第8章 光刻与刻蚀工艺
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08光刻与刻蚀-01
热板
26
27
曝光（ 曝光（ Expose ）
对准： 对准： 将具有图形的掩模 板放在光刻胶表面 并将图形对准。 并将图形对准。 与前面工艺形成的 图形进行套准。 图形进行套准。
28
曝光： 曝光： 用尽可能短的时间使光刻胶 充分感光， 充分感光，在显影后获得近 似垂直的光刻胶侧壁和可控 的线宽。 的线宽。 曝光前：正光刻胶的感光剂 曝光前： 不溶于水； 不溶于水； 曝光后， 曝光后，感光剂发生光化学 反应， 反应，在碱性中的溶解度增 加100倍，从而实现图形转 倍 移。
developer dispenser
vacuum chuck spindle
影响显影速率的因素： 影响显影速率的因素：
显影液的溶液、温度， 显影液的溶液、温度，光刻胶 的前烘条件和曝光量
31
32
33
坚膜：后烘（ 坚膜：后烘（ Post-bake） ）
去除显影后胶层内残留的溶 使胶膜坚固， 剂，使胶膜坚固，同时提高粘 附力和抗蚀性。 附力和抗蚀性。 烘烤条件 10～30min@100～140℃ ～ ～ ℃
18
• 如果在光刻胶上面放置具有一定图形的掩模 板，曝光后由于图形选择性感光，显影后在 曝光后由于图形选择性感光， 光刻胶上留下掩模板的图形。 光刻胶上留下掩模板的图形。
• 利用留下的光刻胶作为保护，再进一步对没 利用留下的光刻胶作为保护， 有光刻胶保护的区域进行刻蚀或离子注入。 有光刻胶保护的区域进行刻蚀或离子注入。 刻蚀或离子注入 • 实现了光刻胶上的图形转移到硅表面的过程。 实现了光刻胶上的图形转移到硅表面的过程。
13
• 光刻是集成电路工艺中的关键性技术，有力推 光刻是集成电路工艺中的关键性技术， 动了ULSI工艺的高速发展。 动了ULSI工艺的高速发展。 ULSI工艺的高速发展 • 光刻成本大约占整个工艺成本的1/3，光刻的分 光刻成本大约占整个工艺成本的1/3， 1/3 辨率（线宽） IC工艺水平的标志。 辨率（线宽）是IC工艺水平的标志。 工艺水平的标志 • 光刻技术涉及到光学、物理学、精密机械、自 光刻技术涉及到光学、物理学、精密机械、 动化控制以及电子技术， 动化控制以及电子技术，是要求极高的系统化 工业技术。 工业技术。 • 目前世界上的曝光机主要由日本及瑞士的三家 目前世界上的曝光机主要由日本及瑞士的三家 公司制造。 公司制造。 制造
光刻与刻蚀工艺ppt
提高分辨率和对比度
采用旋转涂胶方法可以提高生产效率，同时采用快速热处理技术可以加速光刻胶的化学反应，进一步缩短处理时间。
提高生产效率
光刻工艺的优化
03
刻蚀工艺详细介绍
离子刻蚀机
以离子束或离子束辅助化学反应的方式进行刻蚀。具有各向异性刻蚀、高分辨率和低损伤等优点，但刻蚀速率较慢，设备昂贵。
刻蚀机的种类与特点
国外光刻与刻蚀工艺发展现状
光刻工艺技术创新
介绍光刻工艺中具有代表性的技术创新，包括高分辨率光刻技术、浸润式光刻技术、多晶圆对准技术等。
刻蚀工艺技术创新
介绍刻蚀工艺中具有代表性的技术创新，包括离子束刻蚀技术、等离子刻蚀技术、反应离子刻蚀技术等。
光刻与刻蚀工艺的技术创新
光刻与刻蚀工艺的发展趋势
从技术、应用和产业三个维度分析光刻与刻蚀工艺未来的发展趋势，包括技术发展方向、应用领域拓展和产业布局优化等方面。
挑战1
挑战2
挑战3
挑战4
需要严格控制各种参数，如温度、湿度和压力等。
需要不断优化工艺流程，提高生产效率。
对操作人员的技能和经验有较高的要求。
提高工艺精度的对策
采用先进的设备和技术，提高设备的稳定性和精度。
对策1
优化工艺参数，建立完善的数据库，实现参数的快速检索和准确控制。
对策2
采用高精度测量仪器，对产品进行准确的尺寸测量和质量控制。
曝光系统
曝光系统将掩膜上的图形转换为光束，并投射到光刻胶上。通常由光源、光阑、反射镜和投影透镜等组成。
运动系统
运动系统用于在光刻胶上扫描光束，以实现大面积的光刻。
光刻机工作原理
光学接触剂和干法接触剂
正性胶和负性胶
厚胶和薄胶
采用旋转涂胶方法可以提高生产效率，同时采用快速热处理技术可以加速光刻胶的化学反应，进一步缩短处理时间。
提高生产效率
光刻工艺的优化
03
刻蚀工艺详细介绍
离子刻蚀机
以离子束或离子束辅助化学反应的方式进行刻蚀。具有各向异性刻蚀、高分辨率和低损伤等优点，但刻蚀速率较慢，设备昂贵。
刻蚀机的种类与特点
国外光刻与刻蚀工艺发展现状
光刻工艺技术创新
介绍光刻工艺中具有代表性的技术创新，包括高分辨率光刻技术、浸润式光刻技术、多晶圆对准技术等。
刻蚀工艺技术创新
介绍刻蚀工艺中具有代表性的技术创新，包括离子束刻蚀技术、等离子刻蚀技术、反应离子刻蚀技术等。
光刻与刻蚀工艺的技术创新
光刻与刻蚀工艺的发展趋势
从技术、应用和产业三个维度分析光刻与刻蚀工艺未来的发展趋势，包括技术发展方向、应用领域拓展和产业布局优化等方面。
挑战1
挑战2
挑战3
挑战4
需要严格控制各种参数，如温度、湿度和压力等。
需要不断优化工艺流程，提高生产效率。
对操作人员的技能和经验有较高的要求。
提高工艺精度的对策
采用先进的设备和技术，提高设备的稳定性和精度。
对策1
优化工艺参数，建立完善的数据库，实现参数的快速检索和准确控制。
对策2
采用高精度测量仪器，对产品进行准确的尺寸测量和质量控制。
曝光系统
曝光系统将掩膜上的图形转换为光束，并投射到光刻胶上。通常由光源、光阑、反射镜和投影透镜等组成。
运动系统
运动系统用于在光刻胶上扫描光束，以实现大面积的光刻。
光刻机工作原理
光学接触剂和干法接触剂
正性胶和负性胶
厚胶和薄胶
集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺
胶和工艺的误差等，因此这是纯理论的分辨率。
任意粒子曝光的最高的分辨率
关于光束的线宽限制，对其他的粒子束同样适用。任何粒子束都具有波动性，即 德布罗意物质波，其波长λ与质量m、动能E的关系描述如下。粒子束的动能E为
