。
一种应用于基准的双向修调电路
一种应用于基准的双向修调电路蔡良伟;李文静;邓小莺;罗尧宇【摘要】本文设计了一款双向修调电路,应用于高精度的LDO内部电压基准.突破常规的单向电阻修调方式,采用MOS开关控制的双向电阻实现双方向修调,能够很好地抵消生产工艺带来的正负偏差.基于0.35umCMOS工艺下,采用Ca-dence spectre进行后仿真,结果显示,修调前最差工艺角下的偏差高达-5％～+7％,在不增加额外功耗修调后的误差仅在±2％以内,性能显著.【期刊名称】《电脑与电信》【年(卷),期】2018(000)003【总页数】5页(P24-27,33)【关键词】带隙基准;双向修调;模拟电路【作者】蔡良伟;李文静;邓小莺;罗尧宇【作者单位】深圳大学信息工程学院,广东深圳 518000;深圳大学信息工程学院,广东深圳 518000;深圳大学信息工程学院,广东深圳 518000;深圳市国微电子有限公司,广东深圳 518000【正文语种】中文【中图分类】TN791 引言因为集成电路生产过程中必然存在工艺偏差，所以在设计电路时必须考虑预留适当的裕量。
不同的工艺角差别巨大。
譬如，不同的温度下SS和FF工艺角的差异就足以引起重视。
尤其是电阻的生产误差有可能达到10%～20%，如此大的偏差对于一些精度要求很高的电路模块是不可接受的，比如模拟电路中为其它模块提供标准电压的基准电路，它的精度直接影响电路性能的好坏，甚至功能的实现与否。
通过进行结构改进或者留有足够大的裕量是可以达到足够的精度的，但是结构改进有可能带来庞大复杂的电路和未经验证的风险，而留有太多的裕量又会对设计难度提出严峻的挑战。
相比之下，生产后修调显示出了巨大的优势，为产品的批量生产、降低成本提供了新的方案。
为了确保电路达到足够的精度，目前芯片出厂前对电阻进行微调是减小生产误差比较常规的做法。
修调的方法多种多样，有内嵌式非挥发性储存单元修调、激光修调、熔丝修调、齐纳二极管修调等。
ldo稳压芯片工作原理
ldo稳压芯片工作原理# LDO稳压芯片的工作原理LDO（Low-Dropout）稳压芯片是一种用于电源管理的集成电路，广泛应用于各种电子设备中。
LDO稳压芯片的主要功能是在输入电压波动的情况下，为负载提供稳定的输出电压。
本文将介绍LDO稳压芯片的工作原理。
LDO稳压芯片由输入级、控制级和输出级组成，每个级别都有特定的功能。
## 输入级输入级主要负责接收来自电源的输入电压。
一般情况下，输入级包括一个输入引脚和一个输入引脚。
输入电压通过输入引脚传入LDO稳压芯片。
## 控制级控制级是LDO稳压芯片中最关键的部分，它负责监测输入电压并相应地调节输出电压。
控制级由参考电压源、误差放大器、电流限制器和反馈回路组成。
- 参考电压源：参考电压源提供一个稳定的参考电压，用于比较输入电压和所需输出电压之间的差异。
- 误差放大器：误差放大器比较输入电压和参考电压之间的差值，并根据差值的大小来控制下一级的输出。
- 电流限制器：电流限制器用于限制输出电流，以保护LDO稳压芯片和负载免受过流的损害。
- 反馈回路：反馈回路将输出电压与参考电压进行比较，并根据差值来调节控制级的输出。
## 输出级输出级的主要功能是将控制级产生的稳定输出电压传送到负载。
输出级由PN 结、电流源和输出引脚组成。
- PN结：PN结起到电压降压的作用。
通过调整PN结的导通和截止，稳压芯片可以将输入电压降低到所需的输出电压。
- 电流源：电流源为PN结提供所需的稳定工作电流。
- 输出引脚：输出引脚是连接到负载的端口，将稳定的输出电压传送给负载。
LDO稳压芯片根据输入电压波动的大小和负载的变动程度，通过控制级对输出电压进行调节，以保持稳定输出电压。
当输入电压波动时，控制级会监测并相应调整PN结的导通和截止程度，以保持输出电压的稳定性。
总结起来，LDO稳压芯片通过输入级接收输入电压，控制级对输入电压进行监测和调节，并通过输出级将稳定的输出电压传送给负载。
这种工作原理使得LDO稳压芯片成为电子设备中不可或缺的关键元件。
LDO原理以及参数介绍
LDO原理以及参数介绍LDO(Low Drop-Out)电压调节器是一种常见的电源管理器件，用于将高电压转换为较低稳定的电压。
其工作原理基于负反馈调节电路，通过反馈控制电路的输出电压，以实现对输入电压的稳定调节。
LDO电压调节器主要由三个关键部分组成：参考电压源、错误放大器和功率驱动器。
1.参考电压源：参考电压源是一个稳定的电压源，它提供一个基准电压用于与输出电压进行比较。
常见的参考电压源使用电流源和电阻分压网络。
2.错误放大器：错误放大器是一个比较器，其将输出电压与参考电压进行比较，并产生一个错误信号。
当输出电压低于参考电压时，错误放大器输出一个高电平信号，反之输出一个低电平信号。
3.功率驱动器：功率驱动器是一个输出级别的放大器，它根据错误放大器的输出来调整输出电压。
当输出电压低于参考电压时，功率驱动器提供更多的能量来提高输出电压，当输出电压高于参考电压时，功率驱动器减少输出电流以降低输出电压。
LDO参数介绍：1.输出电压(Vo)：输出电压是LDO电压调节器能提供的稳定输出电压。
2.输入电压(Vi)：输入电压是供给LDO电压调节器的电压。
输入电压需要高于输出电压，以确保LDO电压调节器正常工作。
3.输出电流(Io)：输出电流是LDO电压调节器能持续提供的最大电流。
超过这个电流将导致输出电压下降或者整个电路失效。
