晶体硅太阳电池制绒工艺解读
晶体硅太阳能电池生产线清洗制绒工序
总结词
去除表面污垢，提高表面清洁度
详细描述
碱洗工序主要利用碱性溶液清洗硅片表面，去除油脂、污垢等杂质，提高表面的 清洁度和吸附能力，为后续的制绒工序提供良好的表面条件。
制绒流程
总结词
形成绒面结构，提高光吸收效率
详细描述
制绒工序是利用化学反应在硅片表面形成绒面结构，使入射光在硅片表面产生漫反射和散射，从而提高太阳能电 池的光吸收效率。制绒过程中需控制反应温度、时间和溶液浓度等参数，以保证绒面结构的均匀性和一致性。
硅片在生产过程中会沾染各种污 染物，如灰尘、油脂等，清洗制 绒的目的是将这些污染物去除，
恢复硅片表面的洁净。
去除切割损伤
晶体硅太阳能电池的制造过程中， 硅片需要进行切割，这个过程中会 在硅片表面产生损伤，清洗制绒可 以去除这些切割损伤。
增强表面活性
通过清洗制绒，可以去除硅片表面 的氧化层，暴露出新鲜的硅表面， 增强其表面活性。
定期进行应急演练，提高员工的应急 处理能力。
配备相应的应急处理设备和物资，如 急救箱、灭火器等。
在发生紧急情况时，应迅速采取相应 措施，确保人员安全和设备稳定。
环保措施及排放标准
清洗制绒过程中应采用环保型清洗剂，减少对环境的污 染。
定期对生产线进行清洁和维护，确保生产环境的整洁和 卫生。
废气、废液等废弃物应按照国家相关标准进行排放和处 理。
展方向。企业致力于研发环保型清洗制绒工艺，降低能源消耗和环境污
染。
03
高精度与高效率
为了提高产品质量和生产效率，生产线清洗制绒技术向高精度和高效率
方向发展。企业不断优化清洗制绒工艺，提高设备的精度和稳定性，实
现高效生产。
市场前景及竞争态势
晶体硅太阳能电池原理与制造工艺
晶体硅太阳能电池原理与制造工艺晶体硅太阳能电池原理与制造工艺1.硅太阳能电池丄作原理与结构太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应一般的半导体主要结构如图1-1:图1-1 半导体主要结构正电荷表示硅原子负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子当硅晶体中掺入其他的杂质如硼、磷等当掺入硼时硅晶体中就会存在着一个空穴它的形成可以参照图1-2o图1-2 P型半导体正电荷表示硅原子负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子黃色表示掺入的硼原子因为硼原子周围只有3个电子所以就会产生如图1-2所示的蓝色的空穴这个空穴因为没有电子而变得很不稳定容易吸收电子而中和形成Ppositive型半导体。
同样掺入磷原子以后因为磷原子有五个电子所以就会有一个电子变得非常活跃形成Nnegative型半导体。
黄色的为磷原子核红色的为多余的电子。
如图1-3所示。
图1-3 '型半导体正电荷表示硅原子负电荷表示圉绕在硅原子旁边的四个电子黃色表示掺入的磷原子当P型和'型半导体结合在一起时在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层界面的P型一侧带负电'型一侧带正电。
这是由于P型半导体多空穴X型半导体多自由电子出现了浓度差。
N区的电子会扩散到PP的“内电场”从而阻止扩区P区的空穴会扩散到N区一旦扩散就形成了一个由N指向散进行如图1-4所示。
达到平衡后就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差这就是P\结。
图1-4内电场的形成当晶片受光后PN结中N型半导体的空穴往P 型区移动而P型区中的电子往X型区移动从而形成从X型区到P型区的电流。