其动量p 粒子束的波长
E 1 mV 2 2
phmV 2mE
由此，用粒子束可得到的 最 细线h 条为
、对比度
为了测量光刻胶的对比度，将一定厚度的光刻胶膜在不同的辐照剂量下曝光，然 后测量显影之后剩余光刻胶的膜厚，利用得到的光刻胶膜厚-曝光剂量响应曲线进行 计算就可以得到对比度。
光刻胶的对比度：不同的光刻胶膜厚-曝光剂量响应曲线的外推斜率。
Y2 Y1
X2 X1 光刻胶的对比度会直接影响到曝光后光刻胶膜的倾角和线宽。
根据对比度定义， Y2＝0，Y1=1.0，X2＝log10Dc，X1＝ log10Do。
正胶的对比度
p
1 log10 (Dc
Do )
Dc为完全除去正胶膜所需要的最小曝光剂量， Do为对正胶不产生曝光效果所允许的最大曝光剂量。
光刻胶的侧墙倾斜
在理想的曝光过程中，投到光刻胶上的辐照区域应该 等于掩模版上的透光区域，在其他区域应该没有辐照能 量。
显影方式与检测
目前广泛使用的显影的方式是喷洒方法。 可分为三个阶段： ①硅片被置于旋转台上，并且在硅片表面上喷洒显影液； ②然后硅片将在静止的状态下进行显影； ③显影完成之后，需要经过漂洗，之后再旋干。
喷洒方法的优点在于它可以满足工艺流水线的要求。
显影之后，一般要通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)或者激光系统来检查图形的 尺寸是否满足要求。
8.3、光刻胶的基本属性
光学光刻胶通常包含有三种成份： ①聚合物材料(树脂)：附着性和抗腐蚀性 ②感光材料：感光剂 ③溶剂：使光刻胶保持为液态
任意粒子曝光的最高的分辨率
关于光束的线宽限制，对其他的粒子束同样适用。任何粒子束都具有波动性，即 德布罗意物质波，其波长λ与质量m、动能E的关系描述如下。粒子束的动能E为
其动量p 粒子束的波长
E 1 mV 2 2
phmV 2mE
由此，用粒子束可得到的 最 细线h 条为
、对比度
为了测量光刻胶的对比度，将一定厚度的光刻胶膜在不同的辐照剂量下曝光，然 后测量显影之后剩余光刻胶的膜厚，利用得到的光刻胶膜厚-曝光剂量响应曲线进行 计算就可以得到对比度。
光刻胶的对比度：不同的光刻胶膜厚-曝光剂量响应曲线的外推斜率。
Y2 Y1
X2 X1 光刻胶的对比度会直接影响到曝光后光刻胶膜的倾角和线宽。
根据对比度定义， Y2＝0，Y1=1.0，X2＝log10Dc，X1＝ log10Do。
正胶的对比度
p
1 log10 (Dc
Do )
Dc为完全除去正胶膜所需要的最小曝光剂量， Do为对正胶不产生曝光效果所允许的最大曝光剂量。
光刻胶的侧墙倾斜
在理想的曝光过程中，投到光刻胶上的辐照区域应该 等于掩模版上的透光区域，在其他区域应该没有辐照能 量。
显影方式与检测
目前广泛使用的显影的方式是喷洒方法。 可分为三个阶段： ①硅片被置于旋转台上，并且在硅片表面上喷洒显影液； ②然后硅片将在静止的状态下进行显影； ③显影完成之后，需要经过漂洗，之后再旋干。
喷洒方法的优点在于它可以满足工艺流水线的要求。
显影之后，一般要通过光学显微镜、扫描电镜(SEM)或者激光系统来检查图形的 尺寸是否满足要求。
8.3、光刻胶的基本属性
光学光刻胶通常包含有三种成份： ①聚合物材料(树脂)：附着性和抗腐蚀性 ②感光材料：感光剂 ③溶剂：使光刻胶保持为液态
光刻与刻蚀工艺
2 1
掩膜版上 的图形
3
东华理工大学
洁净度等级：
英制：每立方英尺中直径大于或等于0.5μm的尘埃粒 子总数不超过设计等级（如英制等级100）
公制：每立方米中直径大于或等于0.5μm的尘埃粒子 总数不超过设计等级（以指数计算，如等级M3.5， 则粒子总数不超过103.5个）
东华理工大学
§8.1 光刻工艺流程
定义：分辨率R表示每mm内能刻蚀出可分辨的最多线条数， 即每mm内包含有多少可分辨的线对数
R 1 (mm1) 2L
东华理工大学
物理学意义：限制因素是衍射
光子： L p h
L p / h / 2; Rmax 1/
粒子：
L
h
2 2mE
所以：能量一定，则粒子质量越大，分辨率越高
接触式曝光：掩模板与衬底接触 S=0，分辨率得到提高（1－3um) 尘埃粒子产生，导致掩膜版损坏，降低成品率
东华理工大学
投影式曝光(projection system)
最小尺寸：Lmin＝0.61λ/NA （亚微米级工艺）
扫描方式：
优点：样品与掩膜版不接触， 1：1步进重复
避免缺陷产生
M:1缩小的步进重复曝光
东华理工大学
提高分辨率的方法
y
k1
NA
1、Using light source with shorter l
光源 波长(nm) 术语
技术节点
汞灯
436
g线
>0.5m
汞灯
365
i线 0.5/0.35m
KrF(激光) 248
ArF (激光) 193
F2 (激光)
掩膜版上 的图形
3
东华理工大学
洁净度等级：
英制：每立方英尺中直径大于或等于0.5μm的尘埃粒 子总数不超过设计等级（如英制等级100）
公制：每立方米中直径大于或等于0.5μm的尘埃粒子 总数不超过设计等级（以指数计算，如等级M3.5， 则粒子总数不超过103.5个）
东华理工大学
§8.1 光刻工艺流程
定义：分辨率R表示每mm内能刻蚀出可分辨的最多线条数， 即每mm内包含有多少可分辨的线对数
R 1 (mm1) 2L
东华理工大学
物理学意义：限制因素是衍射
光子： L p h
L p / h / 2; Rmax 1/
粒子：
L
h
2 2mE
所以：能量一定，则粒子质量越大，分辨率越高
接触式曝光：掩模板与衬底接触 S=0，分辨率得到提高（1－3um) 尘埃粒子产生，导致掩膜版损坏，降低成品率
东华理工大学
投影式曝光(projection system)
最小尺寸：Lmin＝0.61λ/NA （亚微米级工艺）
扫描方式：
优点：样品与掩膜版不接触， 1：1步进重复
避免缺陷产生
M:1缩小的步进重复曝光
东华理工大学
提高分辨率的方法
y
k1
NA
1、Using light source with shorter l
