溅射镀膜操作流程(谷风技术)
镀膜机操作步骤
镀膜机操作步骤注意：1.清洗前，看片子是否短路，是否大小与样品托合适，蒸镀时放样品托的架子升最高，且旋转。
2.打开电流开关，及时打开ABC舟中一个，打开束源炉，及时打开其中一个启动A、B等。
3.掺杂材料用量覆盖舟底即可。
操作步骤：1、打开总开关，包括冷却水开关和机器开关。
2、打开镀膜机总开关，样品旋转开关，升降开关按钮。
3、将玻璃基板至于样品托中，导电一面向下。
4、蒸镀室、预处理室放气。
5、打开蒸镀室与预处理室之间的闸板阀（顺时针方向关，逆时针方向开），推拉杆推至大真空室中，将样品放到推拉杆上，将推拉杆拉回至预处理中。
关闭闸板阀（顺时关闭，逆时针开）6、打开快门控制电源，打开快门一，更换钨丝（每做一次实验更换一次），将铝丝挂在钨丝上（5个，挂于弯折处），检查蒸镀所需材料。
7、将掩膜版放置于掩膜版架上。
8、打开机械A、机械B泵。
打开四个真空计，关闭放气阀。
9、基片预处理（打开角阀）：当处理室真空度达到4.0E1 (4.0×10)Pa 时关闭预角阀，打开大真空室角阀，再打开紫外轰击电源（直流溅射电源），调节电流0.025-0.030A。
轰击10-15分钟（等预处理室与蒸镀室气压平衡，打开闸板）。
10、插入样品托：再次打开蒸镀室与预处理室之间的闸板阀（顺时针方向开，逆时针方向关），将样品传送至蒸镀室，用机械手抓取样品托，并保持在机械手上；然后将将推拉杆拉回至预处理中，关闭闸板阀；降低蒸镀台（注意样品托挡板位置）与机械手平齐，将样品托轻轻推入蒸镀台下方的样品托导引槽（上方导引槽）。
11、插入掩模板：将样品升降电源调到手动，将蒸镀台旋转180度（用皮带精确定位），用升降盒使蒸镀台最下方的掩模板导引槽与掩膜版库轨道，至于同一水平线上，用机械手将掩膜版轻轻推至蒸镀台的掩模板导引槽。
12、当大真空室的压强为1.2E1的时候，关闭角阀，打开闸板阀。
13、关闭机械泵A，升起样品台。
14、打开分子泵。
抽到6.0-6.5E-4（大概需要两个小时）。
溅射镀膜
溅射镀膜定义：利用高能离子冲击材料靶，从其表面溅射出粒子并沉积在工件表面上形成薄膜的方法。
溅射镀膜的基本方式及原理：溅射镀膜最基本的方法是两电极溅射法。
镀膜是在真空溅射槽内进行的，真空度要达10ⅹ10-3以上，充入一定量惰性气体，以材料靶作为阴极，工件作为阳极，(见图l)在两电极间加上高压使惰性气体电离，Ar+离子被阴极的负高压(一500v)加速，以高速轰击材料靶，从靶面飞溅出来的粒子以足够的速度飞向阳极工件并沉积在其表面上，形成镀层。
图1直流两电极溅镀装置但是这种方法，工件的温升过高，有时高达500℃，这样对于塑料工件或不允许有热变形的精密零件均不能进行镀膜，另外，这种方法的成膜速度慢，膜中也易混入不纯的气体，影响成膜的质量，因此，虽然两电极溅射镀膜的历史悠久，但应用范围受到了限制。
为了克服上述的缺点，先后研制出了各种方式的溅射镀膜装置。
1974年研制出可以在低温下高速溅射的磁控管溅镀装置，为溅射镀膜的进一步发展创造了条件。
溅射镀膜方法的种类◆三电极(四电极)溅射方法三电极溅射装置就是在以前两电极的装置上附加了第三电极的装置，第三电极作为生成等离子用的电子供应源放出热电子。
而又有时为了放射热电子，使放电稳定化设置了稳定化电极，又称作四电极溅射装置。
金属的高速溅镀，制得了几十微米厚的镀层。
但是这种装置不能抑制靶材的高速电子对基板(工件)的轰击，使得工件温度仍上升显著，还有灯丝的寿命也是装置连续工作的障碍。
◆磁控管溅射方法磁控管溅射法是加一个与材料靶表面平行的磁场，如图2由于从靶面飞溅出的高速电子被偏转而不冲击工件，这就克服了由电子冲击工件所引起的温升，同时也促进了惰性气体的离子化。
因而可以在10-3的低气压下，工件处于100℃的条件下进行溅射镀膜。
图2平面型磁控管溅射◆对向靶溅射法由于对于氧化铁、铍莫合金等磁性记录材料的低温、高速成膜要求，研制出了对向靶溅射方式。
如图3所示，把两块靶材相对布置，工件位于靶的一侧，由线圈产生的外加磁场垂直地加在磁性材料靶的表面，在这里磁场H和电场平行。
溅射镀膜的工业流程
溅射镀膜的工业流程下载温馨提示：该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。
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溅射镀膜机安全操作及保养规程
溅射镀膜机安全操作及保养规程操作前须知1.安全第一：在使用溅射镀膜机之前必须遵守相关安全规定，不得轻举妄动。
