Al纳米多层膜的界面扩散与电阻率
al的电阻率
al的电阻率1. 什么是电阻率电阻率是材料对电流流动的阻碍程度的度量。
它表示单位长度和单位横截面积下，材料内部通过的电流与施加在材料两端的电压之间的比值。
电阻率通常用希腊字母ρ（rho）表示。
2. al（铝）的基本特性铝（aluminum）是一种常见的金属元素，其化学符号为Al，原子序数为13。
它具有以下基本特性：•密度：2.7 g/cm³•熔点：660.32°C•沸点：2467°C•硬度：2.75（摩氏硬度）铝是一种轻质、耐腐蚀、导热性能良好的金属，被广泛应用于各个领域，如建筑、汽车制造、航空航天等。
3. al的电导率与电阻率电导率（conductivity）是衡量材料导电能力的物理量，它是电阻率（resistivity）的倒数。
因此，我们可以通过计算al的电导率来得到其电阻率。
根据国际单位制中定义，标准单位下材料电阻率的计量单位为欧姆·米（Ω·m）。
4. al的电导率与电阻率数值根据实验数据和研究，al的电导率约为37.7 MS/m（兆西门子/米）。
将其转换为标准单位后，我们可以得到al的电阻率约为2.65 x 10^-8 Ω·m。
5. al的电阻率与其他材料对比在金属中，铜是一种常用的导电材料。
相比之下，铜的电导率约为58 MS/m，而铝的电导率约为37.7 MS/m。
因此，可以看出铜在导电能力上略优于铝。
然而，在实际应用中，铝具有更低的密度和成本，因此在一些场景下更适合使用。
例如，在高压输电线路中，由于长距离输送需要考虑线路重量和成本问题，选择使用铝作为导线材料更加经济合理。
6. 影响al电阻率的因素al的电阻率受多种因素影响。
以下是一些主要影响因素：温度温度对材料的电阻率有显著影响。
通常情况下，随着温度升高，材料的电阻率会增加。
这是由于温度升高会增加材料内部的电阻，导致电流通过时受到更大的阻碍。
纯度纯度也是影响al电阻率的重要因素。
界面电阻 电化学
界面电阻电化学界面电阻是指在电化学反应过程中，电极与电解质溶液之间的电阻。
它是导电材料与电解质之间接触面积、材料性质以及电解质浓度等因素共同作用的结果。
界面电阻的大小直接影响着电化学反应的速率和效果。
在电化学反应中，电极与电解质溶液之间的接触面积是决定界面电阻大小的重要因素之一。
当电极的表面积越大时，与电解质溶液接触的面积也就越大，电流能够更容易地通过电解质溶液，从而减小了界面电阻。
因此，为了减小界面电阻，可以采取增大电极表面积的方法，例如采用多孔电极材料或者纳米材料。
导电材料的选择也会对界面电阻产生影响。
一般来说，金属具有良好的导电性能，可以有效地降低界面电阻。
但对于某些特殊的电化学反应来说，金属可能会产生一些副反应，影响反应的选择性和效率。
因此，在一些特定的应用中，可能会选择其他材料作为电极，如碳材料、导电聚合物等。
电解质溶液的浓度也会对界面电阻产生影响。
当电解质溶液的浓度较高时，溶液中的离子浓度也较高，电流能够更容易地在电解质溶液中传导，从而降低了界面电阻。
因此，在一些实际应用中，可以通过调节电解质溶液的浓度来改变界面电阻的大小。
在电化学反应中，界面电阻会对反应速率产生影响。
当界面电阻较大时，电流通过电解质溶液的能力较差，反应速率较慢；当界面电阻较小时，电流通过电解质溶液的能力较强，反应速率较快。
因此，合理地控制界面电阻的大小，对于提高电化学反应的效率具有重要意义。
为了减小界面电阻，还可以采取一些其他的措施。
例如，可以在电极表面形成一层电解质膜或者添加一些表面活性剂，来改善电极与电解质溶液的接触情况，减小界面电阻。
此外，还可以通过改变电极的形状或者增加电极之间的距离，来调节界面电阻的大小。
界面电阻是电化学反应中不可忽视的因素之一。
通过合理地选择导电材料、调节电解质溶液浓度以及采取其他措施，可以有效地减小界面电阻，提高电化学反应的效率。
研究界面电阻的机理和调控方法，对于深入理解电化学反应过程以及开发新型电化学材料具有重要意义。
【国家自然科学基金】_纳米金属多层膜_基金支持热词逐年推荐_【万方软件创新助手】_20140731
推荐指数 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2011年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35
2011年 科研热词 纳米多层膜 调制比 调制周期 纳米金属多层膜 显微组织 显微硬度 强度 延性 双槽电沉积法 力学性能 cu/ag多层膜 钛合金 金属cu 连接 调制波长 自蔓延 纳米结构多层膜 纳米压痕 磁控溅射 硬度 界面结构 电阻率 氮化物 断裂韧性 断裂行为 微观结构 微动磨损 微动疲劳 强韧化 尺寸效应 多弧离子镀 塑性变形 cu/nb cu/cr cr/crn纳米多层膜 推荐指数 5 2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2012年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