光源 波长(nm) 术语
技术节点
汞灯
436
g线
>0.5m
汞灯
365
i线 0.5/0.35m
KrF(激光) 248
ArF (激光) 193
F2 (激光)
光刻与刻蚀工艺
光刻工艺的基本步骤
涂胶
将光刻胶涂敷在硅片表面，以形成 光刻胶层。
烘烤
通过烘烤使光刻胶层干燥并固化。
曝光
将掩膜版上的图形对准硅片上的光 刻胶层，并使用曝光设备将图形转 移到光刻胶上。
显影
使用显影液将曝光后的光刻胶进行 化学处理，使图形更加清晰地展现 出来。
光刻工艺的重要性
光刻工艺是半导体制造中的关键环节，直接影响芯片的制造 质量和性能。
非接触式光刻
投影式非接触
利用光学系统将掩膜板上的图像投影到光刻胶涂层上，优点是无需直接接触，缺点是难度较高，需要精确的控 制系统。
电子束光刻
利用电子束在光刻胶上直接曝光，优点是分辨率高、无需掩膜板，缺点是生产效率低。
投影式光刻
接触式投影
掩膜板与光刻胶涂层之间保持接触，通过投影系统将图像投影到光刻胶上，优点是操作简单、高效， 缺点是图像质量可能受到掩膜板损伤和光刻胶污染的影响。
涂胶/显影技术
01
02
03
涂胶
在晶圆表面涂上一层光敏 胶，以保护非曝光区域并 提高图像对比度。
显影
用适当的溶剂去除曝光区 域的光敏胶，以形成所需 的图案。
控制胶厚
保持胶厚均匀，以避免图 像的扭曲和失真。
烘烤与曝光技术
烘烤
通过加热去除晶圆表面的湿气，以提高光敏胶的灵敏度和图像质 量。
曝光
将掩模图像投影到光敏胶上，通过光化学反应将图像转移到晶圆 上。
扫描投影
利用扫描系统将掩膜板上的图像投影到光刻胶上，优点是分辨率高、生产效率高，缺点是需要精确的 控制系统和高质量的掩膜板。
03
光刻工艺中的关键技术
光学系统
紫外光源
产生短波长的光，以获得更好的分辨率和更来自的 特征尺寸。反射镜和透镜
第八章光刻与刻蚀工艺模板
第八章光刻与刻蚀工艺模板光刻与刻蚀工艺是现代集成电路制造中的重要工艺环节之一、光刻技术用于在硅片上制作电路图形，而刻蚀技术则用于去除不需要的材料，以形成所需的电路结构。
本章将介绍光刻与刻蚀工艺的基本原理及常见的工艺模板。
一、光刻工艺模板在光刻工艺中，需要使用光刻胶作为图形保护层，以及光罩作为图形的模板。
光刻模板通常由硅片或光刻胶制成，可以通过不同的工艺步骤来实现具体的图形需求。
1.硅片模板硅片模板是一种常见的光刻工艺模板，它的制作过程相对简单。
首先，将一块纯净的硅片进行氧化处理，形成硅的氧化层。
然后，在氧化层上通过光刻技术制作所需的图形。
最后，使用化学刻蚀方法去除不需要的硅的氧化层，就可以得到所需的硅片模板。
硅片模板具有较好的精度和可靠性，能够满足微纳加工的要求。
然而，硅片模板制作过程复杂，成本较高。
2.光刻胶模板光刻胶模板是利用光刻胶作为模板材料的一种工艺模板。
光刻胶是一种感光性的聚合物材料，可以在光照的作用下发生化学反应。
在光刻工艺中，首先将光刻胶涂覆在硅片上，然后通过光刻曝光将所需的图形转移到光刻胶上。
接下来，使用化学方法或溶剂去除不需要的光刻胶，就可以得到所需的光刻胶模板。
光刻胶模板制作过程简单，成本较低。
同时，光刻胶模板的精度较高，可以满足微纳加工的要求。
然而，光刻胶模板的使用寿命较短，通常只能使用几次。
在刻蚀工艺中，需要使用刻蚀胶作为图形保护层，以及刻蚀模板作为图形的模板。
刻蚀模板通常由硅片或光刻胶制成，可以通过不同的工艺步骤来实现具体的图形需求。
1.硅片模板硅片模板在刻蚀工艺中的制作方法与光刻工艺类似。
首先，在硅片上通过光刻技术制作所需的图形，然后使用化学刻蚀方法去除不需要的硅材料，就可以得到所需的刻蚀模板。
硅片模板具有较高的精度和可靠性，可以满足微纳加工的要求。
然而，硅片模板制作过程复杂，成本较高。
2.光刻胶模板光刻胶模板在刻蚀工艺中的制作方法与光刻工艺类似。
首先，将光刻胶涂覆在硅片上，然后通过光刻曝光将所需的图形转移到光刻胶上。
第八章光刻与刻蚀工艺
此类光刻胶所采用的感光性树脂主要为环化橡胶，它是在 天然橡胶或聚异戊二烯合成橡胶溶液中加入酸性催化剂，在一 定温度下使橡胶分子发生环化反应，再加入双叠氮有机化合物 作为交联剂而成。
双叠氮交联剂的感光波长范围为260~460nm，已适用于高 压汞灯等光源。但添加适宜的增感剂，感光度也有所提高。
若曝光气氛中存在氧，将导致灵敏度下降，因此，必须在 氮气或真空条件下曝光操作。
原始光刻胶膜可被某些溶剂溶解；受适当波长的光照射后 发生聚合或交联反应，聚合为不可溶物质；显影后，硅片表面 的光刻胶图形与掩模版相反。其成分主要为感光性树脂，其次 包括溶剂和增感剂。以感光性树脂的种类来分类：
（1）聚乙烯醇肉桂酸脂类
产品有北京化工厂的北化103胶、上海化学试剂厂的上试 1 号胶、美国的柯达光致抗蚀剂（KPR）以及日本东京应化光致 抗蚀剂（TPR）。
2、正性光刻胶（正胶）
原始光刻胶膜不能被某些溶剂溶解；受适当波长的光照射 后，发生光分解反应，分解为可溶性物质；显影后，硅片表面 的光刻胶图形与掩模版相同；未经感光的光刻胶仍然保持它在 紫外光照射下发生光分解反应的活性，因此此类光刻胶在光刻 工艺中能够多次曝光。
主要成分为邻叠氮醌类化合物。产品有：北京化工厂的205、 206、212正性胶，上海试剂一厂的702、703胶等，美国Shipley 公司生产的AZ-1350系列等。
第八章 光刻与刻蚀工艺
1
§8.1 概述
一、光刻技术的特点
1、光刻是一种表面加工技术； 2、光刻是复印图像和化学腐蚀相结合的综合性技术； 3、器件的尺寸越小，集成电路的集成度越高，对光刻精 度的要求就越高，难度就越大。
二、光刻的目的
在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩模版完全对应的几 何图形，从而达到选择性扩散和金属薄膜布线的目的。
双叠氮交联剂的感光波长范围为260~460nm，已适用于高 压汞灯等光源。但添加适宜的增感剂，感光度也有所提高。
若曝光气氛中存在氧，将导致灵敏度下降，因此，必须在 氮气或真空条件下曝光操作。
