模拟电路复习资料
模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)
绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如：V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。
如：v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如：v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如：等。
二．信号〔1〕模型的转换〔2〕分类〔3〕频谱二.放大电路〔1〕模型〔2〕增益如何确定电路的输出电阻r o？三．频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
模拟电路复习资料
3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5）
vo g m vgs Rd
vi vgs ( g m vgs ) R vgs (1 g m R)
g m Rd vo Av vi 1 gm R
Ri Rg1 // Rg2
s
Ro Rd
vo v o v i Ri Avs Av vS v i v S Ri RS
判别方法：反馈端与输入端为同一端，并联反馈； 反馈端与输入端为两端，串联反馈
即 vid=vi- vf iid=ii-if
7.1.5 电压反馈与电流反馈
电压反馈与电流反馈由反馈网络在放大电路输出 端的取样对象决定
电压反馈：反馈信号xf和输出电压成比例，即xf=Fvo
电流反馈：反馈信号xf与输出电流成比例，即xf=Fio
满足 VDS (VGS VT )
假设成立，结果即为所求。
3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） 解：例5.2.2的直流分析已 求得：I DQ 0.5mA VGSQ 2V
VDSQ 4.75V
g m 2K n (VGSQ VT )
s
2 0.5 ( 2 1)mA / V 1mA / V
分别判断图P1.24所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。
解：（a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能
（g）可能。 （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。 （i）不能。因为T截止。
五、现有直接耦合基本放大电路如下： A.共射电路 B.共集电路 C.共基电路 D.共源电路 E.共漏电路 设Re<Rb，且ICQ、IDQ均相等。 选择正确答案填入空内，只需填A、B、…… （1）输入电阻最小的电路是 ，最大的是 ； （2）输出电阻最小的电路是 ； （3）有电压放大作用的电路是 ； （4）有电流放大作用的电路是 ； （5）高频特性最好的电路是 ； （6）输入电压与输出电压同相的电路是 ；反相的电路是 解：（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E， A D
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
(完整word版)模拟电路复习题
一、填空1.杂质半导体分为 N 型和 P 型两种类型。
2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是 a 。
3.在电路中测出某硅材料NPN 三极管的三个电极对地电位为Vb=1.3V 、Ve=0.6V 、Vc=5V ，则该三极管处于 放大 工作状态。
4.衡量双极型三极管放大能力的参数是 β ，衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。
5.N 沟道J 型FET _ u ds ＞U GS （OFF ）__，它的截止条件为__ u Gs ≤U GS （OFF ）__。
6.在基本OCL 功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻R L =8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W ，理想效率为 78.5%_。
7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为 偏置电路 和 有源负载 广泛使用。
8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是 抑制0点漂移 。
９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。
10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。
要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_，相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。
11.在放大电路的设计中，主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。
此外，利用这种反馈，还可增加增益的恒定性，减少非线性失真，抑制噪声，扩展频带以及控制输入和输出阻抗，所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。
11.Ｎ型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的，多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。
12.半导体PN结具有单相导电性特性。