然后在P\结中形成电势差这就形成了电源。
如图1-5所示图1 -5硅太阳电池结构示意图由于半导体结后如果在半导体中流动电阻非常大损耗也就非常不是电的良导体电子在通过pn大。
但如果在上层全部涂上金属阳光就不能通过电流就不能产生因此一般用金属网格覆盖p-n结如图1-6梳状电极以增加入射光的面积。
图1-6梳状电极及SiO2保护膜另外硅表面非常光亮会反射掉大量的太阳光不能被电池利用。
晶硅太阳电池前道工序
目录一、晶硅太阳能电池工艺简介二、硅片来料检测项目及标准三、制绒四、扩散一、晶硅太阳能电池工艺简介晶体硅电池工艺分为单晶硅电池工艺和多晶硅电池工艺，它们大体上相同，最大的不同在于第一步的清洗制绒，工艺步骤如下：✓硅片清洗、制绒工艺（单晶硅用碱液制绒面，多晶硅用HF和HNO3混合酸制绒面）✓扩散工艺（企业中采用的是POCl3液态源扩散）✓边缘刻蚀工艺✓PECVD镀膜工艺✓丝网印刷工艺✓烧结测试工艺1、硅片清洗制绒目的：清洗是为了除去沾污在硅片上的各种杂质，包括油脂、金属离子、尘埃等；制绒是为了除去硅片表面的切割损伤层，同时得到合理的粗糙表面，减小光在表面的反射，增加光尤其是长波长光在硅片内传输路径，获得适合扩散制p-n结要求的硅表面。
2 扩散制p-n结PN结是太阳电池的核心部分，扩散的目的：在P型硅片的表面扩散进一薄层磷，以形成p-n 结，p-n结形成后，能在硅片内产生电场，当光照射到硅片上被吸收产生电子-空穴对时，电场能将电子-空穴对分开，产生电流。
3 刻蚀刻蚀有两个目的：一是去除硅片边缘的PN结，扩散过程中，硅片的外围表面导电类型都变成了n型。
此工序就是刻蚀硅片边缘，以使前表面与背表面的n型层隔断，防止电池做出来以后正负极出现短路。
二是去除扩散过程形成的磷硅玻璃。
4 PECVD镀膜PECVD镀膜的目的：太阳光照射到硅片表面被硅片吸收透射的同时，也会有很大一部分光从该面反射掉，虽然绒面可以减少光的反射，但是仍是有一部分光被反射掉，这就大大减少了太阳能的利用率，所以要在硅片表面接触阳光的一侧镀上一层减反射膜，这就大大减少了光的反射损失，增强了吸收光的强度，提高电池效率。
薄膜的其他功能：这层薄膜主要由蓝色的氮化硅组成，除了前面所说的减反射作用外，还能起到钝化的效果。
同时，致密的氮化硅不透潮气，具有极低的氧化速率，还可防止划伤。
5 丝网印刷目的：通过丝网印刷在太阳能电池的背面印刷背电场、背电极，正面印刷正电极，正面收集电子，背面电极利于焊接以及组件的制成，是硅片制成电池的重要环节。
晶硅太阳能电池制造工艺-工艺流程以及工序简介
2）、工序简介
目前硅太阳能电池制造工序主要有：
制绒清洗工序 扩散工序 PECVD工序 丝网印刷工序 烧结工序 Laser刻蚀工序 测试分选工序
1. 制绒清洗工序
(a).单晶制绒---捷佳创
目的与作用：
（1）去除单晶硅片表面的机械损伤层和氧 化层。
（2）为了提高单晶硅太阳能电池的光电转 换效率,根据单晶硅的各向异性的特性， 利用碱(KOH)与醇(IPA)的混合溶液在单 晶硅表面形成类似“金字塔”状的绒面, 有效增强硅片对入射太阳光的吸收,从而 提高光生电流密度。
1）、硅太阳能电池的制造工艺流程：
清洗制绒
扩散
周边刻蚀
印刷电极PECVD去磷玻璃烧结分选测试
检验入库
1.原料硅片清洗制绒 12.测试分选
11.激光 10.烧 结 9.丝网印刷正电极 8.烘 干
2.高温扩散（液态扩散） 3.去磷硅玻璃（去PSG） 4.沉积减反射膜（PECVD）
5.丝网印刷背电极 6.烘 干
去除磷硅玻璃的目的、作用：
1. 磷硅玻璃的厚度在扩散中工艺难控制，且其工艺窗口太小，不稳 定。