原始光刻胶膜可被某些溶剂溶解；受适当波长的光照射后 发生聚合或交联反应，聚合为不可溶物质；显影后，硅片表面 的光刻胶图形与掩模版相反。其成分主要为感光性树脂，其次 包括溶剂和增感剂。以感光性树脂的种类来分类：
（1）聚乙烯醇肉桂酸脂类
产品有北京化工厂的北化103胶、上海化学试剂厂的上试 1 号胶、美国的柯达光致抗蚀剂（KPR）以及日本东京应化光致 抗蚀剂（TPR）。
2、正性光刻胶（正胶）
原始光刻胶膜不能被某些溶剂溶解；受适当波长的光照射 后，发生光分解反应，分解为可溶性物质；显影后，硅片表面 的光刻胶图形与掩模版相同；未经感光的光刻胶仍然保持它在 紫外光照射下发生光分解反应的活性，因此此类光刻胶在光刻 工艺中能够多次曝光。
主要成分为邻叠氮醌类化合物。产品有：北京化工厂的205、 206、212正性胶，上海试剂一厂的702、703胶等，美国Shipley 公司生产的AZ-1350系列等。
第八章 光刻与刻蚀工艺
1
§8.1 概述
一、光刻技术的特点
1、光刻是一种表面加工技术； 2、光刻是复印图像和化学腐蚀相结合的综合性技术； 3、器件的尺寸越小，集成电路的集成度越高，对光刻精 度的要求就越高，难度就越大。
二、光刻的目的
在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩模版完全对应的几 何图形，从而达到选择性扩散和金属薄膜布线的目的。
第八章_基本光刻工艺流程-表面准备到曝光
第八章基本光刻工艺流程-表面准备到曝光概述最重要的光刻工艺是在晶圆表面建立图形。
这一章是从解释基本光刻工艺十步法和讨论光刻胶的化学性质开始的。
我们会按照顺序来介绍前四步（表面准备到对准和曝光）的目的和执行方法。
目的完成本章后您将能够：1．勾画出基本的光刻工艺十步法制程的晶圆截面。
2．解释正胶和负胶对光的反应。
3．解释在晶圆表面建立空穴和凸起所需要的正确的光刻胶和掩膜版的极性。
4．列出基本光刻十步法每一步的主要工艺选项。
5．从目的4的列表中选出恰当的工艺来建立微米和亚微米的图形。
6．解释双重光刻，多层光刻胶工艺和平整化技术的工艺需求。
7．描述在小尺寸图形光刻过程中，防反射涂胶工艺和对比增强工艺的应用。
8．列出用于对准和曝光的光学方法和非光学方法。
9．比较每一种对准和曝光设备的优点。
介绍光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上的所规定的特定区域的基本操作（图8.1）。
Photolithography是用来定义这个基本操作的术语。
还有其它术语为Photomasking, Masking, Oxide或者Metal Removal （OR,MR）和Microlithography。
光刻工艺是半导体工艺过程中非常重要的一道工序，它是用来在不同的器件和电路表面上建立图形（水平的）工艺过程。
这个工艺过程的目标有两个。
首先是在晶圆表面建立尽可能接近设计规则中所要求尺寸的图形。
这个目标被称为晶圆的分辨率（resolution）。
图形尺寸被称为电路的特征图形尺寸（feature size）或是图像尺寸（image size）。
第二个目标是在晶圆表面正确定位图形（称为Alignment或者Registration）。
整个电路图形必须被正确地定位于晶圆表面，电路图形上单独的每一部分之间的相对位置也必须是正确的（图8.2）。
请记住，最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶圆表面一层一层叠加建立起来的。
图形定位的的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确的对准。
光刻与刻蚀工艺
光刻与刻蚀工艺pptxx年xx月xx日contents •光刻与刻蚀工艺简介•光刻工艺详细介绍•刻蚀工艺详细介绍•光刻与刻蚀工艺的挑战与对策•光刻与刻蚀工艺的发展趋势目录01光刻与刻蚀工艺简介1光刻工艺原理23利用光子能量将光刻胶上的分子激活，使其可进行化学反应。
光学曝光将光刻胶上的图形转移到半导体基板上的过程。
图形转移对光刻胶和半导体基板表面进行化学处理，以实现图形的精细加工。
表面处理利用液体化学试剂将半导体表面的材料溶解。
刻蚀工艺原理湿法刻蚀利用等离子体或离子束等高能粒子将半导体表面的材料去除。
干法刻蚀刻蚀过程中，被刻蚀材料与阻挡层材料的去除速率之比。
选择比1光刻与刻蚀工艺的关系23光刻工艺是制造芯片的核心技术，通过光刻胶上的图形控制半导体表面的加工。
刻蚀工艺是将光刻胶上的图形转移到半导体表面的关键步骤，要求高精度和高一致性。
光刻和刻蚀工艺的组合直接决定了芯片制造的质量、产量和成本。
02光刻工艺详细介绍03运动控制系统运动控制系统精确控制掩膜与光刻胶之间的相对位置，确保图形对准和重复性。
光刻机工作原理01曝光系统曝光系统将掩膜上的图形转换为光刻胶上的图形，是光刻机的核心部分。
02投影系统投影系统将曝光系统输出的光线聚焦到光刻胶表面，实现小比例图形转移。
光学接触剂是低分子聚合物，具有高度透明性和低折射率。
光学接触剂正性光刻胶受到光照后会发生交联反应，形成网状结构，耐腐蚀性强。
正性光刻胶负性光刻胶受到光照后会发生降解反应，形成可溶性物质，易于清除。
负性光刻胶光刻胶的分类与性质增加对比度通过优化涂层和选择合适的光源和波长，增加光刻胶与衬底之间的对比度。
提高分辨率采用短波长光源和高级数值孔径透镜，提高光刻机分辨率。
提高精度和一致性采用先进的控制系统和误差修正技术，提高光刻胶图形的精度和一致性。
光刻工艺的优化03刻蚀工艺详细介绍离子刻蚀机以离子束或离子束辅助化学反应的方式进行刻蚀。
具有各向异性刻蚀、高分辨率和低损伤等优点，但刻蚀速率较慢，设备昂贵。
第八章光刻与刻蚀工艺
优点：光刻版不受损伤， 对准精度高。
缺点：光学系统复杂， 对物镜成像要求高。
应用：3μm以下特征尺寸光刻。
8.1.5 曝光方式
分步重复投影光刻机--Stepper
采用折射式光学系统和4X~5X的缩小透镜。 光刻版：4X、5X、10X； 曝光场：一次曝光只有硅片的一部分； 采用了分步对准聚焦技术。
