第二章电子技术基础
大学本科电子技术基础教案
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教学目标:1. 理解电子技术的基本概念和原理,为后续课程打下坚实基础。
2. 掌握电路元件、基本电路、信号分析等基础知识。
3. 学会使用电子测量仪器和电路仿真软件。
4. 培养学生分析问题和解决问题的能力。
教学内容:一、第一章:电子技术概述1. 电子技术的基本概念和原理2. 电子技术的应用领域3. 电子技术的未来发展二、第二章:电路元件1. 电阻、电容、电感等基本元件的特性2. 元件参数的测量与计算3. 元件的选择与应用三、第三章:基本电路1. 基本电路的组成与特点2. 电路分析方法(节点电压法、回路电流法)3. 电路的等效变换与简化四、第四章:信号分析1. 信号的基本概念和分类2. 信号的时域分析3. 信号的频域分析五、第五章:电子测量仪器1. 电子测量仪器的基本原理2. 常用电子测量仪器的使用方法3. 测量误差与数据处理六、第六章:电路仿真软件1. 电路仿真软件的基本功能2. 常用电路仿真软件的使用方法3. 仿真结果的分析与处理教学过程:一、导入1. 引入电子技术的基本概念,激发学生的学习兴趣。
2. 介绍电子技术的应用领域,让学生认识到电子技术在现代社会的重要性。
二、讲解1. 详细讲解电路元件、基本电路、信号分析等基础知识。
2. 结合实际案例,讲解电子测量仪器和电路仿真软件的使用方法。
三、实践1. 学生分组进行实验,巩固所学知识。
2. 教师巡回指导,解答学生疑问。
四、总结1. 对本节课所学内容进行总结,强调重点和难点。
2. 布置课后作业,巩固所学知识。
教学评价:1. 课堂表现:学生的出勤率、参与度、课堂提问等。
2. 实验报告:学生的实验操作、数据处理、问题分析等。
3. 课后作业:学生的完成情况、质量等。
教学资源:1. 教材:《电子技术基础》2. 教学课件3. 实验指导书4. 电子测量仪器5. 电路仿真软件教学课时:共6课时备注:1. 教师应根据学生的实际情况调整教学内容和进度。
2. 鼓励学生积极参与课堂讨论,培养学生的创新思维和解决问题的能力。
电子技术基础第2章 三极管及其放大电路
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2.2 晶体管放大电路
2.2.2固定偏置式放大电路 3.动态分析和交流通路
所谓动态,是指放大电路在接入交流信号以后,电路中 各处电流、电压的变化情况。在输入信号的作用下,交流 电流所流过的路径,称为交流通路。画交流通路时,把电 容和直流电源视为短路,其它不变。
2.2 晶体管放大电路
2.2.3 分压式偏置放大电路 3.静态工作点的稳定原理
设由于温度升高,造成IC和IE增大,IE的增大导致UE升高。 由于UB固定不变,因此UBE将随之降低,使IB减小,从而 抑制了IC和IE因温度升高而增大的趋势,达到稳定静定工 作点Q的目的。
2.2 晶体管放大电路
2.2.3 分压式偏置放大电路 4.动态交流指标计算 (1)电压放大倍数Au (2)输入电阻Ri (3)输出电阻Ro
2.2 晶体管放大电路
2.2.3 分压式偏置放大电路 5.放大电路的频率特性
放大电路的电压放大倍数与频率的关系称为幅频特性; 输出电压与输入电压的相位差与频率的关系称为相频特性。 频率特性是幅频特性和相频特性的总称。
2.2 晶体管放大电路
2.2.4 共集电极放大电路 1.共集电极电路静态工作点的计算
2.2 晶体管放大电路
2.2.5 多级放大电路 1.多级放大电路的组成
2.2 晶体管放大电路
2.2.5 多级放大电路 2.多级放大电路的级间耦合方式
在多级放大电路中,把级与级之间的连接方式称为耦合 方式。一般常用的耦合方式:阻容耦合、直接耦合、变压 器耦合等。
2.2.1基本放大电路概述 放大电路的放大实质是能量转换的过程。晶体管只是一
电子技术基础第2章 集成运算放大器与应用
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电子技术及应用
2.2 集成运算放大器
4.共模抑制比
K CMR
Aud Auc
K CMR
20 lg
Aud Auc
(dB)
电子技术及应用
2.2 集成运算放大器
2.2.3 集成运算放大器的主要参数
1.开环差模电压增益Aod
2.单位增益带宽fT 3.开环带宽fH 4.转换速率SR 5.最大输出电压Uo,max
2.3 反相与同相输入集成运算放大器
在集成运算放大器中,输入级采用差分放大电路,所以运算放大器的 差模输入电阻rid很大,在工程计算中我们可以认为rid→∞。。因此可以 认为运算放大器的同相输入端和反相输入端均无电流输入,
即: iIN=iIP=0
(以后iIN和iIP都用iI表示,iI=0),相当于开路。即iP=iN=0。
