动手用单片机控制继电器
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用单片机控制继电器
这里继电器由相应的S8050三极管来驱动,开机时,单片机初始化后的为高电平,+5伏电源通过电阻使三极管导通,所以开机后继电器始终处于吸合状态,如果我们在程序中给单片机一条:CLR 或者CLR 的指令的话,相应三极管的基极就会被拉低到零伏左右,使相应的三极管截至,继电器就会断电释放,每个继电器都有一个常开转常闭的接点,便于在其他电路中使用,继电器线圈两端反相并联的二极管是起到吸收反向电动势的功能,保护相应的驱动三极管.
51单片机驱动继电器电路
1.基本电路如右图。
2.单片机的IO口输出电流很小4到20mA,所以要用三极管放大来驱
动继电器。
主要技术参数
1.触点参数:
2.触点形式:1C(SPDT)
3.触点负载: 3A 220V AC/30V DC
4.阻抗:≤100mΩ
5.额定电流: 3A
6.电气寿命:≥10万次
7.机械寿命:≥1000万次
8.线圈参数:
9.阻值(士10%): 120Ω
10.线圈功耗:
11.额定电压:DC 5V
12.吸合电压:DC
13.释放电压:DC
14.工作温度:-25℃~+70℃
15.绝缘电阻:≥100MΩ型号:
HK4100F-DC5V-SH
16.线圈与触点间耐压:4000VAC/1分钟
17.触点与触点间耐压:750VAC/1分钟
继电器工作吸合电流为5V=40mA或5V/120Ω≈40mA。
三极管基极电流:继电器的吸合电流/放大倍数=基极电流(40mA/100 =4mA),为工作稳定,实际基极电流应为计算值的2倍以上。
基极电阻:()/基极电流=电阻值8mA =Ω)。
这里单片机IO口输出高电平触发三极管导通。经过以上的分析计算得出:三极管可用极性是NPN 的9014或8050,电阻选
AT89S52 每个单个的引脚,输出低电平的时候,允许外部电路,向引脚灌入的最大电流为10mA;每个8位的接口(P1、P2以及P3),允许向引脚灌入的总电流最大为15mA,而P0的能力强一些,允许向引脚灌入的最大总电流为26mA;全部的四个接口所允许的灌电流之和,最大为71mA。
而当这些引脚“输出高电平”的时候,单片机的“拉电流”能力呢可以说是太差了,竟然不到1mA。
结论就是:单片机输出低电平的时候,驱动能力尚可,而输出高电平的时候,就没有输出电流的能力。
基本参数: S8050 S8050 h=270
类型:NPN
耗散功率:(贴片:)
集电极电流:0.5A
基极电压:40V
发射极击穿电压:25V
发射极饱和电压:
特征频率f :最小150MH
按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档
放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 管脚排列顺序:E、B、C或E、C、B
型号极性PCM(W)ICM(mA) BV(CEO)V fT(MHZ) hFE
9012PNP50040-- 64 ~ 202
9014NPN10050-- 60 ~ 1000
8050NPN1 1.5A2519085 ~ 300
8550PNP1 1.5A2520060 ~ 300
注释:
1.PCM是集电极最大允许耗散功率。
2.ICM是集电极最大允许电流。
3.BV(CEO)是三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。
4.fT是特征频率。
5.hFE是放大倍数。
6.从上面的继电器线圈参数得知,继电器工作吸合电流为5V=40mA或5V/120Ω≈40mA。
7.三极管的选择:
1.功率PCM:大于5V*继电器电流 (5*40 mA = 的两倍;
2.最大集电极电流(ICM):大于继电器吸合电流的两倍以上;
3.耐压BV(CEO):大于继电器工作电压5V,可选10V以上;
4.直流放大倍数:取100。
5.三极管可选:PCM(↑),ICM(80mA↑),BV (10V↑)
8.三极管基极输入电流:继电器的吸合电流/
放大倍数=基极电流(40mA/100 =4mA),为工作稳定,
实际基极电流应为计算值的2倍以上。
9.基极电阻:()/基极电流=电阻值8mA =Ω)。
10.这里单片机IO口输出高电平触发三极
管导通。经过以上的分析计算得出:三极管可用极性
是NPN的9014或8050,电阻选。
11.三极管的放大倍数要求不高,一般买的
都可以,100~500 (放大倍数分段可选),随便买的都
可以用。
12.电阻R1选就可以了,保证基极为MA级电
流就可以开关三极管了。
当三极管由导通变为截止时,继电器绕组感生出一个较大的自感电压。它与电源电压叠加后加到控制继电器线圈的三极管的e、c两极上,使发射结(e—c)
有可能被击穿。
1.为了消除这个感生电动势的有害影响,在继电器
线圈两端反向并联抑制二极管,以吸收该电动势。
2.自感电压与电源电压之和对二极管来说却是正
向偏压,使二极管导通形成环流。感应的高电压就会通过
回路释放掉,保证了三极管的安全。
主要技术参数
1.触点参数:
2.触点负载: 3A 220V AC/30V DC
3.阻抗:≤100mΩ
4.额定电流: 3A
5.电气寿命:≥10万次
6.机械寿命:≥1000万次
7.线圈参数:
8.阻值(士10%): 120Ω
9.线圈功耗:
10.额定电压:DC 5V
11.吸合电压:DC
12.释放电压:DC
单片机IO的驱动能力
•P0口的驱动能力较大,当其输出高电平时,可
提供400?A的电流;
•P0口输出低电平()时,则可提供的灌电流,
如低电平允许提高,灌电流可相应加大;
•P1、P2、P3口的每一位只能驱动4个LSTTL,
即可提供的电流只有P0口的一半;
•继电器线圈需要流过较大的电流(约50mA)才能使继电器吸合,一般的集成电路不能提供这样大的电流,因此必须进行扩流,即驱动。
因此,要用单片机控制各种各样的高压、大电流负载,如电动机、电磁铁、继电器、灯泡等,不能用单片机的I/O线来直接驱动,而必须通过各种驱动电路和开关电路来驱动。
NPN 晶体管驱动时:
1、基极高电平→晶体管饱和导通→集电极低电平→继电器线圈通电→触点吸合。
2、基极低电平→晶体管截止→继电器线圈断电→触点断开。
PNP晶体管驱动的优点:
1、单片机IO端口的低电平驱动能力较强;
2、避免单片机上电时IO为高电平,造成继电器误动作
继电器驱动电路的一些注意事项
•要与强电隔离和采取抗干扰措施,否则容易出现乱码和死机、重启
–三极管的基极对地要有一个下拉电阻,防止误动;