STM32F207中文数据手册
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基于ARM内核的32位MCU,150DMIPs,高达1MB Flash/128+4KB RAM,USB On-The-Go Full-speed/High-speed,以太网,17 TIMs,3 ADCs,15个通信&摄像头接口
主要特性:
内核:
使用ARM 32位Cortex™-M3 CPU,自适应实时加速器(ART加速器™)可以让程序在Flash中以最高120MHz频率执行时,能够实现零等待状态的运行性能,内置存储器保护单元,能够实现高达150DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)性能。
存储器:
高达1M字节的Flash存储器
512字节的动态口令存储器
高达128+4K字节的SRAM
灵活的静态存储控制器,支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器
并行LCD接口,兼容8080/6800模式
时钟、复位和电源管理:
1.65~3.6V用于供电和I/O管脚
上电复位、掉电复位、可编程电压监测器和欠压复位
4~26MHz晶体振荡器
内嵌经出厂调校的16MHz RC振荡器(25 °C下精度为1%)
带校准功能的32kHz RTC振荡器
内嵌带校准功能的32kHz的RC振荡器
低功耗:
睡眠、停机和待机模式
VBAT为RTC,20×32位后备寄存器,以及可选的4KB后备SRAM供电
3×12位A/D转换器,0.5μs转换时间:
多达24个输入通道
在三倍间插模式下转换速率高达6MSPS
2×12位D/A转换器
通用DMA:
16组带集中式FIFO和支持分页的DMA控制器
多达17个定时器:
多达12个16位和2个32位的定时器,频率可达120MHz,每个定时器有多达4个用于输入捕获/输出比较/PWM或脉冲计数的通道和增量编码器输入
调试模式:
串行单线调试(SWD)和JTAG接口
Cortex-M3内嵌跟踪模块(ETM)
多达140个具有中断功能的I/O端口:
多达136个快速I/O端口,其频率可达60MHz
多达138个耐5V的I/O端口
多达15个通信接口:
多达3个I2C接口(支持SMBus/PMBus)
多达4个USART接口和2个UART接口(传输速率7.5 Mbit/s,支持ISO7816,LIN,IrDA接口和调制解调控制)
多达3个SPI接口(传输速度可达30 Mbit/s),其中2个可复用为I2S接口,通过音频
PLL或外部PLL来实现音频类精度
2个CAN接口(2.0B 版本)
SDIO接口
高级互连功能:
带有片上物理层的USB 2.0全速设备/主机/On-The-Go控制器
带有专用DMA,片上全速PHY和ULPI的USB 2.0高速/全速设备/主机/On-The-Go 控制器
带有专用DMA的10/100 以太网MAC.,支持硬件IEEE 1588v2(MII/RMII)
8到14bit并行摄像头接口,最高达48Mbyte/s
CRC计算单元
96位唯一ID
模拟真正的随机数发生器
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目录略
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目录略
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目录略
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表格目录略
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表格目录略
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插图目录略
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插图目录略
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插图目录略
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1 简介
这个数据手册给出了STM32F205xx和STM32F207xx系列微控制器的说明书。
欲知意法半导体STM32™整个系列的更多细节,请参阅2.1节:完全兼容整个系列。
STM32F205xx和STM32F207xx数据手册必须结合STM32F20x/STM32F21x参考手册一起阅读。