2. 磷硅玻璃的折射率在1.5左右，比氮化硅折射率（2.07左右）小， 若磷硅玻璃较厚会降低减反射效果。
3. 磷硅玻璃中含有高浓度的磷杂质，会增加少子表面复合，使电池 效率下降。
2. 扩散（POCl3液态扩散）
(b). 多晶制绒---RENA InTex
3Si 2HNO3 18HF 3H2SiF6 0.45NO 1.35NO2 0.1N2O 4.25H2 2.75H2O
目的与作用：
（1）去除单晶硅片表面的机械损 伤层和氧化层。
（2）有效增加硅片对入射太阳光 的吸收,从而提高光生电流密度，提高 单晶硅太阳能电池的光电转换效率。
晶体硅太阳能电池制绒工艺培训
制绒工艺培训
单晶制绒添加剂
主要用途：为单晶硅湿法腐蚀添加剂，通过改变单晶硅腐
蚀中各向异性因子和药液活性，能有效改善太阳能电池片制 程中单晶制绒的工艺效果。
具体效用如下： ➢ 制绒时间短，可提高生产效率； ➢ 绒面大小可调节，从而实现精准受控； ➢ 提高金字塔成核密度，降低反射率，从而提升转换效率； ➢ 金字塔尺寸细小均匀，可显著改善扩散方块电阻，大大减 少铝苞产生几率；
添加剂：降低硅表面张力，促进氢气泡的释放，使金字塔
更加均匀一致。增加溶液的粘稠度，减弱NaOH溶液对硅片的 腐蚀力度，增强腐蚀的各向异性。
HF酸：去除硅的氧化物，使硅片更易脱水 HCL酸：去除金属离子
制绒工艺培训
单晶制绒过程中影响因素
1.碱液浓度 2.溶液的温度 3.制绒腐蚀时间的长短 4.无水乙醇的浓度 5.添加剂的浓度 6.制绒槽内硅酸钠的累积量 7.槽体密封程度、无水乙醇的挥发程度
制绒目的
因为光在非垂直入射至硅表面，会发生反射现象，为了 降低光反射，增强光吸收，需要在硅表面形成绒面，减少光 的反射率，提高短路电流（Isc），最终提高电池的光电转换 效率。
为什么降低反射会增加光的吸收？ 因为需要满足能量守恒定律： 光反射＋光吸收＋光透射＝光总能量
制绒工艺培训
陷光原理
陷光原理就是指使入射光进行二次或者多次反射，从而减 少反射率。
制绒工艺培训
单晶制绒添加剂
➢ 拓宽工艺窗口，制绒过程对NaOH和IPA的浓度敏感性降 低，工艺温度范围广，对制绒槽的温度均匀性要求降低，对 设备精度依赖性显著降低，75-80℃均可制出优良绒面； ➢ 显著减少制绒腐蚀量，可降低硅片翘曲度，减少碎片； ➢ 降低70%的化学品用量，降低了电池制造成本； ➢ 对原硅片要求降低，增大了硅片厂商的选择范围； ➢ 制绒过程稳定可靠，员工操作简便，更适合于自动化制绒 机操作； ➢ 溶液不会增加额外的污染，对人体无毒无害，与其它溶剂 可混合，无干扰作用。
制绒工艺说明
3.7溶液的定期调节
3.7.1粗抛液3个工作日要彻底换一次液，换液时要彻底清洗槽子，用抹布擦干净槽子边沿、槽底和加热电阻丝上的沉积物。
3.7.2制绒槽从上次调液（或新配液）开始累计生产量达到4000片时，要放掉1/3溶液，加750gNaOH和5瓶无水乙醇，试片，稳定后进行生产。
3.7.3水洗的8、9、10槽要12小时换水一次。
3.8工艺卫生要求
3.8.1制绒车间要保持清洁，地面常有碱液或干碱，要经常打扫。
3.8.2盛过碱液或乙醇的塑料桶要及时刷洗，不可无标识长时间用桶盛碱液或乙醇。
3.8.3物品和工具定点放置，用过的工具要放回原位，严禁乱放。
3.8.4每班下班前要对制绒机进行卫生打扫，擦掉机器上面的碱，擦掉槽盖上的硅胶。
制绒液：按照3.3.1条的浓度计算出170L制绒液所含有的NaOH、Na2SiO3和无水乙醇的量，清洗好制绒槽，关闭排水阀门，打开进水阀门向槽中缓慢放水，同时向槽中倒入NaOH、Na2SiO3和无水乙醇，