电子技术及应用
2.3 反相与同相输入集成运算放大器
2.3.1 反馈的基本概念
把放大电路的输出信号(电压或电流)的一部分或全部,通过一定的 电路(网络)送回到它的输入端,削弱原来的输入信号(电压或电流) 并共同控制该放大电路,这种连接方式称为负反馈。
输入信号 +
净输入信号=输入信号-反馈信号
比较
净输入信号 基本放大电路
电子技术及应用
2.3 反相与同相输入集成运算放大器
2.3.2 反相输入放大器
if
Rf
R1 ii
ii' N
ui
ui'
PA
uo
RP
RL
由于输入信号加在反相输入端,输 出电压和输入电压的相位相反,因此 将它称为反相放大器。
电路由基本放大器A和反馈网络Rf组成。RL为负载电阻。uo为输出信号。 电路输入信号ui经电阻R1加在反相输入端上。电阻R1的作用是将输入电
电子技术基础第二章 基本放大电路
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图2.3.4 基本共 (2)输出电路方程:uCE=VCC-iCRc
图2.3.5 用图解法求解静态工作点和电压放大倍数
二、电压放大倍数的分析 当加入输入信号△uI时,输入回路方程为 uBE=VBB+ △uI-iBRb
Q点高,同样的△uI产生的△iB越大,因而Au大。 Rc变化时,影响负载线的斜率,从而影响Au的大小。
图2.1.1 扩音机示意图
2.1.2
放大电路的性能指标
图2.1.2 放大电路 的示意图
一、放大倍数
二、输入电阻
三、输出电阻
根据图2.1.2有
输入电阻和输出电阻是影响多级放大电路 连接的重要参数。
图2.1.3
两个放大电路的连接
四、 通频带
通频带用于衡量放大电路对不同频率 信号的放大能力。
图2.1.4 fbw=fH-fL
2、输入电阻Ri 3、输出电阻Ro 分析输出电阻,也可令其信号源电压 ,但 保留其内阻Rs。然后在输出端加一正弦波测试信 号Uo,必然产生动态电流Io, 为恒压源,其内 阻为0,且 =0时, =0, =0,所以
2.4
放大电路工作点的稳定
2.4.1 静态工作点稳定的必要性
图2.4.1
2.4.2 典型的静态工作点稳定电路 一、电路组成和Q点稳定原理
图2.4.2 静态工作点稳定电路 (a) 直接耦合 (b) 阻容耦合 (c) 直流通路
B点的电流方程为 I2=I1+IBQ 一般选择 I1» IBQ 所以, I2I1 B点电位为
五、非线性失真系数
六、最大不失真输出电压
当输入电压再增大就会使输出波形 产生非线性失真时的输出电压。此时的 非线性失真系数要被定义,如10%。
七、最大输出功率与效率
电工电子技术基础知识PPT通用课件
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3 0011
8 1000
4 0100
9 1001
2.2.2 逻辑代数及应用
1 逻辑代数及基本运算 2 逻辑代数的运算法则
1 逻辑代数及基本运算
一、逻辑代数(布尔代数Boole Algebra)用来描述 数字电路和数字系统的结构和特性。
逻辑变量取值:0 1 分别代表两种对立的状态
一种状态
另一状态
高电平 真 是 有 低电平 假 非 无
平,则输出F 为低电平;只
R
有输入A、B 全为高电平时,
A
输出F 才为高电平。可见输
F 入与输出呈现与逻辑关系: B
与逻辑关系表达式
F = AB
与逻辑关系逻辑符号:
A
&
F
B
2、 二极管或门
与逻辑关系真值表:
AB F
00 0 01 0 10 0 11 1
A
只要输入A、B中一个为高
____、中间环节三部分组成。 • A.电阻 B.电容 C.电感 D.负载
1.2 正弦交流电的基本知识
1.2.1 正弦量 的三要素
1 频率与周期 2 振幅和有效值 3 相位、初相、相位差
引言
随时间按正弦规律变化的交流电压、电流称为 正弦电压、电流。
正弦量: 正弦电压、电流等物理量统称为正弦量。
对称正弦量特点为: U1 U 2 U 2 0
频率相同、幅值相等、 相位互差120°的三相电压称
u1 u2 u3 0 为对称正弦电压。
三相交流电压出现正幅值(或相应零值)的顺序称为 相序。 在此相序为1-2-3-1称为顺相序。 在电力系统中一般用黄、 绿、红区别1、2、3三相。
相序的实际意义:对三相电动机,如果相序反了,就会反转。
职业中学电工电子全部课程教案
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职业中学电工电子全部课程教案第一章:电工基础1.1 电流、电压和电阻的概念电流:电荷的定向移动形成电流,电流的单位是安培(A)。
电压:电压是电势差的绝对值,电压的单位是伏特(V)。
电阻:电阻是电流流过导体时受到的阻碍,电阻的单位是欧姆(Ω)。
1.2 欧姆定律欧姆定律:电流I等于电压U除以电阻R,即I = U/R。