科研热词 纳米多层膜 显微硬度 饱和场 镍 铜 调制周期 脉冲电沉积 聚电解质多层膜 磁控溅射 磁性 界面稳定性 电导率 氦泡 核壳 应力 屈服强度 多层膜 双金属纳米粒子 单槽 cu/w cu/mo纳米多层膜 co/cu
2008年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36
科研热词 纳米多层膜 非晶晶化 非晶 镜像力 调制结构 调制波长 自旋阀 自旋极化输运 聚酰胺-胺 纳米 磁滞回线 界面扩散 电阻率 电结晶 电子技术 电化学石英晶体微天平 电催化 溅射法 显微硬度 巨磁电阻效应 失配位错 多金属氧酸盐 多层膜 外延生长 塑性变形 反应磁控溅射 分子动力学模拟 交换偏置 x射线衍射 tin/alon纳米多层膜 ni/al hall-petch关系 fe3o4磁性半金属 cu/ni多层膜 co/pd纳米多层膜 al/pb合金
三氧化二铝电阻率
三氧化二铝电阻率三氧化二铝（Aluminum Oxide，简称Al2O3）是一种常见的无机化合物，具有高熔点、高硬度、高绝缘性和优异的耐化学性能。
它在工业和科研领域中有着广泛的应用，其中包括作为电子元件的绝缘材料。
本文将从三氧化二铝的电阻率角度，探讨其特性和应用。
三氧化二铝具有较高的电阻率。
电阻率是材料电阻性能的一个重要指标，用于描述材料对电流的阻碍程度。
三氧化二铝的电阻率通常在10^12到10^16 Ω·cm之间，这使得它成为一种优秀的绝缘材料。
在电子元件中，三氧化二铝常用作绝缘层，用于隔离不同电路之间以及引线与电路板之间的电流，以防止短路和电流泄漏。
同时，三氧化二铝的高电阻率也使其成为一种理想的电介质材料，可用于制备电容器和绝缘体。
三氧化二铝的电阻率受温度和杂质掺杂的影响。
一般来说，电阻率随着温度的升高而降低。
这是因为温度升高会导致材料中原子和分子的振动增强，电子与晶格的相互作用增强，电阻增加。
此外，杂质的存在也会影响三氧化二铝的电阻率。
例如，当三氧化二铝中掺杂少量的铁、铜等金属离子时，会引入额外的电子，从而增加了材料的导电性，降低了电阻率。
因此，在制备三氧化二铝电子元件时，需要控制材料的纯度和加工温度，以保持其良好的电绝缘性能。
三氧化二铝的电阻率还与其晶体结构和晶界特性密切相关。
三氧化二铝存在多种晶体结构，包括α-Al2O3（立方体）、β-Al2O3（六方体）和γ-Al2O3（单斜体）等。
这些不同的晶体结构对电子的运动和排列方式产生影响，从而影响了材料的电导性和电阻率。
基于三氧化二铝的高电阻率特性，它在电子工业中有着广泛的应用。
例如，在集成电路制备中，三氧化二铝常用作金属导线和硅基质之间的绝缘层，起到隔离电流的作用。
此外，三氧化二铝还可以用于制备电容器、电阻器和传感器等元件，以及高压绝缘设备和电子封装材料。
由于三氧化二铝具有优异的耐高温性能和化学稳定性，因此在航空航天、能源、光电子等领域也有着重要的应用前景。
纳米薄膜技术的基础知识及纳米薄膜的应用论文 精品
薄膜物理与技术大作业纳米薄膜技术的基础知识及纳米薄膜的应用作者姓名学号专业指导教师姓名目录摘要 (2)一、纳米薄膜的分类 (2)二、纳米薄膜的光学、力学、电磁学与气敏特性 (3)三、纳米薄膜的制备技术 (6)四、纳米薄膜的应用 (17)五、参考文献 (19)摘要纳米薄膜材料是一种新型材料，指由尺寸为纳米数量级(1~100nm)的组元镶嵌于基体所形成的薄膜材料，它兼具传统复合材料和现代纳米材料二者的优越性，由于其特殊的结构特点，使其作为功能材料有广泛的应用价值。
纳米薄膜是纳米薄膜可以改善一些机械零部件的表面性能，以减少振动，降低噪声，减小摩擦，延长寿命。
这些薄膜在刀具、微机械、微电子领域作为耐磨、耐腐蚀涂层及其它功能涂层获得重要应用。
目前，科研人员已从单一材料的纳米薄膜转向纳米复合薄膜的研究，薄膜的厚度也由数微米发展到数纳米的超薄膜。
同时，纳米薄膜的表面微观结构，纳米薄膜对敏化电池光电效率的影响及结晶机制与薄膜对电磁波屏蔽特性的影响都有至关重要的科学贡献。
关键词：纳米薄膜性能功能一、纳米薄膜的分类(1)据用途划分纳米薄膜可按用途分为纳米功能薄膜和纳米结构薄膜。
纳米功能薄膜是利用纳米粒子所具有的力、电、光、磁等方面的特性，通过复合制作出同基体功能截然不同的薄膜。
纳米结构薄膜则是通过纳米粒子复合，对材料进行改性，是以提高材料在机械性能为主要目的的薄膜。
(2)据层数划分按纳米薄膜的沉积层数，可分为纳米(单层)微薄膜和纳米多层薄膜。
其中，纳米多层薄膜包括我们平常所说的“超晶格”薄膜，它一般是由几种材料交替沉积而形成的结构交替变化的薄膜，各层厚度均为nm级。
组成纳米(单层)薄膜和纳米多层薄膜的材料可以是金属、半导体、绝缘体、有机高分子，也可以是它们的多种组合，如金属一半导体、金属一绝缘体、半导体一绝缘体、半导体一高分子材料等，而每一种组合都可衍生出众多类型的复合薄膜。