特别是需要志愿者要进行相关的安全培训并由专业人员指导。
2.清洁检查：在使用溅射镀膜机之前，需要对设备的外部和操作面进行清洁，确保加工环境的清洁度，避免影响工件的质量。
3.仪器检查：在使用过程中需要检查仪器各部件是否正常，如电源、油压、水流等，对于发现不正常情况时，需要及时向专业人员报告，禁止个人修改或拆除。
4.操作流程：在操作溅射镀膜机时需要按照规范操作流程进行。
5.操作规范：根据操作规范按要求进行加工处理，保证工件的生产质量。
安全操作规程1.穿戴防护装备：操作人员在对机器进行操作时，必须穿戴好安全帽、隔热手套等安全设备，确保操作时对人员的身体无危险。
2.注意加工顺序：在加工不同材质的工件时，需要采用不同的加工顺序，不能够把不同的工件一起进行加工，避免造成材质在加工中的交叉污染。
3.避免损伤残留：在加工的过程中需要保证没有废弃物残留在机器上，避免对下一轮的加工产生影响。
4.防止材料的混淆：加工相同材料的工件时，需要按照不同的材料放入对应的料筒中进行加工，以避免材料的混淆。
保养规程在使用溅射镀膜机之后，需要进行机器的保养和维护，以下是一些注意事项：1.清洁工具：在清洁机器时，需要使用专门清洁的工具进行，不能够使用硬质物品对机器进行清洁，以免造成机器的破损。
2.避免振动：对于加工过程中出现的振动问题，需要及时进行处理，避免机器因震动而导致的加工偏差等问题。
3.保证主机稳定性：在进行长时间稳定性加工时，需要保证机器的主机处于稳定状态，不能存在振荡情况，避免影响加工效率。
4.更换压制器：在使用溅射镀膜机的过程中，如果压制器受损需要及时进行更换处理，以免影响加工质量。
5.维护防爆装置：在使用时保持防爆装置的灵敏度，以保证在紧急情况下的人身安全。
结论总而言之，在使用溅射镀膜机的过程中，必须注意相关安全规定和操作要求，遵守规范操作流程，以保证机器稳定运行。
溅射镀膜操作过程
溅射镀膜操作过程镀膜操作过程磁控溅射开启1开总电源，开冷却水2开总控制柜电源开关，开机械泵开关，开V6阀初抽真空（初抽3分钟后可打开复合真空计测真空）3当真空度<10Pa时，可打开电磁阀DF4当真空度<5Pa时即关V6阀，开分子泵（先开电源，等到显示屏显示不断跳跃的450时按下Start）5打开闸板阀G开始抽真空，（30分钟后）当真空度<10-2Pa时可以打开程控真空计测真空6大约抽30分钟看一下真空计读数，真空达到10-4时就可以开始烘烤（切记：烘烤时不能开程控真空计）7烘烤30分钟后关闭烘烤按钮，继续抽真空到所需真空度气体通入1关闭程控真空计，检查气路正常，然后打开（流量计面板上气路控制）电源开关2打开所用气路的截止阀，抽出气路中的残余气体3关闸板阀G（实际上不完全关闭，调到很小）4打开气瓶（先逆时针开主旋钮），再顺时针轻开压力表的次级压力旋钮（气压表气压0.1MPa）5打开所用气路的计量计（对Ar气，对应MFC4）开关，拨至阀控，用调节旋钮调节气路流量大小（如20sscm）6调节闸板阀G使之到所需的工作气压（如一般3Pa）（气压基本稳定时可结合流量计微调，波动范围0.05Pa）溅射1开射频控制柜总电源2开射频电源预热5分钟3开始反溅射（起清洗真空室的作用）。
操作时(拨到反溅档)，先把溅射电压调至50V。
量程按钮调到最大（2000，保护仪表不超过量程），调节功率到设定功率，反射读数调到最低。
按量程到200按钮，调节功率（电压）起辉反溅10分钟，关闭溅射电源4调节闸板阀到所需工作气压（如0.3Pa），开射频电源，电压调至50V，重复步骤3调节到所需功率，起辉预溅5～10分钟（转动挡板挡住样品）清洗靶材。
5移开挡板，打开偏压（设定好）开始溅射（注意把握好时间，到时间旋转挡板）溅射关闭1关射频功率源（旋钮至最低，OFF）2关偏压电源3关基片旋转控制电源（注意顺序）4关射频总控制电源5把旋钮打到反溅关闭气体1先将调节旋钮旋到最低，当流量显示<1.0时再把流量计开关档打到关闭2关闭气路的截止阀（对Ar气是V5）3打开闸板阀，关闭气瓶（先逆时针关次分压）真空系统关闭1关闭闸板阀G2继续抽真空到10-4数量级，关闭分子泵。
镀膜机操作规程(3篇)
第1篇一、前言镀膜机是一种用于在物体表面形成均匀薄膜的设备，广泛应用于光学、电子、建材等行业。
为确保操作安全、设备正常运行以及产品质量，特制定本操作规程。
二、操作前准备1. 检查镀膜机各部件是否完好，包括电源、控制系统、真空系统、喷枪、泵等。
2. 确认设备处于关闭状态，并进行安全防护措施，如关闭电源、切断水源等。
