第7讲 场效应管、复合管及多级放大电路

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场效应管及其放大电路PPT课件

场效应管及其放大电路PPT课件
金属 Metal
氧化物 Oxide
半导体 Semiconducto
r
表示符号 G
G S
D
S D
N+
N+
P
第11页/共92页
P沟道增强型MOSFET的结构
表示符号
D
G
S
G
D
S
P+
P+
N
第12页/共92页
N沟道增强型MOSFET的工作原理
与JFET相似, MOSFET的工作 原理同样表现在:

vDS +
(2) 动态:能为交流信号提供通路。
场效应管(FET)放大电路的分析方法:
静态分析:估算法、图解法。 动态分析:微变等效电路法。
第33页/共92页
4.5.1 静态工作点与偏置电路 但由于两种放大器件各自的特点,故不能将双极 性三极管放大电路的三极管简单地用场效应管取代, 组成场效应管放大电路。
双极性三极管是电流控制器件,组成放大电路时, 应给双极性三极管设置偏置偏流。
绝缘栅场效应管(MOSFET)
特点
单极型器件(一种载流子导电);
输入电阻高;(≥107~1015) 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、 噪声低、成本低等。
第5页/共92页
FET分类:
FET 场效应管
JFET 结型
MOSFET 绝缘栅型
N沟道(相当于NPN)
(耗尽型) P沟道(相当于PNP)
增强型
N沟道(NPN) P 沟道 (PNP)
6.场效应管制造工艺简单,且具有功耗低等优点;因而场 效应管易于集成,被广泛用于大规模和超大规模集成电路 中。
第26页/共92页
结型场效应管

场效应管、复合管及多级放大电路

场效应管、复合管及多级放大电路

场效应管在多级放大电路中的使用方法
选择合适的型号
根据多级放大电路的需求,选择合适的场效应管型号,如N沟道或 P沟道、功率大小等。
正确连接栅极和源极
栅极和源极是场效应管的控制电极和接地电极,正确连接这两个电 极是保证场效应管正常工作的前提。
合理设置偏置电路
偏置电路是影响场效应管工作状态的重要因素,需要根据电路需求合 理设置。
场效应管、复合管及多级放大电路
目录
• 引言 • 场效应管基础 • 复合管原理及应用 • 多级放大电路设计 • 场效应管在多级放大电路中的应用 • 复合管在多级放大电路中的应用 • 比较与选择
01 引言
背景介绍
电子技术的快速发展
研究的必要性和紧迫性
随着电子技术的快速发展,场效应管、 复合管及多级放大电路等电子器件在各 种电子设备中得到了广泛应用。
为了提高电子设备的性能和稳定性, 对场效应管、复合管及多级放大电路 的研究具有必要性和紧迫性。
模拟电路的重要性
模拟电路是电子设备的基础,而放大电 路是模拟电路中的重要组成部分,用于 放大微弱信号,以满足各种应用需求。
目的和意义
研究目的
本研究的目的是深入了解场效应管、复合管及多级放大电路的工作原理、性能 特点和应用范围,为电子设备的设计和优化提供理论支持和实践指导。
描述了栅极电压与漏极电 流之间的关系,呈现出非 线性特征。
增强型与耗尽型
根据转移特性曲线的不同, 场效应管分为增强型和耗 尽型。
场效应管分类
NMOS管
以电子为主要导电载流子的场效 应管。
PMOS管
以空穴为主要导电载流子的场效应 管。
CMOS管
互补金属氧化物半导体场效应管, 具有低功耗、高速和高可靠性等优 点。

场效应管及其基本放大电路

场效应管及其基本放大电路
= V u TV (BR)GS 栅源间的最高反向击ds穿
Uds=常数
∂ id
∂uds
PDM
最 大 漏 极id允v许gs功=常耗数, 与 三 极 管 类
似。
第34页/共51页
3)FET的三种工作组态
• 以NMOS(E)为例:
ID UDS
RD
UDS
D
B输
B
输 入
G S
UGS