➢ 不能。因为特征尺寸 (0.25 mm = 250nm) 小于可见光 的波长，可见光波长为390nm (紫光) to 750nm (红光)。
8.1.2 分辨率
分辨率R－表征光刻精度，光刻时所能得到的光刻图形
的最小尺寸。 表示方法：每mm最多可容纳的线条数。若可分辨的最小线
宽为L线条间隔也是L），则分辨率R为 R＝1/(2L) (mm-1)
X射线曝光：λ＝2---40Å ，软X射 线；
X射线曝光的特点：分辨率高， 产量大。
极短紫外光（EUV）：λ＝10—14nm
商用X-ray光刻机
8.1.1 光刻工艺流程
光刻7－曝光后烘焙（后烘，PEB）
烘焙温度高于光刻胶玻璃化转变温度（Tg） 光刻胶分子发生热运动 过曝光和欠曝光的光刻胶分子发生重分布 平衡驻波效应，平滑光刻胶侧墙， 目的：提高分辨率
i线365nm，h线405nm，g线436nm。
准分子激光：KrF：λ= 248nm；
ArF：λ= 193nm；
F2激光器：
λ= 157nm。
高压汞灯紫外光谱
8.1.1 光刻工艺流程
②下一代曝光方法
电子束曝光：λ＝几十---100Å ； 优点：分辨率高；不需光刻版
（直写式）；
缺点：产量低（适于制备光刻 版）；
蒸发PR中所有有机溶剂 提高刻蚀和注入的抵抗力 提高光刻胶和表面的黏附性
缺点：光学系统复杂， 对物镜成像要求高。
应用：3μm以下特征尺寸光刻。
8.1.5 曝光方式
分步重复投影光刻机--Stepper
采用折射式光学系统和4X~5X的缩小透镜。 光刻版：4X、5X、10X； 曝光场：一次曝光只有硅片的一部分； 采用了分步对准聚焦技术。
➢ 不能。因为特征尺寸 (0.25 mm = 250nm) 小于可见光 的波长，可见光波长为390nm (紫光) to 750nm (红光)。
8.1.2 分辨率
分辨率R－表征光刻精度，光刻时所能得到的光刻图形
的最小尺寸。 表示方法：每mm最多可容纳的线条数。若可分辨的最小线
宽为L线条间隔也是L），则分辨率R为 R＝1/(2L) (mm-1)
X射线曝光：λ＝2---40Å ，软X射 线；
X射线曝光的特点：分辨率高， 产量大。
极短紫外光（EUV）：λ＝10—14nm
商用X-ray光刻机
8.1.1 光刻工艺流程
光刻7－曝光后烘焙（后烘，PEB）
烘焙温度高于光刻胶玻璃化转变温度（Tg） 光刻胶分子发生热运动 过曝光和欠曝光的光刻胶分子发生重分布 平衡驻波效应，平滑光刻胶侧墙， 目的：提高分辨率
i线365nm，h线405nm，g线436nm。
准分子激光：KrF：λ= 248nm；
ArF：λ= 193nm；
F2激光器：
λ= 157nm。
高压汞灯紫外光谱
8.1.1 光刻工艺流程
②下一代曝光方法
电子束曝光：λ＝几十---100Å ； 优点：分辨率高；不需光刻版
（直写式）；
缺点：产量低（适于制备光刻 版）；
蒸发PR中所有有机溶剂 提高刻蚀和注入的抵抗力 提高光刻胶和表面的黏附性
光刻与刻蚀工艺流程课件
REPORT
CATALOG
DATE
ANALYSIS
SUMMAR Y
02
刻蚀工艺简介
刻蚀工艺的定义
刻蚀工艺：是指利用物理或化学方法，将材料表面的一部分 去除，以达到形成图案或结构的目的。
在半导体制造中，刻蚀工艺是关键的步骤之一，用于形成电 路、器件和其它微结构。
刻蚀工艺的原理
物理刻蚀
利用物理能量，如高能粒子或等 离子体，轰击材料表面，使其原 子或分子从表面溅射出来。
总结词
胶的均匀涂布是光刻工艺中的重要环节，直接影响到光刻胶的覆盖质量和均匀 性。
详细描述
在涂胶过程中，要确保胶液的均匀分布，避免出现胶层厚薄不均、气泡等问题 。可以采用匀胶机进行涂布，控制好涂布速度和温度，以保证胶的均匀性。
曝光能量控制问题
总结词
曝光能量是光刻工艺中的关键参数， 直接影响到曝光质量和光刻胶的溶解 度。
预烘
预烘
使光刻胶中的溶剂挥发， 增强光刻胶与硅片之间的 黏附力。
预烘温度和时间
根据光刻胶类型和特性而 定。
预烘作用
提高光刻胶的黏附性和稳 定性。
曝光
曝光
通过掩膜版将所需图案投影到光 刻胶上，使光刻胶发生化学反应
。
曝光方式
接触式曝光、接近式曝光、扫描 式曝光等。
曝光剂量
影响光刻胶的溶解性和分辨率。
坚膜温度的控制问题
总结词
坚膜温度是光刻工艺中的重要参数，直接影响到光刻胶的硬度和附着力。
详细描述
要选择合适的坚膜温度，以保证光刻胶的硬度和附着力。坚膜温度过高会导致光刻胶变脆，而坚膜温度过低会导 致光刻胶附着力下降，影响光刻效果。
腐蚀深度的问题
总结词
最新第八章-基本光刻工艺.PPT课件
保持憎水性表面通常通过下面两种方法：
一是保持室内温度在50℃以下，并且在晶园完
成前一步工艺之后尽可能快的进行涂胶。
.
25
亲水 性 表面
憎水 性 表面
另一种方法是把晶园存储在用干燥并且干 净的氮气净化过的干燥器中。
除此之外，一个加热的操作也可以使晶园表面 恢复到憎水表面。有三种温度范围：
150～200℃（低温），此时晶园表面会被蒸发
首先把光刻胶通过管道堆积在晶园的中心， 堆积量由晶园大小和光刻胶的类型决定，堆积 量非常关键，量少了会导致涂胶不均匀，量大 了会导致晶园边缘光刻胶的堆积甚至流到背面， 如图所示。
.
28
涂胶
铺展
旋转
高转 速
真空
静态旋转工艺
光刻胶膜的最终厚度是由光刻胶的粘度、 旋转速度、表面张力和国光刻胶的干燥性来决 定的。
更高
黏结力
更好
曝光速度
更快
针孔数量
更少
阶梯覆盖度
更好
成本 显影液
有机溶剂
更高 水溶性溶剂
光刻胶去除剂
氧化工步 金属工步
酸
酸
氯化溶剂化合物
普通酸溶剂
.
23
8.8 光刻工艺
这一节将介绍基本的光刻工艺10步法，包 括每一步的目的、技术考虑、选项和工艺控制 方法等。
8.9 表面准备
为确保光刻胶能和晶园表面很好粘结，必 须进行表面处理，包括三个阶段：微粒清除、 脱水和涂底胶。
低转 速
真空
.
高转 速
31
• 自动旋转器
自动系统如图所示，包含了晶园表面处理、
.