在整个文档中,他们被称为STM32F20x设备。
有关内部闪存存储器的编程、擦除和保护等信息,请参考《STM32F20x/STM32F21x闪存编程参考手册》。
参考手册和闪存编程参考手册均可在ST网站下载:
有关Cortex™-M3内核的相关信息,请参考《Cortex-M3技术参考手册》,可以在ARM 公司的网站下载:/help/index.jsp?topic=/com.arm.doc.ddi0337e/
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2 概述
STM32F20x系列是基于工作频率高达120MHz的高性能ARM®Cortex™-M3 32位RISC 内核。
该系列整合了高速嵌入式存储器,Flash存储器和系统SRAM的容量分别高达1M字节和128K字节,高达4K字节的后备SRAM,以及大量连至2条APB总线、2条AHB总线和1个32位多AHB总线矩阵的增强型I/O与外设。
该系列产品还带有自适应实时存储器加速器(ART加速器™),在高达120MHz的CPU 频率下,程序在Flash存储器中运行时,可以实现相当于零等待状态的运行性能。
已经利用CoreMark基准测试对该性能进行了验证。
所有产品均带有3个12位ADC模块、2个DAC模块、1个低功耗RTC、12个通用16位定时器(包括2个用于电机控制的PWM定时器)、2个通用32 位定时器。
1个真随机数发生器(RNG)。
所有产品都带有标准与高级通信接口。
新增的高级外设包括1个SDIO、1个增强型灵活静态存储器控制(FSMC)接口(100脚或100脚以上的产品),和1个连接CMOS 传感器的照相机接口。
这个系列产品还配置有标准外设。
多达3个I2C接口
3个SPI接口,2个I2S接口。
为了获得音频级精度,I2S外设可以通过一个专门的内部音频锁相环或一个外部锁相环锁相来达到同步。
4个USART接口和2个UART接口
带高速性能(带ULPI)的OTG全速USB接口
另有一个USB OTG(全速)
2个CAN接口
1个SDIO接口
以太网接口和摄像头接口是STM32F207xx设备特有的。
注意:
STM32F205xx和STM32F207xx设备工作于-40°C至+105°C的温度范围,供电电压1.8V至3.6V。
当设备工作于0°C至70°C的温度范围内,并且IRROFF与VDD相连时,供电电压可降至1.7V。
一系列的省电模式保证低功耗应用的要求。
STM32F205xx和STM32F207xx系列产品提供包括从64脚至176脚的4种不同封装形式。
根据不同的封装形式,器件中的外设配置不尽相同。
这些丰富的外设配置,使得STM32F205xx和STM32F207xx系列微控制器适合于多种应用场合:
电机驱动和应用控制
医疗设备
工业应用:可编程控制器(PLC)、变频器、断路器
打印机和扫描仪
警报系统、视频对讲和暖气通风空调系统
家庭音频设备
图5给出了该产品系列的框图略。
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表2 STM32F205xx特性和外设数目略
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1. 对于LQFP100封装,只有FSMC Bank1或Bank2是可用的。
Bank1只能用NE1片选来支持一个复合的NOR/PSRAM存储器。
Bank2只能用NE2片选来支持一个16位或8位的NAND Flash存储器。
由于这种封装G端口是不可用的,所以不能使用中断线。
2.SPI2和SPI3 接口以一种专用的方式灵活地工作于SPI模式或I2S音频模式。
3.当设备工作于0°C至70°C的温度范围内,并且IRROFF与VDD相连时,供电电压最小值为1.7V。
表3 STM32F207xx特性和外设数目略
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表3 STM32F207xx特性和外设数目(continued)略
1. 对于LQFP100封装,只有FSMC Bank1或Bank2是可用的。
Bank1只能用NE1片选来支持一个复合的NOR/PSRAM存储器。
Bank2只能用NE2片选来支持一个16位或8位的NAND Flash存储器。
由于这种封装G端口是不可用的,所以不能使用中断线。
2.SPI2和SPI3 接口以一种专用的方式灵活地工作于SPI模式或I2S音频模式。
3.当设备工作于0°C至70°C的温度范围内,并且IRROFF与VDD相连时,供电电压最小值为1.7V。
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2.1 系列之间的全兼容性
