2014年重庆大学832电子技术一(模拟数字电路)考研真题
(NEW)重庆大学840电路原理一(上册)历年考研真题汇编(含部分答案)
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2016年重庆大学840电路原理一（上册）考研真题
2015年重庆大学840电路原理一（上册）考研真题
2014年重庆大学840电路原理一（上册）考研真题
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2010年重庆大学840电路原理一（上册）考研真题
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2005年重庆大学470电路原理（含积分变换）考研真题（含答案）2004年重庆大学470电路原理（含积分变换）考研真题（含答案）2003年重庆大学470电路原理（含积分变换）考研真题（含答案）2002年重庆大学130电路原理（含积分变换）考研真题
2001年重庆大学436电路原理考研真题2000年重庆大学电路原理考研真题1999年重庆大学电路原理考研真题1998年重庆大学电路原理考研真题
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数字电子技术测试试卷与答案精选全文完整版
可编辑修改精选全文完整版附录D 模拟试卷及参考答案D.1 模拟试卷一、填空（共10小题，每空2分，共40分）1、(8C.4)16 = （ ）10 =（ ）8=（ ）2421BCD 。
2、将160个字符用二进制编码，至少需要（ ）位二进制码。
3、已知F =A(B +C)+A +C ，则其对偶式为（ ）；其反函数为（ ）。
（直接用对偶规则和反演规则）。
4、已知TTL 与非门参数V CC =+5V ，U OH =3.6V ，U OL =0.4V ，U OFF =1.1V ，U ON =1.4V ，高电平输入时的抗干扰容限U NH 为（ ）。
5、连续异或1999个“1”的结果是（ ）。
6、如图D.1所示电路的输出函数F 为（ ）。
（化成最简“与或”式）F图D.1 题一（6）图7、图D.2为三态非门构成的电路，试根据输入条件填写表中的F 栏。
图D.2 题一（7）图表D.1题一（7）真值表D 1EN 1D 2EN 2F8、设计模值为61的自然二进制码计数器、十进制计数器和余3 BCD码计数器分别需要（）级、（）级和（）级触发器。
一个五位二进制加法计数器，由00000状态开始，问经过109个输入脉冲后，此计数器的状态为（）。
9、用（）片1024×4位的RAM可组成8K×8位的RAM，需要增加（）条地址线、（）条数据线。
10、在10位的倒T型电阻网络D/A转换器中，若U REF = ─10V，该D/A转换器能分辨的最小输出电压U LSB=（）mV。
二、选择题（共10小题，每小题2分，共20分）1、有符号位二进制数的补码为（10011），则对应的十进制数为（）。
A、-29B、+13C、-13D、-32、下列说法正确的是（）。
A、n个变量所构成的全部最小项之和恒等于0B、n个变量所构成的全部最大项之和恒等于0C、n个变量所构成的全部最小项之积恒等于1D、n个变量所构成的全部最大项之积恒等于03、下列说法正确的是（）。
(NEW)重庆大学光电工程学院《832电子技术一(含模拟电路、数字电路)》历年考研真题汇编
目 录2002年重庆大学584电子技术（1）（含模拟电路、数字电路）考研真题2003年重庆大学471电子技术（1）考研真题2004年重庆大学474电子技术1（含模拟和数字电子技术）考研真题2005年重庆大学474电子技术1（含模拟和数字电子技术）考研真题2006年重庆大学433电子技术（含模拟电路、数字电路）考研真题2007年重庆大学442电子技术1（含模拟电子技术和数字电子技术）考研真题2008年重庆大学841电子技术1（含模拟电子技术和数字电子技术）考研真题2009年重庆大学841电子技术1（含模拟电子技术和数字电子技术）考研真题2010年重庆大学832电子技术一（含模拟电路、数字电路）考研真题2011年重庆大学832电子技术一（含模拟电路、数字电路）考研真题2012年重庆大学832电子技术一（含模拟电路、数字电路）考研真题2013年重庆大学832电子技术（含模拟电路、数字电路）考研真题2014年重庆大学832电子技术一（含模拟电路、数字电路）考研真题2015年重庆大学832电子技术（含模拟电路、数字电路）考研真题2002年重庆大学584电子技术（1）（含模拟电路、数字电路）考研真题2003年重庆大学471电子技术（1）考研真题一、各三极管3个电极对地电位如图一所示，判断各管所处的状态。
（15分）图题一二、放大电路如图题二所示，已知，，，，，试求：（1）电路的Q点；（2）电压增益、输入电阻及输出电阻；（3）若，求。
（20分）图题二三、分析图题三电路，要求：（20分）1．判断电路的级间反馈的极性及组态；2．说明反馈对电路的输入电阻，输出电阻有何影响（增大或减小）；3．在深度负反馈条件下，推出电流的计算式。
图题三四、在题图四所示电路中，设、为理想运放，、为理想二极管。
（20分）1．写出与的关系式；画出相应的电压传输特性曲线（不考虑运放最大输出电压范围对的限制）；2．若输入电压为正弦波，即，试画出与对应的波形。
