电力二极管与晶闸管(2)
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
3.单相交流调压电路带阻感负载，当控制角＜(=arctan(L/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间__逐渐延长_。
4.根据三相联接形式的不同，三相交流调压电路具有多种形式，TCR属于_支路控制三角形_联结方式，TCR的控制角的移相范围为_90O-180O_，线电流中所含谐波的次数为_6k±1_。
度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK快速晶闸管；200表示表示200A，9表示900V。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_ ；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O_，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ _和__ _；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。。
电力电子技术试题(二)
电力电子技术 试题（A ）注：卷面85分，平时成绩15分一、 回答下列问题1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。
（8分）选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCR B.GTO C.GTR D.P-MOSFET E.IGBTF.电力二极管G.MCT 。
2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×” 。
（6分） （1） 某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V ，反向重复峰值电压700V ，则该晶闸管的额定电压是700V 。
（ ）第 1 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：（2）对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。
（）（3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势”负载，已知60β= ，2100U V=，50E V=,电路处于可逆变状态。
（）3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。
（6分）第 2 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下，回答下列问题。
1、 画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图（要标明反电势极性）。
（5分）3、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ，Ω=5R ,当60α= 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流平均值dVT I 。
（5分）第 3 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：u u u 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α= 且负载电流连续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在一个周期内的波形。
（5分）i 0三、H型单极同频模式PWM的功率转换电路如下图（a）所示。
它由四个大功率IGBT和四个续流二极管组成。
电力电子技术第2章_习题_答案
班级姓名学号第2/9章电力电子器件课后复习题第1部分：填空题1. 电力电子器件是直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
2. 主电路是在电气设备或电力系统中，直接承担电能变换或控制任务的电路。
3. 电力电子器件一般工作在开关状态。
4. 电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
5. 按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：不可控器件、半控型器件和全控型器件。
6．按照驱动电路信号的性质，电力电子器件可分为以下分为两类：电流驱动型和电压驱动型。
7. 电力二极管的工作特性可概括为单向导电性。
8. 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
9. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为1K Hz以下的整流电路。
其反向恢复时间较长，一般在5μs以上。
10.快恢复二极管简称快速二极管，其反向恢复时间较短，一般在5μs以下。
11.肖特基二极管的反向恢复时间很短,其范围一般在10～40ns之间。
12.晶闸管的基本工作特性可概括为：承受反向电压时，不论是否触发，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极正确触发情况下，晶闸管才能导通；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降至维持电流以下。
13.通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较小的标值作为该器件的额定电压。
选用时，一般取为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3 倍。
14.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流。
晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流称为擎住电流。
对同一晶闸管来说，通常I L约为I H的称为2~4 倍。
15.晶闸管的派生器件有：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管。
16. 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10微秒左右。
第1章--电力晶体管和晶闸管
一般为几十到几百毫安，与结温有关，结温越高， 则IH越小
3) 擎住电流 IL：晶闸管刚从断态转入通态并移除触发 信号后， 能维持导通所需的最小电流。 对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2~4倍。
IG2 > IG1 > IG =0
UBO UA
雪崩 击穿
图1-5 晶闸管的伏安特性 IG2>IG1>IG
16
IA
四、晶闸管的阳极伏安特性
正向 导通
1) 正向特性
URSM URRM -UA
IH
IG2
IG1 IG=0
O
UDRM Ubo +UA
IG=0时，器件两端施加正向电压，正向阻
断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向