过程中用水瓢不断搅拌溶液，待加完NaOH、Na2SiO3和无水乙醇后，放水调整液面至溢水口下方2cm
3操作规程
3.1装片
3.1.1戴好防护口罩和干净的PE手套。
3.1.2将仓库领来的硅片从箱子中取出，以400片为一个生产批次把硅片装入“硅片盒”。
3.1.3在“工艺流程卡”上准确记录硅片批号、生产厂家、电阻率和投入数。
3.1.4在“工序产质量报表”上详细记录领料数、实际投入数、产出数，有缺片现象时要在缺片记录上记录缺片的批号、厂商、箱号和缺片数。
3.1.5装完一个生产批次后把“工艺流程卡”随同硅片一起放在盒架上，等待制绒。
晶硅太阳电池工业生产中制绒工艺与设备设计要点
电 子 工 业 毫 用 设 吝
・
பைடு நூலகம்
光 伏 制造 工 艺与 设 备 ・
晶硅 太 阳 电池工 业 生产 中制绒 工 艺 与设 备 设计 要点
于静 ，王 宇 ，耿 魁伟 。
（ ． 国电 子科 技集 团公 司第 四 十 五研 究昕 ， １中 北京 燕郊 ０ ５ ０ ； ６２ １ ２ 揭 阳 中诚集 团有 限公 司 ， 东揭 阳 ５ ２ ０ ；３ 华 南理 工大 学 电子 与信 息 学 院 ， ． 广 ２００ ． 广州 ， １６ １ ５ ０４ ） 摘 要 ： 对 工业 生产 单 晶硅 太 阳能 电池 对 绒 面 的要 求 ，结合 中 国电子 科 技 集 团公 司 第四 十 五 针 研 究所研 制 的全 自动制 绒 清 洗 设 备 中制 绒 工 艺段 的 结 构设 计 要 点 ， 制绒 工 艺的 原 理 、 准 、 从 标 影 响制 绒 工 艺的 因素 等 方 面进 行分 析 ， 调设 备 与 工 艺 密切 结 合 的 重要 性 。 强 关 键 词 ： 绒 工艺 ； 备 ； 制 设 设计 要 点 中图 分类 号 ： Ｎ３ ５ Ｔ ０ 文 献标 识 码 ： Ｂ 文章 编 号 ： ０ ４４ ０ （０ ００ —０ １０ １ ０ －５ ７２ １ ）４０ ０ —３
电池 的光 电转 换 效率和 降低 生产 成 本 已经成 为 行业 发展 的核 心所 在 。 目前 光伏 市场 上 的主 导产 品仍 是
晶硅 太 阳 电池 ， 括单 晶硅 与 多晶硅 两大 类 ， Ｐ型 包 用
收 稿 日期 ：０ｌ ．３２ ２ ００—５
光 伏 制造 工艺 与 设 备 ・
Ａｂ ｔ ａ ｔ ｎ ｔ ｉ ｐ ｒ ｈｅ ａ ｔ ｍａ ｉ ｅ ｔ ｒｎ ＆ｃ ｅ ｎｉ ｑ ｉ ｍ ｅ ｔｉ ｅ ｉ ｎ ｄ ｆ ｒｓ ｌｒｃ ｌ ｓ ｒａ ｅ ｓ ｒ ｃ ：Ｉ ｈ ｓｐａ ｅ ，ｔ ｕ ｏ ｔｃｔ ｘ ｕ ｉ ｇ ｌ ａ ｎｇ ｅ ｕ ｐ ｎ ｓｄ ｓｇ ｅ ｏ ｏ ａ ｅ ｌ ｕ ｆ ｃ
晶体硅太阳能电池生产工艺流程图
晶体硅太阳能电池生产工艺流程图电池片工艺流程说明：(1)清洗、制绒：首先用化学碱（或酸）腐蚀硅片，以去除硅片表面机械损伤层，并进行硅片表面织构化，形成金字塔结构的绒面从而减少光反射。
现在常用的硅片的厚度在 180 μm 左右。
去除硅片表面损伤层是太阳能电池制造的第一道常规工序。
(2)甩干：清洗后的硅片使用离心甩干机进行甩干。
(3)扩散、刻蚀：多数厂家都选用 P型硅片来制作太阳能电池，一般用 POCl3液态源作为扩散源。
扩散设备可用横向石英管或链式扩散炉,进行磷扩散形成 P-N结。
扩散的最高温度可达到 850- 900℃。
这种方法制出的 PN结均匀性好，方块电阻的不均匀性小于 10％，少子寿命大于 10 微秒。
扩散过程遵从如下反应式：4POCl3＋3O2（过量）→ 2P2O5＋2Cl 2（气） 2P2O5＋5Si → 5SiO2 + 4P 腐蚀磷硅玻璃和等离子刻蚀边缘电流通路，用化学方法除去扩散生成的副产物。
