关于软磁铁氧体(ppt)

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在磁场均匀的长度为l的磁路中(如磁环中),绕有N 匝线圈,通有电流I,则安培环路定理简化为 Hl=NI
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自感系数(自感量、电感量)(Self inductance)L:通 过线圈的电流I产生了磁通量Φ,其比值为自感系数L: L = Φ /I,或Φ= L I 考虑有N匝线圈的情况,则L = NΦ /I,或NΦ= L I 亦有关系 e=-Nd Φ /dt= - LdI/dt L的单位为亨利(H)。
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磁通密度(磁感应强度)(Magnetic flux density)B: 单位面积的磁通量: B= Φ/A 在SI单位制中单位为特斯拉(T); 在CGS单位制中单位为高斯(Gs); 1T=104Gs 磁场强度(Magnetic field strength)H:由电流产生的磁 场的大小。 在SI单位制中单位为安培/米(A/m); 在CGS单位制中单位为奥斯特(Oe); 1Oe=79.6A/m,1A/m=4π×10-3Oe
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磁路(Magnetic path):是指磁通或磁力线通过的闭合 路径。 磁路的欧姆定律: NI=Hl=B/μ×l= Φ (l / μ A) = ΦRm NI称为磁动势,Rm称为磁阻。 基尔霍夫第一定律:磁路中任一节点的磁通代数和为零, 即∑ Φ=0 基尔霍夫第二定律: 在磁路中沿任意闭合路径的磁动势 的代数和等于各段磁压的代数和,即∑NI= ∑ ΦRm,或 ∑NI= ∑ Hl=H1l1+H2l2+H3l3+‥ ‥
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法拉第定律(Farady law) 通过一个闭合回路的磁通量发生变化时,就会在回路中 感应出感应(感生)电动势和感应(感生)电流,感应 电动势e的大小取决于磁通量的变化速率:

楞次定律(Lenz law) 感生电流产生的磁通,总是阻止磁通的变化。即当磁通 增加时,感生电流产生的磁通的方向与原来磁通相反, 削弱原磁通的增加;而当磁通减少时,感生电流产生的 磁通的方向与原来磁通相同,阻止原磁通的减少。

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漏磁通和漏感(Leak flux/Leak inductance):N1产生的 磁通未耦合到N2的部分,称为漏磁通,相应的电感称 为漏感。

漏感的大小和线圈耦合紧密程度、线圈绕制工艺、磁 路结构、磁介质特性等有关。
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铁、镍、钴及其合金、铁氧体等铁磁性(亚铁磁性) 物质的μ为10~105,而铜、铝、非金属材料等μ很接近 真空磁导率,即μ~1。 安培定则(Ampere rule)(右手定则)
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一、电磁学基础知识

物质的磁性是由电流产生的。磁性材料的磁性是由分 子电流—电子绕原子核运动及电子自旋运动产生的。
磁力线:用来表征磁场大小及方向的虚拟线
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磁通量(Magnetic flux)Φ:垂直通过一个截面A的磁力 线的总量。 在SI单位制中单位为韦伯(Wb); 在CGS单位制中单位为麦克斯韦(Mx); 1Wb=108Mx
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安培环路定理(Ampere ring route law) 在电流所产生的磁场中,磁场强度沿任意闭合曲线的 积分,等于该闭合曲线所包围的电流的代数和。
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磁场可以储存能量,可以证明单位体积的磁性材料储能 W=1/2×BH= 1/2×μH2(J/m3) 电感阻止电流变化的现象说明其具有储能的特性,可 以证明电感储能为 W=1/2LI2(J) 互感现象:在磁心上绕制两个线圈N1及N2,由于其间 存在磁通的耦合,所以N1的电流变化,会在N2中感应 出感应电动势,这是变压器的基本原理。
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关于软磁铁氧体
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提纲

电磁学基础知识 铁氧体材料及磁心基础知识 软磁铁氧体的技术发展趋势
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互感系数(Mutual inductance)M: N1中的单位电流I,在 N2中产生的磁通N2 Φ ,称为互感系数M: M=N2 Φ /I M的单位为亨利(H) 互感电动势e:与自感电动势类似: e=-Nd Φ/dt = -MdI/dt 理想变压器的关系式: V1/V2=I2/I1=N1/N2(初次级匝比) 若输出阻抗为Z’,则从输入端看,阻抗 Z= V1/I1=V2/I2×(N1/N2)2=Z’(N1/N2)2 即变压器具有电压变换、电流变换和阻抗变换(阻抗反射) 等功能。
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介质的磁导率(Permeability)μ:相同的磁场在不同 的介质中产生的磁通密度是不同的,磁导率用来表征 这种介质特性: μ=B/H 真空的磁导率μ0=4π×10-7H/m,其它介质(材料) 的磁导率用相对于μ0的倍数来表示,称为相对磁导率 μr。 μr= B/ μ0 H μr在SI单位制里单位为1; μr在实际使用中简称磁导率 μ。
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