第章 基本放大电路习题及答案
模电第四版(童诗白)答案
(a)
(b)
(c) 图 P2.2
(d)
解：将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路，图略。 图 P2.2 所示各电路的交流通路如解图 P2.2 所示；
9
(a)
(b)
(c) 解图 P2.2
(d)
2.3 分别判断图 P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路，并写出 Q、Au、Ri 和Ro 的表 达式。 解： 图 (a):
UCEQ VCC ICQ R4 I EQ R1 。
Au
R4
rbe
， Ri
R1 //
rbe 1
， Ro
R4 。
2.4 电路如图 P2.4 (a)所示，图(b)是晶体管的输出特性，静态时 U BEQ 分别求出 RL
0.7V
。利用图解法
和 RL 3k 时的静态工作点和最大不失真输出电压 U om （有效值） 。
I BQ
R2 // R3 rbe (
VCC U BEQ R1 R2 (1 ) R3
， Ri
，I CQ
I BQ ，UCEQ VCC (1 ) I BQ Rc 。
Au
rbe // R1 ， Ro R2 // R3
图(b)： I BQ
R2 VCC U BEQ ) / R2 // R3 (1 ) R1 ， ICQ I BQ ， R2 R3
6V ，最小稳定电流
I Z min 5mA ，最大稳定电流 I Z max 25mA 。
(1)分别计算 U I 为 10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压 U O 的值； (2)若 U I
35V
时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？
基本放大电路习题(含问题详解)
得电路的电压增益AV为_____。 A. -85.7 B. 78 C. 80 D. 60
则 和RW之和Rb＝≈kΩ;
而若测UCEQ＝6V, 则Rc＝≈kΩ。
（2）若测得输入电压有效值 =5mV时，输出电压有
效值 ＝0.6V， 则电压放大倍数 ＝≈。 图4.3
若负载电阻RL值与RC相等，则带上负载后输出电压有效值 ＝＝V。
4、已知图4.3所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降UCEQ＝6V；并在输出端加负载
10 根据放大电路的组成原则，在下图5所示各电路中只有图_________具备放大条件。
A. a) B. b) C. c) D. d)
图5
11在下图6所示的各放大电路中，能实现正常放大的电路是_________。
图6
12在如图7所示射级偏置电路中，若上偏流电阻Rb1短路，则该电路中的三极管处于______。
用小信号模型可计算Ri为_________。A. 0.852kΩ B. 0.6kΩ C. 10kΩ D. 2.5kΩ
用小信号模型可计算Ro为_________。A. 2kΩ B. 1kΩ C. 1.5kΩ D. 2.5kΩ
19图14所示由PNP型锗三极管组成的共射放大电路的β=150，VCES=0.2V,用H参数小信号模型可求得电压放大倍数为________。 A. -158 B. 78 C. -180 D. 120
A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共极输入特性 D.共基极输出特性
6-10复习题及答案.
第六章基本放大电路一、填空题1、当NPN半导体三极管的正向偏置，反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即极电流能控制极电流。
（发射极，集电极，基，集电）2、根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为，，三种。
（共基电路，共射电路，共集电路）3、三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。
（输入特性，输出特性）4、三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时，与之间的关系。
（IB，VBE ）5、为了保证不失真放大，放大电路必须设置静态工作点。
对NPN管组成的基本共射放大电路，如果静态工作点太低，将会产生失真，应调R B，使其，则I B，这样可克服失真。
（截止，减小，增大）6、三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。
（基极，集电极）7、共射组态既有放大作用，又有放大作用。
（电压，电流）8、画放大器交流通路时，和应作短路处理。
（电容，电源）二、选择题1、工作在放大区域的某三极管，当I B从20μA增大到40μA时，I C从1mA变为2mA则它的β值约为。
（B）A、10B、50C、80D、1002、当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（D）A、增大B、减少C、反向D、几乎为零3、为了使三极管可靠地截止，电路必须满足（D）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏4、测得三极管IB=30μA时，IC = 2.4mA ；IB=40μA时，IC = 1mA，则该管的交流电流放大系数为。
（B）A、80B、60C、75D、1005、晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的。
（C）A、iCB、uCEC、iBD、iE6、下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是。
（B）A、共射接法B、共基接法C、共集接法D、任何接法7、放大电路的三种组态。
（C）A、都有电压放大作用B、都有电流放大作用C、都有功率放大作用D、只有共射极电路有功率放大作用8、晶体管构成的三种放大电路中，没有电压放大作用但有电流放大作用的是（D）A、共集电极接法B、共基极接法C、共发射极接法D、以上都不是三、问答题：1. 放大电路中为什么要设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？答：为了不失真地放大交流信号，必须在电路中设置合适的静态工作点。
《电工电子学》第3章习题答案
第3章习题答案3.2.1 选择题1．晶体管能够放大的外部条件是___C______。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏2．当晶体管工作于饱和状态时，其__A_______。
(a) 发射结正偏，集电结正偏 (b) 发射结反偏，集电结反偏(c) 发射结正偏，集电结反偏3. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。
则该管的为___C______。
(a) 40 (b) 50 (c) 604．反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能___A______。
(a) 越好 (b) 越差 (c) 无变化5．温度升高，晶体管的电流放大系数b___A______。
(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变6．温度升高，晶体管的管压降|UBE|__B_______。
(a) 升高 (b) 降低 (c) 不变7．对PNP型晶体管来说，当其工作于放大状态时，__C______极的电位最低。
(a) 发射极 (b) 基极 (c) 集电极8．温度升高，晶体管输入特性曲线____B____。