(3)据微结构划分按纳米薄膜的微结构，可分为含有纳米颗粒的基质薄膜和nm尺寸厚度的薄膜。
纳米薄膜材料的特性
光学性能
吸收光谱的“蓝移”、宽化与“红移”
由于具有小尺寸效应、量子尺寸效应以及界面效应，因而，当膜厚度减小时，大多数纳 米薄膜能隙将有所增大，会出现吸收光谱的蓝移与宽化现象。如纳米TiOE／SnO：纳米 颗粒膜具有特殊的紫外．可见光吸收光谱，其吸收光谱较块体发生了显著的“蓝移”与 宽化，抗紫外线性能和光学透过性良好。尽管如此，在另外一些纳米薄膜[ 中，由于随 着晶粒尺寸的减小，内应力的增加以及缺陷数量增多等因素，材料的电子波函数出现了 重叠或在能级间出现了附加能级，又使得这些纳米薄膜的吸收光谱发生了“红移”。
光学性能
光学非线性
弱光强的光波透过宏观介质时，介质中的电极化强度常与光波的电场强度具有近似的线 性关系。但是，当纳米薄膜的厚度与激子玻尔半径相比拟或小于激子玻尔半径％时，在 光的照射下，薄膜的吸收谱上会出现激子吸收峰。这种激子效应将连同纳米薄膜的小尺 寸效应、宏观量子尺寸效应、量子限域效应一道使得强光场中介质的极化强度与外加电 磁场的关系出现附加的2次、3次乃至高次项。简单地讲，就是纳米薄膜的吸收系数和光 强之间出现了非线性关系，这种非线性关系可通过薄膜的厚度、膜中晶粒的尺寸大小来 进行控制和调整。
纳
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性
纳米薄膜
纳米薄膜是指尺寸在nm量级的颗粒(晶粒)构成的 薄膜或者层厚在nm量级的单层或多层薄膜，通常
也称作纳米颗粒薄膜和纳米多层薄膜。
纳米薄膜 材料造 成其性质不同于一般传统材料的特性。 而纳米薄膜元件之构造及制作技术是取 决于所希望达成的功能性来进行设计， 以下就先针对纳米薄膜的光学、力学、 电磁学与气敏等特性作说明。
气敏特性
Au／锗／氧化硅纳米多层膜／p-Si结构的电致发光机制研究
２ 实 验
Ｇｅ ＳＯ： ／ ｉ 纳米 多层 膜是 用双 靶交 替磁 控溅 射沉 积 在衬底 上 的 ， 用 ｐＳ（ Ｏ ） 选 — ｉ １ Ｏ 为衬 底 ， 电阻 率 为 ｌ Ｄ ・ ｏ ， ｃ ｍ。衬 底 首 先 在 Ｈｚ ：Ｈｚ （ Ｓ Ｏｚ １：４ 溶 液 中 煮 ） １ ｍｉ ， ０ ｎ 以去 除硅 片表 面 的金 属 离子 和 其 它杂 质 ， 去 用 离子水 充分 冲洗后 放入 氢 氟酸 、 馏水 、 蒸 乙醇体积 比为 １：１： ０的溶 液 浸 泡 ２ ｎ 以 除 去 Ｓ 表 面粘 附 的 氧 １ ｍｉ， ｉ 化物 ， 再用 去离 子水 冲洗 ， 最后 用 Ｎｚ 吹干 ， 清洗好 的 将 衬底 迅速放 入 主溅射 室 。在 Ｊ ５ ０ Ⅳ型 超高真 空多 ＧＰ ６ Ｂ 功能 磁控 溅 射 系 统 中 ， 用 射 频 （ ３ ５ ＭＨｚ 磁 控 溅 采 １． ６ ） 射双 靶交 替淀积 的方 法在 硅 片的正 面生长 ＧｅＳＯ 纳 ／ ｉ： 米薄 膜 ， 过 溅 射 时 间 来 控 制 膜 层 的 厚 度 ， 通 Ｇｅ膜 和 ＳＯ 膜 的厚 度 分 别 为 ２ ２ ２ ｍ。溅 射 前 主溅 射 室 的 ｉ： ． 、ｎ
图 １ 样 品的伏安特 性 曲线
图 １是 Ａｕ 锗 ／ ／ 氧化硅 纳米 多层 膜／ — ｉ ｐＳ 结构 的伏
间跃迁辐 射复合 产生 的 ，由于量 子 限 制效 应 使纳 米 硅
岛的禁 带宽度 较体硅 有很 大 的增 加 ，因此 ，导致 可见 的电致 发 光 。Ｌ ｃ ｗｏ ｄ等 对 非 晶 Ｓ／ ｉ ：超 晶格 观 ｏｋ ｏ ｉＳＯ
安特 性 曲线 ， 以看 出该 结构 具有 良好 的整 流特性 。 可
察 到 了室温下 的 光致 发 光 ［ ， 们 将 短 波 发 光带 的起 ６他 ］
al在si扩散系数
al在si扩散系数引言在材料科学领域，研究材料的扩散性质对于了解材料的性能和应用具有重要意义。
其中，al（铝）在si（硅）中的扩散系数是一个关键参数，它描述了铝在硅中的扩散速率。
本文将介绍al在si扩散系数的相关概念、影响因素以及测量方法。
什么是扩散系数扩散是指物质由高浓度区域向低浓度区域自发传播的过程。
扩散系数是描述物质从一个区域向另一个区域传播的速率和程度的参数。
对于固体材料中的元素，其在晶体结构中通过空位、间隙等位点进行迁移。
在本文中，我们将重点讨论铝（al）元素在硅（si）晶体中的扩散行为。
al在si扩散系数的影响因素al在si扩散系数受到多种因素的影响，主要包括温度、晶格缺陷和掺杂等。
温度温度是决定固体中原子迁移速率的重要因素之一。
通常情况下，随着温度的升高，原子迁移速率增加，扩散系数也随之增大。
这是因为高温会提供更多的能量，使得原子能够克服晶格势垒，从而更容易进行扩散。
晶格缺陷晶格缺陷是指晶体中的点缺陷、线缺陷和面缺陷等。
这些缺陷可以提供额外的位点供原子迁移，并且它们可以作为扩散路径。
因此，晶格缺陷的存在会显著影响al 在si中的扩散系数。