STM32F205xx和STM32F207xx组成了STM32F20x系列,其成员之间是完全地脚对脚兼容,软件和功能上也兼容,在开发期间允许用户有更大的自由度来尝试不同的存储器密度和外设。
STM32F205xx和STM32F207xx系列产品与整个STM32F10xxx系列保持了很高的兼容性。
所有的功能管脚是脚对脚兼容的。
然而,STM32F205xx和STM32F207xx不能随意的替代STM32F10xxx产品。
两个系列没有一样的电源模式,所以他们的电源管脚是不同的。
尽管如此,从STM32F10xxx向STM32F20x系列过渡仍然是很简单的,只有几个管脚受到了影响。
图3、图4和图1给出了STM32F20x和STM32F10xxx系列的兼容板的设计。
图1 LQFP64封装的STM32F10xx和STM32F2xx兼容板的设计。
略。
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图1 LQFP100封装的STM32F10xx和STM32F2xx兼容板的设计。
略。
图1 LQFP144封装的STM32F10xx和STM32F2xx兼容板的设计。
略。
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图1 LQFP176封装的STM32F10xx和STM32F2xx兼容板的设计。
略。
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2.2 器件概述
图5. STM32F20x框图。
略。
1. 连接到APB2的定时器从TIMxCLK 测得的速率可达120 MHz,而连接到APB1的定时器从TIMxCLK 测得的速率可达60 MHz。
2. 只有STM32F207xx系列有USB OTG FS,摄像头接口和以太网接口。
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2.2.1 内嵌闪存和SRAM的ARM®Cortex™-M3内核。
ARM Cortex™-M3处理器是最新一代的嵌入式ARM处理器。
它为实现MCU的需要提供了低成本的平台、缩减的引脚数目、降低的系统功耗,同时提供卓越的计算性能和先进的中断系统响应。
ARM的Cortex™-M3是32位的RISC处理器,提供额外的代码效率,在通常8和16位系统的存储空间上发挥了ARM内核的高性能。
STM32F20x系列拥有内置的ARM核心,因此它与所有的ARM工具和软件兼容。
图5是STM32F20x系列产品的功能框图。
2.2.2 自适应实时存储加速器(ART加速器™)
ART加速器™是一种存储器加速器,它优化了STM32工业标准的ARM® Cortex™-M3处理器。
它平衡了ARM Cortex-M3在闪存存储器技术上的固有性能优势,这通常需要处理器在更高操作频率上等待闪存存储器。
为了缓解处理器在150 DMIPS全速频率下的性能,处理器执行一个指令预取队列,以及分支缓存,从而提高从128位的闪存中的程序执行速度。
基于CoreMark标准,由于ART 加速器,该性能得以实现,就相当于在CPU频率高达120MHz时,从闪存0等待的执行程序。
2.2.3 存储器保护单元
存储器保护单元用来管理CPU访问存储器,以防止一个任务突然被另一个活动任务破坏寄存器和资源。
这个存储区域被组织成8个受保护的区域,进而可划分为8个分区。
这个保护区域的大小在32个字节和整个4G可寻址寄存器之间。
存储器保护单元特别有助于这些应用场合:一些重要的或有待验证的代码码必须被保护,防止其他任务的不良行为。
它通常是由一个RTOS管理(实时操作系统)。
如果一个程序访问了一个存储器的地址,而这个地址是被存储器保护单元禁止访问的,那么实时操作系统能够检测到,并采取行动。
在一个实时操作系统环境中,内核能基于这个进程的执行,动态的更新存储器保护单元的设置。
存储器保护单元是可选的,对于一些不需要它的应用可以绕过。
2.2.4 嵌入闪存存储器
STM32F20x系列产品嵌入了一个128K,256K,512K,768K或1M的128位宽的闪存,用于存储程序和数据。
这个系列还包含512字节的OTP存储器,可用来存储重要的用户数据,例如以太网MAC地址或加密密钥。
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2.3.5 CRC(循环冗余校验)计算单元
CRC(循环冗余校验)计算单元使用一个固定的多项式发生器,从一个32位的数据字产生一个CRC码。
在众多的应用中,基于CRC的技术被用于验证数据传输或存储的一致性。