13.在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，锗二极管的开启电压约为0.1 V，14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。
15.在差动式放大电路中，差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_；共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。
模拟电子复习题
模拟电路复习题 第一章一：填空题1.半导体三极管处在饱和状态时，e 结和c 结的偏置情况是___________2.将PN 结的N 区接电源的正极，P 区接电源的负极，则为PN 结的_______偏置。
3.按照二极管的材料分,可分为________二极管和锗二极管两种。
4.PN 结加正偏导通，加反偏截止，称为PN 结的________________性能。
5.某放大状态的晶体管，知β＝50，测得其I E ＝2.04mA ，忽略穿透电流，则其I B 为________________mA 。
6.PN 结正向偏置时，应该是P 区的电位比N 区的电位________________。
7.N 型半导体是在本征半导体中掺入_______价元素构成的，其多数载流子是_______。
8.某放大状态晶体管，知I B =0.02mA,β=50，忽略其穿透电流，则I E =_________mA 。
9.图示电路中，二极管导通时压降为0.7V ，若U A =0V,U B =3V,则U O 为________。
10.PN 结反向偏置时，应该是N 区的电位比P 区的电位__________11.某放大状态的晶体三极管，当I B =20μA 时，I C =1mA ，当I B =60μA 时，I C =3mA 。
则该管的电流放大系数β值为__________。
12.图示电路，二极管VD 1，VD 2为理想元件出，则U AB 为_________伏。
二：选择题1．PN 结加反向偏置时，其PN 结的厚度将（ ） A ．变宽B ．变窄C ．不变D ．不能确定2．理想二极管构成的电路如题2图，其输出电压u 0为（ ）A ．-10VB ．-6VC ．-4VD ．0V3．NPN 型三级管，处在饱和状态时是（ ） A ．U BE <0,U BC <0 B ．U BE >0,U BC >0 C ．U BE >0,U BC <0 D ．U BE <0,U BC >04．某放大状态的三极管，测得各管脚电位为：①脚电位U 1=2.3V ，②脚电位U 2=3V ，③脚电位U 3=-9V ，则可判定（ ） A ．Ge 管①为e B ．Si 管③为e C ．Si 管①为eD ．Si 管②为e5、在N 型半导体中，多数载流子为电子，N 型半导体是（ ） A ）带正电 B ）带负电 C ）不带电 D ）不能确定6、如果在NPN 型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结也为正向偏置，则此管的工作状态为（ ）A ）放大状态B ）截止状态C ）饱和状态D ）不能确定7.加在二极管上的正向电压从0.65V 增大10%，流过的电流增大量为（ ） A ）大于10% B ）小于10% C ）等于10% D ）不变 8.半导体三极管的特点是( )A.输入电流控制输出电流B.输入电压控制输出电压C.输入电流控制输出电压D.输入电压控制输出电流 9.实验测得放大电路中半导体三极管的三个电极位分别为U 1=3.2V,U 2=2.5Ｖ,U 3=12Ｖ,则( )A.该管为硅管B.1为基极，2为发射极，3为集电极C.该管为NPN型D.该管为PNP型E.1为集电极，2为基极，3为发射极10.理想二极管构成的电路如题2图，该图是( )A.V截止U=-4V=+4VB.V导通U=+8VC.V截止U=+12VD.V导通U11．某锗三极管测得其管脚电位如题3图所示，则可判定该管处在（）A．放大状态B．饱和状态C．截止状态D．无法确定伏态12. 对半导体三极管，测得其发射结正偏，集电结反偏，此时该三极管处于( )。
模拟电路总复习
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小
第二章 放大电路基础
结
第一节 放大电路组成及工作原理
一、 基本放大电路定义 由一个放大元件所构成的简单放大电路。 放大元件：三极管、场效应管 二、基本放大电路组成
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RC
+UCC
C2 • RL
RB
T
+ ui
C1
放 大 条 件
内因：发射区载流子浓度高、 基区薄、集电区面积大 外因：发射结正偏、集电结反偏
3. 电流关系 IE = IC + IB IC = IB + ICEO IE = (1 + ) IB + ICEO IE = IC + IB IC = IB IE = (1 + ) IB
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3. 二极管的等效模型 理想模型 (大信号状态采用)
正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合 反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开
iD
恒压降模型
正偏电压 UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on) 否则截止，相当于二极管支路断开
UD(on)
uD
硅管： UD(on) = (0.6 0.8) V 估算时取 0.7 V
1)
uD 0, I IS 0
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iD U (BR)
IF uD
2. 主要参数
正向 — 最大平均电流 IF
URM O IS