掺杂掺杂是向材料中引入其他元素或化合物，以改变其性质和功能的过程。
掺杂可以改变晶体结构和原子间相互作用，从而影响al在si中的扩散行为。
不同掺杂元素对al在si中的扩散系数具有不同的影响。
al在si扩散系数的测量方法测量al在si扩散系数可以采用不同的实验方法和技术。
以下是几种常用的测量方法：接触法接触法是一种常用且简单的测量方法。
该方法通过将al与si直接接触，在一定温度下进行扩散反应，然后通过分析接触界面的形貌和成分变化来确定扩散系数。
放射性示踪法放射性示踪法利用放射性同位素标记al和si，通过测量放射性同位素的浓度变化来确定扩散系数。
这种方法需要使用放射性同位素，并且需要特殊设备和技术来进行测量。
电子显微镜（TEM）观察TEM是一种高分辨率的显微镜技术，可以观察到原子级别的细节。
ni基合金中al元素和nb元素扩散速率
ni基合金中al元素和nb元素扩散速率在设计现代冶金合金材料时，提高合金元素的扩散速率是非常重要的。
本文将重点探讨在Ni基合金中Al元素和Nb元素的扩散速率问题。
我们将在深度和广度上进行全面评估，以便您能更深入地理解这一主题。
1. Al元素和Nb元素在Ni基合金中的作用在Ni基合金中，Al和Nb元素被广泛应用于提高合金的性能。
Al元素可以有效地提高合金的热强度和抗氧化性能，同时还能改善合金的高温蠕变性能。
Nb元素则可以显著提高合金的强度和耐热性能。
了解Al和Nb元素的扩散速率对于合金材料的设计和性能提升至关重要。
2. Al元素和Nb元素在Ni基合金中的扩散机制Al和Nb元素在Ni基合金中的扩散机制主要涉及固态扩散和界面扩散两种方式。
固态扩散是指元素在晶格结构中的自由扩散，而界面扩散则是指元素在晶界、位错等缺陷区域的扩散。
这两种扩散方式共同影响了Al和Nb元素在Ni基合金中的扩散速率。
3. 影响Al元素和Nb元素扩散速率的因素Al和Nb元素在Ni基合金中的扩散速率受到多种因素的影响，包括温度、合金化元素、晶粒尺寸等。
在高温下，元素的扩散速率通常会显著增加；而合金化元素的存在会对扩散速率产生复杂的影响。
晶粒尺寸的大小也会对扩散速率产生影响，晶界和位错等缺陷区域对元素扩散起着重要作用。
4. 对Al元素和Nb元素扩散速率的个人观点和理解在Ni基合金中，Al和Nb元素的扩散速率问题对合金材料的设计和性能提升至关重要。
提高Al和Nb元素的扩散速率，可以加快合金的热处理速度，提高合金的生产效率；同时也能优化合金的微观结构，改善合金的性能。
研究Al和Nb元素在Ni基合金中的扩散速率对于促进合金材料的发展具有重要意义。
总结回顾通过对Al和Nb元素在Ni基合金中扩散速率的探讨，我们深入地了解了这一重要主题。
我们分析了Al和Nb元素在合金中的作用，扩散机制和受影响因素，并分享了个人观点和理解。
高质量、深度和广度兼具的文章不仅提供了详尽的知识，还能激发您对主题的深刻思考。
Al掺杂ZnO纳米薄膜的制备
目□□录1、引言 52、实验制备 5（一）铺设种子层 5 （二）水热法制备Al掺杂ZnO纳米薄膜 51、醋酸锌与六亚甲基四胺混合溶液 52、硝酸锌与六亚甲基四胺混合溶液 63、实验样品性质检验与分析 6（一）样品电子显微镜下图片 6 （二）样品光学性质检验 9 （三）电学特性的研究 104、结论 115、参考文献 12 1、引言ZnO是一种性能优异的宽紧带直接带隙半导体材料，呈六方纤锌矿型晶体结构，晶格常数a=0.32496nm，c=0.52065nm。
ZnO具有熔点高、热稳定性好、介电常数低、光电耦合系数大等优点，因此而被广泛的研究应用，例如在声表面波器件、体声波器件、气敏传感器、压敏电阻、透明导电电极和光发射器件等领域有着重要的应用前景。
实验室制备Al掺杂ZnO薄膜的方法有很多种，例如：水热法[2]、磁控溅射法[3,4]、脉冲激光沉积法[5]、溶胶-凝胶法（sol-gel）[6]等。
其中水热法制备的材料纯度高、结晶性好和大小形状可控而备受大家的青睐。
所谓水热法是指在特定的密闭反应器高压反应釜内，以水溶液为反应体系，通过对反应体系加热，在反应体系中产生一个高温高压的环境进行无机合成与材料制备的方法。
本文采用了水热法制备了Al掺杂ZnO纳米薄膜，并进一步研究了掺杂Al的量对ZnO纳米薄膜光学特性、电学特性和形态的变化。
2、实验制备（一）铺设种子层以无水乙醇作为溶剂配置溶液，醋酸锌浓度0.1M,二乙醇胺0.1M。
在60摄氏度的温度下搅拌半个小时，将光学玻璃在旋涂机上旋涂后放于400摄氏度的恒温加热板上加热，光学玻璃会由黑变透明，取下恢复到室温后再次选涂，如此步骤操作三次即可，最后一次加热可延长时间大约半小时左右。
注意：实验过程中不要用手直接拿着样品操作，要用镊子；旋涂前将裁好的光学玻璃放入无水乙醇中在超声波洗涤器中洗涤五到六分钟，清除表演的油渍；旋涂时要先将玻璃片放上之后才可以打开吸气泵，否则很容易损坏吸气泵；普种子层前一定要确保所旋涂面是导电的。
对扩散后方块电阻、表面浓度和结深的影响,采用四探针测