4.线性调整率：线性调整率是指当输入电压或输出电流发生变化时，LDO电压调节器的输出电压如何响应。
高线性调整率表示LDO电压调节器能更好地适应变化。
5.输出噪声：输出噪声是指LDO电压调节器输出电压中的杂散噪声。
输出噪声过大会对其他电路产生干扰。
6.负载调整率：负载调整率是指当负载电流发生变化时，LDO电压调节器输出电压的变化程度。
低负载调整率意味着LDO电压调节器能更好地适应负载变化。
7.失效电流：失效电流是指在LDO电压调节器不工作时，其自身运行需要的电流。
较低的失效电流意味着会降低整体功耗。
一种低功耗宽频带LDO线性稳压电路设计
摘要 ： 设计 了一种 用 Ｈ ＮＣ ０３ ｍ Ｃ 艺 实现的 Ｌ０线性稳压 器， 该 Ｌ０ 一款 低功耗 ， 宽大的 Ｈ Ｅ ． ５ ＢＤ工 Ｄ Ｄ是 带
低压差 线性稳压 器。 对其 结构和工作 原理进行 分析 ，讨论 了关键 电路 的设计 ，模 拟结 果验 证 了设 计的
正确性 。
关键词 ： 线性稳压 器； 低功耗 ； 宽带
（ ｃｏｌ ｆ ｈ ｓ ｓ ｎ ｌ ｔ ｎｃ ｅｈ ｏ ｇ， ｕ ｅ Ｕ ｉ ｒ ｔ， ｈ ｎ４ ０ ６ ， ｈｎ ） Ｓｈ ｏ ｏ ｙｉ ｄＥ ｅ ｒ ｉ Ｔ ｃ ｎｌ ｙ Ｈ ｂ ｉ ｎｖ ｓｙ Ｗｕ ａ ３ ０ ２ Ｃ ｉａ Ｐ ｃａ ｃｏ ｏ ｅｉ
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LDO的工作原理详细分析
在NPN稳压器（图1：NPN稳压器内部结构
框图）的内部使用一个 PNP管来驱动 NPN 达林顿管（NPN Darlington pass transistor），输入输出之间存在至少1.5V～2.5V的压差（dropout voltage）。这个压差
关键词： LDO 工作原理
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图7 负反馈与源（Source）的极性相反，它总会阻止输出的任何变化。也就是说，如果输出 电压想要变高（或变低），负反馈回路总会阻止，强制其回到正常值。
国产ldo芯片
国产ldo芯片LDO芯片，即低压差线性稳压器芯片（Low Dropout Linear Regulator），是一种能够将高压电源输出为稳定的低压电源的集成电路。
国产LDO芯片是指由国内企业自主研发生产的LDO芯片。
下文将从国产LDO芯片的特点和应用领域两个方面进行详细介绍。
国产LDO芯片的特点主要包括以下几点：1. 自主知识产权：国产LDO芯片具有自主知识产权，能够满足国内市场的需求，提供稳定可靠的电源供应。
这在一定程度上减少了对国外芯片的依赖，提高了国内集成电路产业的竞争力。
2. 高稳定性和低噪声：国产LDO芯片在设计上采用了先进的技术和工艺，具有高稳定性和低噪声的特点。
这使得它们在各种工业控制和通信设备中得到广泛应用，能够提供稳定可靠的电源供应。
3. 宽电压范围：国产LDO芯片的输入电压范围一般是2.5V至18V，输出电压范围一般在0.8V至5V之间。
这使得它们能够适应不同的电源供应需求，具有很高的灵活性。
4. 低功耗和高效率：国产LDO芯片在设计上注重降低功耗和提高效率，能够有效减少系统的能耗，延长电池寿命。
这对于一些低功耗的移动设备和便携式电子产品来说尤为重要。
国产LDO芯片的应用领域主要包括以下几个方面：1. 通信设备：国产LDO芯片被广泛应用于各种通信设备，如手机、无线路由器、基站等。
它们能够提供稳定的供电，保证通信信号的质量和可靠性。
2. 工业自动化：国产LDO芯片在工业自动化领域的应用也非常广泛。
它们可以提供稳定的电源供应，确保工业设备的正常运行。
同时，低噪声和高稳定性的特点也使得它们在数据采集和传输过程中起到了重要作用。
3. 汽车电子：随着汽车电子技术的不断发展，LDO芯片在汽车电子领域的应用也越来越广泛。
国产LDO芯片能够满足汽车电子产品对电源供应的高要求，提供稳定可靠的电源。
4. 医疗设备：医疗设备对电源供应的要求非常高，需要具备高稳定性和低噪声的电源。
国产LDO芯片能够满足这些要求，广泛应用于医疗设备领域。
ldo芯片
ldo芯片LDO芯片，即低压差线性稳压器芯片（Low Dropout Regulator），是一种用于提供稳定、可靠的电压输出的集成电路。
LDO芯片的主要作用是将输入电压转换为目标输出电压，并且在输入电压发生波动时能够保持输出电压的稳定性。
LDO芯片相对于传统的线性稳压器芯片具有较低的压差，这也是其名称的由来。
传统的线性稳压器芯片的输入输出电压差需要较大，而LDO芯片的输入输出电压差可以较小，甚至可以接近零。
这也意味着LDO芯片可以将较高的输入电压转换为较低的输出电压，从而提供给负载器件。
LDO芯片的工作原理是通过内部的反馈电路来调整输出电压。
当输入电压发生波动时，反馈电路会立即检测到并且通过内部的控制电路进行调整，以保持输出电压的稳定性。
这种工作原理使得LDO芯片能够在输入电压波动较大的情况下，仍然能够提供稳定的输出电压。
LDO芯片的特点有以下几个方面：1. 低压差：相对于传统的线性稳压器芯片，LDO芯片的输入输出电压差较小，这可以降低功耗并提高效率。
2. 稳定性：LDO芯片能够在输入电压波动较大的情况下，保持输出电压的稳定性，从而保护负载器件免受电压波动的干扰。
3. 快速响应：LDO芯片能够快速检测输入电压的波动并做出相应的调整，以保持输出电压的稳定性。