3. 检查工作环境，确保无易燃易爆物品，通风良好。
4. 检查并调整真空系统，确保真空度达到要求。
5. 准备好所需材料，如镀膜液、清洗液、擦拭布等。
三、操作步骤1. 开启电源，启动控制系统，预热设备至设定温度。
2. 检查喷枪是否清洁，如有污垢，需用清洗液清洗干净。
3. 调整喷枪位置，确保喷枪与被镀物体表面保持适当距离。
4. 打开真空泵，逐渐降低设备内部压力，达到所需真空度。
5. 按照工艺要求，调整喷枪速度、角度、压力等参数。
6. 开始喷镀，控制喷镀时间，确保镀膜均匀。
7. 镀膜完成后，关闭喷枪，逐渐提高设备内部压力，使被镀物体缓慢回到常压状态。
8. 检查镀膜质量，如需进一步处理，可进行清洗、烘烤等操作。
四、注意事项1. 操作过程中，严禁触摸高温部件，以免烫伤。
2. 操作时，严禁将手或任何物品伸入喷枪射流范围内，以免受伤。
3. 操作过程中，严禁关闭真空泵，以免损坏设备。
4. 操作结束后，关闭电源，切断水源，清理工作区域。
5. 定期检查设备各部件，确保设备正常运行。
6. 如遇设备故障，立即停止操作，并及时报修。
五、维护保养1. 定期检查真空系统，确保真空度达到要求。
2. 定期清洗喷枪，保持喷枪清洁。
3. 定期检查控制系统，确保控制系统稳定可靠。
4. 定期检查设备各部件，确保设备无松动、损坏等情况。
六、结束本规程为镀膜机操作的基本要求，具体操作需根据实际情况和工艺要求进行调整。
操作人员应严格遵守本规程，确保操作安全、设备正常运行及产品质量。
第2篇一、概述镀膜机是一种用于在物体表面形成均匀薄膜的设备，广泛应用于电子、光学、化工等领域。
真空溅射镀膜生产工艺
真空溅射镀膜生产工艺真空溅射镀膜是一种常用于光学材料、金属材料和半导体材料上的高科技表面处理技术。
其生产工艺主要包括：材料准备、设备调试、真空抽取、材料加热、镀膜、冷却等环节。
首先，材料准备是真空溅射镀膜生产工艺的第一步。
根据所需的镀膜材料和工艺要求，合理选择和准备相应的材料。
通常情况下，需要将材料制备成均匀、无杂质的靶材，保证材料的质量和纯度。
其次，设备调试是确保真空溅射镀膜设备正常运行的关键步骤。
包括设备的安装、电气连接、气路调试等工作。
通过仔细调试各项参数，确保设备能够稳定工作，并满足镀膜工艺要求。
第三，真空抽取是为了排除镀膜环境中的气体和杂质，保证镀膜过程的稳定性和成膜质量。
通常采用机械泵和分子泵等真空抽取装置，在一定时间内将镀膜室内的气体抽取至所需真空度。
然后，材料加热是真空溅射镀膜过程中需要进行的一项操作。
通过加热靶材，使其达到一定温度，从而提高材料的活性和增强溅射效果。
加热方式可以是感应加热、电阻加热或辐射加热，根据实际需要选择合适的加热方式。
接下来，镀膜是整个生产工艺的核心步骤。
通过针对不同材料和工艺要求，调整溅射靶材的放置位置和倾角，控制溅射功率和电子束速度等参数。
在真空环境下，通过溅射靶材，在基材表面形成均匀的薄膜。
最后，冷却是为了加速镀膜过程的冷却和固化，保证膜层的致密性和稳定性。
一般采用水冷却或风冷却方式，在合适的温度范围内对膜层进行冷却处理。
综上所述，真空溅射镀膜生产工艺包括材料准备、设备调试、真空抽取、材料加热、镀膜和冷却等多个环节。
通过合理操作和严格控制各个环节的参数，可以实现镀膜过程的稳定性和膜层的质量。
真空溅射镀膜技术广泛应用于光电子、信息技术和显示器件等领域，对提高材料性能和增强产品功能具有重要意义。
薄膜光学与制作_第03章 02溅射镀膜法
溅射镀膜的基本原理
1.2 正常与异常辉光放电
两电极之间维持辉光放电时，放电电压与电流之间的函数关 系为：在一定的电流密度范围内(可视为2~3个数量级)，放电 电压维持不变。这一区域为正常辉光放电区。在此区域内， 阴极的有效面积随电流的增加而增大，从而使阴极有效区内 电流密度保持不变
当整个阴极均成为有效放电区域后(整个阴极全部由辉光所覆 盖)，只有增加电流密度，才能增大电流，形成均匀稳定的异 常辉光放电，从而均匀地覆盖基片，这个放电区就是溅射区 域
溅射镀膜的基本原理
直流气膜的基本原理 溅射镀膜基于荷能粒子轰击靶材的溅射效应，而整个溅射效 应都是建立在辉光放电的基础之上，即溅射离子都来源于气 体放电
不同的溅射技术所采用的辉光放电方式有所不同： (a) 直流二极溅射利用的是直流辉光放电 (b) 三极溅射是利用热阴极支持的辉光放电 (c) 射频溅射是利用射频辉光放电 (d) 磁控溅射是利用环状磁场控制下的辉光放电
非弹性碰撞对气体放电的产生和等离子体状态的维持至关重 要