G

出入
UGS RD

共源组态: 输入:GS 输出:DS
(1)栅源电压对沟道的控制作用
在栅源间加
令VDS =0
• 增强型IGFET象双结型三极管一样有一个开启电压
VT ,(相当于三极管死区电压)。
• 当UGS低于VT时,漏源之间夹断。ID=0
g = = •


m
UGS高于 I
的ID ∂ iD
∂uGS
DV=T 时I DUV,0GT(S漏



加电压 -1)2
2 2ID0(UGS-1)
后。

IDID0
VT VT
相当一个很大的电阻
G+ UGS
PN N结
PN
VDD
结N
P
- IS=ID
第5页/共51页
3)、JFET的主要参数
1)夹断电压VP:手册给出是ID为一微小值时的
VGS
32))、饱电和压漏控极制电电流流I系DS数S;
gm=
4)交流输出电阻 rds=
uds
id
V =0,时的I id
GS vgs
Uds=常数
结型场效应晶体管JFET

晶体管多级放大电路及场效应管放大电路

晶体管多级放大电路及场效应管放大电路

RB +
T1
u_i
VBB
RE1
T2
+
RE2
RL uO
_
【解】由图可知,放大电路是由两级放大电路组成 第一级共射极放大电路,第二级共集电极放大电路
2.7 多级放大电路
(1) 求电压放大倍数
A·u2 UU··io2
RC1
+VCC
(1 2 )RL 2 rbe2 (1 2 )RL 2
式中
RL 2 RE2 // RL
(a) 结型场效应管,简称JFET (Junction Field Effect Transistor)
(b) 绝缘栅型场效应管,简称IGFET (Isolated Gate Field Effect Transistor)
3.1 结型场效应管
3.1.1 结型场效应管的结构和类型
1. 结型场效应管的类型 结型场效应管按结构分
2 ≤i ≤ n
2.7 多级放大电路
【例1】试写出图示放大电路的电压放大倍数Au、输入电阻Ri
和输出电阻Ro的表达式。已知晶体管T1、T2的电流放大倍数、
输入电阻分别为1、2和rbe1、rbe2。
+VCC
RC1
RB +
T1
u_i
VBB
RE1
T2
+
RE2
RL uO
_
2.7 多级放大电路
RC1
+VCC
27
A&u A&u1 A&u2 A&u2 27
2.7 多级放大电路
RB1 255k
C1 10μF
RB21 51k
T1 C2
ui

场效应管复合管及多级放大电路PPT培训课件

场效应管复合管及多级放大电路PPT培训课件
特点
具有更高的放大倍数、更高的输入阻 抗、更低的噪声等优点,广泛应用于 放大电路中。
工原理
原理
利用场效应管的电压控制电流的特性, 通过输入电压控制输出电流,实现信 号的放大。
工作过程
在场效应管复合管中,各个场效应管 的工作状态相互关联,通过协同工作 实现信号的放大。
种类与分类
种类
根据结构和工作原理的不同,场效应管复合管可分为共源、共漏、共栅等类型。
01
02
03
共射放大电路
利用共射放大电路的特点, 实现电压和电流的放大。
共基放大电路
以共基放大电路为基础, 提高频率特性和输入阻抗。
共集放大电路
利用共集放大电路的电流 放大作用,提高带负载能 力。
放大电路的性能指标
电压增益
表示输出电压与输入电压的比值,反映放大 器的放大能力。
电流增益
表示输出电流与输入电流的比值,反映电流 的放大能力。
调整电路元件参数,降低噪声和失真,提高信号 质量。
性能优化建议
选择合适的元件
根据电路需求,选择性能稳定、参数合适的元件。
优化电路布局
合理布置元件位置,减小信号传输过程中的损耗和干扰。
调整反馈电路
通过调整反馈电路的参数,改善放大器的性能指标。
常见问题与解决方案
调整电路参数,优化信号 处理过程。
优化元件选择和布局,加 强屏蔽和接地措施。
深入研究场效应管复合管及多级放大电路的基本原理, 为技术发展提供理论支持。
创新材料与工艺
探索新型材料和工艺,以提高放大电路的性能和稳定 性。
跨领域合作
加强与其他领域的合作,如通信、生物医学等,以拓 展场效应管复合管及多级放大电路的应用领域。