26
到了400℃（中温）时，与晶园表面结合较松 的水分子会离开。当超过750℃（高温）时， 晶园表面从化学性质上讲恢复到了憎水性条件。 通常采用低温烘焙，原因是操作简单。
chap8光刻与刻蚀工艺
7
2、高灵敏度：为了提高产量要求曝光所需 要的时间越短越好，也就是要求灵敏度高。也 称感光度，以光刻胶发生化学反应所需要的最 小曝光量的倒数来表示。 3、精密的套刻对准 4、大尺寸硅片的加工 5、低缺陷 四、光刻三要素： 光刻胶、掩膜版和光刻机
8
8.1 光刻工艺流程
以负胶为例来说明这八个步骤，一般 可分为： 打底膜->涂胶->前烘->曝光->显影-> 后烘（坚膜）->腐蚀（刻蚀）->去胶。
13
图形转移——刻蚀
14
图形转移——剥离（lift-off）
15
去胶
溶剂去胶 （strip）：Piranha (H2SO4:H2O2)。 正胶：丙酮
氧化去胶 450 C O2+胶CO2+H2O 干法去胶（Ash)
等离子去胶（Oxygen plasma ashing） 高频电场 O2电离O－＋O＋ O＋活性基与胶反应 CO2， CO ，H2O。
40
8.5 抗反射涂层工艺
使用抗反射涂层（ARC）工艺，可以降低驻波 效应的影响。 驻波效应：曝光光波在进入到光刻胶层之后， 如果没有被完全吸收，就会有一部分光波穿过光 刻胶膜达到衬底表面，这一部分光波在衬底表面 被反射之后，又回到光刻胶中。这样，反射光波 与光刻胶中的入射光波发生干涉，从而形成驻波。 表现为以λ/2n为间隔，在光刻胶中形成强 弱相间的曝光区域。会导致线宽发生变化，减低 分辨率。
44
紫外曝光的方法及各自特点
接触式光刻：分辨率较高，但是容易造成掩膜 版和光刻胶膜的损伤。 接近式曝光：在硅片和掩膜版之间有一个很小 的间隙(10～25mm)，可以大大减小掩膜版的损 伤，分辨率较低。 投影式曝光：利用透镜或反射镜将掩膜版上的 图形投影到衬底上的曝光方法，目前用的最多 的曝光方式。
微电子工艺基础光刻工艺
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 3、前烘 （2）方法（根据热传递的三种方式）
① 烘箱烘烤 ② 热板处理 ③ 红外光照射
微电子工业基础
光刻2－预烘
脱水烘焙 去除圆片表面的潮气 增强光刻胶与表面的黏附性 通常大约100 °C 与底胶涂覆合并进行
微电子工艺基础
光刻2－底胶涂覆
增强光刻胶(PR)和圆片表面的黏附性 广泛使用: Hexamethyldisilazane (HMDS) 在PR旋转涂覆前HMDS蒸气涂覆 Usually performed in-situ with pre-bake PR涂覆前用冷却板冷却圆片
微电子工业基础
第8章光刻工艺
一、概述 4、光刻工艺步骤概述（**）
（1）图形转移的两个阶段 ② 图形从光刻胶层转移到晶圆层
微电子工业基础
4、光刻工艺步骤概述（**） （2）十步法
第8章 光刻工艺
一、概述
微电子工业基础
第8章 光刻工艺
二、光刻胶
1、光刻胶的组成、分类 2、光刻胶的参数 3、正负胶比较 4、电子抗蚀剂 5、X-射线抗蚀剂
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 3、正、负胶的比较
（1）正、负胶和掩膜版极性的结合（参见教材P131和P132）
掩模板的 图形是由 不透光的 区域决定
的
在掩膜板上 的图形是用 相反的方式 微电子编工码业的基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 3、正、负胶的比较
（2）负胶
负胶大多数由长链高分子有机物组成。 例如：由顺聚异戊二烯、对辐照敏感的交联剂以及溶剂组成的 负胶，响应波长330-430nm，胶膜厚度0.3-1μm，显影液是 有机溶剂如二甲苯等。曝光的顺聚异戊二烯在交联剂作用下交 联，成为体形高分子并固化，不再溶于有机溶剂构成的显影液， 而未曝光的长链高分子溶于显影液，显影时被去掉。
第8章光刻工艺
二、光刻胶 3、前烘 （2）方法（根据热传递的三种方式）
① 烘箱烘烤 ② 热板处理 ③ 红外光照射
微电子工业基础
光刻2－预烘
脱水烘焙 去除圆片表面的潮气 增强光刻胶与表面的黏附性 通常大约100 °C 与底胶涂覆合并进行
微电子工艺基础
光刻2－底胶涂覆
增强光刻胶(PR)和圆片表面的黏附性 广泛使用: Hexamethyldisilazane (HMDS) 在PR旋转涂覆前HMDS蒸气涂覆 Usually performed in-situ with pre-bake PR涂覆前用冷却板冷却圆片
微电子工业基础
第8章光刻工艺
一、概述 4、光刻工艺步骤概述（**）
（1）图形转移的两个阶段 ② 图形从光刻胶层转移到晶圆层
微电子工业基础
4、光刻工艺步骤概述（**） （2）十步法
第8章 光刻工艺
一、概述
微电子工业基础
第8章 光刻工艺
二、光刻胶
1、光刻胶的组成、分类 2、光刻胶的参数 3、正负胶比较 4、电子抗蚀剂 5、X-射线抗蚀剂
微电子工业基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 3、正、负胶的比较
（1）正、负胶和掩膜版极性的结合（参见教材P131和P132）
掩模板的 图形是由 不透光的 区域决定
的
在掩膜板上 的图形是用 相反的方式 微电子编工码业的基础
第8章光刻工艺
二、光刻胶 3、正、负胶的比较
（2）负胶
负胶大多数由长链高分子有机物组成。 例如：由顺聚异戊二烯、对辐照敏感的交联剂以及溶剂组成的 负胶，响应波长330-430nm，胶膜厚度0.3-1μm，显影液是 有机溶剂如二甲苯等。曝光的顺聚异戊二烯在交联剂作用下交 联，成为体形高分子并固化，不再溶于有机溶剂构成的显影液， 而未曝光的长链高分子溶于显影液，显影时被去掉。
光刻与刻蚀工艺ppt课件
6.1 概述
光刻技术被用来界定p-n结的几何形状。
在形成SiO2之后。利用高速旋转机，将晶 片表面旋涂一层对紫外光敏感的材料，称 为光刻胶(photo-resist)。将晶片从旋转机 拿下之后[图 (c)]，在80C～100C之间烘烤。 以驱除光刻胶中的溶剂并硬化光刻胶，加 强光刻胶与晶片的附着力。如图 (d)所示， 下一个步骤使用UV光源，通过一有图案的 掩模版对晶片进行曝光。对于被光刻胶覆 盖的晶片在其曝光的区域将依据光刻胶的 型态进行化学反应。而被暴露在光线中的 光刻胶会进行聚合反应，且在刻蚀剂中不 易去除。聚合物区域在晶片放进显影剂 (developer)后仍然存在，而未被曝光区域 (在不透明掩模版区域之下)会溶解并被洗去。
8.2 光刻工艺
正胶和负胶图形转移
光刻胶通常可分为正性胶和负性 胶两类，两者经曝光和显影后得到的 图形正好相反。显影时，正胶的感光 区较易溶解而未感光区不溶解，所形 成的光刻胶图形是掩模版图形的正映 象。负胶的情况正相反，显影时感光 区较难溶解而未感光区溶解，形成的 光刻胶图形是掩模版图形的负映象。
8.2 光刻工艺
光学光刻使用的正胶通常含有三种主要成分：酚醛树脂、感光 剂和有机溶剂。曝光前的光刻胶基本上不溶于显影液。曝光时， 感光剂 — 如 g 线（436 nm）和 i 线（365 nm）光刻时正胶中 的重氮醌（DNQ），因吸收光能而导致化学结构发生变化，在显 影液中的溶解度比曝光前高出很多（约100倍）。显影后，感光 部分光刻胶被溶解去除。
优点：有较高刻 自从80年代后期用多晶硅成功制作旋转式微马达于硅芯片上以来，微机电系统(microelectromechanical systems，MEMS)迅速引起人
们化的学注 方意式光。：等刻离子体(产li生t的h中o性g反r应a物p与h物质y表，面相又互作译用产图生挥形发性曝产物光。 )：使用带有某一层设计几 何图形的掩模版(mask)，通过光化学反应，经过曝光和显影，使光 这种方式使得微机电系统产品类似于集成电路，可整批制造，廉价推广。