4. 低噪声：LDO芯片内部的控制电路设计得较为优化，可以降低输出电压的噪声水平，提高系统的信噪比。
5. 小尺寸：LDO芯片通常采用了集成化的设计，使得其尺寸较小，能够方便地集成到各种电子设备中。
LDO芯片在很多领域都有广泛的应用，例如移动通信设备、消费电子产品、工业自动化设备等。
由于LDO芯片具有低噪声、小尺寸等特点，因此在对高稳定性要求较高的应用中经常被使用。
此外，LDO芯片还可以提供给各种负载电路所需的不同电压，满足不同电路的需求。
总之，LDO芯片作为一种集成电路，具有低压差、稳定性高、响应快等特点。
在电子设备中发挥着重要的作用，为各种负载器件提供稳定、可靠的电压输出。
一种适用于移动芯片的低功耗低温漂LDO电路
一种适用于移动芯片的低功耗低温漂LDO电路陈迪平;应韬;董刚【摘要】针对移动设备低功耗的要求 ,基于GSMC 0 .18 μm CMOS集成电路工艺 ,设计了一种新型无片外电容低压差线性稳压电路 .在传统结构的基础上 ,用经温度补偿的恒流源替代反馈电阻 ,并将此恒流源作为基准电压源电路及误差放大器偏置参考电流 ,降低了静态功耗 ,同时对输出电压实现了温度补偿且可调 .结果表明 ,在2 .85~ 4 .00 V工作电压范围内 ,空载时静态电流仅为5 .486 μA ;在 -40~ 85℃工作温度范围内 ,输出电压温漂为9 .772× 10 -6/℃;电路版图面积仅为0 .12mm× 0 .09 mm .【期刊名称】《西安电子科技大学学报（自然科学版）》【年(卷),期】2018(045)006【总页数】6页(P57-62)【关键词】低压差线性稳压器;低功耗;低温度系数;温度补偿【作者】陈迪平;应韬;董刚【作者单位】湖南大学物理与微电子科学学院 ,湖南长沙410082;湖南大学物理与微电子科学学院 ,湖南长沙410082;湖南大学物理与微电子科学学院 ,湖南长沙410082【正文语种】中文【中图分类】TN432高效的电源管理在有限能耗的移动设备中越来越重要[1]．低压差线性稳压器(Low DropOut regulator， LDO)因响应速度快、噪声低、电路结构简单及外围器件少等特点，逐渐被集成于片上系统中[2-5]．针对不同电压需求的各噪声敏感模块，分别被优化设计提供纯净的电源，可改善系统的整体性能．为了降低移动设备在睡眠等工作模式下的功耗，延长待机时间，需降低空载时静态电流以改善其电流效率[6]．低压差线性稳压器输出电压的稳定度受多种因素叠加影响，其中工作温度的变化对误差放大器输出电压稳定度和基准电压的影响最大[7-8]．图1 传统低压差线性稳压器电路结构基于传统低压差线性稳压器电路，笔者提出了一种适用于移动设备芯片的新型低压差线性稳压器电路．将传统低压差线性稳压器反馈网络中的一个反馈电阻替换成经过一阶温度补偿的恒流源，同时将其作为基准电压源电路和误差放大器的偏置参考电流，从而减少了额外的电流支路，降低了该低压差线性稳压器电路的静态功耗．该低压差线性稳压器电路输出电压采用一阶温度补偿措施，降低了其输出电压对温度的敏感性，实现了低温漂系数设计．1 传统低压差线性稳压器电路分析传统低压差线性稳压器的电路结构如图1所示，主要包括误差放大器、调整管、反馈电阻网络和基准电压源4个部分[9]．低压差线性稳压器是一个闭环电压负反馈系统，通过反馈作用将输出电压稳定．正常工作时输出电压为Vout=Vref(1+R1/R2) ．(1)低压差线性稳压器电路性能指标按性质分为3类: 静态参数．线性调整率、负载调整率、静态电流、电压精度、温度系数．动态参数．线性瞬态响应、负载瞬态响应．高频参数．电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio， PSRR)、输出噪声．如图1所示，在传统低压差线性稳压器电路中，误差放大器和基准电压源电路的偏置电路多为单独提供．对于低功耗低压差线性稳压器电路，尽量减小偏置电流至关重要，但通常直接减小偏置电流会减小环路带宽，恶化瞬态响应[10]．此外，对温度敏感的误差放大器失调电压Vos会对输出电压Vout产生影响:Vout=(Vref+Vos) (1+R1/R2) ．(2)若R1、R2使用相同类型的电阻，则它们的温度特性相同，比值为与温度无关的常数．据式(2)可得输出电压温度系数TC为(3)根据式(3)，Vref和Vos的温度特性直接被放大为Vout的温度特性．此外，传统低压差线性稳压器结构输出电压Vout受多种因素影响，包括输入电源电压对其影响(ΔVLR)，负载对其影响(ΔVLDR)，基准电压对其影响(ΔVo，ref)，误差放大器对其影响(ΔVo，a)，反馈电阻对其影响(ΔVo，r)和温度系数对其影响(ΔVTC)等．其中，ΔVo，ref和ΔVo，a对Vout的影响最大．低压差线性稳压器的输出精度为[7]% ．(4)图2 新型低压差线性稳压器电路结构2 新型低压差线性稳压器电路设计2.1 低功耗优化设计笔者设计的新型低压差线性稳压器的电路结构如图2所示．采用恒流源IL代替传统低压差线性稳压器电路中的反馈电阻R2，同时将该电流映射到误差放大器和基准电压源电路，作为其偏置参考电流，减少额外电流支路，以达到降低静态功耗、提高电流效率的目的．图3 恒流源IL电路基于上述结构设计，恒流源IL(图3所示)采用温度补偿结构予以实现: 由正温度系数电流(Proportional To Absolute Temperature， PTAT)和负温度系数电流(Negative To Absolute Temperature， NTAT)两部分构成．