超大规模集成电路的设计与分析(张建人译)思维导图
超大规模集成电路.pptx
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1）P阱CMOS集成电路工艺过程简介
一、硅片制备 二、前部工序
Mask 掩膜版
CHIP
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• 掩膜1： P阱光刻
Si-衬底
P-well
具体步骤如下： 1．生长二氧化硅：
SiO2
Si-衬底
30
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2．P阱光刻： 涂胶、掩膜对准、曝光、显影、刻蚀
§1 双极型（NPN）集成电路工艺 (典型的PN结隔离工艺)
1
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思考题
1.与分立器件工艺有什么不同？ 2.埋层的作用是什么？ 3.需要几块光刻掩膜版(mask)? 4.每块掩膜版的作用是什么？ 5.器件之间是如何隔离的？ 6.器件的电极是如何引出的？
2
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1.衬底准备 2.第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻
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1.P阱CMOS工艺
P阱CMOS工艺以N型单晶硅为衬底， 在其上制作P阱。NMOS管做在P阱内， PMOS管做在N型衬底上。
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P阱CMOS工艺
电连接时，P阱接最负电位，N衬底接最正 电位，通过反向偏置的PN结实现PMOS器件和 NMOS器件之间的相互隔离。P阱CMOS芯片剖 面示意图见下图。
艺有时已不满足要求，双阱工艺应 运而生。
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双阱CMOS工艺
• 通常双阱CMOS工艺采用的原始材料是在 N+或P+衬底上外延一层轻掺杂的外延层， 然后用离子注入的方法同时制作N阱和P阱。
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双阱CMOS工艺
《超大规模集成电路设计》考试习题(含答案)完整版
1．集成电路的发展过程经历了哪些发展阶段？划分集成电路的标准是什么？集成电路的发展过程:•小规模集成电路(Small Scale IC，SSI)•中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI)•大规模集成电路(Large Scale IC，LSI)•超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI)•特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI)•巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI）划分集成电路规模的标准2．超大规模集成电路有哪些优点？1. 降低生产成本VLSI减少了体积和重量等,可靠性成万倍提高,功耗成万倍减少.2.提高工作速度VLSI内部连线很短,缩短了延迟时间.加工的技术越来越精细.电路工作速度的提高,主要是依靠减少尺寸获得.3. 降低功耗芯片内部电路尺寸小,连线短,分布电容小,驱动电路所需的功率下降.4. 简化逻辑电路芯片内部电路受干扰小,电路可简化.5.优越的可靠性采用VLSI后，元件数目和外部的接触点都大为减少，可靠性得到很大提高。
6.体积小重量轻7.缩短电子产品的设计和组装周期一片VLSI组件可以代替大量的元器件,组装工作极大的节省,生产线被压缩,加快了生产速度.3．简述双阱CMOS工艺制作CMOS反相器的工艺流程过程。