溅射镀膜的基本原理
电子碰撞电离过程
溅射镀膜的基本原理
其他电离方式 1 光电离 2 电荷交换 3 潘宁电离 4 中性亚稳态原子间的碰撞电离 5 热电离
溅射镀膜的基本原理
激发-亚稳原子的形成 1 电子碰撞激发
溅射镀膜的基本原理
其他激发方式 1 光致激发 2 离子碰撞激发 3 亚稳态原子造成的激发 4 热激发
溅射镀膜的基本原理
溅射镀膜的基本原理
弹性碰撞：若电子或离子的动能较小，当其与原子或分子碰 撞时，达不到使或者激发或电离的程度，碰撞双 方仅发生动能交换
非弹性碰撞：当电子或离子的动能达到数电子伏以上，碰撞 原子或分子内部状态发生变化，例如造成原子 激发、电离、分子解离、原子复合及电子附着 等。把这种造成原子内部或分子内部状态发生 变化的碰撞称为非弹性碰撞
溅射镀膜操作流程
溅射镀膜操作流程JGP-560C双室磁控溅射沉积系统操作规范系统的气路图如图:一、前期准备：打开循环水（循环水能及时降温，主要是抽水泵能正常工作），打开墙上电源，打开总电源，打开控制电源注：循环水的有效降温同样是维持实验条件稳定和实验参数进行的有力保障。
其主要影响设备是抽水泵。
所以在确定水箱充有足够水的前提下还要确保泵的正常工作。
抽真空：1.开机械泵开关；开旁抽阀V1（V7），开复合真空计，对溅射真空室（进样室）进行抽真空（粗抽真空）；3.当气压低于20 Pa时，关旁抽阀V1（V7）；开电磁阀DF1（DF2），开闸板阀G2（G3），启动分子泵T1（T2）；5.开电离真空计（细抽真空）。
注：真空区域可划分为五类：粗真空区域×105Pa—×103Pa低真空区域×103Pa—×10-1Pa高真空区域×10-1Pa—×10-6Pa超真空区域×10-6Pa—×10-12Pa极高真空区域＜×10-12Pa这种气体的量的变化也会对各类生产过程产生很大影响。
对镀膜过程也不例外。
例如物质在真空中的沸点比在大气中的低，在真空条件下可以降低物质大量蒸发所需的温度，因而在真空镀膜室内镀膜材料可以在较低的温度下大量蒸发。
在低真空区域中氧气相应少了，物质被氧化的可能性大大的变小，因而真空镀膜时能够得到纯度较高的有实用价值的镀膜层。
所以稳定的真空度能有效保证各实验参数的进行，保证镀膜质量。
三、装样检查闸板阀G3是否关闭，确认G1，V7，V5确实关闭；缓慢打开放气阀V6，向进样室充气；充气完成后，打开带窗活开门，将放好样品的样品托一一放入样品库内（一次可放置6个样品托）；关闭放气阀V6，对样品室抽真空。
四、处理样品（进样室中，退火炉在上，反溅靶在下）用磁力传递杆取下样品托，将样品托放置在反溅靶表面；将复合真空计由自动调为手动；稍关闭闸板阀G3，打开截止阀V5；开流量计，预热3min；开气瓶开关，调节流量阀MFC3，通过调节流量以及闸板阀开关控制真空到3~5Pa；打开RF电源，预热5min，调节功率对样品进行反溅清洗；关闭RF电源，关气瓶开关，关闭流量阀MFC3，关闭V5，打开G3；取下样品托，放入退火炉托座；调节退火温度对样品热处理。
磁控溅射设备操作规程(3篇)
第1篇一、概述磁控溅射设备是一种利用磁控溅射技术制备薄膜的设备。
本规程旨在确保操作人员正确、安全地使用磁控溅射设备，保证实验质量和设备安全。
二、操作前的准备1. 检查设备外观，确保无损坏，设备表面清洁。
2. 确认设备电源、水源、气源正常，各连接管道无泄漏。
3. 检查真空泵是否正常工作，确保真空度达到实验要求。
4. 检查溅射靶材，确保靶材表面无污染，靶材安装牢固。
5. 熟悉设备操作面板及各功能键，了解设备的基本操作流程。
三、操作步骤1. 开启设备电源，等待设备自检完毕。
2. 调整真空度：启动真空泵，逐步降低设备内压力，直至达到实验所需的真空度。
3. 靶材安装：将溅射靶材安装到设备靶位，确保靶材与靶位接触良好。
4. 设置实验参数：根据实验需求，调整溅射功率、溅射时间、工作气压等参数。
5. 开启溅射电源：按下溅射电源开关，启动溅射过程。
6. 观察实验过程：监控溅射过程，确保溅射参数稳定。
7. 实验结束：关闭溅射电源，逐步提高设备内压力，直至达到大气压。
8. 撒离靶材：将靶材从设备靶位取出，清理靶材表面残留物质。
9. 关闭设备电源：关闭设备电源，确保设备处于安全状态。
四、注意事项1. 操作过程中，严禁触碰设备高温部位，防止烫伤。
2. 操作过程中，严禁打开设备外壳，确保设备内部真空状态。
3. 操作过程中，严禁在设备周围吸烟、饮水、进食，防止污染设备。
4. 设备运行时，严禁操作人员离开现场，确保实验安全。