J1 J2 J3
K
a)
b)
图1-2 晶闸管的外形、结构和电气图形符号
a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
K G
A c)
11
晶闸管的管耗和散热：
管耗＝流过器件的电流×器件两端的电压
管耗将产生热量，使管芯温度升高。如果超 过允许值，将损坏器件，所以必须进行散热 和冷却。
冷却方式：自然冷却（散热片）、风冷（风 扇）、水冷
雪崩 击穿
UDSM
电电压流超急过剧临增界大极，限器即件开正通向。转折电压Ubo，则漏
-IA
图1-5 晶闸管的伏安特性
随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降
IG2>IG1>IG
低。
导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相 仿。
晶闸管本身的压降很小，在1V左右。
电力二极管和晶闸管
——电气设备或电力系统中，直接承担电能的变 换或控制任务的电路。
2）分类: 电真空器件
(汞弧整流器、闸流管等)
半导体器件 (采用的主要材料仍然是硅）
3）同处理信息的电子器件相比的一般特征：
处理电功率的能力，一般远大于处理信息的 电子器件。
其处理电功率的能力小至毫瓦级，大至 兆瓦级, 多都远大于处理信息的电子器件。
驱动
路
电路
V2 主电路
电气隔离 电力电子器件在实际应用中的系统组成
3、电力电子器件的分类
按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：
不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就
不需要驱动电路。
半控型器件（Thyristor） ——通过控制信号可以控制其导通而不能控
制其关断。
一、 晶闸管的结构
外形结构： 塑封形
平板形
螺栓形
外形有塑封形、螺栓形和平板形三种封装。
塑封形 —— 额定电流10A以下。 螺栓型 —— 额定电流10～200A。 平板形 —— 额定电流200A以上。
阴极 K
门极 G
晶闸管的外形及电气图形符号
A 阳极
有三个联接端。 螺栓形封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧 密联接且安装方便。 平板形晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。
电力二级管和晶闸管
补充内容：电力电子器件概述 1.1 电力二极管 1.2 晶闸管 1.3 双向晶闸管及其他派生晶闸管 本章小结
电子技术的基础 ——电子器件：晶体管和集成电路 电力电子电路的基础 ——电力电子器件
本章主要内容： 概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。 介绍电力二极管、晶闸管的工作原理、基本特性、主 要参数、选择和使用中应注意问题。
第9章--电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介
目录目录.............................................................................................................................................................................. 第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介 . 09.1 电力二极管的应用简介 09.1.1 电力二极管的种类 09.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途 09.1.3 电力二极管的主要参数 09.1.4 电力二极管的选型原则 (1)9.2 电力晶体管的应用简介 (2)9.2.1 电力晶体管的主要参数 (2)9.2.2 电力晶体管的选型原则 (2)9.3 晶闸管的应用简介 (3)9.3.1 晶闸管的种类 (3)9.3.2 各种常用的晶体管结构、特点和用途 (3)9.3.3 晶闸管的主要参数 (4)9.3.4 晶闸管的选型原则 (5)9.4 总结 (6)第9章电力二极管、电力晶体管和晶闸管的应用简介9.1 电力二极管的应用简介电力二极管（Power Diode）在20世纪50年代初期就获得应用，当时也被称为半导体整流器；它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管相同，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能。
电力二极管是不可控器件，其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。
电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。
9.1.1 电力二极管的种类电力二极管主要有普通二极管、快速恢复二极管和肖特基二极管。
9.1.2 各种常用的电力二极管结构、特点和用途名称结构特点、用途实例图片整流二极管多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中。
其反向恢复时间较长，一般在5s以上，其正向电流定额和反向电压定额可以达到很高。
《电力电子技术(第2版)》 王立夫、金海明版 第二章 习题答案
4
sin
t)2 d(t)
Im 2
3 1 4 2
0.4767Im
Kf1
I1 Id1
0.4767Im 0.2717Im
1.7545
b)
Id 2
1
4
Im
sin
td (t )
Im
(
2 2
1)
0.5434 I m
I2
1
(Im
sin
t)2 d(t)
4
2Im 2
3 1 4 2
0.6741Im
解: 对ⅠGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表：
器件
优点
缺点
IGBT
开关速度高,开关损耗小,具有 开关速度低于电力 MOSFET,
耐脉冲电流冲击的能力,通态 电压,电流容量不及 GTO
压降较低,输入阻抗高,为电压
驱动,驱动功率小
GTR
耐压高，电流大，开关特性好， 开关速度低,为电流驱动,所需
而普通晶闸管不能？
答：GTO 和普通晶闸管同为 PNPN 结构，由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两 个晶体管 V1、V2,分别具有共基极电流增益1 和2 ，由普通晶闸管的 分析可得，1 +2 =1 是器件临界导通的条件。1 +2 ＞1，两个等效晶 体管过饱和而导通；1 +2 ＜1，不能维持饱和导通而关断。
第8章功率半导体器件习题答案
第8章功率半导体器件习题答案第1部分：填空题1.针对电力二极管的特性，完成下列题目：1）将正向电流I F开始明显增加所对应的二极管两端的电压定义为门槛电压。
2）与正向电流I F对应的二极管两端的电压定义为正向电压降。
3）承受反向电压时，只有微小而数值恒定的电流流过，该电流定义为反向漏电流。
4）承受很高反向电压而出现击穿时所对应的二极管两端的电压，定义为反向击穿电压。
5）从承受正向电压开始，到二极管完全导通所需要的时间定义为正向恢复时间。
6）在关断时，须经过一段短暂的时间才能重新获得反向阻断能力，进入截止状态，这段时间定义为反向恢复时间。