最大反向工作电压 U(BR)(超过则击穿) 反向 — 反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响)
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模拟电路考研复习及答案(十套)
最宽的是
组态。
二．
选择题
1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE 的变化情况为（
A．β增加，ICBO,和 uBE 减小
B. β和 ICBO 增加，uBE 减小
C．β和 uBE 减小，ICBO 增加
D. β、ICBO 和 uBE 都增加
2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（ ）
，要消除此失真，应改用
。
8．理想运算放大器工作在线性放大区时具有
和
特性。
二．选择题
1． 在一个由 NPN 型晶体管构成的放大电路中,关于晶体管三个电极的电位,下列
说法正确的是( )
D．阻当层变厚，反向电流减小
3．某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接入 3kΩ的负载电阻后输出电压
降为 3V，这说明放大电路的输出电阻为（ ）
A. 10kΩ B. 2kΩ C. 1kΩ D. 0.5kΩ
4.在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（ ）
A. 输入电阻小，输出电阻大
）。
A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导
3．双端输出的差分放大电路主要（ ）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大
B. 利用两个
C. 利用参数对称的对管子
D. 利用电路的对称性
4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（ ）。源自A. 变大B. 变小
C. 不变
4．如图所示运放电路，已知 R1=6k，R2=4k，R3= R4= R5=6k，R6= R7=12k，R8=6k， RF1=24k，RF2=4k，RF3=6k，R=2k，ui1=5mv，ui2=-5mv, ui3=6mv, ui4=-12mv。 试求：（1）运放电路 A1、A2、A3 的功能。（2）uo1、 uo2、 uo
模拟电路实验复习资料
模拟电路实验复习资料一、模拟电路实验基础知识模拟电路是处理连续变化的电信号的电路，它是电子电路的重要组成部分。
在进行模拟电路实验之前，我们需要了解一些基础知识。
1、电路元件电阻：用于限制电流和分压。
电阻的阻值决定了其对电流的阻碍作用。
电容：能够储存电荷，具有通交流、隔直流的特性。
电感：储存磁场能量，对电流的变化有阻碍作用，具有通直流、阻交流的特点。
2、电路参数电压：衡量电场中两点之间电位差的物理量。
电流：电荷的定向移动形成电流。
功率：表示电路中能量的传输或转换速率。
3、电路定律欧姆定律：描述了电阻两端的电压与通过电阻的电流之间的关系，即 U ＝ IR。
基尔霍夫定律：包括电流定律（在任何一个节点，流入的电流总和等于流出的电流总和）和电压定律（在任何一个闭合回路中，电压升的总和等于电压降的总和）。
二、常用仪器仪表1、示波器用途：用于观察电信号的波形、测量信号的频率、幅度等参数。
操作要点：正确设置触发方式、垂直和水平刻度、耦合方式等。
2、信号发生器功能：产生各种不同频率、幅度和波形的信号。
使用注意：根据实验需求设置合适的参数，确保输出信号稳定。
3、万用表测量类型：可以测量电压、电流、电阻等。
测量技巧：选择正确的量程，避免测量误差。
三、实验项目及原理1、共射极放大电路原理：通过三极管的电流放大作用，将输入的小信号放大。
实验内容：测量静态工作点、输入输出电阻、电压放大倍数等。
2、集成运算放大器的应用加法运算电路：实现多个输入信号的相加。
减法运算电路：完成两个输入信号的相减。
积分与微分电路：对输入信号进行积分或微分运算。
3、反馈放大电路类型：正反馈和负反馈。
作用：改善电路的性能，如提高稳定性、改变输入输出电阻等。
四、实验中的常见问题及解决方法1、信号失真原因：静态工作点设置不当、输入信号过大等。
解决方法：重新调整静态工作点，减小输入信号幅度。
2、测量误差较大可能原因：仪器仪表未校准、测量方法不正确。
应对措施：对仪器进行校准，按照正确的测量方法操作。
模拟电路知识点
模拟电路知识点摘要：本文旨在概述模拟电路的基本概念、组成部分以及关键知识点。
模拟电路是电子工程的基础，涉及信号的放大、过滤、转换和处理。
通过本文，读者将了解模拟电路的工作原理、常见类型以及实际应用。
1. 引言模拟电路处理连续变化的电信号，与数字电路处理离散信号相对。
它们在通信系统、音频和视频设备、传感器和控制系统中发挥着重要作用。
2. 基本元件- 电阻器（Resistor）：限制电流流动的元件，遵守欧姆定律。
- 电容器（Capacitor）：存储电能的元件，对直流电阻抗无穷大，对交流电提供路径。
- 电感器（Inductor）：存储磁能的元件，对直流电提供路径，对交流电产生阻抗。
- 二极管（Diode）：允许电流单向流动的半导体器件。
- 晶体管（Transistor）：放大和开关电子信号的关键元件。
3. 电路分析基础- 基尔霍夫电压定律（KVL）：在一个闭合回路中，所有电压的代数和等于零。
- 基尔霍夫电流定律（KCL）：在任何节点，流入节点的电流总和等于流出节点的电流总和。
- 超定电路与欠定电路：超定电路具有多余电源，欠定电路则缺少足够的信息来解出所有未知量。
4. 放大器原理- 共射放大器（Common Emitter Amplifier）：最常见的晶体管配置，提供良好的电压和电流增益。
- 共集放大器（Common Collector Amplifier）：也称为发射极跟随器，提供较高的输入阻抗和较低的输出阻抗。