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第8章 光刻与刻蚀工艺
1
光刻的重要性及要求
2
光刻工艺流程
3
光刻工艺的分辨率及光刻胶
4
曝光光源、曝光方式以及掩膜版
5
湿法刻蚀与干法刻蚀技术
东华理工大学
光刻与刻蚀的定义
图形加工
图形曝光（光刻， Photolithography）
图形转移（刻蚀，Etching）
光刻工艺的重要性：
❖ IC设计流程图，光刻图案用来定义IC中各种不同的区 域，如：离子注入区、接触窗、有源区、栅极、压焊 点、引线孔等
东华理工大学
前烘方法
热板
东华理工大学
显影
❖ 目的：显现出曝光后在光刻胶层中形成的潜在图形 正胶：感光区域显影溶解，所形成的是掩膜板图形的正
映像 负胶：反之
❖ 方法：喷洒显影液 静止显影 漂洗、旋干 ❖ 浸入式
东华理工大学
东华理工大学
正胶和负胶
东华理工大学
显影中可能存在的问题
东华理工大学
喷洒式显影设备
对比度 依赖于工艺参数，如：显影液、前烘时间、曝
光后及坚膜的温度，光源波长和硅片的表面形貌等
东华理工大学
其他特性
调制转移函数：
涂胶 前烘 曝光 显影 后烘 刻蚀 去胶
东华理工大学
硅片清洗
东华理工大学
预烘及涂增强剂
东华理工大学
涂胶
东华理工大学
前烘
东华理工大学
掩模版对准
东华理工大学
曝光
东华理工大学
曝光后烘培
东华理工大学
显影
东华理工大学
后烘及图形检测
东华理工大学
刻蚀
东华理工大学
刻蚀完成
东华理工大学
去胶
东华理工大学
匀胶机
东华理工大学
旋涂
边沿清除
东华理工大学
光刻胶膜的质量
质量指标：
❖ 膜厚（光刻胶本身的黏性、甩胶时间、速度） ❖ 膜厚均匀性（甩胶速度、转速提升速度） ❖ 气泡，灰尘等粘污情况（超净工作台，红、黄光照明）
东华理工大学
前烘
目的： ❖ 使胶膜内溶剂充分挥发，干燥，降低灰尘污染 ❖ 增加胶膜与下层膜的黏附性及耐磨性 ❖ 区分曝光区和未曝光区的溶解速度 方法： ❖ 干燥循环热风 ❖ 红外线辐射 ❖ 热平板传导（100℃左右）
2 1
掩膜版上 的图形
3
东华理工大学
洁净度等级：
❖ 英制：每立方英尺中直径大于或等于0.5μm的尘埃粒 子总数不超过设计等级（如英制等级100）
❖ 公制：每立方米中直径大于或等于0.5μm的尘埃粒子 总数不超过设计等级（以指数计算，如等级M3.5， 则粒子总数不超过103.5个）
东华理工大学
§8.1 光刻工艺流程
东华理工大学
喷洒显影液--静止显影
东华理工大学
去除显影液---去离子水清洗
东华理工大学
浸入式显影全过程
东华理工大学
曝光后烘培
❖ 目的：降低驻波效应，形成均匀曝光
东华理工大学
曝光后烘培
东华理工大学后烘（坚膜）源自目的： ❖ 除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片的附着力 ❖ 提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力 ❖ 减少光刻胶层中的缺陷（如针孔），修正图形边缘轮廓 方法：高温处理（150℃左右） 光学稳定（UV照射)
正胶与负胶
东华理工大学
正胶与负胶
负胶的缺点： • 树脂的溶涨降低分辨率 • 溶剂（二甲苯）造成环境污染
东华理工大学
对比度
❖ 光刻胶膜厚——区分亮区和暗区的能力
r
(Y2
Y1)
/(X 2
X1)
rp
1 log10 (Dc
/ D0 )
rn
1 log10 (Dg0
/ Dgi )
东华理工大学
对比度
❖ 对比度越高，侧面越陡，线宽更准确 ❖ 对比度高，减少刻蚀过程中的钻蚀效应，提高分辨率
质量一定，则动能越高，分辨率越高
东华理工大学
光刻参数对工艺效果的影响
曝光系统 衬底 掩膜
光刻胶 显影剂 润湿剂
工艺 操作员
分辨率 XX X X XX X － X X
对准 XX X X X － － X XX
片间控制 批间控制
X
XX
XX
X
－
X
XX
XX
XX
XX
XX
X
XX
XX
XX
X
产量 XX X X XX X － XX XX
❖ 主流微电子制造过程中，光刻是最复杂，昂贵和关键 的工艺，占总成本的1/3，一个典型的硅工艺需要15-20 块掩膜，光刻工艺决定着整个IC工艺的特征尺寸，代 表着工艺技术发展水平。
东华理工大学
光刻技术在IC流程中的重要性
东华理工大学
ULSI中对光刻的基本要求
光刻的要求
分辨率（高） 曝光视场（大） 图形对准精度（高）——1/3最小特征尺寸 产率（throughput）（大） 缺陷密度（低）
❖ 定义：分辨率R表示每mm内能刻蚀出可分辨的最多线条数， 即每mm内包含有多少可分辨的线对数
R 1 (mm1) 2L
东华理工大学
❖ 物理学意义：限制因素是衍射
光子： L p h
L p / h / 2; Rmax 1/
粒子：
L
h
2 2mE
所以：能量一定，则粒子质量越大，分辨率越高
东华理工大学
§8.3 光刻胶的基本属性
正胶与负胶：
东华理工大学
光刻胶的组成
❖ 聚合物材料（树脂）：保证光刻胶的附着性和抗腐蚀 性及其他特性，光化学反应改变溶解性
❖ 感光材料（PAC）：控制或调整光化学反应，决定着 曝光时间和剂量
❖ 溶剂：将树脂溶解为液体，使之易于涂覆 ❖ 添加剂：染色剂等
东华理工大学
35％的成 本来自于 光刻工艺
图形转移技术组成：
•掩膜版/电路设计 •掩膜版制作 •光刻
光源 曝光系统 光刻胶
东华理工大学
空间图像 潜在图像
东华理工大学
半导体工业中的洁净度概念
❖ 尘埃粒子的影响： ❖ 粒子1：在下面器件层产生针孔 ❖ 粒子2：妨碍金属导线上电流的流动 ❖ 粒子3：导致两金属区域短路，使电路失效
东华理工大学
刻蚀
❖ 目的：选择性地将未被光刻胶掩蔽的区域去除 ❖ 方法：干法刻蚀
湿法刻蚀 ❖质量指标：分辨率 ； 选择性
东华理工大学
去胶
目的：将经过刻蚀的硅片表面留下的光刻胶去除
方法：干法去胶 （等离子体去胶、紫外光分解去胶） 湿法去胶 （无机溶液去胶、有机溶液去胶）
东华理工大学
§8.2 分辨率(Resolution)
离子注入
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快速热处理及合金
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预烘及涂增强剂
❖ 去除硅片表面的水分 ❖ 增强与光刻胶的黏附力（亲水性，疏水性） ❖ 温度一般为150～750℃之间 ❖ 可用涂覆增强剂（HMDS，六甲基乙硅氮烷）来增加
黏附性
东华理工大学
涂胶（旋涂法）
❖ 目的：形成厚度均匀、附着力强、没有缺陷的光刻胶薄膜 ❖ 方法：旋涂法
1
光刻的重要性及要求
2
光刻工艺流程
3
光刻工艺的分辨率及光刻胶
4
曝光光源、曝光方式以及掩膜版
5
湿法刻蚀与干法刻蚀技术
东华理工大学
光刻与刻蚀的定义
图形加工
图形曝光（光刻， Photolithography）
图形转移（刻蚀，Etching）
光刻工艺的重要性：
❖ IC设计流程图，光刻图案用来定义IC中各种不同的区 域，如：离子注入区、接触窗、有源区、栅极、压焊 点、引线孔等
东华理工大学
前烘方法
热板
东华理工大学
显影
❖ 目的：显现出曝光后在光刻胶层中形成的潜在图形 正胶：感光区域显影溶解，所形成的是掩膜板图形的正
映像 负胶：反之
❖ 方法：喷洒显影液 静止显影 漂洗、旋干 ❖ 浸入式
东华理工大学
东华理工大学
正胶和负胶
东华理工大学
显影中可能存在的问题
东华理工大学
喷洒式显影设备
对比度 依赖于工艺参数，如：显影液、前烘时间、曝
光后及坚膜的温度，光源波长和硅片的表面形貌等
东华理工大学
其他特性
调制转移函数：