应用欧姆定律计算电路中的电流、电压和电阻。
1.3 电路的基本元件电源:提供电能的装置,如电池、发电机。
导体:电流流过的路径,如电线、金属。
电阻器:限制电流流动的装置,如电阻、电位器。
开关:控制电路通断的装置。
第二章:电子技术基础2.1 半导体概念半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的材料,如硅、锗。
N型半导体:掺入五价元素(如磷)的半导体。
P型半导体:掺入三价元素(如硼)的半导体。
2.2 PN结PN结:P型半导体和N型半导体接触形成的结。
PN结的正向偏压和反向偏压特性。
2.3 二极管二极管:由PN结组成的半导体器件。
二极管的导通和截止条件。
二极管的应用:整流、滤波、稳压等。
第三章:基本电路分析方法3.1 基尔霍夫定律基尔霍夫电流定律:电路中任意节点进入电流之和等于离开电流之和。
基尔霍夫电压定律:电路中闭合回路电压降之和等于电源电压之和。
3.2 电路的简化串联电路:电流相同,电压相加。
并联电路:电压相同,电流相加。
3.3 交流电路分析交流电:电压和电流随时间变化的电信号。
交流电路的阻抗和相位。
第四章:电子测量与调试4.1 电子测量仪器示波器:显示电压随时间变化的图形。
多用电表:测量电压、电流、电阻等。
信号发生器:产生不同频率和幅度的信号。
4.2 电路调试方法测量电路中的电压、电流、电阻等参数。
故障诊断和修复。
4.3 安全操作规程遵守安全操作规程,防止触电和短路等事故。
第五章:实用电子电路设计5.1 设计原则和步骤确定电路功能和性能要求。
选择合适的元器件。
绘制电路原理图和PCB图。
5.2 常用电路设计实例放大电路:放大微弱信号。
《电子技术基础》正式教案
![《电子技术基础》正式教案](https://img.taocdn.com/s3/m/d1f4951abf1e650e52ea551810a6f524cdbfcb00.png)
《电子技术基础》正式教案第一章:电子技术概述1.1 电子技术的定义与发展介绍电子技术的定义讲解电子技术的发展历程1.2 电子技术的基本组成部分介绍电子电路的基本组成部分讲解电子元件的功能和特点1.3 电子技术的基本测量与测试方法介绍电子技术的测量与测试方法讲解测量工具的使用和测量原理第二章:模拟电子技术基础2.1 模拟电子元件介绍电阻、电容、电感等基本元件的特性讲解二极管、晶体管等有源元件的功能和特点2.2 模拟电子电路分析并讲解基本放大电路、滤波电路、振荡电路等介绍模拟集成电路的基础知识2.3 模拟信号处理讲解模拟信号的采样与保持介绍模拟信号的调制与解调第三章:数字电子技术基础3.1 数字电子元件介绍逻辑门、逻辑电路的功能和特点讲解触发器、计数器等数字电路的应用3.2 数字电路设计分析并讲解组合逻辑电路、时序逻辑电路的设计方法介绍数字集成电路的基础知识3.3 数字信号处理讲解数字信号的编码与解码介绍数字信号的滤波与加密技术第四章:电子电路的设计与实践4.1 电子电路设计的基本原则和方法讲解电子电路设计的基本原则介绍电子电路设计的方法和步骤4.2 电子电路仿真与实验讲解电子电路仿真软件的使用方法安排电子电路实验项目,讲解实验原理和方法4.3 电子电路的安装与调试讲解电子电路的安装工艺和注意事项介绍电子电路调试的方法和技巧第五章:现代电子技术应用与发展5.1 微电子技术及其应用介绍微电子技术的基本概念和特点讲解微电子技术在现代电子产品中的应用5.2 通信技术及其应用介绍通信技术的基本原理和分类讲解通信技术在现代通信系统中的应用5.3 嵌入式系统及其应用介绍嵌入式系统的基本概念和组成讲解嵌入式系统在现代工业中的应用第六章:传感器与信号检测6.1 传感器的基本原理与应用介绍传感器的作用和分类讲解常见传感器的原理及其在电子技术中的应用6.2 信号检测技术讲解信号检测的基本原理和方法介绍信号处理技术在电子技术中的应用6.3 传感器与信号检测实验安排传感器与信号检测实验项目讲解实验原理和操作方法第七章:电源技术与电子测量7.1 电源技术基础介绍电源的分类和基本原理讲解电源电路的设计和保护7.2 电子测量技术介绍电子测量的基本概念和方法讲解电子测量仪器仪表的使用和维护7.3 电源与电子测量实验安排电源与电子测量实验项目讲解实验原理和操作方法第八章:可编程逻辑器件与计算机8.1 可编程逻辑器件介绍可编程逻辑器件的分类和特点讲解可编程逻辑器件的设计和应用8.2 计算机硬件基础介绍计算机硬件系统的组成和功能讲解中央处理器(CPU)、存储器、输入输出设备等的基本原理和应用8.3 计算机软件与编程介绍计算机软件的分类和特点讲解计算机编程语言及其应用第九章:电子技术在工程应用中的案例分析9.1 电子技术在通信工程中的应用分析电子技术在通信系统、设备中的应用案例讲解通信工程中的关键技术及其解决方案9.2 电子技术在自动化控制中的应用分析电子技术在自动化控制系统中的应用案例讲解自动化控制工程中的关键技术及其解决方案9.3 电子技术在现代医疗设备中的应用分析电子技术在医疗设备中的应用案例讲解医疗电子工程中的关键技术及其解决方案第十章:电子技术的创新与发展趋势10.1 电子技术的创新与发展介绍电子技术在科研、产业等领域的创新成果分析电子技术的发展趋势和前景10.2 现代电子技术的应用领域讲解电子技术在物联网、大数据、等领域的应用10.3 电子技术的创新与产业发展探讨电子技术产业发展对经济社会的影响分析电子技术创新对人才培养的需求和挑战重点解析本文档是《电子技术基础》正式教案的完整版,共包含十个章节。