M1和M2管工作于弱反型区，弱反型区金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor，MOS)管电流为[11](5)其中，参数n定义为(1+Cdep/Cox)，Cox为栅氧层单位电容，Cdep为沟道耗尽层单位电容，n值在1.2～1.5之间，取决于沟道耗尽层的厚度，且与偏置电压相关．M1和M2的宽长比为M，其余对管宽长比均相同，因此，流过电阻Rp的电流Ip为据式(6)，电流Ip大小只与参数n、电阻Rp、温度电压VT以及两管比例M相关，而与电压无关．在正温度系数电流电路中引出电压端VBU和VBD，将电流Ip映射到误差放大器和基准电压源电路中分别作为其偏置参考电流．电流Ip为基准电压源电路所需的正温度系数电流，在电路实现中合理设计环路相位裕度和带宽等参数，并留有一定的设计裕度，则复用偏置电流不会对误差放大器偏置电路产生负面影响．负温度系数电流基于二极管方式连接的PNP管Q1产生，如图3所示，流过电阻Rn的电流In约为(7)据式(7)，电流In的大小与电压无关，电阻Rn决定了电流In的大小．根据式(6)和式(7)，将两部分电流相加可得到电流IL:(8)因此，该新型低压差线性稳压器的输出电压为(9)2.2 低温漂系数设计考虑误差放大器失调电压Vos后的低压差线性稳压器输出电压为(10)由式(10)，可得低压差线性稳压器输出电压温度系数为(11)式(10)中第3项为正值，第4项为负值，可通过相关参数的合理设计使这两项互相抵消，则与式(3)相比，低压差线性稳压器输出电压的温度系数将有效减小．因此，令上式后两项之和为零，可得(12)则(13)图4 笔者设计的低压差线性稳压器整体电路图通过仿真扫描可得到∂VBE1/∂T的值．根据式(13)设计电阻比值，可实现温度补偿．与传统低压差线性稳压器相比，笔者所设计的新型低压差线性稳压器电路在满足式(13)的条件下，可有效地降低输出电压的温度敏感性，提高输出的稳定度．2.3 整体电路设计笔者设计的新型低压差线性稳压器整体电路如图4所示，M3～M9、Rv和Q2构成带隙电压基准．在实现中，从正温度系数电流部分N倍比例映射正温度系数电流，与Q2产生的负温度系数电流进行温度补偿，温度补偿后的电流在电阻Rv上生成基准电压Vref[12]:(14)选择合适的N、n、M和电阻比值，可获得接近零温度系数的Vref．针对不同的负载电容，低压差线性稳压器环路频率补偿方式是不尽相同的．对于笔者的设计，因无片外大电容负载，为避免环路主极点随负载电容的变化而变化，采用密勒补偿方式实现电路的稳定性设计．将低频主极点放在误差放大器输出端，使低压差线性稳压器输出节点产生的极点成为次极点，以降低负载变化对环路稳定性的影响．在实现中，增加误差放大器增益可减小负载调整率，但此举会影响闭环稳定性，需折中考虑．传统结构中误差放大器和基准电压源电路有限的电源抑制比会限制低压差线性稳压器电路低频处的电源抑制比，调整管有限的阻抗也会限制低压差线性稳压器的电源抑制比，而提高误差放大器增益和环路带宽可以有效地改善电源的抑制比．笔者的设计为移动设备芯片提供电源管理，输出精度及负载能力要求不高，故采用M10～M15构成的单级误差放大器，尾电流源为共源共栅结构，直接从正温度系数电流部分比例映射获取．此举可简化频率补偿方案，降低电路成本．仿真分析表明，此设计可满足实际应用场合的要求．根据功耗和面积限定，由式(6)设定电流Ip为400 nA，n取1.45，M取8，则Rp=n(kT/q) ln M/Ip≈196 kΩ ．(15)Q1和Q2采用不同尺寸的晶体管予以实现．对温度仿真扫描，可得∂VBE1/ ∂T 约为 -2.8 mV/℃，∂VBE2/ ∂T约为 -1.6 mV/℃，由式(12)得Rn≈ 2.1 MΩ; 折中考虑功耗和电阻Rv的大小，式(14)中N取4，将其对温度求导并令其为0，可得Rv≈ 300 kΩ．再根据具体仿真情况适当调整电阻值．在实际电路实现时，电阻Rn、Rp、R1和Rv均加入可控电阻阵列以便于修调．图5 笔者设计的低压差线性稳压器电路版图设计3 电路版图设计及仿真结果分析基于上海宏力半导体有限公司(Grace Semiconductor Manufacturing Corporation，GSMC) 0.18 μm 互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)工艺，并利用Cadence软件完成了电路和版图设计，利用Spectre、Virtuoso等工具进行了仿真分析．图5中的黑色虚线区域所示为该低压差线性稳压器的电路版图设计，其面积为0.12 mm× 0.09 mm．该电路用于芯片内部模块的供电，其输入电源电压为 3.3 V，输出电压为 1.8 V．因负载驱动要求不高，故P沟道金属氧化物半导体(P-channel Metal Oxide Semiconductor，PMOS)调整管尺寸较小，最大负载电流为 7 mA，满足负载要求．如图6所示，其负载调整率为 0.51 mV/ mA，满足应用要求；在 2.85 ～4.00 V 的输入电压范围内，其线性调整率约 1.437 mV/V; 输出电压精度约为0.25%．如图7所示，负载电流在 0～7 mA 的范围内，该低压差线性稳压器电路包括基准电压源在内的总静态电流基本保持不变，约5.486 μA．