7）二极管在关断之前有较大的反向电流出现，并伴随有明显的反向电压过冲。
2.针对晶闸管的特性，完成下列题目1）晶闸管的关断时间由两段时间组成，分别是：反向阻断恢复时间和正向阻断恢复时间。
2）将指定的管壳温度和散热条件下，晶闸管允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值定义为通态平均电流，用I T(AV)表示。
I T(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量，该电流对应的有效值为 1.57倍I T(AV)。
3）使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流，用I H表示。
晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流称为擎住电流，用I L表示。
对同一晶闸管来说，通常I L约为I H的2～4倍。
4）在门极断路且结温为额定值时，将允许重复加在器件上的正向峰值电压定义为断态重复峰值电压，用U DRM表示；将允许重复加在器件上的反向峰值电压定义为反向重复峰值电压，用U RRM表示。
通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较小（该空选项：较大或较小）的标值作为该器件的额定电压。
选用时，应考虑安全裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2～3倍。
5）断态电压临界上升率d u/d t是指：在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。
电力电子习题答案
第2章电力电子器件与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才能使它具有耐受高电压和大电流的能力解：1. 电力二极管是垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，提高通流能力 2.电力二极管在P区和N区多了一层低掺杂区，可以承受很高的电压而不致被击穿；3.具有电导调制效应。
使晶闸管导通的条件是什么答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或者U AK >0且U GK>0维持晶闸管导通的条件是什么怎样才能使晶闸管由导通变为关断答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
图2－27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im , 试计算各波形的电流平均值I d1,I d2,I d3与电流有效值I1，I2，I3解:a) Id1= Im I1==b) Id2== Im I2= Imc) Id3== Im I3== Im.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少这时,相应的电流最大值Im1,Im2,Im3各为多少解:额定电流I T(AV)=100A的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) Im1=I/=, ≈≈89.48Ab) Im2=I/ = Id2= =c) Im3=2I=314 Id3= =和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能答: GTO之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：l)GTO 在设计时2α较大,这样晶体管V2控制灵敏,易于GTO 关断;2)GTO 导通时21αα+的更接近于l,普通晶闸管5.121≥+αα,而GTO 则为05.121≈+αα，GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3)多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小, 门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2极区所谓的横向电阻很小, 从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
01第1章电力电子器件 基本模型 电力二极管 晶闸管
天津冶金职业技术学院教案( 首页)天津冶金职业技术学院教案( 首页)图1.3.2 晶闸管的内部结构和等效电路）导通：阳极施加正向电压时→给门极G也加正向电压T I I图1.3.6 控晶闸管的电气图形符号和伏安特性a) 电气图形符号b) 伏安特性1.4 可关断晶闸管可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor)简称GTO。
天津冶金职业技术学院教师授课教案沟道沟道MOSFET耗尽型：增强型:耗尽型增强型之间就存在导电沟道；才存在导电沟道1. IGBT的结构图1.7.1 IGBT的结构、简化等效电路与电气符号IGBT的结构如图1.7.1(a)所示。
它是在VDMOS管结构的基础上再增加一个P+层，形成了一个大面积的P+N结1J，和其它结2J、3J一起构成了一个相当于由VDMOS驱动的厚基区PNP型GTR;简化等效电路如图1.7.1(b)所示。
电气符号如图1.7.1（c）所示GBT有三个电极:集电极Ｃ、发射极Ｅ和栅极Ｇ。
2. IGBT的工作原理IGBT也属场控器件，其驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种由栅电压GEU控制集电极电流的栅控自关断器件。
1.7.2 缘栅双极型晶体管的特性IGBT的伏安特性和转移特性图1.7.2 IGBT的伏安特性和转移特性天津冶金职业技术学院教案( 首页)构，如图1.8.4(a)。
）三极：阳极A 、阴极、栅极G ，）原理：栅极开路，在阳极和阴极之间加正向电压，有电流流过SITH ；在栅极G 和阴极K 之间加负电压，G-K 之间PN 结反偏，在两个栅极图1.9.5 GTO 的基本驱动电路2）导通和关断过程：图1.9.5(b)导通时GTO 门极与阴极间流过负电流而被关断；由于GTO 的开通和关断均依赖于一个独立的电源，故其关断能力强且可控制，其触发脉冲可采用窄脉冲；3）图1.9.5(c)中，导通和关断用两个独立的电源，开关元件少，电路简单。
4）图1.9.5(d)，对于300A 以上的GTO ，用此驱动电路可以满足要求。
电力电子技术第2章习题_答案解析
班级姓名学号第2/9章电力电子器件课后复习题第1部分：填空题1. 电力电子器件是直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
2. 主电路是在电气设备或电力系统中，直接承担电能变换或控制任务的电路。
3. 电力电子器件一般工作在开关状态。
4. 电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
5. 按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：不可控器件、半控型器件和全控型器件。
6．按照驱动电路信号的性质，电力电子器件可分为以下分为两类：电流驱动型和电压驱动型。
7. 电力二极管的工作特性可概括为单向导电性。