场效应管复合管及多级放大电路

场效应管复合管及多级放大电路

P1
P2,I
2 c
RL'
I
2 l
RL
RL'
I
2 l
I
2 c
RL
( N1 N2
)2
RL
实现阻抗变换
4.光电耦合
五、多级放大电路的动态分析
1.电压放大倍数
Au
Uo Ui
Uo1 Ui
Uo2 Ui2
Uo Uin
n j 1
Auj
2. 输入电阻 Ri Ri1 3. 输出电阻 Ro Ron
对电压放大电路的要求:Ri大, Ro小,Au的数值 大,最大不失真输出电压大。
I
DSS
(1
U GSQ U GS(off)
)2
U DSQ VDD IDQ (Rd Rs )
哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点?
3. 分压式偏置电路
即典型的Q点稳定电路
U GQ
UAQ
Rg1 Rg1 Rg2
VDD
USQ IDQRs
ID
I
DO
( UGSQ U GS(th)
1)2
U DSQ VDD IDQ (Rd Rs )
Id Rd Ugs
gm Rd
Ri
Ro Rd
若Rd=3kΩ, Rg=5kΩ,
gm=2mS,则 Au ?
与共射电路比较。
3. 基本共漏放大电路(又称源跟随器) 的动态分析
Au
Uo Ui
Id Rs Ugs Id Rs
gm Rs 1 gm Rs
Ri
若Rs=3kΩ,gm=2mS,则
Au ?
为什么加Rg3?其数值应大些小些?
哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点?

《电子技术基础》场效应管及其放大电路ppt

《电子技术基础》场效应管及其放大电路ppt

共,输入信 号被加到源极和栅极之间, 通过栅极控制沟道的电阻, 从而控制源极和漏极之间的 电流,实现信号的放大。
共漏放大电路的 工作原理
在共漏放大电路中,输入信 号被加到源极和栅极之间, 通过栅极控制沟道的电阻, 从而控制源极和漏极之间的 电流,实现信号的放大
共栅放大电路的 工作原理
输出电流与输入电流之比,表示放大电路的 电流放大能力。
功率增益
带宽
输出功率与输入功率之比,表示放大电路的 功率放大能力。
可以放大信号的频率范围,表示放大电路的 频率响应能力。
场效应管放大电路性能分析的具体步骤
首先需要确定输入和输出的信号频率和幅度,以便进 行性能分析。
根据性能指标计算误差系数、噪声系数等其他参数。
影响。
场效应管放大电路的偏置设计
确定偏置电路
根据场效应管的特性,选择合适的偏置电路以获得最佳放大 效果。
调整偏置电压
根据放大电路的具体要求,调整偏置电压以实现最佳静态工 作点。
场效应管放大电路的动态参数设计
选择耦合方式
根据实际需求,选择合适的耦合方式以实现信号的稳定传输。
计算放大倍数
根据电路设计需求,计算放大倍数以满足特定的动态性能指标。
《电子技术基础》场效应 管及其放大电路ppt
xx年xx月xx日
contents
目录
• 场效应管概述 • 场效应管放大电路基础 • 场效应管放大电路设计 • 场效应管放大电路的SPICE实现 • 场效应管放大电路性能分析 • 场效应管及其放大电路应用实例
01
场效应管概述
场效应管定义
场效应管是一种电压控制型半导体器件,利用电场效应来控 制半导体中的电流。
在共栅放大电路中,输入信 号被加到栅极和源极之间, 通过栅极控制沟道的电阻, 从而控制源极和漏极之间的 电流,实现信号的放大