对扩散后⽅块电阻、表⾯浓度和结深的影响,采⽤四探针测对扩散后⽅块电阻、表⾯浓度和结深的影响,采⽤四探针测摘要：本⽂研究了单晶硅⽚不同的基体电阻率，对扩散后⽅块电阻、表⾯浓度和结深的影响，采⽤四探针测试法测定了发射极的⽅块电阻，结果显⽰基体电阻率越⾼，扩散后的⽅阻越⾼，采⽤电化学电压电容（ECV）测量⽅法测量了发射极表⾯浓度与结深的变化， ECV测量的结果表明了电阻率⾼的硅⽚扩散后表⾯浓度低、结深越⼩，是扩散后⽅阻⾼的原因，这些结果对太阳能电池⽣产的扩散⼯艺有⼀定的指导意义。
引⾔：⽬前，在国际环境和能源问题⽇趋严重的⼤背景下，新型⽆污染的新能源得到的快速的发展，⽽太阳能电池能够将太阳能直接转化成电能得到了⼤⼒的发展，到⽬前为⽌，晶体硅太阳能电池仍占据着整个太阳能电池的主要市场[1-3]。
然⽽到⽬前为⽌使⽤太阳能电池的成本依然较⾼，虽然成本每年都在降低。
降低太阳能电池发电的⽣产成本和提⾼其转换效率⼀直是研究的热点[4]。
扩散形成p-n结实太阳能⽣产中的重要的环节，p-n结是整个太阳能电池的⼼脏部分，通过改变扩散⽣产⼯艺，来提⾼太阳能电池性能的研究有很多。
李等通过改变扩散的时间和温度来改变多晶硅扩散的电阻在发现，当⽅阻⼩于70Ω/sq的时候，电池效率随着⽅阻的增加⽽增加，当⼤于70Ω/sq的时候随着⽅阻的增加⽽减⼩[ 5 ]。
Betezen等从实验中得出，降低温度和延长扩散时间有利于硅⽚的吸杂作⽤[6]。
⾖等通过改变多晶硅中⽓体流量的⼤⼩与RIE 制绒⼯艺进⾏匹配，在⽅阻为80Ω/sq的情况下得到了转换效率为17 . 5%的太阳能电池，⽐相应的酸制绒效率提⾼了0.5%[7]。
在⼀些重参杂的研究中发现，重参杂会增加发射极载流⼦的复合速率[8-9]。
上述的研究表明了扩散⽅阻对电池最终的转换效率有重要的影响，这些结果对⽣产中扩散⼯艺都具有重要的知道意义。
然⽽，上述的研究，都是通过改变扩散的时间或者源流量的⼤⼩来改变扩散后⽅阻的⼤⼩。
【国家自然科学基金】_晶界散射_基金支持热词逐年推荐_【万方软件创新助手】_20140731
科研热词 铝酸钇晶体 缺陷 生长小面 热电材料 溶剂热合成 氧化锌 散射机制 微纳复合 小角晶界 位错 p型掺杂 p-mbe cosb3
推荐指数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2009年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
推荐指数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2014年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
2014年 科研热词 调制比 调制周期 磁记忆 疲劳 电阻率 热电材料 热电性能 扫描电镜 微观结构 屈服强度 塑性应变 固溶体 se掺杂 pb掺杂 gete基合金 cu/w纳米多层膜 推荐指数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
推荐指数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2011年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2011年 科研热词 纳米多层膜 界面效应 电阻率 强度 尺寸效应 各向异性磁电阻 原子扩散 cu/nb cu/cr 推荐指数 1 1 1 1 1 1 1 1 1
推荐指数 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2013年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
科研热词 频谱分析 超薄 超声检测 衬底温度 表面散射 纵波衰减系数 纳米颗粒 纳米线 热导率 晶界散射 敏化 太阳电池 多声子散射 光电特性 zno cu(in,ga)se2薄膜 al掺杂 304不锈钢
硅材料电阻率及扩散薄层电阻的测量
《半导体物理学》硅材料电阻率及扩散薄层电阻的测量实验指导书通信工程学院微电子实验室二00 八年九月硅材料电阻率及扩散薄层电阻的测量一前言半导体单晶的许多性质与其中所含有的杂质的种类和数量有密切的关系。
对同一种单晶材料而言，不同的杂质起着不同的作用。
例如，硅单晶中的硼、铝、镓起受主作用，使它具有空穴（即P型）导电性，而磷、砷等起施主作用，使它具有电子（则N型）导电性。
而且，杂质含量的多少决定单晶电导率的数值，也影响单晶的其它性质。
有的杂质在同一种材料中可起不同的作用。
例如，金在硅中既可起施主作用，也可起受主作用。
还有的杂质起中性作用，例如，硅单晶中的氧就是这样。
为了确定纯净的半导体材料中的杂质含量，通常使用化学分析方法、光谱分析法、质谱分析法、放射化学法等。
它们分别适合于测定1%—1PPm、0.1—100PPm、~0.1PPm、10-9~10-11g的杂质含量。