- 共基放大器（Common Base Amplifier）：具有高输入阻抗和高输出阻抗，常用于高频应用。
5. 滤波器类型- 低通滤波器（Low Pass Filter, LPF）：允许低频信号通过，阻止高频信号。
- 高通滤波器（High Pass Filter, HPF）：与低通滤波器相反，允许高频信号通过。
- 带通滤波器（Band Pass Filter, BPF）：只允许特定频率范围的信号通过。
《模拟电路》重点复习内容
《模拟电路》重点复习内容第一章半导体器件掌握：1，二极管、稳压管二极管的伏安特性。
2，三极管的输入特性、输出特性。
3，场效应管的输出特性、转移特性。
理解：1，PN结的单向导电性。
2，三极管的放大作用。
3，场效应管的放大作用。
了解：1，半导体中的两种载流子。
2，N型半导体和P型半导体以及PN结的形成。
第二章放大电路的基本原理和分析方法（重点）掌握：1，放大的基本概念；放大电路主要技术指标的含义。
2，放大电路的静态和动态、直流通路和交流通路的概念及其画法。
3，放大电路的静态工作点（Q点）求解以及动态技术指标A u,R i,R o的分析和计算。
（必考）理解：1，三极管放大电路的三种组态（共射、共集、共基）的电路组成、工作原理和性能特点。
2，场效应管组成的共源和共漏放大电路的电路组成、工作原理和性能特点。
了解：1，多级放大电路的三种耦合方式（阻容耦合、变压器耦合、直接耦合）的原理和特点。
2，多级放大电路放大倍数和输入电阻、输出电阻的估算方法。
3，场效应管放大电路与双极型放大电路相比较的特点。
第三章放大电路的频率响应掌握：1，频率响应的基本概念。
理解：1，含有一个时间常数的单管共射放大电路中f L、f H的估算方法。
2，波特图的意义和画法。
了解：1，频率失真的含义。
2，三极管频率参数的含义。
3，多级放大电路的通频带与其各级放大电路的通频带之间的定性关系。
第四章功率放大电路理解：OTL和OCL互补对称电路的组成和工作原理，最大输出功率和效率的估算。
了解：1，功率放大电路的主要特点和类型；2，集成功率放大电路的特点。
第五章集成运算放大电路（重点）掌握：1，集成运放主要技术指标的含义。
2，差分放大电路的静态工作点，以及差模电压放大倍数、差模输入电阻和差模输出电阻的计算方法。
理解：1，差分放大电路的组成和工作原理，以及差分放大电路在四种不同输入、输出方式时差分放大电路的性能特点。
2，各种电流源（镜像电流源、比例电流源、微电流源）的工作原理和特点。
模电知识点复习总结
3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法பைடு நூலகம்
1.二极管V-I 特性的建模
将指数模型 iD=IS(e分vD段VT线性1)化，得到二极管特性的 等效模型。 （1）理想模型
（a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型
（2）恒压降模型
（3）折线模型
（a）V-I特性 （b）电路模型
漂移运动： 由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动.
扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动.
3.2.2 PN结形成
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分 别形成N型半导体和P型半导体.此时将在N型半导 体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:
因浓度差
多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区
特别注意： ▪ 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 ▪ 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vD>>VT 。
3.5 特殊二极管
（一）稳压二极管
I/mA
1 结构：面接触型硅二极管
2 主要特点： (a) 正向特性同普通二极管 (b) 反向特性
• 较大的 I 较小的 U •工作在反向击穿状态. 在一定范围内,反向击穿 具有可逆性。
则 = ICICEO
IB
当IC
IC
时
EO
， IC
IB
是另一个电流放大系数。同样，它也只与管
子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。
一般 >> 1 。
3. 三极管的三种组态
BJT的三种组态
共发射极接法,发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极接法,基极作为公共电极，用CB表示； 共集电极接法,集电极作为公共电极，用CC表示.
模拟电路复习资料
一、填空题1、画放大器的直流通路时，将视为开路，画出直流通路是为了便于计算；画交流通路是为了便于计算、和三个交流性能指标。
2、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为、和三类。
3、使用二极管时，应考虑的主要参数是和。
4、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结、集电结时，工作在饱和区；发射结、集电结时，工作在截止区。
5、放大器的静态是指时的工作状态，分析静态工作点的方法有两种，一种是法，另一种是法。
6、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻些，以减轻信号源的负担，输出电阻些，以增加带负载的能力。
7、三极管具有两PN结：结、结；还有三个区：、，。
8、固定偏置放大电路如图（a）所示，三极管的输出特性曲线及直流负载线MN，交流负载线AB如图（b）所示，由图可知，电源电压V G= ，I CQ= ，V CEQ= ，R C= ，R L= ，β=（a）（b）二、判断题1、PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。