5. 设备使用完毕后，及时清理实验场地，保持实验室整洁。
五、维护保养1. 定期检查设备外观，确保无损坏，设备表面清洁。
2. 定期检查设备内部，清除溅射过程中产生的残留物质。
3. 定期检查真空泵、电源等关键部件，确保设备正常运行。
4. 定期进行设备维护保养，延长设备使用寿命。
六、紧急处理1. 设备发生故障时，立即停止操作，切断电源，确保人员安全。
2. 联系设备维修人员，进行故障排除。
3. 等待设备恢复正常后，方可继续进行实验。
真空溅射镀膜技术
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二、溅射的基本原理
要实现溅射镀膜，关键是要获得高能量的离子， 高能量的离子从哪里来？
溅射镀膜基于荷能离子轰击靶材时的溅射效应，
而整个溅射过程都是 建立在辉光放电的基础之上，即
溅射离子都来源于气体放电。+
--
辉光放电分为
V
1）无光放电
2）汤森放电
Ar+
3）辉光放电
4）非正常辉
e
光放电 Ar
薄膜技术是表面工程三大技术之一。一般 把小于25um大于100nm的膜层称为薄膜，大于 25um的膜层称为厚膜。小于100nm的膜层称为 纳米薄膜。
真空镀膜是薄膜技术的最具潜力的手段， 也是纳米技术的主要支撑技术。所谓纳米技术， 如果离开了真空镀膜，它将会失去半壁江山。
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1. 真空镀膜分为(蒸发镀膜 ) 、(离子镀膜 )、(溅射镀膜 )和(化学气相沉积 )四种 形式,按功能要求可分为(装饰性镀膜)和(功能性镀膜)。
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产生的Ar+以高能量打到阴极晶片上，实现刻蚀。刻
蚀时晶片必须水冷且对晶片冷却必须有效。磁头Ion
milling刻蚀深度在50-200nm范围内。
b.离子束刻蚀：有一个独立产生离子的离子源系
统，产生的离子可以聚焦成细束，可以通过摆动和移
动系统由计算机控制进行无掩膜的刻蚀。
c.等离子刻蚀：
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5）弧光放电：极间电压陡降，电流突然增大， 相当于极间短路。
由于正常辉光放电的电流密度仍比较小，所以溅 射均在非正常辉光放电的区域进行。
2. 正常与异常辉光放电
a.阿斯顿暗区: 由于从冷阴极发射的电子只有1eV，
镀膜机操作规程
镀膜机操作规程1. 引言本文档旨在规范镀膜机的操作流程，确保操作人员能够正确、安全地操作镀膜机，提高生产效率和产品质量。
操作人员应严格遵守本操作规程，并接受相关培训后方可操作镀膜机。
2. 操作前的准备工作在操作镀膜机之前，操作人员应进行以下准备工作：2.1 安全检查•检查镀膜机是否处于正常工作状态，如有故障应及时通知维修人员；•检查镀膜机周围是否有杂物，如有应清理干净；•检查操作区域是否有明显的安全隐患。
2.2 准备镀膜材料•检查镀膜材料是否齐全，并按要求进行分类和摆放；•确保所使用的镀膜材料符合产品质量要求。
2.3 准备相关工具•确保所需要的工具齐全，并放置在便于使用的位置；•检查工具是否完好，如有损坏应及时更换。
2.4 个人防护措施•操作人员应佩戴防护眼镜、防护口罩和防护手套等个人防护用品；•镀膜机操作区域应保持清洁，防止外来杂质对操作人员造成伤害。
3. 镀膜机操作流程本节将详细介绍镀膜机的操作流程，包括开机操作、膜材装载、开始镀膜、镀膜完成和关闭镀膜机等环节。
3.1 开机操作•操作人员应确保镀膜机所需的电源已接通，并确认电源稳定；•打开镀膜机主电源，待镀膜机系统启动完成后，进行下一步操作。
3.2 膜材装载•根据产品要求，选择合适的膜材，并确认膜材尺寸和规格；•打开镀膜机的膜材装载仓，将膜材平整地放置在装载仓中，并确保膜材位置准确；•根据需要，调整装载仓的装载位置。
3.3 开始镀膜•在镀膜机的控制台上设置所需的镀膜参数，包括温度、压力等；•按下启动按钮，启动镀膜机；•监控镀膜机的运行状态，确保镀膜过程正常进行；•在镀膜机完成预定的镀膜周期后，停止镀膜机的运行。
3.4 镀膜完成•关闭镀膜机主电源，切断电源供应；•检查镀膜质量是否符合要求，如有问题应及时进行调整和修正；•清理镀膜机内外的杂物和残留物，并进行保养和维护。
3.5 关闭镀膜机•关闭镀膜机控制台上的所有开关，并切断电源供应；•将镀膜机周围的工作区域清理干净，恢复整洁。
溅射镀膜原理及工艺.