8. 电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
9. 普通二极管又称整流二极管多用于开关频率不高,一般为1K Hz以下的整流电路。
其反向恢复时间较长，一般在5μs以上。
10.快恢复二极管简称快速二极管，其反向恢复时间较短，一般在5μs以下。
11.肖特基二极管的反向恢复时间很短,其范围一般在10～40ns之间。
12.晶闸管的基本工作特性可概括为：承受反向电压时，不论是否触发，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极正确触发情况下，晶闸管才能导通；晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。
要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降至维持电流以下。
13.通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较小的标值作为该器件的额定电压。
选用时，一般取为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2~3 倍。
14.使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流。
晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流称为擎住电流。
对同一晶闸管来说，通常I L约为I H的称为2~4 倍。
15.晶闸管的派生器件有：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管。
16. 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10微秒左右。
电力电子技术试题(二)
电力电子技术 试题（A ）注：卷面85分，平时成绩15分一、 回答下列问题1、下列器件的分类表中，将符合每一类别的全部选项添入表中。
（8分）选项：（根据选项填空时，只需写选项的代号，如：A,B,….） A. SCRF.电力二极管 。
2、判断下列各题的正确性，正确的打“√”，不正确的打“×”。
（6分）（1）某晶闸管，若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压700V，则该晶闸管的额定电压是700V。
（）第 1 页（共 8 页）试题：电力电子技术班号：姓名：（2）对于输入接整流变压器的可控整流电路，变压器存在直流磁化的有三相半波整流电路、单相半波整流电路和单相全波整流电路。
（）（3）单相全控桥式变流电路，“阻感——反电势”负载，已知60β=o，2100U V=，50E V=,电路处于可逆变状态。
（）3、画出全控型器件RCD关断缓冲电路，并分析缓冲电路中各元件作用。
（6分）第 2 页 （共 8 页）试 题： 电力电子技术 班号： 姓名：二、对于三相全控桥式变流电路，在不同的负载形式和控制要求下，回答下列问题。
1、画出该电路带“阻感——反电势” 负载，并工作于整流方式时的电路图（要标明反电势极性）。
（5分）u uu 2、当该电路工作于整流状态时，设触发角60α=o 且负载电流连续，请在图中画出此时整流器 输出电压u d 和晶闸管电流1VT i 在一个周期内的波形。
（5分） i VT103、设该电路为大电感负载且工作于整流状态，V U 1002=，负载中E=47V ，Ω=5R ,当60α=o 时，试计算整流输出平均电压d U 、负载电流d I 和晶闸管电流 平均值dVT I 。
（5分）第 3 页 （共 8 页）试 题：电力电子技术 班号： 姓名：三、H 型单极同频模式PWM 的功率转换电路如下图（a ）所示。
它由四个大功率IGBT 和四个续流二极管组成。
当控制指令0i u >时，1V 和2V 工作在交替开关状态，3V 截止关断 ，4V 饱和导通。
安徽工业大学电力电子试题及答案
电力电子试题2、当温度降低时，晶闸管的触发电流会、正反向漏电流会；当温度升高时，晶闸管的触发电流会、正反向漏电流会。
3、晶闸管对触发脉冲的要求是、和。
4、多个晶闸管相并联时必须考虑的问题，解决的方法是。
5、在电流型逆变器中，输出电压波形为波，输出电流波形为波。
7、由晶闸管构成的逆变器换流方式有换流和换流。
8、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为逆变器与逆变器两大类。
9状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为与两大类。
10、直流斩波电路在改变负载的直流电压时，常用的控制方式有三种。
11、通常变流电路实现换流的方式有四种。
12、普通晶闸管的图形符号是，三个电极分别是，和晶闸管的导通条件是关断条件是13、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用触发；二是用触发14、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于电流之前，如去掉脉冲，晶闸管又会关断。
1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差（）A、180°，B、60°， c、360°， D、120°2、可实现有源逆变的电路为（）。
A、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。
3、下面哪种功能不属于变流的功能（）A、有源逆变B、交流调压C、变压器降压D、直流斩波4、三相半波可控整流电路的自然换相点是( )A、交流相电压的过零点；B、本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。
5、可实现有源逆变的电路为。
A、单相全控桥可控整流电路B、三相半控桥可控整流电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、单相半控桥整流电路三：简答题（每题6分共24分）1、晶闸管两端并联R、C吸收回路的主要作用有哪些？其中电阻R的作用是什么？2实现有源逆变必须满足哪两个必不可少的条件？3晶闸管触发的触发脉冲要满足哪几项基本要求？4电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么？为什么电流型逆变电路中没有反馈二极管？五、计算题（25分）1、在图示升压斩波电路中，已知50V，负载电阻20Ω，L值和C 值极大，采用脉宽调制控制方式，当40µs，25µs时，计算输出电压平均值U0，输出电流平均值I0。
电力电子技术
填空1、电力电子电路中能实现电能变换的半导体电子器件称为电力电子器件。
2、电力电子器件按器件的开关控制特性可分为：（1）不可控器件（电力二极管）（2）半控型器件（晶闸管及其大部分派生器件）（3）全控型器件（门极可关断晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管等）。
3、电力电子器件按控制信号的性质不同分类：（1）电流控制型器件（晶闸管、门极可关断晶闸管、功率晶体管、IGCT 等）（2）电压控制型半导体器件（MOSFET 管和IGBT 管）4、简写：电力二极管（SR ）晶闸管（SCR ）可关断晶闸管（GTO ）电力晶体管（GTR ）电力场效晶体管（MOSFET ）绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）5、电流波形系数电流平均值电流有效值 f K 6、在I g =0时，依靠增大阳极电压而强迫晶闸管导通的方式称为硬开通。