在EN/IEC 60335-1标准的范围内,它提供了一种检测闪存存储器错误的手段,CRC计算单元可以用于实时地计算软件的签名,并与在链接和生成该软件时产生的签名对比。
2.3.6 内置SRAM
所有的STM32F20x系列产品内置:
多达128K字节的内置SRAM,CPU能以0等待周期访问(读/写)。
4K字节的后备SRAM。
这个区域的内容被保护以防止可能出现的不必要的写访问,并保持待机或VBAT 模式。
2.3.7 Multi-AHB总线矩阵
32位的multi-AHB总线矩阵连接到了所有的主机(CPU, DMAs, Ethernet, USB HS)和从机(Flash memory, RAM, FSMC, AHB and APB 外设),并确保一个无漏洞的和有效的操作,甚至几个高速的外设同时工作。
图6. Multi-AHB矩阵
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2.2.8 直接存储器存取控制器(DMA)
该系列配置了两个通用的双向端口DMA(DMA1和DMA2) ,每个端口有8个通道。
它们能够管理存储器到存储器,外设到存储器,存储器到外设的传输。
对于APB/AHB外设,它们能共享一些集成的FIFO,支持爆炸转移,旨在提供最大限度的外设带宽(AHB/APB)。
这两个DMA控制器支持循环缓冲区管理,所以,控制器到达缓冲区的末尾,不需要特定的代码。
这两个DMA控制器也有一个双缓冲特性,不需要特定的代码就能自动的使用和切换两个寄存器缓冲区。
每个通道连接到专门的硬件DMA请求,每个通道支持软件触发。
由软件进行配置,在源端和目的端的传输数据大小是独立的。
DMA可以和主外设一起使用:
SPI and I2S
I2C
USART 和UART
通用、基础和高级控制定时器TIMx
DAC
SDIO
摄像头接口(DCMI)
ADC
2.2.9 可配置的静态存储器控制器(FSMC)
所有STM32F20x系列集成了FSMC模块。
它具有4个片选输出,支持PC卡/CF卡、SRAM、PSRAM、NOR和NAND。
功能介绍:
写入FIFO;
代码可以在除NAND闪存和PC卡外的片外存储器运行;
外部访问的最大频率(fHCLK)是60 MHz。
液晶并行接口
FSMC可以配置成与多数图形LCD控制器的无缝连接,它支持Intel 8080和Motorola 6800的模式,并能够灵活地与特定的LCD接口。
使用这个LCD并行接口可以很方便地构建简易的图形应用环境,或使用专用加速控制器的高性能方案。
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2.2.10 集成的向量式中断控制器(NVIC)
STM32F20x 系列集成向量式中断控制器,能够管理16个优先级,以及处理多达81个可屏蔽中断通道,加上16个Cortex™-M3的中断线。
NVIC主要特点如下:
紧耦合的NVIC能够达到低延迟的中断响应处理
中断向量入口地址直接进入内核
紧耦合的NVIC内核接口
允许中断的早期处理
处理晚到的较高优先级中断
支持中断尾部链接功能
自动保存处理器状态
中断返回时自动恢复,无需额外指令开销
该模块以最小的中断延迟提供灵活的中断管理功能。
2.2.11 外部中断/事件控制器(EXTI)
外部中断/事件控制器包含23个边沿检测器,用于产生中断/事件请求。
每个中断线都可以独立地配置它的触发事件(上升沿或下降沿或双边沿),并能够单独地被屏蔽;有一个挂起寄存器维持所有中断请求的状态。
EXTI可以检测到脉冲宽度小于内部APB2的时钟周期。
多达140个通用I/O口连接到16个外部中断线。
2.2.12 时钟和启动
复位时内部16MHz的RC振荡器被选为默认的CPU时钟。
16MHz内部RC振荡器被工厂削减到仅能提供1%的准确度。
该应用可以选择RC振荡器或外部4-26MHz时钟源作为系统时钟。
这个时钟是失效监控的。
当检测到外部时钟失效时,系统将自动地切换到内部的RC振荡器,如果使能了中断,软件可以接收到相应的中断。
同样,在需要时可以采取对PLL 时钟完全的中断管理(如当一个间接使用的外部振荡器失效时)。
先进的时钟控制器为内核提供时钟,所有的外设使用一个晶振。
特别地,以太网和USB OTG FS外设可以通过系统时钟定时。
多个预分频器和锁相环用于配置2个AHB总线、高速APB(APB2)和低速APB(APB1)区域。
两个AHB总线的最高频率是120MHz,高速APB 区域的最高频率是60MHz,低速APB区域的允许频率为30MHz。
该系列集成了一个专用的锁相环(PLLI2S),允许达到音频级性能。
在这种情况下,I2S 主时钟可以产生8K到192K范围内的所有标准采样频率。
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2.2.13 自举模式
