动手用单片机控制继电器

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用单片机控制继电器

这里继电器由相应的S8050三极管来驱动,开机时,单片机初始化后的为高电平,+5伏电源通过电阻使三极管导通,所以开机后继电器始终处于吸合状态,如果我们在程序中给单片机一条:CLR 或者CLR 的指令的话,相应三极管的基极就会被拉低到零伏左右,使相应的三极管截至,继电器就会断电释放,每个继电器都有一个常开转常闭的接点,便于在其他电路中使用,继电器线圈两端反相并联的二极管是起到吸收反向电动势的功能,保护相应的驱动三极管.

51单片机驱动继电器电路

1.基本电路如右图。

2.单片机的IO口输出电流很小4到20mA,所以要用三极管放大来驱

动继电器。

主要技术参数

1.触点参数:

2.触点形式:1C(SPDT)

3.触点负载: 3A 220V AC/30V DC

4.阻抗:≤100mΩ

5.额定电流: 3A

6.电气寿命:≥10万次

7.机械寿命:≥1000万次

8.线圈参数:

9.阻值(士10%): 120Ω

10.线圈功耗:

11.额定电压:DC 5V

12.吸合电压:DC

13.释放电压:DC

14.工作温度:-25℃~+70℃

15.绝缘电阻:≥100MΩ型号:

HK4100F-DC5V-SH

16.线圈与触点间耐压:4000VAC/1分钟

17.触点与触点间耐压:750VAC/1分钟

继电器工作吸合电流为5V=40mA或5V/120Ω≈40mA。

三极管基极电流:继电器的吸合电流/放大倍数=基极电流(40mA/100 =4mA),为工作稳定,实际基极电流应为计算值的2倍以上。

基极电阻:()/基极电流=电阻值8mA =Ω)。

这里单片机IO口输出高电平触发三极管导通。经过以上的分析计算得出:三极管可用极性是NPN 的9014或8050,电阻选

AT89S52 每个单个的引脚,输出低电平的时候,允许外部电路,向引脚灌入的最大电流为10mA;每个8位的接口(P1、P2以及P3),允许向引脚灌入的总电流最大为15mA,而P0的能力强一些,允许向引脚灌入的最大总电流为26mA;全部的四个接口所允许的灌电流之和,最大为71mA。

而当这些引脚“输出高电平”的时候,单片机的“拉电流”能力呢可以说是太差了,竟然不到1mA。

结论就是:单片机输出低电平的时候,驱动能力尚可,而输出高电平的时候,就没有输出电流的能力。

基本参数: S8050 S8050 h=270

类型:NPN

耗散功率:(贴片:)

集电极电流:0.5A

基极电压:40V

发射极击穿电压:25V

发射极饱和电压:

特征频率f :最小150MH

按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档

放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 管脚排列顺序:E、B、C或E、C、B

型号极性PCM(W)ICM(mA) BV(CEO)V fT(MHZ) hFE

9012PNP50040-- 64 ~ 202

9014NPN10050-- 60 ~ 1000

8050NPN1 1.5A2519085 ~ 300

8550PNP1 1.5A2520060 ~ 300

注释:

1.PCM是集电极最大允许耗散功率。

2.ICM是集电极最大允许电流。

3.BV(CEO)是三极管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。

4.fT是特征频率。

5.hFE是放大倍数。

6.从上面的继电器线圈参数得知,继电器工作吸合电流为5V=40mA或5V/120Ω≈40mA。

7.三极管的选择:

1.功率PCM:大于5V*继电器电流 (5*40 mA = 的两倍;

2.最大集电极电流(ICM):大于继电器吸合电流的两倍以上;

3.耐压BV(CEO):大于继电器工作电压5V,可选10V以上;

4.直流放大倍数:取100。

5.三极管可选:PCM(↑),ICM(80mA↑),BV (10V↑)

8.三极管基极输入电流:继电器的吸合电流/

放大倍数=基极电流(40mA/100 =4mA),为工作稳定,

实际基极电流应为计算值的2倍以上。

9.基极电阻:()/基极电流=电阻值8mA =Ω)。

10.这里单片机IO口输出高电平触发三极

管导通。经过以上的分析计算得出:三极管可用极性

是NPN的9014或8050,电阻选。

11.三极管的放大倍数要求不高,一般买的

都可以,100~500 (放大倍数分段可选),随便买的都

可以用。

12.电阻R1选就可以了,保证基极为MA级电

流就可以开关三极管了。

当三极管由导通变为截止时,继电器绕组感生出一个较大的自感电压。它与电源电压叠加后加到控制继电器线圈的三极管的e、c两极上,使发射结(e—c)

有可能被击穿。

1.为了消除这个感生电动势的有害影响,在继电器

线圈两端反向并联抑制二极管,以吸收该电动势。

2.自感电压与电源电压之和对二极管来说却是正

向偏压,使二极管导通形成环流。感应的高电压就会通过

回路释放掉,保证了三极管的安全。

主要技术参数

1.触点参数:

2.触点负载: 3A 220V AC/30V DC

3.阻抗:≤100mΩ

4.额定电流: 3A

5.电气寿命:≥10万次

6.机械寿命:≥1000万次

7.线圈参数:

8.阻值(士10%): 120Ω

9.线圈功耗:

10.额定电压:DC 5V

11.吸合电压:DC

12.释放电压:DC

单片机IO的驱动能力

•P0口的驱动能力较大,当其输出高电平时,可

提供400?A的电流;

•P0口输出低电平()时,则可提供的灌电流,

如低电平允许提高,灌电流可相应加大;

•P1、P2、P3口的每一位只能驱动4个LSTTL,

即可提供的电流只有P0口的一半;

•继电器线圈需要流过较大的电流(约50mA)才能使继电器吸合,一般的集成电路不能提供这样大的电流,因此必须进行扩流,即驱动。

因此,要用单片机控制各种各样的高压、大电流负载,如电动机、电磁铁、继电器、灯泡等,不能用单片机的I/O线来直接驱动,而必须通过各种驱动电路和开关电路来驱动。

NPN 晶体管驱动时:

1、基极高电平→晶体管饱和导通→集电极低电平→继电器线圈通电→触点吸合。

2、基极低电平→晶体管截止→继电器线圈断电→触点断开。

PNP晶体管驱动的优点:

1、单片机IO端口的低电平驱动能力较强;

2、避免单片机上电时IO为高电平,造成继电器误动作

继电器驱动电路的一些注意事项

•要与强电隔离和采取抗干扰措施,否则容易出现乱码和死机、重启

–三极管的基极对地要有一个下拉电阻,防止误动;

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