7.、规定从晶闸管的门极获得触发信号时刻开始，到阳极电流上升到稳态值的10%的时间称为延时时间t d ；阳极电流从10%上升在稳态值的90%所需的时间称为上升时间t r ，以上两者之和就是晶闸管的开通时间t gt 。
8、关断时间是由反向阻断恢复时间和正向阻断恢复时间组成。
9、在室温下，门极断开时，元件从较大的通态电流降至刚好能保持导通的最小阳极电流称为维持电流I H 。
维持电流与元件容量、结温等因素有关。
当元件刚从阻断状态转为导通状态就撤除触发电压，此时元件维持导通所需要的最小阳极电流称为掣住电流I t 。
10、电力电子器件的换流方式可分为：（1）器件换流（2）电网换流（3）负载换流（4）脉冲换流。
11、散热系统一般有三种冷却方式：（1）自然冷却；只是用与小功率应用场合（2）风扇冷却：适用于中等功率应用场合，如IGBT 应用电路（3）水冷却：适用于大功率应用场合，如大功率GTO ，IGCT ，SCR 等应用电路。
12、温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而减小，正反向漏电流随温度升高而增大，维持电流I H 会减小，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。
华南理工2018-电力电子技术-随堂练习
第二章单相整流电路5.(单项选择题) 单相桥式全控整流电路输出直流电压的最大平均值等于整流前交流电压的〔〕倍。
A. 1，B. 0.5，C. 0.45，D. 0.9.参考答案：D6.(单项选择题) 为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入〔〕。
A. 三极管，B. 续流二极管，C. 保险丝,D. 开关管。
参考答案：B7.(单项选择题) 普通的单相半控桥式整流装置中一共用了〔〕晶闸管。
A. 一只，B. 二只，C. 三只，D. 四只。
参考答案：A8.(单项选择题) α为( )度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A. 0度B. 60度C. 30度D. 120度参考答案：C9.(单项选择题) 三相半波可控整流电路的自然换相点是( B )A. 交流相电压的过零点；B. 本相相电压与相邻相电压正、负半周的交点处；C. 比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；D. 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°。
参考答案：B10.(单项选择题) α为( )度时，三相桥式全控整流电路，带电阻性负载，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
A. 0度B. 60度C. 30度D. 120度参考答案：B11.(单项选择题) 可实现有源逆变的电路为( ) 。
A、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。
参考答案：A12.(单项选择题) 一般可逆电路中的βmin选( ) 合理。
A、30º-35º，B、10º-25º，C、0º-10º，D、0º。
参考答案：A13.(单项选择题) 在有源逆变电路中，逆变角β的移相范围应选( ) 为最好。
A、β=90º∽180º，B、β=35º∽90º，C、β=0º∽90º，D、β=0º∽180º，参考答案：B14.(单项选择题) 电容滤波的单相不可控整流电路中，电阻负载的电阻值越小，输出电压平均值越接近( ) ，为输入电压有效值。
电力电子技术第五版课后简答题(1)
1、晶闸管导通的条件是什么？（1）晶闸管阳极和阴极之间施加正向阳极电压（2）晶闸管门极和阴极之间必须施加适当的正向脉冲电压和电流2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
3. 图1-43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I 1、I 2、I 3。
002π2π2ππππ4π4π25π4a)b)c)图1-430图1-43 晶闸管导电波形解：a) I d1=π21⎰ππωω4)(sin t td I m =π2m I (122+)≈0.2717 I m I 1=⎰ππωωπ42)()sin (21t d t I m =2m I π2143+≈0.4767 I m b) I d2 =π1⎰ππωω4)(sin t td I m =πm I (122+)≈0.5434 I m I 2 =⎰ππωωπ42)()sin (1t d t I m =22m I π2143+≈0.6741I m c) I d3=π21⎰20)(πωt d I m =41 I m I 3 =⎰202)(21πωπt d I m =21 I m 4. GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，为什么GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？答：GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P 1N 1P 2和N 1P 2N 2构成两个晶体管V 1、V 2,分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶闸管的分析可得，1α+2α=1是器件临界导通的条件。
1α+2α＞1，两个等效晶体管过饱和而导通；1α+2α＜1，不能维持饱和导通而关断。
电力电子第一章
0
I m d (ωt ) =
3
当考虑2倍的安全余量时， 当考虑2倍的安全余量时，Im的允许值为
《电力电子技术》
Im =
3 × 78.5 A = 68A 2
4．晶闸管的其他参数 ．
维持电流I 在室温和门极断开时， (1)维持电流 H 在室温和门极断开时，器件从较大的通态电流 最小电流称为维持电流。 降至维持通态所必需的 最小电流称为维持电流 。 它一般为 几毫安到几百毫安。 几毫安到几百毫安。 擎住电流I 晶闸管刚从断态转入通态就去掉触发信号， (2)擎住电流 L 晶闸管刚从断态转入通态就去掉触发信号，能 使器件保持导通所需要的最小阳极电流。 使器件保持导通所需要的最小阳极电流。 断态电压临界上升率du／ 在额定结温和门极开路情况下， (3)断态电压临界上升率 ／dt 在额定结温和门极开路情况下， 不使器件从断态到通态转换的阳极电压最大上升率称为断态 电压临界上升率。 电压临界上升率。 通态电流临界上升率d ／ 在规定条件下， ( 4 ) 通态电流临界上升率 di／dt 在规定条件下 ， 晶闸管在门极 触发开通时所能承受不导致损坏的通态电流最大上升率称为 通态电流临界上升率。 通态电流临界上升率。
《电力电子技术》
六、晶闸管的门极伏安特性及主要参数