场效应管及其基本放大电路专业课件PPT

场效应管及其基本放大电路专业课件PPT

uGD=UGS(off),则虚线上各点对应的 uDS=uGS-UGS(off)。
特点:
u u
1、iD几乎与uDS成线性关系,管子相当于线性电阻。
2、改变uGS时,特性曲线斜率变化,因此管子漏极欲源极之间 可以看成一个由uGS控制的线性电阻,即压控电阻。uGS愈负,特 性曲线斜率愈小,等效电阻愈大。
(2)恒流区(饱和区)
3.1.1结型场效应管(JFET)的结构
结型场效应管是一种利用耗尽层宽度改变导电沟道的宽窄 来控制漏极电流的大小的器件。它是在N型半导体硅片的两侧 各制造一个PN结,形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。P区 即为栅极g(G),N型硅的一端是漏极d(D),另一端是源极s(S)。
箭头方向表示栅结正偏或正偏时栅极电流方向。
把开始形成反型层的
uGS值称为该管的开启电 压UGS(th)。
N沟道增强型MOSFET特性曲线
i u
i
uU
u
u
u
u
u
输出特性
u
u
转移特性曲线
在 恒 iD I 流 D 0 (U u G G (tS 区 ) h S -1 )2 I , D 0 是 u G S 2 U G S时 (th iD ) 值 的
(c)进这一时步,增若加在u漏GS,源当间u加GS电>压UGuSD(tSh,)
UDS
就时能,产由生于漏此极时电的流栅极iD,电即压管已子经开比较
启强。,栅极下方的P型半导体表层中
聚集较多的电子,将漏极和源极沟
通就u沟G,可道S值形以电越成形阻大沟成越,道漏小沟。极,道如电在内果流同自I此样D由。时u电在DuSD子栅S电>越极0压,多下, 方作导用电下沟,道i 中D 越的大电。子这,样因,与就P型实区 的现载了流输子入空电穴压极uG性S 相对反输,出故电称流为i D反 型的层控。制随。着uGS的继续增加,反型
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第七讲结束!
下一讲将讲述: 差分放大电路
作业: 2.14、2.15、2.17 3.1、3.2、3.3
自学: 3.1.4 光电耦合
可能是实际的负载,也 可能是下级放大电路
理想变压器情
况下,负载上获 得的功率等于原 边消耗的功率。
从变压器原 边看到的等 效电阻
P1

P2,I
2 c
RL'

I
2 l
RL
RL'

I
2 l
I
2 c
RL

( N1 )2 N2
RL
实现阻抗变换
4.光电耦合
五、多级放大电路的动态分析
1.电压放大倍数
Au 2

(1+2 ) (R6 ∥ RL ) rbe2 (1+2 ) (R6 ∥ RL )
Au Au1 Au2
Ri2 R5 ∥[rbe2 (1 2 )( R6 ∥ RL )]
Ri R1 ∥ R2 ∥ rbe1
Ro

R6

R3 ∥ R5 rbe2
1
讨论三
ID

I
DSS
(1

U GSQ U GS(off)
)2
U DSQ VDD IDQ (Rd Rs )
哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点?
3. 分压式偏置电路
即典型的Q点稳定电路
U GQ
UAQ

Rg1 Rg1 Rg2
VDD
USQ IDQRs
ID

I
DO
( UGSQ U GS(th)
iE iB1(1 1)(1 2 ) 12
不同类型的管子复合 后,其类型决定于T1管。
讨论一
判断下列各图是否能组成复合管
在合适的外加电压下, 每只管子的电流都有合 适的通路,才能组成复 合管。
讨论二 (自学)
Ri=? Ro=?
Ri Rb ∥{rbe1 (1 1)[rbe2 (1 2 )( Re ∥ RL )]}
讨论四
放大电路的选用
按下列要求组成两级放大电路: • ① Ri=1~2kΩ,Au 的数值≥3000; • ② Ri ≥ 10MΩ,Au的数值≥300; • ③ Ri=100~200kΩ,Au的数值≥150; • ④ Ri ≥ 10MΩ ,Au的数值≥10,Ro≤100Ω。
①共射、共射;②共源、共射; ③共集、共射;④共源、共集。
第七讲 场效应管、复合管及多级 放大电路
(2.6、2.7.1、3.1、3.2)
第七讲 场效应管、复合管及多级 放大电路
一、场效应管放大电路静态工作点 的设置方法 二、场效应管放大电路的动态分析 三、复合管
四、多级放大电路的耦合方式
五、多级放大电路的动态分析
一、场效应管 静态工作点的设置方法
1. 基本共源放大电路
Au

U o U i

U o1 U i

U o2 U i2






U o U in

n Auj
j 1
2. 输入电阻 Ri Ri1 3. 输出电阻 Ro Ron
对电压放大电路的要求:Ri大, Ro小,Au的数值 大,最大不失真输出电压大。
分析举例
Au1