在启动时,通过自举引脚可以选择三种自举模式中的一种:
从程序闪存存储器自举
从系统存储器自举
从内部SRAM自举
自举加载程序(Bootloader)存放于系统存储器中,可以通过USART1(PA9/PA10),USART3 (PC10/PC11 or PB10/PB11),CAN2 (PB5/PB13),以及通过DFU(设备固件升级)的设备模式中的USB OTG FS (PA11/PA12)对闪存重新编程。
2.2.14 供电方案
VDD=1.8~3.6V:VDD引脚为I/O引脚和内部调压器供电。
在WLCSP封装中,VDD 可从1.7V~3.6V。
VSSA,VDDA=1.8~3.6V:为ADC、DAC、复位模块、RC振荡器和PLL。
VDDA和VSSA必须分别连接到VDD和VSS。
VBA T=1.65~3.6V:当关闭VDD时,(通过内部电源切换器)为RTC、外部32kHz振荡器和后备寄存器供电。
详细信息参见图12供电方案。
2.2.15 供电监控器
本产品内部集成了上电复位(POR)/断电复位(PDR)和掉电复位电路。
电源开启时,掉电复位电路始终处于工作状态,保证系统在供电超过1.8V时工作。
当达到1.8V掉电复位阈值时,功能选项加载过程启动,要么验证或修改默认阈值,要么永远禁用掉电复位功能。
通过功能选项,3个掉电复位阈值是可用的。
当VDD低于某个阈值时,设备停留在复位模式中,VPOR/PDR或VBOR不需要外部复位电路。
在WLCSP封装的设备上,设置IRROFF与VDD 相连使BOR禁用(见2.2.16节:电压调节器)。
器件中还有一个可编程电压监测器(PVD),它监视VDD/VDDA供电并与阀值VPVD比较,当VDD低于或高于阀值VPVD时产生中断,中断处理程序可以发出警告信息或将微控制器转入安全模式。
PVD功能需要通过程序开启。
2.2.16 电压调压器
调压器有5个操作模式:
调压器开
主模式
低功耗模式
关断模式
调压器关
调压器关/内部复位开启
调压器关/内部复位关闭
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调压器开启
LQFP封装默认调压器开模式启用。
对于WLCSP66封装,将REGOFF和IRROFF管脚都连接到VSS启动调压器开模式。
而对于UFBGA176封装,只需将REGOFF连接到VSS(IRROFF不要求)。
VDD的最小值是1.8 V(a)
三种调压器开启模式:
主模式(MR)用于正常的运行操作
低功耗模式(LPR)用于CPU的停机模式
关断模式用于CPU的待机模式:
调压器的输出为高阻状态,内核电路的供电切断,调压器处于零消耗状态(但寄存器和SRAM的内容将丢失)
调压器关闭
调压器关/内部复位开启
对于WLCSP66封装,将REGOFF连接到VDD,并且将IRROFF连接到VSS,该模式启动。
对于UFBGA176封装,只需将REGOFF管脚连接到VDD(IRROFF不需要)。
除了VDD之外,调压器关闭/内部复位开启模式允许通过VCAP_1和VCAP_2管脚提供一个外部1.2V电压源。
下列条件必须得到满足:
为了避免电流注入两个电源区域之间,VDD应该总是高于VCAP_1和VCAP_2。
如果VCAP_1和VCAP_2达到1.08 V的时间快于VDD达到1.8V(a)的时间,PA0管脚应该连接到NRST管脚(见图7)。
否则,上电复位期间PA0应该被置低,直到VDD达到1.8V(见图8)。
在这种模式下,PA0不能用作GPIO管脚,因为当内部电压调节器关闭时,它允许复位不能被NRST复位的1.2V逻辑部分。
调压器关/内部复位关闭
对于WLCSP66封装,将REGOFF连到VSS,并且将IRROFF连到VDD可以激活这种模式。
IRROFF不能与REGOFF连接在一起。
除了VDD之外,调压器关闭/内部复位开启模式允许通过VCAP_1和VCAP_2管脚提供一个外部1.2V电压源。
下列条件必须得到满足:
为了避免电流注入两个电源区域之间,VDD应该总是高于VCAP_1和VCAP_2(见图7)。
PA0应该保持低电平以满足两个条件:直到VCAP_1和VCAP_2达到1.08 V,VDD达到1.65 V。
NRST应该由一个外部复位控制器控制,以便VDD低于1.65V时复位(见图8)。
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图7 启动调压器关闭:VCAP_1/VCAP_2 稳定后,VDD 斜坡电压断电复位上升减缓。
图8. 启动调压器关闭:在VCAP_1/VCAP_2稳定前,加快VDD断电复位斜坡上升。
2.2.17 实时时钟(RTC),后备SRAM和后备寄存器。