和门极不触发电流I 1.门极不触发电压UGD和门极不触发电流 GD 门极不触发电压 不能使晶闸管从断态转入通态的最大门极电压称为门极 不触发电压U 相应的最大电流称为门极不触发电流I 不触发电压 GD，相应的最大电流称为门极不触发电流 GD。 门极触发电压U 和门极触发电流I 2.门极触发电压 GT和门极触发电流 GT 在室温下，对晶闸管加上6V 正向阳极电压时， 使器件由 在室温下， 对晶闸管加上 6 正向阳极电压时， 极电流称为门极触发电流I 断态转入通态所必须的最小门 极电流称为门极触发电流 GT， 相应的门极电压称为门极触发电压U 相应的门极电压称为门极触发电压 GT。 门极正向峰值电压U 门极正向峰值电流I 3.门极正向峰值电压 GM、门极正向峰值电流 GM和门极峰值功 率PGM 在晶闸管触发过程中， 在晶闸管触发过程中 ， 不致造成门极损坏的最大门极电 压 、 最大门极电流和最大瞬时功率分别称为门极正向峰值电 门极正向峰值电流I 和门极峰值功率P 压 UGM、 门极正向峰值电流 GM 和门极峰值功率 GM。 使用时 晶闸管的门极触发脉冲不应超过以上数值。 晶闸管的门极触发脉冲不应超过以上数值。
电力二极管(PPT52页)
①电流控制型器件：采用电流信号来实现其导通或关断控制。 如：晶闸管、门极可关断晶闸管、电力晶体管GTR、IGCT（集成门极换流
晶闸管）等。 电流控制型器件的特点是： a在器件体内有电子和空穴两种载流子导电，由导通转向阻断时，两种载流
子在复合过程中产生热量，使器件结温升高。过高的结温限制了工作频 率的提高，因此，电流控制型器件比电压控制型器件的工作频率低。 b电流控制型器件具有电导调制效应，使其导通压降很低，导通损耗较小。 c电流控制型器件的控制极输入阻抗低，控制电流和控制功率较大，电路也 比较复杂。
检测
控
电路
制
保护
电
电路
路
驱动
电路
V1 LR
V2
主电路
电气隔离
图2-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成
2.1.3 电力电子器件的分类
■按照能够被控制电路信号所控制的程度
◆半控型器件 ☞器件的关断由其在主电路中承受的电压和电流决定 ☞主要是指晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件。
◆全控型器件 ☞通过控制信号既可以控制其导通、关断。 ☞门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor ）、 功率场效
2.1.1 电力电子器件的概念和特征
电力电子作业题一
作业题（一）第一部分：填空题1、电力电子技术分为、两个分支。
2、在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_ ，属于半控型器件的是，属于全控型器件的是。
3、电力电子器件主要工作于状态，当开关频率较高可能成为器件功率损耗的主要因素。
4、电力电子器件系统一般由、驱动电路和以电力电子器件为核心的组成。
5、电力MOSFET是用来控制漏极电流，因此驱动电路简单。
6、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件分为型和型。
7. 按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为：电流驱动型器件和型器件两类，晶闸管属于其中的型器件。
第二部分：选择题1、下列电力电子器件中，开关频率最高的器件为（）A．IGBT B. TR C. GTO D. MOSFET2、通常（）是电力电子器件的功率损耗的主要因素。
A. 通态损耗B. 断态损耗C. 开通损耗D. 关断损耗3、普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A有效值B最大值C平均值4、开关速度最快的器件是（）A GTRB GTOC IGBTD 电力MOSFET5、晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护6、在电力电子电路中，GTR工作在开关状态，即工作在（）状态。
A、截止和饱和B、饱和和放大C、放大和截止D、过渡7、下列电力电子器件中，开关频率最高的器件为（）A、IGBTB、TRC、GTOD、MOSFET8、晶闸管导通的条件是( )。
A.阳极加正向电压，门极有正向脉冲B.阳极加正向电压，门极有负向脉冲C.阳极加反向电压，门极有正向脉冲D.阳极加反向电压，门极有负向脉冲9、对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL（ A ）IH；A．大于 B.小于 C.等于 D.小于等于10、下列属于全控型器件的是（ C ）A．GTO、GTR、SCRB.电力MOSFET、电力二级管C.IGBT、GOT、GTRD.GTR、SCR第三部分：分析简答题1、维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？2、如何实现晶闸管的关断?晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?3、晶闸管二端并接阻容吸收电路可起哪些保护作用？4、简述与处理信息的电子器件相比较电力电子器件的特征。
电力电子技术题库含参考答案
电力电子技术题库含参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、下面选项中属于晶闸管派生器件的是（）。
A、电力场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、门极可关断晶闸管D、电力晶体管正确答案：C2、带中心抽头变压器的逆变电路,变压器匝比为( )时，uo和io波形及幅值与全桥逆变电路完全相同。
A、1:2:1B、1:1:2C、3:1:1D、1:1:1正确答案：D3、单相半波可控制整流电路阻感负载需要（）续流。
A、晶闸管B、二极管C、GTRD、IGBT正确答案：B4、（）不属于换流技术。
A、整流B、电力电子器件制造C、逆变D、斩波正确答案：B5、单相桥式全控整流阻感性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-180°B、0º-150°C、0º-120°D、0º-90°正确答案：D6、电压型逆变电路输出的电流波形为（）。
A、因负载不同而不同B、锯齿波C、正弦波D、矩形波正确答案：A7、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )A、0º-150°B、0º-180°C、0º-120°D、0º-90°正确答案：B8、目前所用的电力电子器件均由（）制成，故也称电力半导体器件。
A、绝缘体B、金属C、半导体D、导体正确答案：C9、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。
A、载波B、锯齿波C、调制信号D、正玄波正确答案：C10、斩波电路中，输出电压高于输入电压的电路称为（）。
A、降压斩波B、升压斩波C、升降压斩波D、CUK斩波正确答案：B11、晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( )。
A、3～4倍B、4～5倍C、2～3倍D、1～2倍正确答案：C12、与单相全波可控整流电路功能相同的电路是（）。
A、斩波电路B、单相半波可控整流电路C、三相桥式整流电路D、单相桥式整流电路正确答案：D13、逆导晶闸管是将（）反并联在同一管芯上的功率集成器件。
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变频器原理与应用
18
例1-2 现有晶闸管型号为KP50-7，用于某电路中时，流过的电流 波形如图1-9所示，
试求Im允许多大?