（）2、二极管具有单向导通性。
（）3、造成放大器工作点不稳定的主要因素是电源电压波动。
（）4、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小，当反向电压大于反向反向击穿电压时，其反向电流迅速增大。
（）5、 二极管加正向电压时一定导通。
（ ）6、 晶体三极管有两个PN 结，因此它具有单向导电性。
（ ）7、放大器具有能量放大作用。
（ ）8、晶体三极管集电极和发射极可以互换使用。
（ ）9、发射结反向偏置的三极管一定工作在截止状态。
（ ） 10、放大器在工作时，电路同时存在直流和交流分量。
( ) 三、选择题1、把电动势为1.5V 的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（ ）。
A 、基本正常B 、将被击穿C 、将被烧坏D 、电流为零 2、当硅二极管加上0.4V 正向电压时，该二极管相当于（ ）。
A 、很小的电阻 B 、很大的电阻 C 、短路 D 、电阻 3、PN 结的最大特点是具有（ ）。
《模电》复习(有答案)
03
02
01
模拟电路的基本概念
模拟电路的基本元件
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流和电压。
电容是能够存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。
电感是能够存储磁能的元件，具有阻抗交流的作用。
二极管是单向导电的元件，常用于整流、开关等电路中。
04
电源：为电路提供稳定的直流或交流电源。
实验设备与仪器
实验准备
熟悉实验原理、目的、步骤和注意事项，准备好所需的仪器和元件。
电路搭建
根据实验要求，使用适当的电子元件搭建模拟电路。
参数测量
使用示波器等测量仪器，记录实验数据，观察信号波形。
结果分析
对实验数据进行分析，得出结论，并与理论值进行比较。
实验方法与步骤
发射机与接收机
通过模拟电路实现信号的调制和解调，如调频、调相和调幅等，以适应不同的通信信道。
调制解调技术
模拟电路用于信号处理和控制，如音频、视频信号的处理和通信系统的控制。
信号处理与控制
通信系统
模拟电路用于构建模拟控制器，实现对系统的连续控制和调节。
模拟控制器
模拟电路用于连接传感器和执行器，实现系统输入与输出的转换和控制。
详细描述
反馈放大电路的性能指标主要包括增益、带宽和稳定性等。
总结词
增益表示反馈放大电路的放大能力，与开环增益和反馈系数有关；带宽表示反馈放大电路能够正常工作的频率范围；稳定性则表示反馈放大电路对外部干扰和内部参数变化的敏感程度。
详细描述
反馈放大电路
总结词
集成运算放大器是一种高性能的模拟集成电路，具有高带宽、低噪声、低失真等特点。
(完整版)模拟电路总复习知识点1(DOC)
第一章绪论1． 模拟信号和数字信号·模拟信号：时间连续、幅度连续的信号（图1。
1。
8）。
·数字信号：时间、幅度离散的信号(图1.1.10) 2．放大电路的基本知识·输入电阻i R ：是从放大器输入口视入的等效交流电阻.i R 是信号源的负载,i R 从信号源吸收信号功率。
·输出电阻o R ：放大器在输出口对负载L R 而言，等效为一个新的信号源（这说明放大器向负载L R 输出功率o P ），该信号源的内阻即为输出电阻。
·放大器各种增益定义如下: 端电压增益：oV iV A V = 源电压增益:o iVS V s s iV R A A V R R ==+ 电流增益:o I i I A I =互导增益:o G iI A V =互阻增益：o IiV A I =负载开路电压增益（内电压增益）：0L oV iR V A V →∞=,00LV V LR A A R R =+功率增益：0||||P V I iP A A A P == ·V A 、G A 、R A 、I A 的分贝数为20lg A ；p A 的分贝数为20lg p A 。
·不同放大器增益不同，但任何正常工作的放大器，必须1>P A 。
·任何单向化放大器都可以用模型来等效，可用模型有四种（图1。
2.2）. ·频率响应及带宽:o ()()()V i V j A j V j ωωω=或()()V V A A ωϕω=∠()V A ω—— 幅频相应（图1。
2.7）：电压增益的模与角频率的关系. ()ϕω—— 相频相应：输出与输入电压相位差与角频率的关系。
BW -— 带宽:幅频相应的两个半功率点间的频率差H L BW f f =-。
·线性失真：电容和电感引起，包括频率失真和相位失真(图1。
2。
9) ·非线性失真：器件的非线性造成。
第二章 晶体二极管及应用电路一、半导体知识 1．本征半导体·单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si ）和锗（Ge)（图2。
模拟电路-期末复习资料
模拟电路—期末复习资料一、判断题1．构成各种半导体器件的基础是PN 结，它具有单向导电和反向击穿特性。
( )2.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
( )3. 在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
( )4.由于集成电路工艺不能制作大电容和高阻值电阻，因此各放大级之间均采用阻容耦合方式。
（ ）5.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是输入电压幅值不变，改变频率。
（ ）6. 一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。
（ ）7.反馈量仅仅决定于输出量。
（ ）8.功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（ ）9. 运放的共模抑制比c d CMR A A K 。