1、形成N阱2、形成P阱3、推阱4、形成场隔离区5、形成多晶硅栅6、形成硅化物7、形成N管源漏区8、形成P管源漏区9、形成接触孔10、形成第一层金属11、形成第一层金属12、形成穿通接触孔13、形成第二层金属14、合金15、形成钝化层16、测试、封装，完成集成电路的制造工艺4．在VLSI设计中，对互连线的要求和可能的互连线材料是什么？互连线的要求低电阻值：产生的电压降最小；信号传输延时最小（RC时间常数最小化）与器件之间的接触电阻低长期可靠工作可能的互连线材料金属（低电阻率），多晶硅（中等电阻率），高掺杂区的硅(注入或扩散)（中等电阻率）5．在进行版图设计时为什么要制定版图设计规则？—片集成电路上有成千上万个晶体管和电阻等元件以及大量的连线。
集成电路产业全书
我被这部书的广度所吸引。它不仅仅集成电路的技术发展，还涵盖了产业链的 各个环节，包括设计、制造、封装测试、专用设备和材料等。同时，书中还对 集成电路的未来趋势进行了深入的分析，为我们描绘了一个充满挑战和机遇的 未来。
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作者简介
作者简介
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集成电路的诞生要追溯到上世纪50年代。当时，人们面临着晶体管数量过多、 体积过大、稳定性差等问题，急需寻找一种解决方案。1958年，德州仪器公司 的杰克·基尔比成功研制出了第一块集成电路，这一创新成果开启了集成电路 产业的新纪元。随着技术的不断进步，集成电路产业逐渐发展壮大，成为当今 世界电子产业的基石。
内容摘要
《集成电路产业全书》是一本非常全面、深入的集成电路产业书籍，适合从事集成电路产业的相 关人士阅读和学习。通过阅读本书，读者可以更好地了解集成电路产业的现状和未来发展趋势， 为自身的工作和学习提供有益的参考。
精彩摘录
随着科技的飞速发展，集成电路已成为当今世界不可或缺的一部分。为了全面 介绍集成电路产业的发展历程、现状和未来趋势，一本名为《集成电路产业全 书》的书应运而生。这本书以其深入浅出的语言和生动的故事，为读者呈现了 一个集成电路产业的精彩世界。本书将选取几个精彩的摘录，带大家领略这本 书的魅力。
超大规模集成电路物理设计 课程
超大规模集成电路物理设计课程摘要：一、超大规模集成电路物理设计的概念与重要性二、物理设计的基本流程与方法1.展平式物理设计流程2.层次化物理设计流程三、设计收敛的三大部分1.数据系统2.优化引擎3.分析引擎四、超大规模集成电路物理设计的理论与算法1.基础数学知识2.数据结构与文件格式3.物理设计阶段的详细论述正文：一、超大规模集成电路物理设计的概念与重要性超大规模集成电路（VLSI）物理设计是指在集成电路设计中，将电路图转换为实际电路布局的过程。
它涉及到对电路图的布图规划、模块划分、布局优化等操作，是集成电路设计中非常重要的一个环节。
物理设计的目标是在保证电路功能正确的同时，尽可能地减小芯片面积、降低功耗、提高性能。
二、物理设计的基本流程与方法物理设计的基本流程分为展平式物理设计流程和层次化物理设计流程两种。
1.展平式物理设计流程（自底向上）展平式物理设计流程是一种自底向上的设计方法，它从基本的晶体管开始，逐层构建电路模块，最终实现整个电路图的物理设计。
这种方法适用于较小规模的集成电路设计，其优点是设计过程直观，易于理解。
2.层次化物理设计流程（自上向下）层次化物理设计流程是一种自上向下的设计方法，它将整个电路图划分为多个层次，从高层次到低层次逐层进行物理设计。
这种方法适用于大规模集成电路设计，其优点是将大的设计划分为多个小的子设计，降低了设计难度。
三、设计收敛的三大部分设计收敛是指在物理设计过程中，通过不断优化和调整设计参数，使设计达到预定目标的过程。
设计收敛主要包括三个部分：数据系统、优化引擎和分析引擎。
1.数据系统数据系统负责对设计数据进行读取、处理和储存。
它包括各种数据处理算法和存储方法，用于保证设计数据的完整性和准确性。
2.优化引擎优化引擎是物理设计中负责优化设计参数的部分。
它根据设计目标和约束条件，对设计参数进行调整和优化，以达到设计收敛。
3.分析引擎分析引擎负责对设计结果进行分析和评估。
超大规模集成电路技术基础课件
Part
03
超大规模集成电路制造工艺
制造流程
制造流程概述
超大规模集成电路的制造流程包 括晶圆制备、外延层生长、光刻 、刻蚀、离子注入、化学机械抛
光、检测与封装等步骤。
晶圆制备