图8 Vout和Vref的温度敏感性曲线如图8所示，在TT工艺角下，对该低压差线性稳压器输出电压Vout和基准电压Vref进行DC温度扫描，扫描范围为 -40～85℃，输出电压与基准电压随温度的变化趋势基本保持一致，其温漂系数仅为9.772× 10-6/℃，满足设计要求．在无片外电容的情况下，当负载电流为10 μA、100 μA和1 mA时，相裕度依次为66.0°、76.5°和87.5°; 在最大负载电流情况下，电源抑制比约为 -49.7 (100 kHz 条件下)．此新型低压差线性稳压器电路在不同设计要求下可达到不同性能，取决于面积、功耗和负载驱动能力等指标的折中．如采用高阻值电阻，可降低功耗; 使用大尺寸调整管，可增强负载能力; 采用经更高阶温度补偿的恒流源，则温漂更小．所设计的低压差线性稳压器电路应用于一款移动设备芯片，其电源供电电压要求为 3.1～3.5 V，低压差线性稳压器工作电压范围将其完全覆盖．笔者设计的新型低压差线性稳压器电路的部分性能指标与已发表文献所提结构的对比分析如表1所示，据此可以看出，在相近工艺和面积条件约束下，笔者设计的新型低压差线性稳压器电路对于空载时静态电流这一指标具有较大改进，约为文献[1]中低压差线性稳压器静态电流的 1/10，较另外几篇文献也具备明显的优势．该新型低压差线性稳压器电路静态电流包括基准电压源电路电流在内，而其他几种设计并不包括．同时，文献[7]中低压差线性稳压器输出电压的温漂系数为2.260× 10-5/℃，文献[9] 中低压差线性稳压器温漂系数低于4.500× 10-5/℃，而笔者设计的低压差线性稳压器温漂系数为9.772× 10-6/℃，相比之下具有较大优势．综合衡量，笔者设计的低压差线性稳压器电路在降低功耗的条件下仍具有良好的整体性能，满足设计要求．表1 本设计与参考文献部分性能指标对比参数文献[1]文献[2]文献[3]文献[6]文献[9]笔者设计的工艺/μm0.1300.0900.0650.3500.0900.180芯片面积/mm20.049000.002740.013300.264000.019000.01080空载时静态电流/μA50.009.3015.9020.008.005.49线性调整率/(mV·V-1)26.00014.0004.0002.0003.7801.437电源抑制比/dB-60.0(100kHz)-54.0(100kHz)-51.0(1kHz)-45.0(20kHz)-44.0(1kHz)-49.7(100kHz)4 总结基于传统低压差线性稳压器结构，笔者采取复用偏置电流、引入经温度补偿的恒流源等措施，设计了一种适用于片内集成的新型无片外电容低压差线性稳压器电路，有效地降低了电路功耗，减小了输出电压的温度系数，提高了输出电压的稳定度．仿真基于GSMC 0.18 μm CMOS工艺，验证了电路结构的正确性和有效性，结果表明该低压差线性稳压器电路在 2.85～ 4.00 V 工作电压范围内，空载时包括基准电压源电路在内的总静态电流仅为5.486 μA，在 -40～85℃工作温度范围内，输出电压温漂仅为9.772× 10-6/℃，达到了低功耗和低温漂的要求．参考文献：【相关文献】[1] EL-NOZAHI M, AMER A, TORRES J, et al. High PSR Low Drop-out Regulator with Feed-forward Ripple Cancellation Technique[J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2010, 45(3): 565-577.[2] HO M, LEUNG K N, MAK K L. A Low-power Fast-transient 90-nm Low-dropout Regulator with Multiple Small-gain Stages[J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2010,45(11): 2466-2475.[3] TAN X L. A LDO Regulator with Weighted Current Feedback Technique for 0. 47nF-10nF Capacitive Load[J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2014, 49(11): 2658-2672.[4] SHIRMOHAMMADLI V, SABERKARI A, MARTNEZ-GARCA H, et al. An Output-capacitorless FVF-based Low-dropout Regulator for Power ManagementApplications[C]//Proceedings of the 2016 IEEE 14th International Conference on IndustrialInformatics. Piscataway: IEEE, 2017: 258-263.[5] FAN S Q, LI H Q, GUO Z Q, et al. A 5. 