( ) 10. 图题图1所示电路中，若Ce 突然开路，则中频电压放大倍数usmA &减小。
（ ）11. 运算电路中一般均引入负反馈。
（ ） 12.单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。
（ ）13.功率放大电路与电压放大电路的区别是前者比后者效率高。
（ ）14. 直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。
（）15.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）16.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）17.当集成运放工作在非线性区时，输出电平不是高电平，就是低电平。
（）18.在稳压管稳压电路中，其最大稳定电流与最小稳定电流之差应大于负载电流的变化范围。
（）19. 整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。
20.电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流。
21.在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的功耗越大。
（）22.功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点都使输出功率大于信号源提供的输入功率。
模电复习题及答案
模电复习题及答案一、选择题1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是什么？A. 滤波B. 信号放大C. 信号调制D. 信号解调答案：B2. 什么是负反馈放大器？A. 反馈信号与输入信号相位相反B. 反馈信号与输入信号相位相同C. 反馈信号极性与输入信号相同D. 反馈信号极性与输入信号相反答案：A3. 运算放大器（Op-Amp）的开环增益通常有多大？A. 10^2B. 10^3C. 10^5D. 10^6 及以上答案：D4. 下列哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 可以是数字信号C. 可以是周期性变化D. 可以是瞬时值答案：B5. 在模拟电路设计中，温度漂移通常是由什么引起的？A. 电路元件的老化B. 环境温度的变化C. 电源电压的波动D. 所有上述因素答案：B二、简答题1. 简述差分放大器的工作原理。
答案：差分放大器是一种具有两个输入端的放大器，其工作原理是基于两个输入端电压差的变化进行放大。
当两个输入端的电压差发生变化时，差分放大器会放大这个差值，而对两个输入端共同的直流分量不敏感，从而提高电路的稳定性和抗干扰能力。
2. 什么是积分器和微分器？它们在电路中有什么应用？答案：积分器是一种将输入信号的瞬时值转换为输出信号的积分值的电路。
在电路中，积分器常用于模拟信号的低通滤波、信号的平滑处理等。
微分器则是将输入信号的瞬时值转换为输出信号的导数，常用于检测信号的变化率，如在控制系统中用于快速响应输入信号的变化。
三、计算题1. 如果一个共射放大器的β值为100，输入电压为10mV，求输出电压。
答案：假设共射放大器的放大倍数为Av = β * (1 + R'L/Rin)，这里R'L是负载电阻，Rin是输入电阻。
由于题目没有给出具体的电阻值，我们只能假设一个简单的情况，即R'L远大于Rin，可以忽略Rin的影响。
那么Av ≈ β。
输出电压Vout = Av * Vin = 100 * 10mV = 1V。
模拟电路复习资料Ⅰ
模拟电路复习资料Ⅰ一、填空题1. P型半导体的多子是，N型半导体的少子是，PN结具有特性。
2. 在P型半导体中，电子浓度空穴浓度；在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。
3. 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于，少子的浓度受的影响很大。
4. 当PN 结正向偏置时，耗尽层将，反向偏置时空间电荷区将。
5. 引起PN结击穿的机理一般认为有两种，即击穿和击穿。
6. PN结之间存在着两种电容，分别叫作电容和电容。
7．在PN结形成过程中，载流子扩散运动是由于作用下产生的，漂移运动是由于作用下产生的。
8．当环境温度升高时，二极管的死区电压将，二极管的反向饱和电流将。
9．稳压二极管有作用，在电路中是将其阳极接于电源的极，阴极接于电源的极。
10．利用二极管的特性可以制成稳压管。
利用二极管在反向偏置时的电容效应可制成。
11. 晶体管三极管在作正常放大运用时,必须使处于正向偏置, 处于反向偏置。
12. NPN型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中极电位最高，极电位最低。
13. 在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形，而输出波形则出现了底部被削平的现象，这种失真是失真，失真的主要原因是。
14．若三级放大电路中A u1= A u2=30dB，A u3==30dB ，则其总电压增益为dB，折合为倍。
15．在三极管的三种基本组态放大电路中，组态电压增益最小，组态输入电阻最小。
16．在三极管的三种基本组态放大电路中，组态输入电阻最大，组态放大倍数最大且为正。
17．实验中用直流电流表测量三极管的静态电流,其中流进电极的电流为3.66mA,流出电极的电流分别为0.06mA和3.6mA。
则该管是型三极管，其β值为。
18．场效应管属于____控制型器件，它们的导电过程仅仅取决于____载流子的流动。
19．耗尽型N沟道FET的导电载流子是，一般把在漏源电压作用下开始导电的栅源电压U GS 叫做。
20. 结型场效应管利用栅源极间所加的(反偏电压、反向电流、正偏电压)来改变导电沟道的电阻；P沟道结型场效应管的夹断电压U GS为(正值、负值、零) 。