2010-2011(一)重庆大学模拟电子技术试卷A(附答案)
重庆大学《模拟电子技术（Ⅱ）》课程试卷A卷B卷2010 ~2011学年 第 1 学期开课学院 光电工程学院 课程号：15012335考试日期： 2010-12-30考试方式：开卷闭卷其他考试时间： 120 分钟题号 一 二 三总分11 12 13 14 15 16 分值 20 10 10 12 12 12 12 12得分一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共10小题，每空2分，共20分)1.欲得到电压－电流转换电路，应在集成运算放大电路中引入( )。
(a) 电压串联负反馈 （b ）电流并联负反馈 （c ）电流串联负反馈 2. 图1为正弦波振荡电路，其反馈电压取自（ ）元件。
(a) L 1 (b) L 2 (c) C 13. 负反馈对放大器的影响是（ ）A 、减少非线性失真B 、增大放大倍数C 、收窄通频带图1 图24. 图2为单相桥式整流滤波电路，u 1为正弦波，有效值为U 1=20V ，f=50H Z 。
若实际测得其输出电压为28.28V ，这是由于（ ）的结果。
(a) C 开路 (b) R L 开路(c)C 的容量过小5. 图3为（ ）功率放大电路。
(a)甲乙类OCL (b)乙类OTL (c)甲乙类OTL6. 共模抑制比K CMR 是（ ）之比。
(a)输入量中的差模信号与共模信号 (b)输出量中的差模信号与共模信号 (c)差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）。
7. PNP 管工作在饱和状态时，应使发射结正向偏置，集电结（ ）偏置。
(a ）正向 (b) 反向 (c) 零向8.如图4电路，设二极管为理想元件，则电压U AB 为（ ）V 。
(a) 0 (b) 5 (c)-8图3 图49.抑制频率为100kHz 以上的高频干扰，应采用（ ）滤波电路。
(a)低通 (b)带通 (c)带阻10. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管是( ) 。
(a) 结型管 (b) 增强型MOS 管 (c) 耗尽型MOS 管二、判断下列说法是否正确，凡对者打“ √ ”，错者打“ × ” (每小题2分，共10分) 1.一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。
2012年重庆大学832电子技术一(含模拟电路、数字电路)考研真题【圣才出品】
2012年重庆大学832电子技术一（含模拟电路、数字电路）考研真题模拟电子技术部分（75分）一、简要分析题（每题5分）1．判断图1-1电路中各个二极管的导通状态，并求出输出电压值。
图1-12．请标示出图1-2中的理想运放的输出电压的大小。
图1-23．请指出图1-3中的电路是何种电路，要实现该电路，说明R1与R2的关系。
图1-3二、请对图中的电路做以下分析（10分）：设Q1的参数UBEQ、β和为已知，请作出电路的直流、交流通路图；写出Q1的IcQ和UCEQ的表达式；写出电路的Ri、Ro的表达式。
第二题图三、（10分）由理想运放构成的电路如图所示，并且滑动电位器Rw滑动端位于中点，推导出与、之间的关系式。
第三题图四、（10分）已知一反馈放大电路在反馈系数F＝0.1时的幅频特性如图所示。
（1）试求基本放大电路的电压放大倍数及闭环放大倍数。
（2）试写出基本放大电路的放大倍数的频率特性表达式。
第四题图五、设图中所有电容对交流信号均可视为短路，如果存在负反馈可视为深度负反馈。
（15分）（1）判断下图各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断正反馈还是负反馈（不考虑局部反馈）（2）若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈，并计算它们的电压放大倍数。
第五题图六、（15分）图示电路为光控电路的一部分，它将连续变化的光电信号转化成离散信号（即不是高电平，就是低电平），电流I随光照的强弱而变化。
（14分）（1）在和中，哪个工作在线性区？哪个工作在非线性区？为什么？（2）试分析与I关系的传输特性，并画出其曲线：第六题图数字电子技术部分一、概念题（每题3分，共24分）1．等值二进制数为______；8421BCD码为______。
2．三态门电路的三态是指______。
3．对输入有约束的触发器是______，解决方法是采用______触发器。
4．“等价状态”的特点：______。
5．逻辑函数表示方法的标准形式有______。
十四套名校数电考研真题、答案与详解