2 μA Quiescent Current LDO Regulator with High Stability and Wide Load Range for CZT Detectors[J]. IEEE Transactions on Nuclear Science, 2017, 64(4): 1087-1094.[6] AL-SHYOUKH M, LEE H, PEREZ R. A Transient-enhanced Low-quiescent Current Low-dropout Regulator with Buffer Impedance Attenuation[J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2007, 42(8): 1732-1742.[7] 封鲁平. 一种大电流、高稳定性的LDO线性稳压器的研究与设计[D]. 电子科技大学, 2010:10-14.[8] MAGOD R, SUDA N, IVANOV V, et al. A Low-noise Output Capacitorless Low-dropout Regulator with a Switched-RC Bandgap Reference[J]. IEEE Transactions on Power Electronics, 2017, 32(4): 2856-2864.[9] PENG S Y, LIU L H, CHANG P K, et al. A Power-efficient Reconfigurable Output-capacitor-less Low-drop-out Regulator for Low-power Analog Sensing Front-end[J]. IEEE Transactions on Circuits & Systems I: Regular Papers, 2017, 64(6): 1318-1327.[10] GUO J P, LEUNG K N. A 6-μW Chip-area-efficient Output-capacitorless LDO in 90-nm CMOS Technology[J]. IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2010, 45(9): 1896-1905. [11] 王玉伟, 张鸿, 张瑞智. 一种超低功耗的低电压全金属氧化物半导体基准电压源[J]. 西安交通大学学报, 2017, 51(8): 47-52.WANG Yuwei, ZHANG Hong, ZHANG Ruizhi. A Low-voltage All-metal Oxide Semiconductor Voltage Reference with Ultra-low Power[J]. Journal of Xi’an Jiaotong University, 2017, 51(8): 47-52.[12] 李娅妮, 孙亚东, 王旭. 一种低失调高PSRR的带隙基准电路[J]. 西安电子科技大学学报, 2017, 44(5): 92-96.LI Yani, SUN Yadong, WANG Xu. Low-offset High-PSRR Bandgap Voltage Reference[J]. Journal of Xidian University, 2017, 44(5): 92-96.。
ldo 原理 cmos
ldo 原理 cmos
LDO（低压差线性稳压器）是一种常见的电压稳压器，它的原理是利用负反馈控制电路来维持输出电压稳定。
CMOS（互补金属氧化物半导体）是一种集成电路制造技术，常用于制造集成电路。
下面我将从LDO和CMOS的原理分别进行解释。
首先，LDO的原理是利用反馈控制来维持输出电压稳定。
当输入电压变化时，LDO通过反馈控制电路来调整输出电压，以确保输出电压维持在设定的数值。
LDO通常包括一个误差放大器、一个功率晶体管和一个电压参考源。
误差放大器检测输出电压与设定值之间的差异，并将这个差异信号传递给功率晶体管，从而调整输出电压。
这种负反馈控制使得LDO能够在输入电压波动时保持输出电压稳定。
其次，CMOS是一种集成电路制造技术，它使用互补的n型和p 型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）来实现逻辑功能和模拟电路。
CMOS技术具有低功耗、高集成度和抗干扰能力强的特点，因此被广泛应用于集成电路的制造。
CMOS技术的核心是利用n型和p型MOSFET的互补特性来实现逻辑门和存储单元，从而构成复杂的数字电路和模拟电路。
综上所述，LDO利用负反馈控制来维持输出电压稳定，而CMOS 是一种集成电路制造技术，利用n型和p型MOSFET的互补特性来实现逻辑功能和模拟电路。
这两者在电子领域都有着重要的应用，对于电路设计和集成电路制造都具有重要意义。
LDO低压差线性稳压器-知识总结
LDO一 .LDO 的基本介绍，意为低压差线性稳压器，是相对于传统的 low dropout regulatorLDO 是系列的芯片都要求输入电压要 78xx 线性稳压器来说的。
传统的线性稳压器，如这样的但是在一些情况下，以上，否则就不能正常工作。
2v~3V 比输出电压高出，显然是不满 1.7v3.3v, 输入与输出的压差只有条件显然是太苛刻了，如 5v 转类的电源转换芯片。