晶圆制备是超大规模集成电路制造 的第一步，涉及到单晶硅锭的切割 和研磨，以获得所需厚度的晶圆。
外延层生长
外延层生长是指在单晶衬底上通过 化学气相沉积等方法生长出与衬底 晶体结构相同或相似的单晶层。
解决方案3
加强环保监管和提高环保意识：通过加强环保监管和提 高环保意识，推动超大规模集成电路制造行业的可持续 发展。
Part
04
超大规模集成电路封装与测试
封装技术
芯片封装
将集成电路芯片封装在管 壳内，以保护芯片免受环 境影响和机械损伤。
封装材料
常用的封装材料包括陶瓷 、金属和塑料等，每种材 料都有其独特的优点和适 用范围。
制造设备
超大规模集成电路制造中需要使用到各种复杂的设备和工具，如光刻机、刻蚀机 、离子注入机、化学机械抛光机等。
制造中的挑战与解决方案
挑战1
高精度制造技术的挑战：随着集成电路规模的不断缩小 ，制造精度和工艺控制的要求也越来越高，需要不断改 进制造工艺和研发新的制造技术。
挑战2
制造成本的不断增加：随着技术不断进步，超大规模集 成电路的制造成本也在不断增加，需要寻求更经济、高 效的制造方法和工艺。
封装形式
根据集成电路的类型和应 用需求，有多种封装形式 可供选择，如DIP、SOP 、QFP等。
测试方法与设备
测试方法
包括功能测试、性能测试、可靠 性测试等，以确保集成电路的性
能和质量。
测试设备
超大规模集成电路与系统导论(附光盘)
超大规模集成电路与系统导论（附光盘）
第1章VLSI概论 1.1复杂性与设计 1.1.1设计流程举例1.1.2VLSI芯片的类型 1.2基本概念 1.3本书安排 1.4参考资料第1部分硅片逻辑第2章MOSFET逻辑设计 2.1理想开关与布尔运算 2.2MOSFET开关 2.3基本的CMOS逻辑门 2.3.1非门（NOT门） 2.3.2CMOS或非门（NOR门） 2.3.3CMOS与非门（NAND 门） 2.4CMOS复合逻辑门 2.4.1结构化逻辑设计 2.4.2异或门（XOR）和异或非门（XNOR） 2.4.3一般化的AOI和OAI逻辑门 2.5传输门（TG）电路逻辑设计 2.6时钟控制和数据流控制 2.7参考资料 2.8习题第3章CMOS集成电路的物理结构第4章CMOS集成电路的制造第5章物理设计的基本要素第2部分从逻辑到电子电路第6章MOSFET的电气特性第7章CMOS逻辑门电子学分析第8章高速CMOS逻辑电路设计第9章CMOS逻辑电路的高级技术第3部分VLSI系统设计第10章用Verilog——硬件描述语言描述系统第11章常用的VLSI系统部件第12章CMOS VLSI运算电路第13章存储器与可编程逻辑第14章系统级物理设第15章VLSI时钟和系统设计第16章VLSI电路的可靠性与测。
数字超大规模集成电路设计
数字超大规模集成电路设计数字超大规模集成电路设计数字超大规模集成电路（VLSI）是一种特殊类型的集成电路，由数百万个晶体管构成，可用于各种应用，例如计算机处理器、数字信号处理器、存储器和网络芯片。
设计数字超大规模集成电路需要专业的知识和技术，严格的设计过程和流程可以确保电路的性能和可靠性达到最佳水平。
数字超大规模集成电路设计的主要步骤包括电路规划、逻辑设计、物理设计和验证等四个阶段。
下面将对这四个过程分别详细介绍。
1. 电路规划电路规划是设计数字超大规模集成电路的第一步，它需要确定电路的总体结构和功能。
在这个阶段，设计师需要与客户或团队成员讨论需求和预期的目标，以确定应满足的功能和性能要求。
电路规划需要在不同的层次上考虑电路的结构，例如芯片层、宏单元层、模块层和单元层，以确保整个电路都经过了全面的思考和验证。
2. 逻辑设计在电路规划阶段完成后，设计师需要开始进行逻辑设计，这是将电路的功能和结构转化为数字逻辑块的过程。
设计师可以使用各种电子设计自动化（EDA）工具来实现逻辑设计，通常使用硬件描述语言（HDL）来表示电路的行为和结构。
逻辑设计包括几个不同的步骤，例如：逻辑合成：将高层次的行为描述转化为门级或寄存器传输级别的等效电路。
时序分析：确保电路满足时序约束和时钟周期。
优化布局和布线：通过逻辑综合和布局布线工具优化电路，以实现更好的性能和功耗。
3. 物理设计物理设计阶段是将逻辑电路实现为实际电路的过程，包括立即设计、布局规划、布线、物理验证等。
立即设计：确定电路各个模块的精确位置，以及电路的层次和结构。