此外，还有极谱法、X射线分析法、红外分析法等。
实际使用的单晶材料大多是按需要选择性的掺入了一定种类、一定数量的杂质。
这些能够改变材料导电性的杂质，需要确定掺杂的浓度，杂质的浓度用电阻率（Ω·cm）表征。
电阻率值是材料的重要参数之一。
一般通过霍耳系数或电阻率的测定来计算其中实际掺入的杂质的数量。
二实验目的1．弄清四探针法测量的基本原理及测量方法。
2．用四探针法测量并计算给定的半导体材料的电阻率，做出硅锭的电阻率分布（至少5个点）。
3．用四探针法测量并计算给定的半导体材料的方块电阻。
4．用热探针判断半导体材料的导电类型。
三实验原理单晶体的电阻率与材料中参与导电的杂质的浓度有关。
对于本征半导体材料：+-+==μμσρpq nq 11（1）其中ρ为电阻率值，σ为电导率值，μ为载流子迁移率值，p 和n 为空穴及电子浓度，q 为电子电量。
测量电阻率的方法有许多种。
例如，两探针法，三探针法，四探针法及霍耳系数法、C -V 法，高频方法等等。
前面几种属于直接接触测量法，而最后一种为非接触测量法。
Ti3AlN
第 2 期第 190-197 页材料工程Vol.52Feb. 2024Journal of Materials EngineeringNo.2pp.190-197第 52 卷2024 年 2 月Ti 3AlN/ZrYN 纳米多层膜力学性能、抗氧化及疏水性能Mechanical properties ，oxidation resistance and hydrophobicity of Ti 3AlN/ZrYN nanomultilayers李仲博*（中国航发北京航空材料研究院，北京 100095）LI Zhongbo *（AECC Beijing Institute of Aeronautical Materials ，Beijing 100095，China ）摘要：利用物理气相沉积（PVD ）技术交替沉积Ti 3AlN 和ZrYN 纳米层，制备一系列具有不同ZrYN 纳米层厚度（l ）的Ti 3AlN/ZrYN 纳米多层膜，并通过XRD ，SEM ，纳米压痕仪，显微硬度计及接触角测量仪等研究不同l 对Ti 3AlN/ZrYN 纳米多层膜力学、抗氧化以及疏水性能的影响。
结果表明：当Ti 3AlN 和ZrYN 纳米层厚度分别为10 nm 和1 nm 时，纳米多层膜具有高硬度（H =26.8 GPa ） 和优异的断裂韧度（K f = 4.21 MPa∙m 1/2）。
硬度和断裂韧度的提高可能是因为，当l 较小时，纳米层间形成良好的c -Ti 3AlN/c -ZrYN 共格外延结构，可以有效阻碍位错的产生和滑移。
高密度的异质界面可使微裂纹发生连续偏转，有效延长裂纹扩散路径的同时消耗裂纹传播能量，从而提高断裂韧度。
同时，较小的l 也易于获得优异的抗氧化性能，l 较小时Ti 3AlN 纳米层占主导地位，Al 倾向于在表面形成致密的Al 2O 3层，阻碍氧气向薄膜内部扩散。
此外，Ti 3AlN/ZrYN 纳米多层膜表面形成的结瘤缺陷增加表面粗糙度，使得薄膜的疏水性能得到提高，从而使其在潮湿环境中不易快速发生腐蚀。
低红外发射率材料研究进展
低红外发射率材料研究进展张伟钢;徐国跃;薛连海【摘要】Low infrared emissivity material is now recognized as a special functional material which can achieve infrared stealth for aircraft. Several kinds of low infrared emissivity materials, such as nanocomposite films, mono ( multi ) layer structural materials, resin/metal composite coatings, resin/semiconductor composite coatings, and core-shell structural materials have been reported. The advantages, disadvantages, and the latest research progress of the above low infrared emissivity materials are introduced. Then, it is pointed out that theoretical studies of low infrared emissivity coatings, infrared and laser compatible stealth materials,resin/semiconductor composite coatings, and infrared spectrally selective low emissivity coatings are the key directions for future research.%低红外发射率材料是目前公认的可实现飞行器红外隐身的特种功能材料。