电子技术基础课件 第二章 集成运放及其应用电路
![电子技术基础课件 第二章 集成运放及其应用电路](https://img.taocdn.com/s3/m/c4fd940a1ed9ad51f11df23d.png)
放大是最基本的模拟信号运算处理,通过放 大电路实现将微弱的电信号放大到符合要求的幅 度。放大电路至少应满足: 1. 能将微弱的电信号增强到人们所需要的数值 2. 信号放大前后的波形基本相同,即信号随时间
变化的规律不变,也即不产生信号波形失真。
Ii
Io
RS +
+
+ VS_
Vi Ri放大电A路VoVi
思考:为什么空载时,在输出端可测得电压源的电压值
放大器件存在极间电容,放大电路中也可能会有电感、电容等元
件,这些器件对不同的频率信号影响不同,从而导致放大器仅在
特定频率范围内有较高的放大倍率
放大倍数随频率变化曲
A
线--幅频特性曲线
Am 0.7Am
带宽BW
fL 下限截止频率
通频带:fbw=fH–fL
Rs
Ii
Ro
Vs
Vi
Ri
AV 0 Vi
Vo
RL
图中的Ri被定义为放大器的等效输入电阻
Ri=Ui / Ii 当信号源电压确定时,若意在获取较大的输入 电压,则Ri愈大愈好,反之若意在获取更大的 输入电流,则Ri愈小愈好。
放大器与外电阻RL相连时, RL就成放大电路负载,相对于 外电阻RL,放大电路就是RL的信号源,其中RO 就相当于该信号
晶片上制作几十万甚至上百万个晶体管,由它们 构造出各种功能单元电路连接而成的电子电路系 统被称之为集成电路。
国内符号:
反相输入端 u- 同相输入端 u+
∞
- +
+
输出端
uo
国际符号:
u- -
u+ +
uo
《电子技术基础》第2章
![《电子技术基础》第2章](https://img.taocdn.com/s3/m/898be965783e0912a2162aa6.png)
2.1.2 放大电路的主要性能指标
1.放大倍数 倍数
放大倍数是直接衡量放大电路放大能力的重要指标, 放大倍数是直接衡量放大电路放大能力的重要指标,其值 . . . . Io 为输出量 U o 或 ( )与输入量 U i 或 ( )之比。它实际 I i 之比。 反映了电路在输入信号控制下, 反映了电路在输入信号控制下,将直流电源能量转换为交流输 出信号能量的能力。 出信号能量的能力。 之比, 电压放大倍数是输出电压 U o 与输入电压 U i 之比,即
(3)为什么要设置Q点 )为什么要设置 点
没有设置合适Q点的共发射极基本放大电路 图2-7 没有设置合适 点的共发射极基本放大电路
应当指出, 点合适, 应当指出,当Q点合适,其输入正弦信号 i幅值较小时,则uo 点合适 其输入正弦信号u 幅值较小时, 反相且波形不产生失真; 与ui反相且波形不产生失真; 负半周靠近峰值的某段时间u 当Q点过低时,在ui负半周靠近峰值的某段时间 BE小于开启电 点过低时 晶体管截止 从而使u 波形产生顶部的截止失真 截止, 截止失真; 压Uon,晶体管截止,从而使 o波形产生顶部的截止失真;
(2)确示直流通路图中电流 根据图2–5(b)所示直流通路图中电流,电压关系可得
I BQ
V =
CC
I CQ = βI BQ
U R
b
−
BEQ
U CEQ = VCC − I CQ RC
在近似估算中常常认为U 为已知量,对于硅管, 在近似估算中常常认为 BEQ为已知量,对于硅管,取 UBEQ=0.6 ~ 0.8V,通常取0.7V;对于锗管,取UBEQ=0.1 0.8V,通常取0.7V 对于锗管, 0.7V; ~ 0.3V,通常取0.2V 。 ,通常取0.2V
《电工技术与电子技术》教案
![《电工技术与电子技术》教案](https://img.taocdn.com/s3/m/61d4fcf5dc3383c4bb4cf7ec4afe04a1b171b043.png)
《电工技术与电子技术》教案第一章:电工技术基础1.1 电流、电压和电阻的概念电流:电荷的定向移动形成电流,单位是安培(A)。
电压:电路两点间的电势差,单位是伏特(V)。
电阻:阻碍电流流动的性质,单位是欧姆(Ω)。
1.2 电路的基本元件电源:提供电能的设备,如电池、发电机。