十四套名校数电考研真题、答案与详解网学天地（）出品版权所有！目 录1华中科技大学2008年《电子技术基础》考研真题与答案 (1)2电子科技大学2010年《数字电路》考研真题与答案 (6)3浙江大学2011年《信号系统与数字电路》考研真题与答案 (14)4吉林大学2010年《电子技术》考研真题与答案 (20)5南开大学2011年《电子综合基础》考研真题与答案 (23)6华南理工大学2011年《电子技术基础》考研试题 (27)7哈尔滨工业大学2010年《电子技术基础》考研真题与答案 (33)8哈尔滨工业大学2010年《电路与数字电子技术》考研真题与答案 (39)9哈尔滨工业大学2010年《信号与系统、数字电路》考研真题与答案 (40)10复旦大学2009年《电子线路与集成电路设计》考研真题与答案 (48)11东南大学2008年《信号与系统、数字电路》考研真题与答案 (52)12深圳大学2011年《数字电路与专业综合》考研真题与答案 (60)13重庆大学2010年《电子技术一》考研真题与答案 (67)14北京邮电大学2009年《电子电路》考研真题与答案 (71)网学天地（ ）出品 版权所有！ 11 华中科技大学2008年《电子技术基础》考研真题与答案数字电子技术部分一、填空题（每空1分，共20分）4．数字电路中的三极管一般工作于________区和________区。
答案：截止 饱和5．(63)O 的二进制补码是________，格雷码是________。
答案：(101100)B (101010)B6．四个逻辑变量的最小项最多有________个，任意两个最小项之积为________。
答案：16 07．触发器是对脉冲________敏感的存储单元电路，锁存器是对脉冲________敏感的存储电源电路。
答案：边沿 电平8．对于一个含有逻辑变量A 的逻辑表达式L ，当其他变量用0或1代入后，表达式可化简为：L =________或________时，会产生竞争冒险。
2014年电子科技大学832微电子器件考研真题
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共48分，每空1.5分）1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。
2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。
3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。
同时，禁带宽带越（）的半导体材料，其热稳定性越好。
（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。
（填“大”或“小”）5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理意义为（），因此τb/τB可以表示（）。
6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。
栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。
（第二个空填“大”或“小”，第三个空填“强”或“弱”）7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表面将形成（），该结构（）单向导电性。
（从以下选项中选择）A 电子阻挡层B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层E 具有F 不具有微电子器件试题共6页，第1页8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是（）特性曲线的斜率。
在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。
9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。
重庆大学硕士研究生入学考试自命题参考书目
重庆大学2013年硕士研究生入学考试自命题参考书目考试科目及参考书目111 单独考试思想政治理论《政治经济学》曾国平编重庆大学出版社 2003年版《邓小平理论》贺荣伟编重庆大学出版社 2003年版242 俄语（二外）《大学俄语简明教程》（第二外语用）张宝钤 钱晓慧 高教出版社243 日语（二外）《标准日本语》（新版）初级1、2册，中级第1册（前15课）人民教育出版社244 德语（二外）《德语》（上下）吴永岸华宗德上海外语教育出版社245 法语（二外）《简明法语教程》（上下）孙辉331 社会工作原理1、王思斌主编，《社会工作概论》（第二版），高等教育出版社2006年版。
2、关信平主编，《社会政策概论》，高等教育出版社2009年版。
3、赵泽洪：《现代社会学》第2版重庆大学出版社334 新闻与传播专业综合能力《中国新闻传播史》，方汉奇，中国人民大学出版社，2002年《外国新闻传播史纲要》，陈力丹、王辰瑶，中国人民大学出版社，2008年；新闻学导论》李良荣著，高等教育出版社，1999年；《传播学教程》郭庆光编，中国人民大学出版社，1999年338生物化学此科目为全国统考科目，建议参考王镜岩主编《生物化学》（第3版）等进行复习346 体育综合《学校体育学》李祥主编高等教育出版社 2003年9月《运动训练学》田麦久编人民体育出版社 2000年《运动生理学》人民体育出版社（体育院校通用教材）2002年9月354 汉语基础《现代汉语》（增订本）黄伯荣、廖序东主编，高等教育出版社；《古代汉语》王力主编，中华书局；《语言学纲要》，叶蜚声、徐通锵著，北京大学出版社。
357 英语翻译基础《实用翻译教程》（第3版）冯庆华编著上海外语教育出版社 2010年2月；《英译中国现代散文选》（1-3册）张培基译注上海外语教育出版社2007年11月；《当代英国翻译理论》廖七一等编著，湖北教育出版社，2001年3月；《西方翻译理论精选》申雨平编，外语教学与研究出版社，2002年4月；《非文学翻译理论与实践》李长栓中国对外翻译出版公司 2005年6月。