布局规划：根据立即设计结果生成电路的初始布局方案，包括放置模块、布线规划以及时钟树设计等。
布线：将布局好的模块进行线路连接，生成物理电路，并进行布线优化、电容和电感提取，确定线路的延迟等等。
物理验证：设计师对所生成的物理电路进行验证，包括逻辑验证、时序验证、数据库校验等，以确保电路的功能与预期相符，而且其性能达到标准。
大中规模集成电路的逻辑设计
A0
器
Y6 Y7
Y8
Y9
34
二—十进制译码器74LS42旳真值表
12/30/2023
35
显示译码器
与二进制译码器不同，显示译码器是用来驱动显示 屏件，以显示数字或字符旳MSI部件。显示译码器随显 示屏件旳类型而异，与辉光数码管相配旳是BCD十进制 译码器，而常用旳发光二极管(LED)数码管、液晶数码 管、荧光数码管等是由7个或8个字段构成字形旳，因而 与之相配旳有BCD七段或BCD八段显示译码器。现以驱 动LED数码管旳BCD七段译码器为例，简介显示译码原 理。
A3 A2 A1 A0 B3 B2 B1 B0
四位全加 器
C0
C4
S3
S2
S1
S0
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余3代 码
15
全加器旳应用
试采用四位加法器完毕余3码到8421 BCD码 旳转换
解：因为对于一样一种十进制数，余3码比相应 旳8421BCD码多3，所以要实现余3码到8421 BCD码旳转换，只需从余3码减去(0011)即可。 因为0011各位变反后成为1100，再加1，即为 1101，所以，减(0011)同加(1101)等效。所以， 在四位加法器旳A3~A0接上余3码旳四位代码， B3、B2、B1、B0上接固定代码1101，就能实现 转换。
Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 3－8译码器
A2 A1 A0
E1 E2A E2B
ABC 1
图 3 – 15 例3 - 5之电路
12/30/2023
31
译#43;BC
74138
C
A0
0
B
A1
1
A
A2
超大规模集成电路第三章汇总
n伪nMOS门 nDCVS逻辑 nDomino门
伪nMOS门
n
使用一个p型管作为上拉阻抗，n型网络实现下拉
特性
n n n
消耗静态功耗 比静态门具有更小的上拉网络 因为上拉fighting，下拉时间比较长
VDD
输出电压
n n n
逻辑1输出总是VDD 逻辑0输出大于VSS 一般选择VOL=0.25 ( VDD － VSS ）
电流源模型（在功耗和延时章节中学习使用） 。
2 tf =CL (VDD-VSS)/Id= CL(VDD-VSS)/0.5*K’(W/L)( VDD-VSS- Vt)-
适用的模型：对测量的电路特性的合适曲线
基体效应和门电路
在门电路网络中的源极和基体可能接在不同的电压值上。
体效应和门的输入时序
为了尽量减小基体效应，把早来一点的信号送入最靠近电源的晶体管上
n
静态CMOS速度－功耗产品是独立于信号的频率的。
★ 电压的缩放比例取决于这个事实。
寄生影响和性能
a: Power Supply b: Input c: Output
a: Power Supply
寄生影响
n n n
a：在供电电源上如果没有电感的时候，有电容是没关系的，而电阻会引 起静态门的域值下降。可能引起伪nMOS电路的出错。 b：增加电阻或者电容会减少输入的上升沿。 C：与在b中的寄生情况相似，但是靠近源极的电阻更加有害，因为这样 必须给电容充更多的电荷。
RC 传输线
1.更复杂的分析。 2.阶跃响应：
线的尺寸
1.线长有布局结构决定，但我们可以选择线的宽度去减小 延时。 2.线的宽度可以通过改变从驱动器到驱动下拉电容的电阻 之间的距离而加以改变。
《超大规模集成电路物理设计：从图分割到时序收敛》随笔
《超大规模集成电路物理设计：从图分割到时序收敛》读书笔记目录一、内容概览 (1)二、关于本书的背景知识介绍 (2)三、内容概览 (3)3.1 主要章节概述 (4)3.2 重点概念解析 (6)四、详细读书笔记 (7)五、本书中的关键观点和论点分析 (8)5.1 关于超大规模集成电路物理设计的关键观点 (10)5.2 书中论点的深度分析 (11)六、比较与评价 (13)6.1 本书与其他相关书籍的比较 (14)6.2 本书的优点与不足评价 (15)七、实践应用与案例分析 (16)7.1 书中理论在实际设计中的应用 (18)7.2 案例分析 (19)八、总结与心得体会 (21)8.1 本书的主要收获和启示 (22)8.2 个人对超大规模集成电路物理设计的未来展望 (23)一、内容概览《超大规模集成电路物理设计：从图分割到时序收敛》是一本深入探讨超大规模集成电路（VLSI）物理设计过程的著作。