SiO2与HF生成可溶于水的 SiF 62-，从而使硅表面的磷硅玻璃（掺 P2O5的SiO2）溶解，化学反应为：SiO2＋6HF → H2（SiF 6）＋ 2HO(4) 减反射膜沉积：采用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)技术在电池表面沉积一层氮化硅减反射膜，不仅可以减少光的反射，而且由于在制备SiNx 减反射膜过程中有大量的氢原子进入，因此也起到了很好的表面钝化和体钝化的效果。
这是因为对于具有大量晶界的多晶硅材料而言，晶界的悬挂键被饱和，降低了复合中心的原因。
由于表面钝化和体钝化作用明显，就可以降低对制作太阳能电池材料的要求。
由于增强了对光的吸收，氢原子对太阳能电池起到很好的表面和体内钝化作用，从而提高了电池的短路电流和开路电压。
(5)印刷、烧结：为了从电池上获取电流，一般在电池的正、背两面制作电极。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
反应控制过程
氢气泡密度及大小 以及在硅片表面停 留的时间
决定金字塔形貌
• 温度越高腐蚀速度越快
• 溶液浓度越高腐蚀速度越快
• IPA浓度越高腐蚀速率越慢
• Na2SiO3浓度越高腐蚀速率越慢
• 工业中的腐蚀应使参数处于比较平缓的变化区域。以使
反应速度不致因为参数的微小变化造成较大的变化。
• IPA浓度应使用较低的水平，使反应速度控制在较理想
0%
5%
10%
• 当IPA的浓度从3%增加到10%时，反应速度会明显下降。
78℃
83℃
88℃
• 在同样的NaOH浓度下，当温度升高时，反应速度明显
加快。
• 多晶制绒反应的发生点为表面的缺陷点，如果过分完整
的表面反而无法制绒——水至清则无鱼。但是反过来，
制绒的情况也受表面状态影响很大，不容易控制。
3.1 单晶
3.1 多晶
4.制绒的化学原理
4.1 单晶
4.1.1 化学原理 利用低浓度碱溶液对晶体硅在不同晶体取向上具有
不同腐蚀速率的各向异性腐蚀特性，在硅片表面腐蚀形 成金字塔结构密布的表面形貌，就称为表面织构化。金 字塔的四面全是由〈111〉面包围形成。
4.1.2 陷光原理 当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度
6.1.1 单晶工艺控制方法
6.1.2 怎样才是“好”的金字塔
•在制绒过程中有三个变量需要控制：
•IPA浓度 •KOH or NaOH 浓度 •硅酸盐浓度
•其他需要控制的因素：
•温度（高低和均匀性） •时间 •水流（搅动或鼓泡）
•要控制的结果：
•金字塔的大小 •金字塔的铺满程度 •表面的花片
关键：降低硅片表面及溶液的界面能
7.2.1 去除在清洗过程中表面形成SiO2层
用HF去除SiO2层，反应为：
SiO 2 6HF H2[SiF6 ] 2H2O
总化学反应方程式为：
3Si 4HNO3 18HF 3H2[SiF6 ] 8H2O 4NO
5.1 单晶制绒影响因素分析
硅的腐蚀速率与表面原子密度、晶格方向、掺杂浓度、 溶液成分、浓度、温度、搅拌等参数有关
5.1.1 影响因素
目录
1.制绒基础知识
1.1 什么是制绒
制绒是将硅表面进行预清洗并用强碱或强酸腐蚀成 类似金字塔状或蜂窝状结构的过程
1.2 制绒的作用
1.2.1 去除损伤层 1.2.2 形成减反射绒面（陷光结构）
1.3 制绒的目的
1.2.1 利用陷光原理，增加光的吸收，提高短路电流Isc 1.2.2 增加PN结的面积
2.1 单晶 碱制绒，利用单晶片各向异性的腐蚀特性由强碱对硅
片表面进行一系列的腐蚀。我司现在也在使用碱制绒，当 然也有某些公司用酸制绒做单晶。