单晶靶可观察 到溅射原子明显的 择优取向；多晶靶 溅射原子近似余弦 分布。
溅射的基本原理——溅射特性
溅射率的表达式 通过离子与固体相互作用的物理过程，可以得到如下
表达式：
（1）离子能量小于1keV，在垂直入射时，溅射率为
3 aTm S 2 4 V0
a 是式中，Tm 为最大传递能量， V0 靶材元素的势垒高度，
在入射离子能量相同时，原子逸出能量随入射离子质量 线性增加；入射离子质量小，原子逸出能量低；反之亦然。
平均逸出能量随入射离子能量增加而增大，当入射离子 能量超过1keV时，平均逸出能量趋于恒定； 倾斜方向逸出的原子具有较高的逸出能量（守恒定律）。
溅射的基本原理——溅射特性
溅射原子的角度分布 早期的热峰蒸发理论 溅射原子的角度分布 符合 Knudsen 余弦定律， 并且与入射离子的方向无 关（局部高温蒸发）。 实际逸出原子分布并 不遵从余弦定律。
• 60-80时，溅射率最大
• 90时，溅射率为零
溅射的基本原理——溅射特性
溅射的基本原理——溅射特性
S ( ) 和 S ( ) 对于不同靶材和入射离子种类有如下规律：
• 对于轻元素靶材， S ( ) / S (0) 的比值变化显著；
• 对于重离子入射时，S ( ) / S (0) 的比值变化显著；
增大，从而使有效区内电流密度保持恒定。
当整个阴极均成为有效放电区域后，只有增加阴极电 流密度，才能增大电流，形成均匀而稳定的“异常辉光放 电”，并均匀覆盖基片，这个放电区就是溅射区域。 在溅射区：溅射电压 V ，电流密度 j 和气体压强 P 遵守 以下关系 F j V E P 式中，E 和 F 是取决于电极材料、尺寸和气体种类的常数。
磁控溅射镀膜机使用说明
磁控溅射镀膜机使用说明磁控溅射镀膜机是一种广泛应用于材料科学、电子制造领域的设备，通过磁控溅射技术，可以在各种基底材料上沉积一层或多层金属、非金属或半导体薄膜。
该设备主要由真空室、磁控溅射源、进样室、控制系统等部分组成。
（1）确认电源连接正常，检查真空泵、冷却循环水等设备是否正常工作。
（2）打开真空室门，将基底材料放置在样品台上。
（3）关闭真空室门，启动真空系统，将室内抽至高真空状态。
（4）打开磁控溅射源，进行预溅射清洗靶材。
（5）调整工艺参数，如溅射功率、时间、气压等，开始进行溅射镀膜。
（6）镀膜过程中，监控各种参数，如气压、电流、功率等，确保设备正常运行。
定期检查和维护设备部件，如真空泵、冷却循环水系统等。
避免在镀膜过程中触摸设备内部部件，以免造成人身伤害。
如遇设备故障或异常情况，请立即停机检查，并专业人员进行维修。
保持设备清洁和整洁，定期进行清洁和维护。
磁控溅射镀膜技术的研究始于20世纪70年代，最初是为了满足空间电子器件对抗辐射损伤的需求。
随着科技的发展，磁控溅射镀膜技术的应用领域越来越广泛，然而也存在一些问题，如薄膜应力大、耐磨性差等，需要进一步研究和改进。
磁控溅射镀膜技术的基本原理是利用磁场控制下的电场放电，使靶材表面上的原子或分子被激发后沉积到基材表面，形成一层薄膜。
具体工艺过程包括：真空泵抽气、加热靶材、加磁场、加电场、溅射沉积等步骤。
该技术的特点在于沉积速度快、薄膜质量高、适用范围广等。
磁控溅射镀膜技术在光电领域的应用主要是在太阳能电池上制备减反射膜和抗反射膜。
在光学领域，磁控溅射镀膜技术可以用来制备各种光学薄膜，如增透膜、反射膜、滤光片等。
在电子领域，磁控溅射镀膜技术可以用来制备各种电子薄膜，如半导体薄膜、绝缘薄膜、导电薄膜等。
未来，磁控溅射镀膜技术的发展趋势主要体现在以下几个方面：一是进一步完善磁控溅射镀膜技术的工艺参数，提高薄膜的质量和性能；二是研究磁控溅射镀膜技术在新型材料制备中的应用，如纳米材料、石墨烯等；三是探索磁控溅射镀膜技术在生物医学、环境治理等领域的应用可能性。
溅射镀膜操作流程
溅射镀膜操作流程溅射镀膜是一种常用的高技术表面处理技术，主要用于给金属、陶瓷、玻璃等材料表面镀上一层薄膜，以增加其抗磨、耐腐蚀、导电或反射等性能。
下面将详细介绍溅射镀膜的操作流程。
1.原材料准备：首先需要准备需要进行溅射镀膜的基材和镀膜材料。
基材可以是金属、陶瓷或玻璃等，而镀膜材料可以是金属、合金或化合物等。