足条件的。
针对这种情况，才有了 LDO，FETLDO 是一种线性稳压器。
线性稳压器使用在其线性区域内运行的晶体管或从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。
所谓压降电压，是之内所需的输入电压与输出电压差100mV 指稳压器将输出电压维持在其额定值上下（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递LDO 额的最小值。
正输出电压的。
这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，PNP 设备）作为复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降左右；与之相比，使用200mVNPN 通常为LDO 的LDO 使用NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出为2V 左右。
负输出PNP 设备类似。
功率功率晶体管，它能够提供最低的压降电压。
使用更新的发展使用MOS 电阻造成的。
如果负ON MOS ，通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。
DC-DC勺意思是直流变（到）直流（不同直流电源值的转换），只要符合这个定义都可以叫DCDC专换器，包括LDO但是一般的说法是把直流变（到）直流由开关方式实现的器件叫 DCDCLDO是低压降的意思，这有一段说明：低压降（LDO线性稳压器的成本低，噪音低，静态电流小，这些是它的突出优点。
它需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容。
新的LDO线性稳压器可达到以下指标：输出噪声30卩V, PSRR 为60dB,静态电流6卩A（TI 的TPS78001达到lq=0.5uA ），电压降只有100mV（TI 量产了号称0.1mV的LDO> LDO线性稳压器的性能之所以能够达到这个水平，主要原因在于其中的调整管是用 P沟道MOSFET而普通的线性稳压器是使用 PNP 晶体管。
cmos-ldo原理
cmos-ldo原理
CMOS-LDO（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Low Dropout）是一种低压差稳压器，它通过使用CMOS技术来实现。
CMOS-LDO的原理涉及到几个重要的方面，包括CMOS技术、低压差稳压器原理以及CMOS-LDO的工作原理。
首先，CMOS技术是一种集成电路制造技术，它使用互补型金属氧化物半导体（CMOS）技术来制造集成电路。
CMOS技术的主要特点是低功耗和高集成度，这使得CMOS-LDO可以实现在小尺寸芯片上。
其次，低压差稳压器（LDO）是一种电压稳定器，它可以在输入电压与输出电压之间的压差很小时仍能正常工作。
LDO通常由电源管、误差放大器、参考电压源和反馈网络等部分组成。
通过控制电源管的导通电阻，LDO可以实现对输出电压的稳定控制。
最后，CMOS-LDO的工作原理是利用CMOS技术制造出的电路来实现低压差稳压器功能。
CMOS-LDO通常采用PMOS和NMOS管来构成电源管，利用CMOS工艺的优势来降低功耗和提高集成度。
在CMOS-LDO中，误差放大器和反馈网络负责监测输出电压，并通过控制电源管来调节输出电压，以实现稳定的输出。
总的来说，CMOS-LDO的原理涉及到CMOS技术、低压差稳压器原理和CMOS-LDO的工作原理。
通过充分利用CMOS技术的优势，CMOS-LDO可以实现在小尺寸芯片上高效稳定地输出所需的电压。
希望这个回答能够对你有所帮助。
高压差低功耗小电流ldo芯片
高压差低功耗小电流ldo芯片
LDO（Low Dropout Regulator）芯片是一种常见的集成电路，其作
用是将高输入电压稳定地降至较低电压输出，它广泛应用于各种数字
电子产品中。
高压差低功耗小电流LDO芯片是一种具有很高效率的芯片，它的主要特点是低功耗和低电流。
对于现代电子设备而言，如何更好的实现低功耗、低电流和高效率是
制造商所追求的目标。
高压差低功耗小电流LDO芯片，由于其低功耗和低电流的特性而备受青睐。
这种芯片可在高压差的输入和低负载电
流的情况下，仅仅进行微小的电压调节，从而达到降低功耗、提高效
率的效果。
高压差低功耗小电流LDO芯片的另一个优势是其高电压差，这使得其适用于一大类电子器件中，包括平板电视、计算机、笔记本电脑等等。
在这些设备中，LDO芯片可以帮助控制电路稳定的运行，使其更加高效。
这种芯片在应用场景中的另一个优势是很小的电流泄露。
LDO芯片所
泄露的电流很小，这使得其被广泛应用于消费电子、智能手表和智能
手机等设备中，这些设备对于功耗和电流的要求都很高。
当然，高压差低功耗小电流LDO芯片虽然非常的高效率，但是在使用过程中需要注意的一点是，其封装形式不同，使用者应根据实际情况选择不同的封装形式进行使用。
综上所述，高压差低功耗小电流LDO芯片低功耗、低电流等优势，使得其在各类电器设备中的应用越来越广泛。
在未来，LDO芯片对于电力管理、电池技术等领域的研究得到进一步提升，其在智能制造、智能交通、智能城市等领域中的应用也将更加重要。