图1-9 流过晶闸管的电流波形
解 KP50-7晶闸管允许流过的电流有效值为
IT =1.57 I T(AV)=1.57×50A=78.5A
实际流过该管的电流有效值
I
1 2π
1.门极不触发电压UGD和门极不触发电流IGD 不能使晶闸管从断态转入通态的最大门极电压称为门极不触
发电压UGD，相应的最大电流称为门极不触发电流IGD。 2.门极触发电压UGT和门极触发电流IGT
在室温下，对晶闸管加上6V正向阳极电压时，使器件由断态 转的入门通极态电所压必称须为的门最极小触门发电极压电UG流T。称为门极触发电流IGT，相应 3.门极正向峰值电压UGM、门极正向峰值电流IGM和门极峰值功率 PGM 在晶闸管触发过程中，不致造成门极损坏的最大门极电压、
IT =1.57 I T(AV)
I T(AV)= IT /1.57 由于晶闸管的过载能力差，一般在选用时取(1.5～2)的安全裕量，
即
I T(AV) = (1.5～2)IT /1.57
变频器原理与应用
17
例1-1 一晶闸管接在220V交流回路中，通过器件的电 流有效值为100A，问选择什么型号的晶闸管?
晶闸管等效为两个互补连接的三极管工作分析
IG→IB2↑→IC2（IB1) ↑ →IB2↑ ↑＿＿＿＿＿＿＿＿↓
图1-6 晶闸管的工作原理示意图
变频器原理与应用
13
四、晶闸管的阳极伏安特性
晶安闸特管性的。阳其极伏与安阴特极性间曲的线电如压图ua1和-7所阳示极。电流ia之间的关系，称为阳极伏
图1-7 晶闸管的伏安特性曲线
第1章 电力二极管与晶闸管
学习目标
1.掌握电力二极管的结构、伏安特性、主要参数、测 试方法和选用方法。
2.了解晶闸管的结构、工作原理及伏安特性 3.掌握晶闸管的导通条件和关断条件。 4.熟练掌握晶闸管的主要参数、测试方法和选用方法。 5.掌握双向晶闸管的结构、主要参数及选用测试方法。
变频器原理与应用
电力二极管使用时必须保证规定的冷却条件，如不 能满足规定的冷却条件，必须降低容量使用。如规 定风冷元件使用在自冷时，只允许用到额定电流的 1/3左右。
变频器原理与应用
7
四、电力二极管的主要类型
1.整流二极管 整流二极管多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中。但
其正向电流定额和反向电压定额却很高。
变频器原理与应用
28
本章小结
电力二极管也是由PN结组成，加正向电压导通，加反向 电压截止，是一个不可控的单向导通器件。
普通晶闸管内部为PNPN四层结构，向外引出阳极A、阴极K 和门极G三个电极。它的导通条件是：对晶闸管的阳极和阴 极两端加正向电压，同时在它的门极和阴极两端也加适当的 正向电压。关断条件是：使流过晶闸管的阳极电流小于维持 电流。晶闸管的工作原理可用两个互补连接的等效晶体管电 路来分析，当门极注入一定电流时，会形成一个强烈的正反 馈过程，使管子迅速饱和导通。管子导通时，内部等效电路 中的任一只管子的集电极电流即为另一只管子的基极电流， 去除门极触发电流不会影响管子的导通状态，即门极失去控 制作用。
变频器原理与应用
3
2. 伏安特性
电力二极管的阳极和阴极间的电压UAK和流过管子的电流IA 之间的关系称为伏安特性，其伏安特性曲线如图1-2所示。
图1-2 电力二极管的伏安特性
变频器原理与应用
4
二、主要参数
1. 额定正向平均电流IF 在规定的环境温度为40℃和标准散热条件下，元件PN结温度稳定且不超过
变频器原理与应用
27
四、光控晶闸管
光控晶闸管又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信 号触发导通的晶闸管，其电气图形符号和伏安特性如图1-14 所示。小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子，大功率 光控晶闸管则还带有光缆，光缆上装有作为触发光源的发光 二极管或半导体激光器。
图1-14 光控晶闸管的电气符号和伏安特性
变频器原理与应用
ห้องสมุดไป่ตู้
8
第二节 晶闸管
一、晶闸管的结构 晶效闸电管路是如四图层1(P-3lN所lP示2N。2)三端(阳极A、阴极K、门极G)器件，其内部结构和等
a)
b)
图1-3 晶闸管的内部结构和等效电路
a) 内部结构 b)以互补三极管等效
变频器原理与应用
9
晶闸管的符号及外形
晶闸管的符号及外形如图1-4所示，
管相比，高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额 都不易做高。
变频器原理与应用
26
三、逆导晶闸管
逆导晶闸管是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯 上的电力集成器件，这种器件不具有承受反向电压的能力， 一旦承受反向电压即开通，其电气图形符号和伏安特性如图 1-13所示。