涂胶 前烘 曝光 显影 后烘 刻蚀 去胶
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硅片清洗
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预烘及涂增强剂
东华理工大学
涂胶
东华理工大学
前烘
东华理工大学
掩模版对准
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曝光
东华理工大学
曝光后烘培
东华理工大学
显影
东华理工大学
后烘及图形检测
东华理工大学
刻蚀
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刻蚀完成
东华理工大学
去胶
东华理工大学
匀胶机
东华理工大学
旋涂
边沿清除
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光刻胶膜的质量
质量指标：
❖ 膜厚（光刻胶本身的黏性、甩胶时间、速度） ❖ 膜厚均匀性（甩胶速度、转速提升速度） ❖ 气泡，灰尘等粘污情况（超净工作台，红、黄光照明）
东华理工大学
前烘
目的： ❖ 使胶膜内溶剂充分挥发，干燥，降低灰尘污染 ❖ 增加胶膜与下层膜的黏附性及耐磨性 ❖ 区分曝光区和未曝光区的溶解速度 方法： ❖ 干燥循环热风 ❖ 红外线辐射 ❖ 热平板传导（100℃左右）
2 1
掩膜版上 的图形
3
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洁净度等级：
❖ 英制：每立方英尺中直径大于或等于0.5μm的尘埃粒 子总数不超过设计等级（如英制等级100）
❖ 公制：每立方米中直径大于或等于0.5μm的尘埃粒子 总数不超过设计等级（以指数计算，如等级M3.5， 则粒子总数不超过103.5个）
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§8.1 光刻工艺流程
东华理工大学
喷洒显影液--静止显影
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去除显影液---去离子水清洗
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浸入式显影全过程
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曝光后烘培
❖ 目的：降低驻波效应，形成均匀曝光
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曝光后烘培
东华理工大学后烘（坚膜）源自目的： ❖ 除去光刻胶中剩余的溶剂，增强光刻胶对硅片的附着力 ❖ 提高光刻胶在刻蚀和离子注入过程中的抗蚀性和保护能力 ❖ 减少光刻胶层中的缺陷（如针孔），修正图形边缘轮廓 方法：高温处理（150℃左右） 光学稳定（UV照射)
正胶与负胶
东华理工大学
正胶与负胶
负胶的缺点： • 树脂的溶涨降低分辨率 • 溶剂（二甲苯）造成环境污染
东华理工大学
对比度
❖ 光刻胶膜厚——区分亮区和暗区的能力
r
(Y2
Y1)
/(X 2
X1)
rp
1 log10 (Dc
/ D0 )
rn
1 log10 (Dg0
/ Dgi )
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对比度
❖ 对比度越高，侧面越陡，线宽更准确 ❖ 对比度高，减少刻蚀过程中的钻蚀效应，提高分辨率
质量一定，则动能越高，分辨率越高
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光刻参数对工艺效果的影响
曝光系统 衬底 掩膜
光刻胶 显影剂 润湿剂
工艺 操作员
分辨率 XX X X XX X － X X
对准 XX X X X － － X XX
片间控制 批间控制
X
XX
XX
X
－
X
XX
XX
XX
XX
XX
X
XX
XX
XX
X
产量 XX X X XX X － XX XX
❖ 主流微电子制造过程中，光刻是最复杂，昂贵和关键 的工艺，占总成本的1/3，一个典型的硅工艺需要15-20 块掩膜，光刻工艺决定着整个IC工艺的特征尺寸，代 表着工艺技术发展水平。
东华理工大学
光刻技术在IC流程中的重要性
东华理工大学
ULSI中对光刻的基本要求
光刻的要求
分辨率（高） 曝光视场（大） 图形对准精度（高）——1/3最小特征尺寸 产率（throughput）（大） 缺陷密度（低）
❖ 定义：分辨率R表示每mm内能刻蚀出可分辨的最多线条数， 即每mm内包含有多少可分辨的线对数
R 1 (mm1) 2L
东华理工大学
❖ 物理学意义：限制因素是衍射
光子： L p h
L p / h / 2; Rmax 1/
粒子：
L
h
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所以：能量一定，则粒子质量越大，分辨率越高
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§8.3 光刻胶的基本属性
正胶与负胶：
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光刻胶的组成
❖ 聚合物材料（树脂）：保证光刻胶的附着性和抗腐蚀 性及其他特性，光化学反应改变溶解性
❖ 感光材料（PAC）：控制或调整光化学反应，决定着 曝光时间和剂量
❖ 溶剂：将树脂溶解为液体，使之易于涂覆 ❖ 添加剂：染色剂等
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35％的成 本来自于 光刻工艺
图形转移技术组成：
•掩膜版/电路设计 •掩膜版制作 •光刻
光源 曝光系统 光刻胶
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空间图像 潜在图像
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半导体工业中的洁净度概念
❖ 尘埃粒子的影响： ❖ 粒子1：在下面器件层产生针孔 ❖ 粒子2：妨碍金属导线上电流的流动 ❖ 粒子3：导致两金属区域短路，使电路失效
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刻蚀
❖ 目的：选择性地将未被光刻胶掩蔽的区域去除 ❖ 方法：干法刻蚀
湿法刻蚀 ❖质量指标：分辨率 ； 选择性
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去胶
目的：将经过刻蚀的硅片表面留下的光刻胶去除
方法：干法去胶 （等离子体去胶、紫外光分解去胶） 湿法去胶 （无机溶液去胶、有机溶液去胶）
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§8.2 分辨率(Resolution)
离子注入
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快速热处理及合金
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预烘及涂增强剂
❖ 去除硅片表面的水分 ❖ 增强与光刻胶的黏附力（亲水性，疏水性） ❖ 温度一般为150～750℃之间 ❖ 可用涂覆增强剂（HMDS，六甲基乙硅氮烷）来增加
黏附性
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涂胶（旋涂法）
❖ 目的：形成厚度均匀、附着力强、没有缺陷的光刻胶薄膜 ❖ 方法：旋涂法