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杨诗 洋 ，陈 岚 ，陈巍 巍 ，陈 丽 ， 龙 爽 ，吕志强
（ 中国科 学 院微 电子研 究 所 北 京 １ ０ ０ ０ ２ ９ ） 摘要 ： 提 出 了 一 种 新 型 可修 调 低 失 调 Ｌ Ｄ Ｏ 电路 。 该 电路 适 于 片 内集 成 应 用 。 现 有 的修 调 方 法 一般 直 接 作 用在 反 馈 网络 中 ． 修 调 电 路 的 自身 失 调 会 造 成 修 调 精 度 损 失 。 本 文提 出一 种 失 调 隔 离模 块 ， 以 大 大 减 小 修 调 电路 引 入 的 误 差 。仿 真 结 果 表 明 ， 在 修 调 电路 发 生 １ ０ ％的 电 流 失 调 时 ， 输 出电压仅 变化 ０ － ３ １ ％， 使 Ｌ Ｄ Ｏ 输 出 电 压 的 修 调 获得 很 好
ＹＡＮＧ Ｓ ｈ ｉ — ｙ ａ ｎ ｇ，Ｃ ＨＥＮ Ｌ ａ ｎ，Ｃ ＨＥ Ｎ Ｗｅ ｉ — ｗｅ ｉ ，Ｃ ＨＥＮ Ｌ ｉ ，Ｌ ＯＮＧ Ｓ ｈ ｕ ａ ｎ ｇ ，Ｌ Ｖ Ｚ ｈ ｉ — ｑ ｉ ａ ｎ ｇ
（ Ｉ ｎ ｓ ｔ ｉ ｔ ｕ ｔ ｅ ｏ ｆＭｉ ｃ ｒ ｏ ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎ ｉ ｃ ｓ ｆＣ ｏ ｈ ｉ ｎ ｅ ｓ ｅ Ａｃ ａ ｄ ｅ ｍ ｙ ｆＳ ｏ ｃ ｉ ｅ ｎ ｃ ｅ ｓ ， Ｂ ｅ ｉ ｊ ｉ ｎ ｇ １ ０ ０ ０ ２ ９ ， Ｃ ｈ ｉ ｎ ａ ）
Ｌ Ｄ Ｏ 线 性 稳 压 器 能 够 通 过 反 馈 调 节 来 保 证 输 出 电 压 的 稳定 性和高精度 ， 适 于 集 成 在 片 内 电 源 管 理 系 统 中Ｉ 】 捌。 由 于 工艺 偏差 和基准 源误差 ， Ｌ Ｄ Ｏ 的输 出 电 压 往 往 偏 离 预 设 值 ，
一
的精 度 ＿ 引 。 图 ２为 修 调 电路 原 理 示 意 图 。 经 过 修 调 的输 出 电压 表 示 为 ：
ａ ｃ ｃ ｕ ｒ ａ ｃ ｙ ｌ ｏ ｓ ｓ ｂ ｙ ｔ ｈ ｅ ｏ ｆ ｆ ｓ ｅ ｔ ｏ ｆ ｔ ｈ ｅ ｔ ｉ ｒ ｍｍｉ ｎ ｇ ｃ ｉ ｒ ｃ ｕ ｉ ｔ ｉ ｔ ｓ ｅ ｌ ｆ ． Ｔ ｈ ｉ ｓ ｐ ａ ｐ ｅ ｒ ｐ ｒ ｏ ｐ ｏ ｓ ｅ ｓ ａ ｎ ｏ ｆ ｆ ｓ ｅ ｔ ｉ ｓ ｏ ｌ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｍｏ ｄ ｕ ｌ ｅ ｔ ｏ ｍｉ ｎ ｉ ｍｉ ｚ ｅ ｔ ｈ ｅ ｅ ｒ ｒ ｏ ｒ ｃ ａ ｕ ｓ ｅ ｄ ｂ ｙ ｔ ｈ ｅ ｔ ｉ ｒ ｍｍｉ ｎ ｇ ｃ ｉ ｒ ｃ ｕ ｉ ｔ ．Ｓ ｉ ｍｕ ｌ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ ｒ ｅ ｓ ｕ ｌ ｔ ｓ ｓ ｈ ｏ ｗ ｓ ｔ ｈ ａ ｔ ｗｉ ｔ ｈ ａ １ ０ ％ ｃ ｕ ｒ ｒ ｅ ｎ ｔ ｏ ｆ ｆ ｓ ｅ ｔ ｉ ｎ ｔ ｈ ｅ ｔ ｉｍｍｉ ｒ ｎ ｇ ｃ ｉ ｒ ｃ ｕ ｉ ｔ ｔ ｈ ｅ ｏ ｕ ｔ ｐ ｕ ｔ
的线性度。 关 键 词 ：Ｌ ＤＯ；线 性 稳 压 器 ；修 调 ；失 调
中图 分 类 号 ： Ｔ Ｎ ４ ７
文献标识码 ： Ａ
文 章 编 号 ：１ ６ ７ ４ — ６ ２ ３ ６ （ ２ ０ １ ４ ） ０ ６ — ０ ０ ７ ７ — ０ ２
Ｔｒ ｉ ｍｍａ ｂ ｌ ｅ ｌ ｏ ｗ ｏ ｆｓ ｅ ｔ ＬＤＯ ｆ ｏ ｒ Ｏ ｉ ｌ ｃ ｈ ｉ ｐ ａ ｐ ｐ ｌ ｉ ｃ ａ ｔ ｉ ｏ ｎ
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Hale Waihona Puke （ ２ ） 般 通 过 修 调 电路 将 输 出 电 压 调 节 到 预 设 值 附 近 。 然 而 由 于
修 调 电路 自身 存 在 非 理 想 因 素 ，在 反 馈 环 路 中 引 入 了 失 调 ，
ｖ ｏ ｌ ｔ ａ ｇ ｅ ｃ ｈ ａ ｎ ｇ ｅ ｓ ｏ ｎ ｌ ｙ ０ ． ３ １ ％ ，ａ ｎ ｄ ａ ｉ ｆ ｎ ｅ ｌ ｉ ｎ ｅ ａ ｉｔ ｒ ｙ ｏ ｆ ｔ ｈ ｅ Ｌ Ｄ Ｏ ｏ ｕ ｔ ｐ ｕ ｔ ｖ ｏ ｌ ｔ ａ ｇ ｅ ｔ ｉ ｒ ｍｍｉ ｎ ｇ ｉ ｓ ｇ ａ ｉ ｎ ｅ ｄ ． Ｋｅ ｙ ｗｏ ｒ ￣： Ｌ ＤＯ ； ｌ ｉ ｎ ｅ ａ ｒ ｒ ｅ ｇ ｕ ｌ ａ ｔ ｏ ｒ ；ｔ ｉｍｍｉ ｒ ｎ ｇ ；ｏ ｆ ｆ ｓ ｅ ｔ
Ａｂ ｓ ｔ ｒ ａ ｃ ｔ ： Ａｎ Ｌ ＤＯ ｌ ｉ ｎ ｅ ａ ｒ ｒ ｅ ｇ ｕ ｌ ａ ｔ ｏ ｒ ｗｉ ｔ ｈ ｔ ｉ ｒ ｍｍｉ ｎ ｇ ｃ ａ ｐ ａ ｂ ｉ ｌ ｉ ｔ ｙ ａ ｎ ｄ ｌ ｏ ｗ ｏ ｆ ｓ ｅ ｔ ｐ ｒ ｏ ｂ ａ ｂ ｉ ｌ ｉ ｔ ｙ ｉ ｓ ｐ ｒ ｅ ｓ ｅ ｎ ｔ ｅ ｄ ，ｗ ｈ ｉ ｃ ｈ ｉ ｓ ｔ ａ ｉ ｌ ｏ ｒ ｅ ｄ ｆ ｏ ｒ Ｓ ＯＣ
第２ ２卷 第 ６期
Ｖｏ １ ． ２ ２ Ｎｏ ． ６
电子设 计 工程
Ｅ ｌ ｅ ｃ ｔ ｒ ｏ ｎ ｉ ｃ Ｄｅ ｓ ｉ ｇ ｎ Ｅｎ ｇ ｉ ｎ ｅ ｅ ｒ ｉ ｎ ｇ
２ ０ １ ４年 ３月
Ｍａ ｒ ． ２ ０ １ ４
适 用亏 片内集成的可修调低 失调 Ｌ Ｄ Ｏ