本书从图分割的基本原理出发，详细阐述了集成电路设计的各个阶段，包括布局、布线、时序分析和验证等。
在图分割部分，本书介绍了如何将复杂的集成电路设计问题简化为更易于处理的子问题。
通过图论和计算机辅助设计（CAD）技术，作者提出了一系列高效的图分割算法，从而为后续的物理设计过程奠定了坚实的基础。
在布局阶段，本书重点讨论了如何根据电路结构和约束条件选择合适的布局算法。
作者详细分析了不同布局策略的优缺点，并提出了针对复杂电路的优化方法。
布线是集成电路设计中的关键步骤之一，本书介绍了多种布线算法，包括基于启发式的布线方法、基于物理约束的布线方法和基于人工智能技术的布线方法等。
作者还探讨了布线过程中的优化问题和挑战。
时序分析是确保集成电路正常工作的关键环节，本书详细阐述了时序分析的基本原理和方法，包括静态时序分析、动态时序分析和时序收敛等。
作者通过理论分析和实例验证，介绍了如何有效地进行时序分析和优化，以确保设计的集成电路具有良好的时序性能。
超大规模集成电路的设计方法 (2)
超大规模集成电路课程论文题目：超大规模集成电路的设计方法院系：xxxxxxxxx专业：xxxxxxxxxxxx年级：xxxxxxxxx学号：xxxxxxxxxxx姓名：xxxxxx指导老师：xxxxxxxxxx完成时间：xxxxxxxxxxx超大规模集成电路的设计方法作者：xxxx指导老师：xxxxxxxxxxxxxxxxx摘要：本文在概述超大规模集成电路设计步骤上，详细的论述了各种设计集成电路的方法，讨论了全定制法、标准单元设计方法、积木块设计方法、门阵列设计方法以及可编程逻辑器件设计方法的特点和适用范围。
关键词：集成电路;全制定法;标准单元设计法Abstracts：On the basis of VLSI design method, this thesis detailed expounds the methods of design of integrated circuits, discusses the custom law, full customization method, standard unit design method ,building block design ,gate array method and design method of programmable logic devices 's characteristics and applicability.Keywords: integrate circuit;full customization method;standard unit design method1 引言所谓集成电路就是将晶体管、电阻、电容、等各种电子元器件以相互联系的状态集成到半导体材料（主要是硅）或者绝缘体材料薄层片子上，再用一个管壳将其封装起来，构成一个完整的、具有一定功能的电路或系统。
自1959年以来，集成电路技术发生了惊人的变化。
超大规模集成电路CAD 第二章 VLSI设计方法
2014-4-21
15
第2章 VLSI概述设计方法
路 漫 漫 其 修 远 兮 吾 将 上 下 而 求 索
布线通道
图2-2
2014-4-21
Macro Cell–Based
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第2章 VLSI概述设计方法
基于单元的IC的特点
All mask layers are customized— transistors and interconnect ： IC 的所有 掩膜层，包括晶体管和连线都是特意设计的。 Custom blocks can be embedded：宏单元可以 根据需要嵌入到IC版图中，与其它宏单元以及 标准单元一起连线。 基于标准单元的ASIC设计快于全定制设计 仍需要制作全部的掩膜 Manufacturing lead time is about eight weeks.