负载:消耗电能的设备,如灯泡、电动机。
导线:连接电源和负载,传输电能。
开关:控制电路通断的设备。
1.3 电路的两种状态通路:电流能够顺畅流动的状态。
开路:电流无法流动的状态,即电路中断。
第二章:电子技术基础2.1 电子和原子电子:原子核外的负电荷粒子。
原子:由原子核和核外电子组成,原子核由质子和中子组成。
2.2 半导体的性质导电性能:介于导体和绝缘体之间。
掺杂:向半导体中加入微量杂质,改变其导电性能。
PN结:P型半导体和N型半导体接触形成的结。
2.3 简单的电子电路放大电路:放大微弱信号的电路,如放大器。
整流电路:将交流电转换为直流电的电路,如整流器。
稳压电路:保持输出电压稳定的电路,如稳压器。
第三章:交流电路3.1 交流电的基本概念交流电:电流方向和大小周期性变化的电流。
频率:交流电周期性变化的次数,单位是赫兹(Hz)。
电压和电流的相位差:电压和电流波形之间的相位差。
3.2 交流电路的功率有功功率:电路中实际做功的功率,如灯泡发光产生的功率。
无功功率:电路中不做功的功率,如电容器和电感器消耗的功率。
视在功率:电路中总的功率,等于有功功率和无功功率的平方和的开方。
3.3 交流电路的测量和保护电压表和电流表:测量交流电路的电压和电流。
保护装置:如熔断器、漏电保护器,用于保护电路和人身安全。
第四章:磁路与变压器4.1 磁路的概念磁路:磁力线所通过的路径。
磁通量:磁场穿过磁路的磁力线数量。
磁阻:磁力线通过磁路时的阻碍程度。
4.2 变压器的基本原理变压器:通过电磁感应原理,改变交流电压的设备。
一次绕组和二次绕组:变压器的两个互相绝缘的绕组。
数字电子技术基础第二章逻辑门电路基础
![数字电子技术基础第二章逻辑门电路基础](https://img.taocdn.com/s3/m/58c393f2ab00b52acfc789eb172ded630b1c9810.png)
(二)二极管的动态开关特性
给二极管电路加入一个方波信号,电流的波形怎样呢?
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
ts为存储时间 tt称为渡越时间 tre = ts 十 tt 称 为 反 向 恢 复时间
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
l 1. 反向恢复过程
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
(1)延迟时间td—— 从输入信号vi正跳变的 瞬 间开始,到集电极电流iC上升到0.1ICS所需的 时间
(2)上升时间tr——集电极电流从0.1ICS上升到 0.9ICS所需的时间。
(3)存储时间ts——从输入信号vi下跳变的瞬间 开始,到集电极电流iC下降到0.9ICS所需的时 间。
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
l 八、功率损耗(功耗)PD l 九、功耗-延时积DP
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
十、TTL门电路芯片的封装
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
十一、其它逻辑功能的TTL门电路
l (一)TTL正与非门
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
l (二)TTL正或非门
u (1)输入高电平噪声容限电压(最大允许负向干扰电压) u (2)输入低电平噪声容限电压(最大允许正向干扰电压)
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
输入高电平噪声容限 VNH=V OH(min)-VON =V OH(min)- V IH(min) =2.4V-2.0V=0.4V。
输入低电平噪声容限 VNL=V OFF-V OL(max) =V IL(max) -V OL(max) =0.8V-0.4V=0.4V。
2章-电子技术基础(第3版)-霍亮生-清华大学出版社
![2章-电子技术基础(第3版)-霍亮生-清华大学出版社](https://img.taocdn.com/s3/m/465cb5833c1ec5da51e27029.png)
Ii
输入电阻:
US ~
Ui Au
ri
Ui Ii
(2-5)
(3)输出电阻ro
以将放它大等电效路为对戴其维负宁载等而效不言电讲,路相(当“于一信个含号独源立,电我源们、可线
性电阻和受控源的一端口,对外电路而言,可以用一个电压
源和电阻的串联组合等效置换”),这个戴维宁等效电 路的电阻就是输出电阻。
US ~
ro
Au
Us ~
(2-6)
如何确定电路的输出电阻?