根据所需镀膜的性能和要求，选择合适的基材和镀膜材料。
2.设备和设施准备：-预处理设备：基材需要经过清洗、抛光和研磨等预处理工序，以确保表面平整、干净和没有杂质，有利于膜层的附着。
-溅射设备：溅射镀膜的核心就是溅射设备，一般由溅射针、溅射靶和真空腔室组成，溅射针通过高压电弧或射频电磁场使镀膜材料离子化并沉积在基材上。
-真空系统：镀膜过程需要在高真空环境下进行，需使用真空泵或者真空吸附装置排除空气，降低膜层产生缺陷的风险。
-温控和监测设备：通过温控系统保持腔室内温度恒定，并通过监测系统实时监测溅射工艺参数，调整并优化工艺条件。
3.腔室准备：在进行溅射镀膜之前，需要将基材放置在腔室内，并确保腔室内部清洁无尘。
4.真空抽气：打开真空泵将腔室内的气体抽取出来，建立所需真空度。
真空度的选择应根据镀膜材料和所需薄膜性能来确定。
5.溅射源供电和预热：将溅射靶连接至电源，使其通电预热。
镀膜材料加热至一定温度，使其达到溅射状态。
6.选择溅射工艺参数：溅射镀膜过程中的工艺参数包括：溅射功率、气体流量、溅射时间、沉积速率等。
根据所需镀膜材料和所需薄膜性能来选择适当的工艺参数。
7.溅射镀膜：打开溅射设备，让溅射针开始溅射镀膜材料。
离子化的镀膜材料会在高真空环境中沉积在基材上，形成均匀的薄膜。
8.膜层监测和控制：在溅射镀膜过程中，需要不断监测和控制沉积膜层的厚度和均匀性。
可以使用光学薄膜监测仪、霍尔传感器或者石英晶体微天平等设备进行实时监测。
9.膜层修整和后处理：镀膜完成后，可能会进行一些修整和后处理工序，以进一步提高膜层的性能。
第三章_溅射镀膜 ppt课件
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（2）入射离子能量 （图 3-10、3-11）
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（3）入射离子种类 （图 3-12）
入射离子的原子量越大，溅射率越高 ；溅射率也与入射 离子的原子序数呈现周期性变化的关系。
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与此相反，利用溅射也可以进行刻蚀。淀积和刻蚀是 溅射过程的两种应用。
溅射镀膜装置：阴极（靶材）、阳极（基片）、 挡板、溅射气体入口
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§3-1 溅射镀膜的特点
与真空蒸发镀膜相比，溅射镀膜有如下的优点： （1）任何物质均可以溅射，尤其是高熔点、低蒸气
压元素和化合物。 （2）溅射膜与基板之间的附着性好。 （3）溅射镀膜密度高，针孔少，且膜层的纯度较高。 （4）膜层可控性和重复性好。 缺点： （1）溅射设备复杂、需要高压装置； （2）溅射淀积的成膜速度低，真空蒸镀淀积速率为0.1～
电压迅速下降，放电呈现负阻特性。
（4）正常辉光放电区 （DE区域）
当电流增至C点时，极板两端电压突然降低，电流突然增大，并同时出现带有颜 色的辉光，此过程称为气体的击穿，图中电压VB称为击穿电压。
在D点以后，电流与电压无关，即增大电源功率时，电压维持不变，而电流平稳 增加。击穿后气体的发光放电称为辉光放电。
在射频溅射装置中，等离子体中的电子容易在射频场中吸收能量并在电场内 振荡，因此，电子与工作气体分子碰撞并使之电离产生离子的概率变大，故使 得击穿电压、放电电压及工作气压显著降低。
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三．溅射特性
表征溅射特性的参量主要有溅射阀值、溅射率以及 溅射粒子的速度和能量等。
溅射的基本原理之溅射镀膜过程
溅射的基本原理——溅射镀膜过程
例题：Ar+离子溅射铜靶，已知
r1 0.96 108 cm
r2 1.82 108 cm n2 3.5 1016 / cm3（0℃，133Pa） 求溅射离子的平均自由程？ 解：代入公式 1 1 n2 (r1 r2 )2 1 3.5 1016 (0.96 1.82)2 1016