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学习资料第一章 半导体器件 一、学习要求1. 掌握半导体管的伏安特性和主要参数（U ON 、ＩS 、U BR 、ＩZ 、P ZM )2. 掌握三极管的输入和输出特性(１.3.3）3. 掌握场效应管的工作原理(如何形成导电沟道然后工作在恒流区）4. 理解PN 结的单向导电性5. 理解三极管的放大原理二、复习思考题1. 选择正确答案填入空内。
（1)ＰN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
Ａ． 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2)设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C ． )1e (S －T U U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。
Ａ． 正向导通 Ｂ.反向截止 C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C ． 前者正偏、后者也正偏(5）在本征半导体中，电子浓度 空穴浓度,在P 型半导体中,电子浓度空穴浓度。
当ＰN 节外加正向电压时，扩散电流 漂移电流。
2、 电路如图所示，V CC =15Ｖ，β=10０,U BE ＝0.7Ｖ。
试问： (1）R ｂ＝５0k Ω时，ｕO ＝？ (2)若T 临界饱和，则R b ≈？ ３、 已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝６V ，最小稳定电流I Zmin =5mA,最大稳定电流I Z ｍax ＝２5mA 。
（１)分别计算U I 为1０V 、15Ｖ、35Ｖ三种情况下输出电压ＵO 的值;(2)若U I ＝35Ｖ时负载开路，则会出现什么现象?为什么？第二章放大电路的基本原理和分析方法一、学习要求1．掌握放大电路的主要技术指标（２.2节、放大电路技术指标测试示意图)２. 掌握放大电路静态和动态的概念和分析方法(直流通路和交流通路的概念、图解法、微变等效电路法)3. 掌握两种单管共射放大电路的工作原理(估算静态工作点Q、AＵ、ＲＩ、R O)４.掌握放大电路三种基本组态的性能特点（2.6.3节）5.理解图解法的对输出波形失真情况的分析;最大不失真输出电压的概念和求解６. 理解放大电路的三种耦合方式;直接耦合放大电路的温漂现象二、复习思考题1.（1)共集电极放大电路的特点是电压放大倍数A＿____＿____,输入电阻____＿＿＿__,输出电阻_____＿___。
（２）对于共射、共基和共集三种基本组态放大电路,若希望带负载能力强，应选用＿___组态;若希望频率响应好，应选用_____组态。
(3）三极管工作在饱和区的条件是。
A发射结正偏，集电结反偏B发射结正偏，集电结正偏C发射结反偏,集电结反偏D发射结反偏,集电结正偏（４）在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的。
A.恒流区B．可变电阻区Ｃ. 截止区D．预夹断点(5) 对于单管共射电路,静态工作点设置过低,其结果是输出波形(）。
Ａ容易出现截止失真 B 容易出现饱和失真C容易出现交越失真ﻩＤ不会出现失真（6)为了放大变化缓慢的微弱信号,放大电路应采用___＿_耦合方式。
A直接B阻容C变压器D光电2．试分析下图 2.1所示各电路是否能够放大正弦交流信号,简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(ａ)(b)(ｃ)图2．13. 电路如图２.2所示,已知晶体管β＝５０,在下列情况下,用直流电压表测晶体管的集电极电位，应分别为多少？设V ＣC ＝12Ｖ,晶体管饱和管压降ＵC E S ＝0.5V 。
（1)正常情况 （２)R b 1短路 (3）R b 1开路(4）R b ２开路 (5）R C 短路图 2.24. 按要求填写下表。
电路名称连接方式(ｅ、c 、b ） 性能比较（大、中、小）公共极输入极输出极 uAiA Ｒ iR ｏ 其它 共射电路 共集电路 共基电路5. 如图2．３图所示的分压式工作点稳定电路中,已知1212, 2.5,7.5CC b b V V R K R K ,2,1C L e R R K R K ,三极管的 =50，（1)试估算放大电路的静态工作点； (2）估算放大电路的u i o A R R 、和。
图2.3r＝10０Ω。
6. 电路如图2．４所示,晶体管的β＝10０，'bbA 、R i和R o;（１)求电路的Q点、u(2）若电容C e开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？图２.47. 在图２.5.1所示电路中,由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图 2.4.２(a)、（b)、（c)所示,试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
图2.5．1图2.5.２第三章放大电路的频率响应一、学习要求1.掌握频率响应的基本概念(３.1)2.理解含有一个时间常数的单管共射放大电路中f L和f H的含义。
二、复习思考题１. 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应,条件是。
Ａ.输入电压幅值不变,改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C．输入电压的幅值与频率同时变化2. 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。
A.耦合电容和旁路电容的存在Ｂ.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性Ｄ．放大电路的静态工作点不合适３．当信号频率等于放大电路的f L或ｆH时，放大倍数的值约下降到中频时的。