定义 What is Sem-Custom？ 所谓半定制电路设计： 是指以预先设计并经过验证的单元为基础，从事具体电 路的有关设计。也就是说，厂家预先把一些基本门或其 它单元的功能级电路与版图设计好，并提供给系统设计 者，作为他们从事电路设计的基本单元。这样设计者就 不涉及单元电路内部器件之间的互连，而只要把这些基 本单元进行合理的布局和相互连线就可以了。因此，半 定制设计方法是一种面向逻辑级设计。（设计者在厂家 提供的半成品基础上继续完成最终的设计，一般是在成 熟的通用母片基础上追加某些互连线或某些专用电路的 互连线掩膜，因此设计周期短。）N-Si NhomakorabeaP阱
(a ) 掩膜版 2
薄氧化层 N-Si
(b )
多晶硅栅
掩膜版 3
N-Si
2014-4-21
(c)
20
超大规模集成电路设计导论：全定制设计方法共35页
超大规模集成电路设计导论：全定制 设计方法
46、法律有权打破平静。——马·格林 47、在一千磅法律里，没有一盎司仁 爱。— —英国
48、法律一多，公正就少。——托·富 勒 49、犯罪总是以惩罚相补偿；只有处 罚才能 使犯罪 得到偿 还。— —达雷 尔
50、弱者比强者更能得到法律的保护 。—— 威·厄尔
超大规模集成电路设计基础-第五章.讲义
在每一层上的图形都有设计 规则，说明一条线的最小宽 度w及在相邻多边形之间的 边至边的最小间距s。
w和s的实际值取决于在什么层。设计规则只是针对 那一层掩膜上的图形。
5.2.1 n阱
• 运用n阱掩膜来定义n阱
• 当一个n阱用来制造pFET时，它必须连接到电源VDD
5.2.2 有源区
• 在隔离（场）氧化物生长之后，有源区是平坦的部分且通向硅圆 片顶部。而场氧（FOX）则存在于圆片其余地方。 • Wa和Sa－a是在最大密度设计中应当保证的最小值。 • 一个区域不是有源区，那么按设定它就是场氧区。
为了得到一对并联的FET，中间增 加了接触孔。
s g g 两条栅之间的距离 d ac 2 s p ac
• 当采用公共的有源区形成具有不同W值的FET时，需要引入另一 条设计规则 • 多晶栅至有源区的间距 Sp－a是指一条栅的边与有源 的边界改变处之间的距离。
在这一设计中这条规则要应
p ( pSelect) ( Active) (nWell )
5.2.4 MOSFET
• 当一条多晶栅线完全越过n＋或p＋区域时，就会形成自对准的 MOSFET结构。 wp 多晶最小宽度 • 对多晶图形的基本设计规则是：
s p p 多晶至多晶的最小间距
为了建立掩膜，只是把一个多边形加到多晶掩膜 上，把n＋区分隔成两个区域
pFET ( pSelect) ( Active) ( Poly) (nWell ) p ( pSelect) ( Active) ( NOT [ Poly]) (nWell )
MOSFET的设计值及有效值
• 关键尺寸是沟长L和沟宽W • L是由多晶栅线的宽度确定的。 • W是由晶体管有源区的边长确定的，因为这一区域定义了源/漏离 子注入硅中的地方。 Lo的存在是由于在 注入退火步骤期 间的横向掺杂所 致。 有效沟长：
超大规模集成电路物理设计 课程
超大规模集成电路物理设计课程第一节课程概述本课程旨在介绍超大规模集成电路（VLSI）的物理设计原理和技术，使学生掌握VLSI设计过程中的关键概念和方法。
通过学习本课程，学生将能够理解VLSI设计的基本原理，并能应用所学知识进行实际设计。
第二节 VLSI设计流程VLSI设计是一个复杂的过程，包括芯片规划、逻辑设计、验证、布局布线等多个环节。