溅射的基本原理——溅射镀膜过程
★ 溅射镀膜过程
靶材溅射过程、逸出粒子的形态 溅射粒子的迁移过程 溅射粒子的成膜过程
入射离子从靶表面反射
入射离子捕获电子形成 中性原子或分子 离子注入 次级电子发射 靶表面结构和组分变化 靶表面气体解吸
辐射射线
离子轰击固体表面所产生的各种现象与固体材料的种类、
（4）溅射条件的控制
溅射气体或工作气体 廉、高纯
溅射电压和基片电位 基片温度 预溅 综合考虑靶材、基片、气氛、温度、几何结构、真空度、 电场及磁场等参数。
溅射率高、对靶材呈惰性、价
11.7 103 cm
溅射镀膜的气体压力一般为 10 1 -10 -1 Pa，其平均自由 程为1-10cm，因此，靶和基片的距离与溅射粒子的平均自 由程大致相当。 溅射粒子到达基片时的能量相当与蒸发原子的几十至上百
倍。
溅射的基本原理——溅射镀膜过程
溅射粒子的成膜过程 成膜机理将在薄膜物理部分讲，这里介绍几个相关问题。 （1）淀积速率 定义：淀积速率 Q 是指从靶材上溅射出来的物质，在 单位时间内淀积到基片上的薄膜厚度。
中性粒子的平均自由程 1 可以用下式表示
1 c1 (11 12 )
式中， c1 是溅射粒子的平均速度， 11 是溅射粒子相互作用 的平均碰撞次数， 12 是溅射粒子与工作气体分子的平均碰 撞次数。
镀膜机操作步骤
镀膜机操作步骤1、打开冷却水开关、空压机开关（空压机红色按钮向上拔为打开，向下按为关闭）和镀膜机总电源开关。
2、将玻璃基板至于样品托中，导电一面向下，刻蚀带一侧靠近样品托蓝色线条一侧。
3、预处理室放气，待放好气后拧紧放气阀，打开预处理室仓门，将样品托放在推拉杆上，关闭仓门。
4、打开机械A、机械B泵及四个真空计。
5、基片预处理：打开角阀，当预处理室真空度达到 2.0E1 ～5.0E1 (2.0×10～5.0×10)Pa时，关闭角阀、打开真空蒸镀室角阀。
打开直流溅射电源、再按下启动按钮，调节电流0.020-0.025A，轰击10分钟，将电流调节至0A，按下停止按钮，关闭电源。
6、打开A泵，角阀，待度达4.0E0以下时，即当两边真空气压基本相当的的时候（约十分钟），关闭角阀，A阀，打开蒸镀室与预处理室之间的闸板阀（顺时针方向开，逆时针方向关），检查旋转台下的挡板，一定要将挡板放在恰当位置。
样品传送至蒸镀室，用机械手抓取样品托，并保持在机械手上；然后将推拉杆拉回至预处理中，关闭闸板阀；降低蒸镀台与机械手平齐，将样品托轻轻推入蒸镀台下方的样品托导引槽（上方导引槽）。
7、当蒸镀室真空度达到1.2E1（1.2×10） Pa以下时，关闭角阀、机械A泵。
打开闸板阀，将蒸镀室抽高真空至7.0E-4Pa（约2个小时）。
8、插入掩模板：将样品升降电源调到手动，将蒸镀台旋转180度（用皮带精确定位），用升降盒使蒸镀台最下方的掩模板导引槽与掩膜版库轨道，至于同一水平线上，用机械手将掩膜版轻轻推至蒸镀台的掩模板导引槽。
（注意机械手用完一定要挂起）9、蒸镀过程：打开快门总开关，膜厚测试仪（F1是清零，F5是开始或停止）放样品托的架子升最高，且旋转。
打开PID（束源炉）开关，调节温度，依次蒸镀相关材料，制备OLED器件。
10、若继续实验，打开机械A泵、预处理室角阀，至预处理室真空度达到4.0E0（4.0×1） Pa以下，同时将掩膜版归位，用机械手将样品托取下。
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JGP-560C双室磁控溅射沉积系统操作规范系统的气路图如图:
一、前期准备：
打开循环水（循环水能及时降温，主要是抽水泵能正常工作），打开墙上电源，打开总电源，打开控制电源
注：循环水的有效降温同样是维持实验条件稳定和实验参数进行的有力保障。
其主要影响设备是抽水泵。
所以在确定水箱充有足够水的前提下还要确保泵的正常工作。
二、抽真空：
1.开机械泵开关；
2.开旁抽阀V1（V7），开复合真空计，对溅射真空室（进样
室）进行抽真空（粗抽真空）；
3.当气压低于20 Pa时，关旁抽阀V1（V7）；
4.开电磁阀DF1（DF2），开闸板阀G2（G3），启动分子泵T1（T2）；
5.开电离真空计（细抽真空）。