A.０.5倍B.0.7倍C.０.9倍即增益下降。
A.3dB B．4dBﻩC．5dB4. 已知某电路的幅频特性如右图所示,试问：(1）该电路的耦合方式；（2）该电路由几级放大电路组成；（３)当ｆ=１0４Hz时，附加相移为多少?当ｆ=1０5时,附加相移又约为多少？第四章功率放大电路一、学习要求1.掌握功率放大电路与电压放大电路的区别2.掌握功率放大电路的主要特点3.掌握ＯTL和OCL甲乙类互补对称电路的组成和工作原理、最大输出功率和效率的估算。
4.理解交越失真的含义和克服失真的措施5.了解功率放大电路中甲类、甲乙类和乙类的含义二、复习思考题１.(1) 功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下,负载上可能获得的最大。
A．交流功率 B.直流功率C．平均功率（2）功率放大电路的转换效率是指。
A．输出功率与晶体管所消耗的功率之比B.最大输出功率与电源提供的平均功率之比C.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比(3）在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1Ｗ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为。
A.１ＷB.0.5W C．０.２W（4）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有。
A．β B.I C M C.I C BＯD．B U C E O E．PＣＭ F.f T （5）OCL甲乙类互补对称电路和OTL乙类互补对称电路相比，最大的优点是_＿__＿_。
A. 效率高 B ． 电路更对称 C ． 输出端不用接大电容 Ｄ. 减小交越失真２． 已知电路如图 4.１所示,T １和T 2管的饱和管压降│U C E S │=3V ，V C C ＝15V ， R Ｌ=8Ω，分析回答以下问题:图 4.1(1）电路中D １和D 2管的作用是什么?（2)静态时,晶体管发射极电位U ＥQ 是多少? （3）求最大输出功率P o m 和效率η?(４）当输入为正弦波时，若Ｒ1虚焊，即开路,则输出电压会发生什么变化?（5）若D 1虚焊，将产生什么后果？３. 分析如图4.2所示的OTL 电路原理，回答下列问题:（１）若输出电压波形出现交越失真,应调整哪个电阻?如何调整? （2）静态时发射级电位是多少？(3）已知6,8CC L V V R ==,假设三极管的饱和压降CES U =1V ,估算电路的最大输出功率O P 和效率 ？（4)为了使输出功率达到Ｐo m ,输入电压的有效值约为多少？图4.24.已知图4．3所示电路中T1和T2管的饱和管压降│ＵC E S│＝2Ｖ，导通时的│U B E│=0.７V，输入电压足够大。
图４．3(1）A、B、Ｃ、D点的静态电位各为多少?(2)为了保证T２和T4管工作在放大状态，管压降│U C E│≥3V,电路的最大输出功率P o m和效率η各为多少?5.图４.4中的哪些接法可以构成复合管?标出它们等效管的类型(如NＰN型、ＰNP型）及管脚（b、e、c）(a) (b）(ｃ）图4.４五、集成运算放大电路一、学习要求1.掌握差分放大电路的工作原理2.掌握集成电路的组成原理3.掌握恒流源式差分放大电路的静态工作点、差模电压放大倍数估算方法。
4.掌握电流源的工作原理和特点5.理解零点漂移和共模抑制比的概念二、复习思考题1．(1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为。
Ａ.可获得很大的放大倍数B. 可使温漂小C．集成工艺难于制造大容量电容（2）集成运放制造工艺使得同类半导体管的。
A.指标参数准确B. 参数不受温度影响C.参数一致性好(3）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以。
A.减小温漂Ｂ. 增大放大倍数Ｃ. 提高输入电阻（4)为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用。
A．共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路2．电路如图 5.1所示,已知β1＝β2＝β３=100。
各管的U B E均为0.7Ｖ,试求ＩC2的值。
图５.1３. 比较图５.2所示两个电路，分别说明它的是如何消交越失真和如何实现过流保护的。
图5．２4.图5.3所示电路参数理想对称,β1＝β２＝β,ｒb e1=rｂe2=r b e。
(1)说明ＲＷ、Rｅ的作用。
（2)写出ＲW的滑动端在中点时Ａｄ的表达式；(3）写出ＲW 的滑动端在最右端时A d 的表达式,比较两个结果有什么不同。
图5.35. 如图５.4所示的恒流源式差分放大电路中，12CC EE V V V ,三极管的1250βββ＝＝＝，100C R ,10R K ,33e R ，稳压管的6Z U V ，33R ，200W R ,且滑动端调在中点,(1)说明三极管ＶT3和电阻R W 的作用;（2)试估算静态工作点Ｑ;(3）试估算差模电压放大倍数d A 。
图5.4r=100Ω,静态时｜6. 电路如图5.5所示,所有晶体管均为硅管，β均为6０，'bbU B EＱ｜≈0．７V。
试求:（1)电路由几级放大电路组成，分别是什么?（2）静态时Ｔ1管和T２管的发射极电流。
(3)若静态时uＯ＞0，则应如何调节Rｃ2的值才能使uＯ=0V？若静态u O=0V,则R c２=?电压放大倍数为多少?图５.５第六章放大电路中的反馈一、学习要求1. 掌握反馈的基本概念2. 掌握放大电路是否存在反馈及反馈类型的判断;3．掌握反馈对放大电路的性能有哪些影响4. 掌握深度负反馈条件下闭环电压放大倍数的估算(例6.4.1、例6.4．２)5. 理解如何根据实际要求在电路中引入适当的反馈二、复习思考题1. (1)对于放大电路，所谓开环是指。