Al-Zr多层膜生长模型和数值计算
Al-Zr多层膜生长模型和数值计算第1期杨传春，等：Al/Zr多层膜生长模型和数值计算其中，r为薄膜表面任意两点间的水平距离，τ为薄膜的厚度，v 为描述弛豫过程的独立参数，η表示随机噪声。
当v为正值时，右边第一项将使表面粗糙度变小，而第二项将使表面粗糙度增加。
弛豫过程的指数p因薄膜生长的机理不同而异，一般情况下，粘性流体：p=1，蒸发和凝结：p=2，体扩散：p=3，表面扩散：p=4。
Tong和Willians认为，v取负值，可以适用于描述三维岛状生长的薄膜表面。
式（1）表明，薄膜的生长是生长过程与弛豫过程间竞争的结果，生长过程较快时，膜层表面容易表现出粗糙和各向异性；弛豫过程较快时，膜层表面容易表现出平滑和各向同性的特点。
应当指出的是，式（1）是表面生长模型中最简单的一种可能。
它是对粗糙表面形成过程线性的和局部的处理。
Kardar等人首先用一非线性项（ΔH）2对式（1）作了修正，该项表示在各向同性的特定沉积条件下，薄膜将沿着法线方向生长。
当沉积角度或表面倾斜较大时，表面粗糙度的形成是局部的这个假设就不再成立了，在这种情况下，表面某点的沉积依赖于表面的遮蔽效应。
Karunasiri等人和Tang等人也提出了一个生长模型，实现了局部生长（遮蔽）机理的理论模拟。
当生长过程是由非线性和局部性引起时，薄膜将以尖瓣和柱状这种不连续的形状快速生长。
这些特征可以在薄膜的形貌中观察到，尤其是低能沉积过程中的薄膜。
相比较，本文只考虑粗糙度较小的光学多层膜，这种薄膜可以通过高能生长过程来实现，如低气压下的溅射镀膜过程。
保证了表面粗糙度不至于大到影响薄膜的线性或非局部生长模式，这种观点得到了多层膜实验研究的支持。
与单层膜生长不同的是，多层膜动态生长理论认为，薄膜各个界面的粗糙度一方面复制于相邻的先期生长的膜层表面粗糙度，另一方面也有不完美生长过程引起的内部固有粗糙度。
第i个界面可以用其粗糙度hi（r）的频谱函数来表示：hi（f）=γi（f）+ci（f）hi-1（f）（2）其中γi表示正在生长的膜层内部的固有粗糙度，角标i-1代表相邻的先期生长的膜层，ci（f）=exp[-vi2πfnτi]为界面粗糙度复制因子，它是空间频率f的函数，反映第i个膜层对第i-1个膜层表面的“记忆程度”。
纳米材料的磁学性能
MgFe2O4颗粒的磁化率与温度和粒径的关系
EXIT
3.4.2 巨磁电阻效应
EXIT
巨磁电阻效应
多层膜的GMR效应 自旋阀的GMR效应 纳米颗粒膜的GMR效应 隧道型TMR效应 超巨磁阻（CMR）效应 巨磁阻效应的应用
EXIT
巨磁电阻效应
外加 磁场
引起
材料电 阻率的 变化
EXIT
各种假说
假说一：地球内部有一个巨大的磁铁矿（铁、镍等） 无法解释：铁磁物质在温度升高到760℃以后，就会
丧失磁性
假说二：地球的环形电流产生地球的磁场，地球的自 转-铁镍（熔融状态）转动-内部电子定向转动-环形电 流-磁场 无法解释：地球磁场在历史上的几次倒转
保护地球免受来自太空的宇宙射线的侵入
饱和磁化强度Ms等于每个磁畴中原来的磁化强度。
EXIT
微米晶的饱和磁化强度对晶粒 或粒子的尺寸不敏感。
然而当尺寸降到20nm或以下 时，饱和磁化强度将如何变化？
由于位于表面或界面的原子占据相当大的比例， 而表面原子的原子结构和对称性不同于内部的原子， 因而将强烈地降低饱和磁化强度 。
例如6nm Fe的Ms比粗晶块体Fe的Ms降低了近40％。
磁学性能的尺寸效应
矫顽力 超顺磁性 饱和磁化强度、居里温度与磁化率
EXIT
磁学性能的尺寸效应
晶粒尺寸 进入纳米
范围
磁性材料的磁学 性能具有明显尺
寸效应
使 得
纳米材料具有许多粗晶或微米 晶材料所不具备的磁学特性。
EXIT
例如：纳米丝
由于长度和直径比（ (L/d) ）很大， 具有很强的形状各向异性。
3.4纳米材料的磁学性能
3.4.1磁学性能的尺寸效应 3.4.2巨磁电阻效应 3.4.3纳米磁性材料 3.4.4磁性液体
【国家自然科学基金】_尺寸依赖性_基金支持热词逐年推荐_【万方软件创新助手】_20140802
推荐指数 2 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2009年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
科研热词 高支化多糖 链构象 量子点 载流子陷阱效应 结合能 硫酸酯化 电子面密度 氧化锌/金刚石薄膜结构 晶粒尺寸 抗肿瘤活性 压力 分子尺寸 光探测器
推荐指数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