图1-13 逆导晶闸管的电气符号和伏安特性
最门门极大极触门正发极向脉电峰冲流值不和电应最流超大IG过M瞬和以时门上功极数率峰值分值。别功称率为P门GM极。正使向用峰时值晶电闸压管U的GM、
变频器原理与应用
21
七、晶闸管对触发电路的要求
1.触发脉冲应具有足够的功率和一定的宽度； 2.触发脉冲与主电路电源电压必须同步； 3.触发脉冲的移相范围应满足变流装置提出的要求。
变频器原理与应用
14
么么么么方面
Sds绝对是假的
五、晶闸管主要参数
1.额定电压UTn 当门极开路，元件处于额定结温时，根据所测定的正向转折电压UBO和反向
击穿电压URO，由制造厂家规定减去某一数值(通常为1OOV)，分别得到正 向不可重复峰值电压UDSM和反向不可重复峰值电压URSM，再各乘以0.9， 即得正向断态重复峰值电压UDRM和反向阻断重复峰值电压URRM。 2.额定电流IT(AV) 晶闸管的额定电流也称为额定通态平均电流，即在环境温度为40℃和规定 的冷却条件下，晶闸管在导通角不小于170°的电阻性负载电路中，当不 超过额定结温且稳定时，所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。
a)
b)
c)
图1-4 晶闸管的符号及外形
a) 晶闸管的符号 b）螺栓形晶闸管的外形 c）带有散热器平板式晶闸管的外形
变频器原理与应用
10
二、晶闸管的导通与关断条件
导通和关断条件可通过图1-5所示的实验
图1-5 晶闸管的导通与关断实验电路
变频器原理与应用
11
二、晶闸管的导通与关断条件
实验结论：
1）晶闸管的导通条件：在晶闸管的阳极和阴极两端 加正向电压，同时在它的门极和阴极两端也加正向 电压，两者缺一不可。
1
第一节 电力二极管
电力二极管是指可以承受高电压大电流 具有较大耗散功率的二极管，在电路中 常作为整流、续流、电压隔离、钳位或 保护元件。
变频器原理与应用
2
一、结构与伏安特性 1. 结构
a) b)
c)
d)
图1-1 电力二极管的结构、符号和外形
a)结构 b)符号 c) 螺旋式外形 d) 平板式外形
I T(AV) π2(1I-7T)(RMS) 0.45 I T(RMS)
以此推算，一个100A的双向晶闸管与两个45A的普通晶闸管反并联电流容 量相等。
变频器原理与应用
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3．双向晶闸管的触发方式
双向晶闸管正反两个方向都能导通，门极加正负电压都能触发。主电压 与触发电压相互 配合，可以得到四种触发方式： (1) I+ 触发方式 主极T2为正，T1为负；门极电压G为正，T1为负。 (2) I_ 触发方式 主极T2为正，T1为负；门极电压G为负，T1为正。 (3) Ⅲ+触发方式 主极T2为负，T1为正；门极电压G为正，T1为负。 (4) Ⅲ—触发方式 主极T2为负，T1为正；门极电压G为负，T1为正。 四种触发方式中触发灵敏度不相同，I+ 触发方式灵敏度最高，Ⅲ+触发方 式灵敏度最低，使用时要尽量避开Ⅲ+，常采用的触发方式为I+ 和Ⅲ-。
变频器原理与应用
22
第三节 晶闸管派生器件
一、双向晶闸管 1．双向晶闸管的结构与伏安特性曲线
a) b) c)
d)
图1-11 双向晶闸管
a) 双向晶闸管的结构 b) 等效电路 c)符号 d) 伏安特性曲线
变频器原理与应用
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2．双向晶闸管的参数
双向晶闸管的主要参数中只有额定电流与普通晶闸管有所不同，其他参 数定义与普通晶闸管相似。由于双向晶闸管工作在交流电路中，正反向 电流都可以流过，所以它的额定电流不是用平均值，而是用有效值(方均 根值)来表示，定义为：在标准散热条件下，当器件的单向导通角大于 170°时，允许流过器件的最大交流正弦电流的有效值，用IT(RMS)表示。 双向晶闸管有效值电流与普通晶闸管平均值电流之间的换算关系式为
140℃时，所允许长时间连续流过50Hz正弦半波的电流平均值。将此电 流值取规定系列的电流等级，即为元件的额定电流。
2. 反向重复峰值电压URRM 在额定结温条件下，取元件反向伏安特性不重复峰值电压值URSM的80%称
为反向重复峰值电压URRM。将URRM值取规定的电压等级就是该元件的额 定电压。
3. 正向平均电压UF 在规定环境温度+40℃和标准散热条件下，元件通过50Hz正弦半波额定正
向平均电流时，元件阳极和阴极之间的电压的平均值，取规定系列组别 称为正向平均电压UF ，简称管压降，一般在0.45～1V范围内。
变频器原理与应用
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三、电力二极管的选用
1.选择额定正向平均电流IF 的原则
IF
(1.5
~
2) I DM 1.57
（1-1）