在电路的计算中求ro的方不法讲:
1、所有的电源置零。
2、加压求流法。
I
将独立源置零, 保留受控源。
U
U
ro I
(2-7)
输出电阻的测量方法:
ro
Us ~
不讲
Uo 测量开路电压
ro
Us ~
Ro
(Uo Uo
1)R L
RL
Uo
测量接入负载后 的输出电压
②电感视为短路。 ③信号源视为短路,但应保留其内阻。 交流通道是输入信号作用下交流信号流经的通 路,用于研究动态参数。 交流通路:①耦合电容视为短路。 ②无内阻的直流电源视为短路。
(2-19)
例:
Rb
RC
C1
断路
+VCC C2
断路 RL
(2-20)
直流通道
Rb
RC
+VCC
(2-21)
对交流信号(输入信号ui)
+VCC RC
集电极电源, 为电路提供能 量。并保证集 电结反偏。
T ui
Rb VBB
(2-16)
共射放大电路
+VCC RC
集电极电阻,将 变化的电流转变 为变化的电压。
电子技术基础(于宝明)第二章 习题答案
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第二章习题2.1 既然BJT具有两个PN结,可否用两个二极管取代PN结并相联以构成一只BJT?试说明其理由。
答:不可以,因为BJT的两个PN结掺杂浓度、面积等制作工艺与二极管不同2.2 要使BJT具有放大作用,发射结和集电结的偏置电压应如何联接?答:集电极结反偏,发射结正偏2.3 一只NPN型BJT,具有e、b、c三个电极,能否将e、c两电极交换使用?为什么?答:不可以,因为为了吸收更多的电子,集电极面积大,为发射更多的电子发射极掺杂浓度高。
交换后,集电极发射电子的能力很低,三极管的放大能力降低。
2.4 为什么BJT的输出特性在V CE>1V以后是平坦的?又为什么说,BJT是电流控制器件?答:BJT的输出特性在V CE>1V以后因为发射极发射出来的所有电子都被集电极吸收,此时再增加集电极与发射极之间的电压,发射极也没有更多的电子向外发射了。
所以V CE>1V 以后的输出特性是平坦的。
由于基极的空穴被发射区来的电子中和,为了维持基区空穴的浓度不变,所以要向电源索取空穴,不断的向基区补充。
2.5 BJT的电流放大系数α、β是如何定义的,能否从共射极输出特性上求得β值,并算出α值?在整个输出特性上,β或α值是否均匀一致?答:β =I C/I B,α=I C/I E,在整个输出特性上,β或α值基本是均匀一致的。
2.6 在分析电路时,为什么要规定参考电位点和正方向?答:便于计算和进行相位分析2.7放大电路为什么要设置合适的Q点?在图中,设R b=300kΩ,R c=4kΩ,V CC=12V。
如果使I B=0μA或80μA,问电路能否正常工作?答:放大电路设置合适的Q点可以放大电路工作在放大区还可以使输出电压达到最大值。
R b=300kΩ,R c=4kΩ,V CC=12V。
如果使I B=0μA放大电路工作在截止区。
如果使I B= 80μA,I CMAX=V CC/R C=12/4=3mA β =I C/I B =3/0.08=37.5如果β<37 放大器可以工作在放大区。
电工学(下册)电子技术基础-第2章-习题解答
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习 题 22.1 电路如图2.1所示,1k ΩR =,测得D 5V U =,试问二极管VD 是否良好(设外电路无虚焊)?解:内部PN 结或电极已开路,D 已损坏。
2.2 电路如图2.2所示,二极管导通电压D(on)U 约为0.7V ,试分别估算开关断开和闭合时输出电压o U 的数值。
图2.1 习题2.1电路图 图2.2 习题2.2电路图解: S 断开:断开VD ,D 5V U =。
所以VD 导通,o 50.7 4.3V U =-=S 闭合:断开VD ,)V (1125D-=⨯+-=RR RU ,所以VD 截止,o 6V U = 2.3 分析判断图2.3所示各电路中二极管是导通还是截止,并计算电压ab U ,设图中的二极管都是理想的。
图2.3 习题2.3电路图解:(a )断开VD ,U D =5+5=10V>0,VD 导通 ,ab 5V U =-;(b)断开VD,D2151V23U=-⨯=-+,VD截止ab252V23U=⨯=+;(c)断开VD1 VD2,D1D212V,5127VU U==-+=,所以VD1优先导通,U D2= −5V,VD2截止,U ab=0V;(d) )断开VD1 VD2,D1D212V,12517VU U==+=所以 VD2优先导通,D15VU=- VD1截止,ab5VU=-2.4 一个无标记的二极管,分别用a和b表示其两只引脚,利用模拟万用表测量其电阻。
当红表笔接a,黑表笔接b时,测得电阻值为500。
当红表笔接b,黑表笔接a时,测得电阻值为100k。
问哪一端是二极管阳极?解:b端是阳极2.5 二极管电路如图 2.4(a)所示,设输入电压i()u t波形如图 2.4(b)所示,在05mst<<的时间间隔内,试绘出输出电压o()u t的波形,设二极管是理想的。
图2.4 习题2.5电路图解:i()2tu t=,断开VD,D6iu u=-,当Du>时,VD导通,即3st>,60.2630.20.2iouu t-=⨯+=++当Du<时,VD截止,即3st<,6Vou=()ou tt/ms2.6 在图2.5所示的电路中,设二极管为理想的,已知i30sin(V)u tω=,试分别画出输出电压ou的波形,并标出幅值。
电子技术基础数字部分第二章逻辑门电路经典课件
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V5
A
V1
V2
F 输出管
V3
R2
输入级
中间级 (推拉式)输出级
(中间放大且驱动互补输出)
(1)A=1时,V1管处于发射结与集电结倒置使用放大状态,V2、V3导通,V4截止,有F=0;
VCC
+2.5V
高电平箝位电路提高输出的正向抗干扰能 力;(低电平输入时正向波动导致V导通,
但只要仍有IQ的存在即VZ导通,仍可以保证 高电平输出)
加速电容
A
提高低电平输入的 正向抗干扰能力
IRC RC
VZ
IQ
Cb
F
Rb
V
R' VCC
饱和的深度提高高电平输入时的负向抗干扰能力; 但饱和深度又降低了开关速度,增加了电路损耗;
1、逻辑非:某件事物发生的条件与结果相反的逻辑关系。 2、非门:实现逻辑非运算,且单端输入单端输出的电路。