2014年 序号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
2014年 科研热词 结合能 纳米二氧化硅 稳健优化 神经细胞 球形纳米颗粒 熔化熵 熔化焓 熔化温度 板料成形 多边形坯料 区间分析 凋亡 不确定 tunel hoechst33342/pi双染 推荐指数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
科研热词 高能球磨 表面活性剂 表面形貌 荧光粉 纳米颗粒 纳米薄片 磁性能 发光性能 制备方法 smco_5 轴编c/c复合材料 超材料 细胞色素c 组分材料 界面裂纹 温度依赖性 涂层 水热法 有效性能 局部法 尺寸效应 导热系数 威布尔应力 四氧化三铁纳米颗粒 吸收器 同步辐射圆二色谱 合成 分子动力学 人工神经网络 乙二胺四乙酸 synthesis method phosphors nayf4纳米晶 morphology luminescence camoo4：eu^3＋ camoo4：eu3＋ camoo4∶eu3+
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
推荐指数 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
al的扩散系数
al的扩散系数1. 什么是扩散？在研究al的扩散系数之前，我们需要先明确什么是扩散。
扩散是指物质在空气、水、液体或固体中沿着浓度梯度自发地向其低浓度区域传递的过程。
在这个过程中，原本具有高浓度的物质会向周围环境中分散，直到与环境中的物质浓度相等。
2. 如何测算al的扩散系数？al是一种常见的金属元素，在化学反应或材料加工过程中都有可能涉及到al的扩散现象。
为了研究al的扩散机制和扩散速率，科学家们需要测算al的扩散系数。
扩散系数是指单位时间内，在单位领域内发生原子或分子扩散的数量。
它是扩散速率与浓度梯度的比值，通常用单位时间内扩散质量与浓度差的比值表示。
要测算al的扩散系数，通常可以采用实验方法和计算模型两种途径。
实验测定方法是将含有al的材料与不含al的材料（或空气、水等）接触，然后在一定时间段内观察al浓度的变化，并通过质量守恒原理计算出al的扩散系数。
计算模型则是根据al的物化性质和扩散机理，建立数学模型，利用数值方法求解得到al的扩散系数。
这种方法精度与模型建立的准确性密切相关，需要对al的物理化学特性和扩散机理有较深的了解。
3. al扩散系数的意义和应用得到al的扩散系数之后，科学家们可以通过比较不同环境条件下的扩散系数大小，进一步探究al的扩散机制和影响因素。
同时，al的扩散系数也是判断材料加工过程中al扩散情况是否符合要求的重要指标。
在高温、腐蚀等环境下，al的扩散现象对材料的性能和使用寿命产生很大影响。
因此，研究al的扩散行为以及控制和改善其扩散情况的方法，对于相关领域的工程应用和学术研究具有重要意义。
4. 如何控制al的扩散？随着材料工程技术的不断发展，人们可以通过多种手段控制al的扩散。
首先，选择合适的材料是控制al扩散的重要手段。
在高温、腐蚀等条件下，选择抗氧化、抗腐蚀性能更好的材料，可以有效降低al的扩散速率。
其次，采用涂层、包覆等技术，可以将al与其他材料隔离开来，减缓al的扩散速率。
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INTERFACE DIFFUSION AND RESISTIVITY OF Ni/Al NANOMULTILAYERS
LIU Mingxia1) , ZHANG Jianmin2) , XU Kewei1)
1) State Key Laboratory of Mechanical Behavior of Materials, Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049 2) College of Physics and Information Technology, Shaanxi Normal University, Xi'an 710062 Correspondent: XU Kewei, professor, Tel: (029)82668914, E-mail: kwxu@ Supported by National Basic Research Program of China (No.2004CB619302) and National Natural Science Foundation of China (Nos.50501035, 50531060 and 50771078) Manuscript received 2007{07{05, in revised form 2007{11{08
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