STM32F20x系列的后备区域包括:
实时时钟(RTC)
4K的后备SRAM
20个后备寄存器
实时时钟(RTC)是一个独立的BCD定时器/计数器。
专用寄存器包括BCD(二进制编码的十进制)格式的秒,分,时(12/24制),星期,日,月,年。
能自动修正28,29,30,31天数的月份。
RTC提供了一个可编程的警报,以及可编程的周期性中断,用来从停止和待机模式中唤醒STM32F20X产品。
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RTC的驱动时钟可以是一个使用外部晶体的32.768kHz的振荡器、内部低功耗RC振荡器或高速的外部时钟经128分频。
内部低速RC振荡器的典型频率为32kHz。
为补偿天然晶体的偏差,可以通过输出一个512Hz的信号对RTC的时钟进行校准。
两个报警寄存器用于在一个特定时间产生警报,日历字段能独立地掩盖警报比较。
为了产生周期性的中断,一个带可编程解决方案的16位的可编程二进制自动重载逐减计数器是可用的,并允许以每120us到36小时自动唤醒和周期闹钟。
有一个20位的预分频器用于时基时钟,默认情况下时钟为32.768kHz时,它将产生一个1秒长的时间基准。
4K的后备SRAM是一个类似于EEPROM的区域。
它能存储VBAT和待机模式中需要保留的数据。
这个存储器区域不能被禁用,以减少电能消耗(见2.2.18节:低功耗模式)。
它能通过软件使能。
后备寄存器是32位寄存器,当VDD没上电时,用于存储80个字节的用户应用程序数据。
后备寄存器不能被一个系统,一个电源复位,或设备从待机模式醒来时复位。
(见节2.2.18:低功耗模式)。
就像后备SRAM,RTC和后备寄存器通过一个开关供电,在VDD有效时该开关选择VDD供电,否则由VBA T引脚供电。
2.2.18低功耗模式
The STM32F20x系列支持三种低功耗模式,可以在要求低功耗、短启动时间和多种唤醒事件之间达到最佳的平衡。
睡眠模式
在睡眠模式,只有CPU停止,所有外设处于工作状态并可在发生中断/事件时唤醒CPU。
停机模式
在保持SRAM和寄存器内容不丢失的情况下,停机模式可以达到最低的电能消耗。
在停机模式下,停止所有内部1.8V部分的供电,PLL、HSI的RC振荡器和HSE晶体振荡器被关闭,调压器可以被置于普通模式或低功耗模式。
可以通过任一配置成EXTI的信号把微控制器从停机模式中唤醒,EXTI信号可以是16个外部I/O口之一、PVD的输出、RTC闹钟/唤醒/窜改/时间戳事件、USB OTG FS/HS的唤醒信号或以太网唤醒。
待机模式
在待机模式下可以达到最低的电能消耗。
内部的电压调压器被关闭,因此所有内部1.2V 部分的供电被切断;PLL、HSI的RC振荡器和HSE晶体振荡器也被关闭;进入待机模式后,SRAM和寄存器的内容将消失,但后备寄存器和选中的后备SRAM的内容仍然保留。
从待机模式退出的条件是:NRST上的外部复位信号、IWDG复位、WKUP引脚上的一个上升边沿或RTC的闹钟到时/唤醒/篡改/时间戳事件发生。
注意:
在进入停机或待机模式时,RTC、IWDG和对应的时钟不会被停止。
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2.2.19 VBAT操作
VBA T管脚允许从一个外部电池或内部超级电容向STM32F20X VBAT部分供电。
当VDD没上电时,可进行VBA T操作。
VBA T管脚向RTC,后备寄存器和后备SRAM供电。
注意:当微处理器从VBA T供电时,来自VBA T操作的外部中断和RTC闹钟/事件不会退出。
2.2.20 定时器和看门狗
STM32F20x系列产品包含2个高级控制定时器、8个普通定时器和2个基本定时器,以及2个看门狗定时器。
所有定时器计数器可以在调试模式下冻结。
表4 比较了高级控制定时器、通用定时器和基本定时器的功能:
表4 定时器功能比较。
略。
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高级控制定时器(TIM1和TIM8)
两个高级控制定时器(TIM1和TIM8)可以被看成是分配到6个通道的三相PWM发生器,它具有带死区插入的互补PWM输出,还可以被当成完整的通用定时器。
四个独立的通道可以用于:
●输入捕获
●输出比较
●产生PWM(边缘或中心对齐模式)
●单脉冲输出
配置为16位标准定时器时,它与TIMx定时器具有相同的功能。
配置为16位PWM发生器时,它具有全调制能力(0~100%)。
在调试模式下,计数器可以被冻结。
很多功能都与标准的TIM定时器相同,内部结构也相同,因此高级控制定时器可以通过定时器链接功能与TIM定时器协同操作,提供同步或事件链接功能。