电路840电气工程考研真题_2014年重庆大学硕士研究生入学考试真题+答案
）
i(t)
u(t)
＋
u(t)
N
0
i(t)
30
ωt
－
(b)
(a)
图1
10.在三相三线制电路中，不管三相负载是否对称，均可采用二瓦法测量三相负载消耗的有功功率。
（
）
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二、简算题（每题 10 分，共计 60 分）
1.求图 2 所示电路中电压 U 和 U1，并求独立电流源发出的功率。
）
7.在含有单一激励源的正弦交流电路中，如果有谐振发生，则激励源的电压和电流一定同相位。
（
）
es
s
8.含有线性电阻和线性受控源的电路，对外等效电阻可能为负值。（
）
9.图 1(a)所示 N 网络一个由线性电阻、电容和电感所构成的二端网络，端口施加正弦电源，端口电
压 u(t)和电流 i(t)随时间变化的波形如图 1(b)所示，由此可判断 N 网络呈容性。（
iC(t)
0
(b)
(a)
图7
四、图 8 所示电路中，负载阻抗 Z 的实部和虚部分别可调，则 Z 取何值时可以获得最大功率？最大
功率为多少？（12 分）
6
32Ω
0°A
4:1
j16Ω
-j2Ω
2Ω
̇
* *
Z
＋
－
图8
8 ̇
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五、图 9(a)所示电路中，U、V、W 三端与线电压为 380V 的对称三相工频电源相连，三项时对称负
＋
0.5U
－
2Ω
5A
4Ω
＋
重庆大学电路原理历年考研真题
换）考研真题（含答案）
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研真题
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2014年836试题解析_最新更正版__2014.11.25 (1)
当 a 0 ，不满足齐次性，因此是非线性系统。
设f1[n ] y 1[n ] 2 f1[n 1],f2[n ] f1[n n0 ] ，则
1/2j
Y1(ω)
1/2j
ω
-7π -5π -3π
-1/2j
3π 5π 7π
ω
3π 5π -5π -3π
-1/2j
ω
-1
Y3(ω)
1/2j
Y(ω)
1/2j
-5π -3π
-1/2j
3π 5π
ω
-1/2j -1/j
3π 5π
ω
注意：上面的Y1( ),Y3( ),Y ( )的频谱为复数，严格意义上来讲，需要单独画出他们的模和 相位，比如Y1( ) Y1( )e jY ( ) ，应分别画出模 Y1( ) 和相位 Y1( ) 这里就不再给出了，可
y 0(t t1 t2 )
（2） y(t ) f(t ) h(t ) f0(t ) h0(t ) 令 u ,d du ，则
f0( ) h0[(t )] d
y(t ) f0(u ) h0(t u ) du
由于 Re{s } 0 不包含 j 轴，故傅里叶变换不存在. （3）由于
1 (t k ) ,Re{s } 0 1 e s k 0
L
f(t) 4 3 2 1 O 1 2 3 4 t
3
而
F(s )
重庆大学电子技术基础(模拟部分) 模拟题
④复合管的穿透电流等于两只晶体管的穿透电流之和;(
2.微变等效电路只能分析晶体管在小信号输入时的动态情况，不能用于静态分析。
5 / 14
考研专业课研发中心
《考研专业课高分资料》之模拟题
3.判断如图所示电路中的反馈类型? Rf： R2：
4.实现 PNP 型晶体管可靠截止的条件是 UBE>0 和 UBC>0。 （ 5.所有二极管都是利用其正向特性进行工作的。 （
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考研专业课研发中心
《考研专业课高分资料》之模拟题
3.电路如图所示， （1） （2） （3） （4） 画出直流电路。 画出微变等效电路。 求出 AV、ri 和 ro 的值。 求出 AVS 的值。
4.图中给出的是某三极管的输出特性。 已知：ICM=20MA , BUCEO≥30V , PCM=100mW , 请在输出 特性上分别标出截止区、放大区、饱和区、过压区、过流区 和过损耗区，并估算 UCE=5V、IC=5mA 时管子的电流放大系数 β。
icm20mabuceo30vcm100mw请在输出特性上分别标出截止区放大区饱和区过压区过流区和过损耗区并估算uce5vi5ma时管子的电流放大系数14考研专业课研发中心五综合题本题36反馈元件是直流反馈吗是交流反馈吗是正反馈还是负反馈是电压反馈还是电流反馈是串联反馈还是并联反馈假设当输入电压幅值足够大时功放管可达到饱和且饱和压降ucesat可忽略估算电路的最大不失真输出功率
A 放大区中部；B 截止区；C 放大区但接近截止区；D 放大区但接近饱和区。 5.下述哪些类型的电路的输入阻抗大，输出阻抗小。 A 共射；B 共基；C 共集；D 共射—共基串接电路。 6.为消除截止失真，应（ ） A 增大集电极电 RC ；B 改换大的管子；C 增大基极偏置电阻 Rb; D 减小基极偏置电阻 Rb。