3、BJT非逻辑电路基本结构及工作原理
VCC
Rb
A
RC
V
F
电位表
VA VF V 0V 5V 止 5V 0.3V 通
4、非门符号
1
A
F
实现了非 逻辑功能
真值表
AF 01 10
5、BJT非逻辑电路改进
CMOS负载
V OH(min)/V TTL负载
CMOS负载
V OL(max)/V TTL负载
VDD/VCC/V tpd/ns PD/mW NO VNH/V VNL/V
CMOS
74HC 74HCT
0.001 -0.001 -0.02
-4
0.001 -0.001 -0.02
-4
0.02
电子技术基础(张龙兴版)教案
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《电子技术基础(张龙兴版)全套教案》之第一至五章第一章:电子技术导论1.1 电子技术的定义与发展历程1.2 电子技术的基本组成部分1.3 电子技术的主要应用领域1.4 学习电子技术的方法与意义第二章:电子元件2.1 半导体器件的基本原理与特性2.2 晶体管的结构与类型2.3 电阻、电容、电感的作用与计算2.4 常用电子元件的识别与选用第三章:基本电路分析3.1 电路的基本概念与基本定律3.2 简单电阻电路的分析与计算3.3 交流电路的分析与计算3.4 电路仿真软件的使用与实践第四章:放大电路4.1 放大电路的基本原理与类型4.2 晶体管放大电路的设计与分析4.3 放大电路的频率响应与稳定性4.4 放大电路的应用实例第五章:数字电路基础5.1 数字电路的基本概念与逻辑门5.2 组合逻辑电路的设计与分析5.3 时序逻辑电路的设计与分析5.4 数字电路仿真与实践第六章:信号与系统6.1 信号的分类与特性6.2 系统的性质与分类6.3 信号的时域分析6.4 信号的频域分析第七章:模拟电子技术7.1 模拟电路的基本概念7.2 运算放大器的基本原理与应用7.3 滤波器的设计与分析7.4 模拟信号处理实例第八章:数字信号处理8.1 数字信号处理的基本概念8.2 数字滤波器的设计与分析8.3 快速傅里叶变换(FFT)8.4 数字信号处理在实际应用中的实例第九章:电子测量技术9.1 电子测量的基本概念与方法9.2 常用电子测量仪器与仪表9.3 测量误差与数据处理9.4 电子测量实验指导第十章:电子技术实验与实践10.1 电子技术实验的基本要求与流程10.2 常用实验仪器的使用与维护10.3 经典电子技术实验介绍第十一章:通信原理基础11.1 通信系统的概述11.2 模拟通信系统11.3 数字通信系统11.4 通信系统的性能评估第十二章:微电子技术与集成电路12.1 微电子技术概述12.2 集成电路的类型与设计12.3 半导体器件的封装与测试12.4 集成电路的应用实例第十三章:电源技术与电子负载13.1 电源技术的基本概念13.2 开关电源的设计与分析13.3 电子负载的设计与应用13.4 电源系统的测试与保护第十四章:嵌入式系统与微控制器14.1 嵌入式系统的基本概念14.2 微控制器的结构与工作原理14.3 嵌入式系统的编程与开发14.4 嵌入式系统的应用实例第十五章:电子技术在现代社会中的应用15.1 电子技术在通信领域的应用15.2 电子技术在计算机领域的应用15.3 电子技术在医疗领域的应用15.4 电子技术在交通领域的应用重点和难点解析第一章:电子技术导论重点:电子技术的定义与发展历程、电子技术的主要应用领域。
电子技术基础
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第三部分是用拼音字母表示管子的类型。
三极管型号的读识
3
A
G 54
三极管 NP锗材料 高频小功率 序号
X——低频小功率管,G ——高频小功率管 ,
D——低频大功率管,A ——高频大功率管。
A
规格号
第四部分用数字表示器件的序号。 第五部分用拼音字母表示规格号。
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第二章 晶体三极管及基本放大电路
Powerpoint Designed by Chen Zhenyuan
中等职业教育国家规划教材
HEP
3.三种基本放大电路的比较
《电子技术基础》教学演示文稿
陈振源主编
共集电极放大电路
共基极放大电路
(1)共发射极放大电路的电压、电流、功率放大倍数都较大,所以应用在多
间的最大允许电压。若管子的VCE超过V(BR)CEO,会引起电击穿导致管子损坏。
第二章 晶体三极管及基本放大电路
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中等职业教育国家规划教材 HEP
《电子技术基础》教学演示文稿
陈振源主编
五、三极管引脚与管型的判别
(1)先确定b极 (2)判断e极、c极
集—基反向饱和电流ICBO 它是指三极管发射极开路时,流过集电结的反
向漏电电流。ICBO大的三极管工作的稳定性较差。
ICBO测量电路
ICEO测量电路
集—射反向饱和电流ICEO 它是指三极管的基极开路,集电极与发射极之
间加上一定电压时的集电极电流。ICEO是ICBO的(1+β)倍,所以它受温度影响不可 忽视。
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-普通二极管P27
2.二极管极性极性能的判断 ⑵极性判别 ▽电阻小时,红笔为正极,黑笔为负极 ▽脚位判别
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-普通二极管P28
3.整流电路 ⑴单相半波整流 ▽特点:一个周期只有半个波形
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-普通二极管P28
3.整流电路 ⑵单相全波整流
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-普通二极管P28
3.整流电路 ⑵单相全波整流 ▽特点:一个周期有整个波形
▽U全=2U半 I全=2U半
(60-和状态 发射节极电节都正偏
Ic=Ec/Rc Uce=0
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第二节 晶体三极管-简易判断P32
1.NPN与PNP的判别 万用表在RX100或RX1K档 黑表笔接假定的基极 两次测的电阻都小