通用定时器(TIMx)
STM32F20x系列内部集成了十个可同步运行的标准定时器(差别见表4)。
●TIM2, TIM3, TIM4, TIM5
STM32F20x系列包含4个功能齐全的通用定时器。
TIM2和TIM5是32位的定时器,TIM3和TIM4是16位定时器。
TIM2和TIM5是基于32位自动重装逐加/逐减计数器和16位分频器的定时器。
TIM2和TIM5是基于16位自动重装逐加/逐减计数器和16位分频器的定时器。
他们都有4个独立的通道,每个通道都可用于输入捕获、输出比较、PWM和单脉冲模式输出,在最大的封装配置中可提供最多16个输入捕获、输出比较或PWM通道。
TIM2, TIM3, TIM4, TIM5通用定时器还能通过定时器链接功能与其他通用定时器和高级控制定时器TIM1和TIM8共同工作,提供同步或事件链接功能。
TIM2, TIM3, TIM4, TIM5的计数器在调试模式下可以被冻结。
这些通用定时器中的任何一个都能被用来产生PWM输出。
TIM2, TIM3, TIM4, TIM5 都能独立地产生DMA请求。
这些定时器还能够处理增量编码器的信号,也能处理1至4个霍尔传感器的数字输出。
●TIM10,TIM11和TIM9
这些定时器是基于16位自动重载逐加计数器和16位分频器。
TIM10和TIM11配备了一个独立通道,而TIM9有两个独立的通道,可用于输入捕捉/输出比较,PWM或单脉冲模式输出。
它们可以和TIM2, TIM3, TIM4, TIM5功能齐全的通用定时器同步运行。
它们也能够作为简单的时间基准。
●TIM12, TIM13 和TIM14
这些定时器是基于16位自动重载逐加计数器和16位分频器。
TIM13和TIM14配备了一个独立通道,而TIM12有两个独立的通道,可用于输入捕捉/输出比较,PWM或单脉冲模式输出。
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它们可以和TIM2, TIM3, TIM4, TIM5功能齐全的通用定时器同步运行。
它们也能够作为简单的时间基准。
基本定时器TIM6和TIM7
这2个定时器主要是用于产生DAC触发信号,也可当成通用的16位时基计数器。
独立看门狗
独立的看门狗是基于一个12位的递减计数器和一个8位的预分频器,它由一个内部独立的32kHz的RC振荡器提供时钟;因为这个RC振荡器独立于主时钟,所以它可运行于停机和待机模式。
它可以被当成看门狗用于在发生问题时复位整个系统,或作为一个自由定时器为应用程序提供超时管理。
通过选项字节可以配置成是软件或硬件启动看门狗。
在调试模式下,计数器可以被冻结。
窗口看门狗
窗口看门狗内有一个7位的递减计数器,并可以设置成自由运行。
它可以被当成看门狗用于在发生问题时复位整个系统。
它由主时钟驱动,具有早期预警中断功能;在调试模式下,计数器可以被冻结。
系统时基定时器
●24位的递减计数器
●自动重加载功能
●当计数器为0时能产生一个可屏蔽系统中断
●可编程时钟源
2.2.21 I2C总线
多达2个I2C总线接口,能够工作于多主模式或从模式,支持标准和快速模式。
I2C接口支持7位或10位寻址,7位从模式时支持双从地址寻址。
内置了硬件CRC发生器/校验器。
它们可以使用DMA操作并支持SMBus总线2.0版/PMBus总线。
2.3.19通用同步/异步收发器(USART)
STM32F20x系列产品中,内置了4个通用同步/异步收发器(USART1、USART2、USART3和USART6),和2个通用异步收发器(UART4和UART5)。
这6个接口提供异步通信、支持IrDA SIR ENDEC传输编解码、多处理器通信模式、单线半双工通信模式和LIN主/从功能。
USART1和USART6接口通信速率可达7.5兆位/秒。
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其他接口的通信速率可达3.75兆位/秒。
USART1、USART2、USART3和USART6 接口具有硬件的CTS和RTS信号管理、兼容ISO7816的智能卡模式和类SPI通信模式,所有其他接口都可以使用DMA操作。
表5 USART功能比较
2.2.23串行外设接口(SPI)
STM32F20x系列产品配置了多达3个SPI接口,在从或主模式下,进行全双工和半双工通信。
SPI1能以高达30 Mbits/s的速率通信,而SPI2和SPI3能以15 Mbit/s的速率通信。
3位的预分频器可产生8种主模式频率,可配置成每帧8位或16位。
硬件的CRC产生/校验支持基本的SD卡和MMC模式。
所有的SPI接口都可以使用DMA操作。
SPI接口可以配置在TI模式下操作,为了在主机模式和从机模式下通信。