(R3 ∥ Ri2 ) rbe1
1)2
U DSQ VDD IDQ (Rd Rs )
为什么加Rg3?其数值应大些小些?
哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点?
二、场效应管放大电路的动态分析
1. 场效应管的交流等效模型
与晶体管的h参数等效模型类比:
近似分析时可认 为其为无穷大!
gm
iD uGS
U DS
根据iD的表达式或转移特性可求得gm。
2. 基本共源放大电路的动态分析
Au

U o U i

Id Rd U gs
gm Rd
Ri
Ro Rd
若Rd=3kΩ, Rg=5kΩ,
gm=2mS,则 Au ?
与共射电路比较。
3. 基本共漏放大电路(又称源跟随器) 的动态分析
Au

U o U i

U
Id Rs gs Id
Ro

Re

rbe2

rbe1 Rb ∥ Rs
1 1 1 2
四、多级放大电路的耦合方式
当单级放大电路不能满足多方面的性能要求 (如Au=104、Ri=2MΩ、 Ro=100Ω)时,应考 虑采用多级放大电路。组成多级放大电路时首 先应考虑如何“连接”几个单级放大电路,耦 合方式即连接方式。
Rs
gm Rs 1 gm Rs
Ri
若Rs=3kΩ,gm=2mS,则
Au ?
基本共漏放大电路输出电阻的分析
Ro
Uo Io

Uo Rs
Uo gmUo

Rs

1 gm
若Rs=3kΩ,gm=2mS, 则Ro=?
三、复合管
复合管的组成:多只管子合理连接等效成一只管子。 目的:增大β,减小前级驱动电流,改变管子的类型。
接近电源电压,Q点不合 适。
UCQ1 ( UBQ2 ) > UBQ1 UCQ2 < UCQ1
2.阻容耦合
共射电路
共集电路
利用电容连接信号 源与放大电路、放大 电路的前后级、放大 电路与负载,为阻容 耦合。
有零点漂移吗?
Q点相互独立。不能放大变化缓慢的信号,低频 特性差,不能集成化。
3.变压器耦合
失真分析:由NPN型管组成的两级共射放大电路
ui
共射放 大电路Leabharlann 共射放 大电路uo
饱和失真?截止失真?
首先确定在哪一级出现了失真,再判断是什么失真。
比较Uom1和Uim2,则可判断在输入信号逐渐增大时 哪一级首先出现失真。
在前级均未出现失真的情况下,多级放大电路的最 大不失真电压等于输出级的最大不失真电压。
如何设置合适的静态工作点?(自学)
Q1合适吗?
对哪些动态参 数产生影响?
Re
用什么元件取代Re既可设置合适的Q点,又可使第 二级放大倍数不至于下降太大?
二极管导通电压UD=?动态电阻rd=? 若要UCEQ=5V,则应怎么办?用多个二极管吗?
如何设置合适的静态工作点?(自学)
稳压管 伏安特性
小功率管多为5mA 由最大功耗得出
根据场效应管工作在恒流区的条件,在g-s、d-s间 加极性合适的电源
UGSQ VGG
I DQ

I
DO
( VGG U GS(th)
1)2
U DSQ VDD IDQRd
2. 自给偏压电 路
UGQ 0,USQ IDQRs UGSQ UGQ USQ IDQRs
由正电源获得负偏压 称为自给偏压
必要性?
rz=Δu /Δi,小功率管多为几欧至二十几欧。 UCEQ1太小→加Re(Au2数值↓)→改用D→若要UCEQ1大
,则改用DZ。
NPN型管和PNP型管混合使用(自学)
问题的提出:
在用NPN型管组成N级 共射放大电路,由于
UCQi> UBQi,所以 UCQi > UCQ(i-1)(i=1~N), 以致于后级集电极电位
常见耦合方式有:直接耦合、阻容耦合、变 压器耦合、光电耦合等。
1. 直接耦合
第一级
第二级
既是第一级的集电极电阻, 又是第二级的基极电阻
能够放大变化缓慢的 信号,便于集成化, Q 点相互影响,存在零点 漂移现象。
输入为零,输出 产生变化的现象 称为零点漂移
当输入信号为零时,前级由温度变化所引起的电流、 电位的变化会逐级放大。
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