《模拟电子技术基础》复习资料与答案

《模拟电子技术》复习资料答案

一、填空题

1.半导体不同于导体和绝缘体的三大独特性质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分别受杂

质、温度、光照的增加而下降。

2.用于制造半导体器件的材料通常是硅、锗和砷化镓。

3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。

4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。

5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

6.本征半导体中掺入 III 族元素，例如B、Al ，得到P型半导体。

7.本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是电子，掺杂越多，则其数量一定越_多，而

少数载流子应是__空穴__，掺杂越多，则其数量一定越少。

8.半导体中存在着两种载流子：带正电的__空穴__和带负电的_电子。

9.N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。

10.杂质半导体分 N型（电子）和 P型（空穴）两大类。

11.N型半导体多数载流子是电子，少数载流子是空穴。P型半导体多数载流子是空穴，

少数载流子是电子。

12.杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。

13.PN结的主要特性是单向导电性。

14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的，有时又把它称

为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。

15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。

16.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。

18.二极管是由一个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特性。

19.二极管的伏安特性可用数学式和曲线来描述，其数学式是I=I S(e U/UT-1) ，其曲线又可分三部分：正

向特性、反向特性、击穿特性。

20.晶体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的低，击

穿区的交流电阻又比正向区的小。

21.有两个晶体二极管A管的β=200，I CEO=200µA；B管的β=50，I CEO=10µA，其他参数大致相同，相比

之下B 管的性能较好。

22.点接触二极管的主要优点是结电容小，多用于高频检波、小电流整流及小功率开关电路。

23.稳压管实质上是一个二极管，它通常工作在击穿区，所以当反向电压大于稳定电压U Z时，

它才能产生稳压作用。

24.变容二极管是利用PN结的势垒电容随外加反向电压的变化而变化的特性制成的。

25.双极型三极管有两种极性的载流子参与导电；场效应管有一种极性的载流子参与导电。

26.三极管有两个PN结，即发射结和集电结，在放大电路中发射结必须正偏，集电结必

须反偏。

27.三极管个电极电流的分配关系是I E= I B+I C。

28.三极管有_NPN_型和__PNP__型，前者在电路中使用的符号是______，后者在电路中使用的符号是

________。

29.晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是：发射区需重掺杂，基区宽度要窄；外部条件

是：发射结要正向偏置，集电结要反向偏置。

30.处于放大状态的三极管I C与I B的关系是_I C=β I B_，处于饱和状态的三极管I C不受I B的控制，_失去_

了放大作用，处在截止状态的三极管I C≈0__。

31. 电流放大系数β的定义是 ≈ I C /I B 。

32. 当NPN 锗管工作在放大区时，在E 、B 、C 三个电极中，以 集电极 电位最高，_发射极_的电位最低；

U BEQ 约等于 0.2V 。 33. 当PNP 型硅三极管处于放大状态时，在E 、B 、C 三个电极中，以_发射_极电位最高，_集电_极的电

位最低。

34. 三极管的反向饱和电流I CBO 随温度的升高而_升高__，穿透电流I CEO 随温度升高而__增加__，U BE 随

温度的升高而__下降__，β值随温度的升高而__增加___。

35. 三极管的三个主要极限参数是__P CM ___、____I CM ____和___反向击穿电压____。

36. 从三极管的输出特性曲线看，三极管可分成 放大区 、 饱和区 、__截止区___和击穿区四个工作

区域。当三极管工作在__放大___区时，关系式I C =βI B 才成立；当三极管工作在___截止___区时，I C ≈0；当三极管工作在___饱和____区时，U CE ≈0。

37. 三极管有三个电极，分别是 集电极 、 发射极 和 基极 。

38. 用直流电压表测得某放大器中NPN 型三极管的三个极对地的电位分别为V B =+10.7V, V C =+10.3V,

V E =+10V ，则该管工作在_饱和__区。

39. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为V A =+3.1V, V B =+2.9V, V C =-2V ，则

从材料看为 锗 管，从结构上看为 PNP 型管，且A 为 发射 极，B 为 基 极，C 为 集电 极。

40. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为V A =+7V, V B =+1.8V, V C =+6.3V ，则

从材料看为 硅 管，

从结构上看为 PNP 型管，且A 为 发射 极，B 为 集电 极，C 为 基极 极。

41. 用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为V A =+7V, V B =+1.8V, V C =+2.5V ，则

从材料看为 硅 管，从结构上看为 NPN 型管，且A 为 集电 极，B 为 发射 极，C 为 基极 极。

42. 在放大状态下，三极管的1，2，3三个电极的电流分别为I 1=1.5mA ，I 2=30µA ，I 3=1.53mA ，则电极 1 为集电极，电极 2 为基极，电极 3 为发射极。β= 50 ，α= 0.98 。

43. 从输出特性上分析单级PNP 管组成的放大电路，如果静态工作点在负载线上设置偏高，有可能导致__

饱和__失真，从示波器上看输出电压波形是 顶部 失真；工作点设置偏低，则有可能导致_截止__失真。

44. 交流放大电路放大的主要对象是电压、电流的变化（或交流）量，而放大电路设置静态工作点的目的

是为了使输出信号的变化线性地跟随输入信号而变化（如输入信号为正弦波，输出信号也为正弦波）。

45. 如图一(a)是NPN 管共射放大电路。若其输出波形如图一(b)、(c)所示，则图一(b)是__饱和__失真，解

决办法是将基极偏置电流调 小 ；图一(c)是 截止 失真，解决办法是将基极偏置电流调 大 。

46. 放大电路有两种工作状态，U i =0时的直流状态称为___静__态；当有交流信号U i 输入时，放大电路的工作状态称为___动__态，此时，三极管各极电压、电流均有__直流__分量和___交流___分量两部分叠加而成。

47. 在画低频放大电路的交流通路时，通常将电路中的__电容 和 直流电源___视为短路。

(b)

图一 +V CC

R b R C

R L

U O

U i

(a) (c)