主要化学药品为：氢氧化钠或氢氧化钾、异丙醇或乙 醇、硅酸钠或绒面添加剂
2.2 多晶
酸制绒，利用强腐蚀性酸混合液的各向同性的腐蚀特 性对硅片表面进行腐蚀。
主要化学药品为：硝酸、氢氟酸
• 酸性溶剂有除油效果，因此多晶硅表面的制绒对于前期
硅片表面沾污不是很敏感。
• 酸性溶剂在表面如遇空气，很容易干躁形成氧化层的着
色现象，一旦着色很难再行清除。多晶硅在酸洗之后还
未经清水漂洗之前出水不应长于12秒。因此，最好使用
在线式连续清洗。
• 酸性溶剂的浓度和温度对于腐蚀速度的控制具有决定意
义，应严格控制。
的区域（0.5~0.6μm/min），这样可以在金字塔的质量 和生产率之间找到一个平衡。
●腐蚀量同时间的关系
●腐蚀速率同时间的关系
以上各种颜色曲线是多次试验的不同浓度的统计
0.5%
1.5%
5.5%
• 当NaOH的浓度小于1.5%和大于4%时都会破坏金字塔结构。
• 在此范围间，增加NaOH浓度会稍微增加反应速度。
• NaOH及异丙醇浓度 • 制绒槽内硅酸钠的累计量 • 制绒反应的温度 • 制绒反应时间的长短 • 槽体密封程度、异丙醇的挥发程度
NaOH浓度 反应温度
制绒的根本
NaSiO3浓度 IPA浓度
过程控制
搅拌或 鼓泡
提高溶液浓稠度， 控制反应速度
提高反应物疏运 速度，提高氢气 泡脱附作用
硅片表面原始状态，如：表面平整度、有 无油污、划伤及硅片厚度等
三个方面实现：
•对来料检验较差的硅片表面进行预处理，如粗抛液、清
洗剂或强氧化剂。
•提高硅片表面的浸润能力，如增加IPA浓度或把硅片进
行酸或碱的腐蚀。
•减少溶液的张力，如绒面添加剂。添加剂有很多极性或
非极性的功能团来降低腐蚀液表面的张力。
6.2 多晶工艺控制参数
• 硅片厚度（腐蚀量、腐蚀速率） • 虫孔长宽比 • 亮斑 • 暗纹 • 表面平整度 • 表面洁净度（棕黄色斑迹）
腐 蚀 速 率
HNO3
• 使用HF、HNO3、H2O混合液
• HNO3在硅表面形成SiO2层
暗纹
• HF将氧化层除去
从而HF、HNO3两者形成竞争
外 HF 观
发亮
温度对于腐蚀速度的控制具有决定意义，应严格控制。
120秒
240秒
•在同样浓度下不同时间的对绒面有手指印，在清洗前看不见，但是清洗后却清晰可
见
•硅棒切片后清洗工艺中的有机物沾污 •硅片表面的碳沾污 •硅棒切片时润滑剂的粘污
•硅片经过热碱处理后提出在空气中，时间过长会与空气
中的氧反应形成一层氧化层，这层氧化层一旦形成就很 难再清洗下去了。因此，在碱清洗后不能在空气中暴露 12秒以上。
• 硅片单面腐蚀厚度（腐蚀量） • 反射率 • 金字塔大小 • 白斑、雨点 • 划伤、划痕 • 花篮印 • 外观均匀性
6.2.1 多晶工艺控制方法
7.酸清洗的作用
7.1 盐酸清洗的作用
7.1.1 中和残留在硅片表面的碱液 7.1.2 去除在硅片切割时表面引入的金属杂质
注：盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与Fe3+、
Pt2+、Au3+、Ag+、Cu+、Cd2+、Hg2+等金属离子形成可溶 于水的络合物
7.2 氢氟酸清洗的作用
的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率。
总反应化学方程式：
Si + 2NaOH + H2O → Na2SiO3 + 2H2↑
副反应化学方程式：
Na2SiO3 + H2O → H2SiO3 + OHNa2SiO3 → (Na2O)x·(SiO2)y
硅被HNO3氧化，反应为：
3Si 4HNO3 3SiO 2 2H2O 4NO