本节将详细介绍VLSI设计流程的各个阶段，包括功能规划、RTL设计、仿真验证、综合等内容，帮助学生全面了解VLSI设计的整体框架。
第三节 VLSI设计工具为了完成VLSI设计，学生需要掌握各种VLSI设计工具的使用方法。
本节将介绍常用的VLSI设计工具，包括EDA软件、仿真工具、布局布线工具等。
通过学习本节，学生将能够熟练运用VLSI设计工具进行电路设计和验证。
第四节 VLSI物理设计原理物理设计是VLSI设计的核心内容，涉及到电路布局和布线技术。
本节将详细介绍VLSI物理设计的基本原理，包括布局规则、布线约束、时序优化等内容。
学生通过学习本节，可以掌握VLSI物理设计的关键技术，为后续实际设计提供基础。
第五节物理设计实践本节将以实际案例为基础，引导学生进行VLSI物理设计的实践操作。
学生将学习如何应用所学知识，通过设计小组合作完成一个VLSI电路的物理设计。
通过实践，学生将能够理解VLSI设计中的各种实际问题，并获得解决问题的能力。
第六节 VLSI设计的未来趋势本节将探讨VLSI设计的未来趋势，包括新技术的应用、设计方法的创新等内容。
学生通过学习本节，将了解到VLSI设计领域的最新发展动态，为未来的学习和研究提供参考。
通过本课程的学习，学生将能够全面了解VLSI设计的理论和实践，具备一定的VLSI设计能力。
希望同学们能够积极参与课程学习，充分发挥自己的创造力和动手能力，在VLSI设计领域有所成就。
祝同学们学习愉快！注：本文档为虚拟创作，仅用于模拟百度文库文档创作者角色练习。
CMOS超大规模集成电路设计课件
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Corollaries
Many other factors grow exponentially – Ex: clock frequency, processor performance
1: Circuits & Layout
CMOS VLSI Design 4th Ed.
12
CMOS Gate Design
Integration Levels
SSI: 10 gates
MSI: 1000 gates
LSI:
[Moore65] Electronics Magazine
10,000 gates
VLSI: > 10k gates
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1: Circuits & Layout
CMOS VLSI Design 4th Ed.
And Now…
1: Circuits & Layout
CMOS VLSI Design 4th Ed.
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Feature Size
Minimum feature size shrinking 30% every 2-3 years
1: Circuits & Layout
CMOS VLSI Design 4th Ed.
Activity: – Sketch a 4-input CMOS NOR gate
A B C D Y
Hale Waihona Puke 1: Circuits & Layout
CMOS VLSI Design 4th Ed.
13
Complementary CMOS
Complementary CMOS logic gates – nMOS pull-down network – pMOS pull-up network inputs – a.k.a. static CMOS