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第二节 晶体三极管-基本结构P31
特点:两个PN结、三个区 分类 ▽硅管-NPN型 ▽锗管-PNP型
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第二节 晶体三极管-工作特性P31
⑴放大状态 发射节正偏、极电节反偏
Ie=Ib+Ic 放大倍数β=⊿Ic/⊿Ib
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第二节 晶体三极管-低频电压放大电路P34
◆分类 交流放大器 直流放大器 ◆静态工作点:无交流信号输入时,
b、c、e的电流和电压 主要参数:IbQ、IcQ、UceQ 对波形的影响:波形失真 ▽饱和区的失真 ▽截止区的失真
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第二节 晶体三极管-低频电压放大电路P34
对波形的影响:波形失真 ▽饱和区的失真 ▽截止区的失真
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第二节 晶体三极管-三极管开关电路P35
◆开关电路
ce断开:三极管截止时
开关作用
ce闭合:三极管饱和时
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-稳压二极管P29
2.稳压管实例
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-稳压二极管P29
2.稳压管稳压电路 ▽三端稳压器:电流大、效果好
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-光电二极管P29
(几百欧) NPN
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第二节 晶体三极管-简易判断P33
2.好坏的判别(NPN) 万用表在RX1K档 黑表笔接c极 红表笔接e极 阻值较大
(数十至数百千欧)
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第二节 晶体三极管-简易判断P33
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管P26
概念:内部有一个PN节的 半导体元件
分类 ▽按材料:硅 、锗 ▽按用途:整流、稳压(齐
纳) 、发光、光电
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-普通二极管P26
1.二极管的工作特性
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第二章电子技术基础
◆特点 ▽反向工作 ▽反向电流与照度成正比
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-光电二极管P30
◆应用实例
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-发光二极管P30
◆特点 ▽工作电流几至几十毫安 ▽正向导通电压0.5-3V
2.放大系数的估计 先测c、e间电阻 手捏住b c极 再测c e ce阻值越小,β越大
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第二节 晶体三极管-简易判断P33
3.放大系数的估计 先测c、e间电阻 手捏住b c极 再测c e ce阻值越小,β越大
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第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-普通二极管P26
1.二极管的工作特性
⑴正向导通性
二极管流向
▽电压降:锗管:0.3V,硅管0.7V
⑵反向截止性
⑶反向击穿性
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-普通二极管P27
1.二极管的工作特性
⑶反向击穿性
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第二章电子技术基础
电子:是 一种极小 的带负电 荷的粒子
第二章 电子技术基础
绪论-电子
电子
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
绪论-半导体
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管P26
PN 节
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第二章电子技术基础
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-普通二极管P28
3.整流电路
(3)应用
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-稳压二极管P29
1.工作特性 ⑴正向导通 ⑵反向稳压
稳压二极管
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第二章电子技术基础
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-发光二极管P30
◆应用实例
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第二节 晶体三极管-基本结构P31
特点:两个PN结、三个区
分类
三极管
▽硅管-NPN型较多
▽锗管-PNP型较多
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-普通二极管P27
2.二极管极性极性能的判断 ⑴判断好坏 ▽电阻RX100或RX1K档 ▽正向电阻:几十至几百欧 ▽反向电阻:几百至几十千欧
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第二章电子技术基础
第二章 电子技术基础
第一节 晶体二极管-普通二极管P27
2.二极管极性极性能的判断