(a) 右移 (b) 左移 (c) 不变9．温度升高，晶体管输出特性曲线___A_____。
(a) 上移 (b) 下移 (c) 不变10．温度升高，晶体管输出特性曲线间隔___C_____。
(a) 不变 (b) 减小 (c) 增大11．晶体管共射极电流放大系数b随集电极电流iC___B_____。
(a) 不变化 (b) 有一定变化 (c) 无法判断12.当晶体管的集电极电流时，下列说法正确的是__C_____。
(a) 晶体管一定被烧毁 (b) 晶体管的 (c) 晶体管的一定减小13．对于电压放大器来说，___B____越小，电路的带负载能力越强。
(a) 输入电阻 (b) 输出电阻 (c) 电压放大倍数14．在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则输出与输入电压的相位___B____。
第3章 场效应管及其基本放大电路 参考答案
第 3章 场效应管及其基本放大电路3.1填空题（1）按照结构，场效应管可分为 。
它属于 型器件，其最大的优点是 。
（2）在使用场效应管时，由于结型场效应管结构是对称的，所以 极和 极可互换。
MOS 管中如果衬底在管内不与 极预先接在一起，则 极和 极也可互换。
（3）当场效应管工作于恒流区时，其漏极电流D i 只受电压 的控制，而与电压 几乎无关。
耗尽型D i 的表达式为 ，增强型D i 的表达式为 。
（4）一个结型场效应管的电流方程为2GS D 161mA 4U I=×− ，则该管的DSS I = ，p U = 。
（5）某耗尽型MOS 管的转移曲线如习题3.1.5图所示，由图可知该管的DSS I = ，p U = 。
（6）N 沟道结型场效应管工作于放大状态时，要求GS 0u ≥≥ ，DS u > ；而N 沟道增强型MOS 管工作于放大状态时，要求GS u > ，DS u > 。
（7）耗尽型场效应管可采用 偏压电路，增强型场效应管只能采用 偏置电路。
（8）在共源放大电路中，若源极电阻s R 增大，则该电路的漏极电流D I ，跨导m g ，电压放大倍数 。
（9）源极跟随器的输出电阻与 和 有关。
答案：（1）结型和绝缘栅型，电压控制，输入电阻高。
（2）漏，源，源，漏，源。
（3）GS u ，DS u ，2GS D DSS P 1u i I U =− ，2GS D DO T 1u i I U=−。
（4）16mA ，4V 。
（5）习题3.1.5图4mA ，−3V 。
（6）p U ，GS p u U −，T U ，GS T u U −。
（7）自给，分压式。
（8）减小，减小，减小。
（9）m g ，s R 。
3.2试分别画出习题3.2图所示各输出特性曲线在恒流区所对应的转移特性曲线。
解：3.3在带有源极旁路电容s C 的场效应管放大电路如图3.5.6（a ）所示。
若图中的场效应管为N 沟道结型结构，且p 4V U =−，DSS 1mA I =。
第2章 基本放大电路习题及答案
第2章 基本放大电路一、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论) 1 在基本放大电路的三种组态中：①输入电阻最大的放大电路是 ；②输入电阻最小的放大电路是 ；③输出电阻最大的是 ；④输出电阻最小的是 ； ⑤可以实现电流放大的是 ；⑥电流增益最小的是 ；⑦可以实现电压放大的是 ；⑧可用作电压跟随器的是 ；⑨实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合的是 ；⑩可以实现功率放大的是 。
A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定 2 在由NPN 晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV 的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是 。
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真 3 晶体三极管的关系式i E =f(u EB )|u CB 代表三极管的 。
A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性 4 在由PNP 晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV 的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是 。
A ．饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真5 对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(A.增大，B.减小，C.不变)，选择正确的答案填入空格。
1).R b 减小时，输入电阻R i 。
2).R b 增大时，输出电阻R o 。
3).信号源内阻R s 增大时，输入电阻R i 。
4).负载电阻R L 增大时，电压放大倍数||||o us sU A U 。
5).负载电阻R L 减小时，输出电阻R o 。
6.有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下测得A 的输出电压小。
这说明A 的 。
A.输入电阻大 B.输入电阻小 C.输出电阻大 D.输出电阻小7．三极管的穿透电流I CEO是集-基反向饱和电流的倍. A. a B. 1+β C. β8．如图1所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在______区。
《模拟电子技术基础》习题册
第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
第2章-基本放大电路习题及答案
第2章-基本放大电路习题及答案第2章基本放大电路一、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论)1 在基本放大电路的三种组态中：①输入电阻最大的放大电路是；②输入电阻最小的放大电路是；③输出电阻最大的是；④输出电阻最小的是；⑤可以实现电流放大的是；⑥电流增益最小的是；⑦可以实现电压放大的是；⑧可用作电压跟随器的是；⑨实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合的是；⑩可以实现功率放大的是。
A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是。
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真 D.频率失真3 晶体三极管的关系式i E=f(u EB)|u CB代表三极管的。
A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性4 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，12当输入信号为1kHz,5mV 的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是 。
A ．饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真5 对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(A.增大，B.减小，C.不变)，选择正确的答案填入空格。
1).R b 减小时，输入电阻R i 。
2).R b 增大时，输出电阻R o 。
3).信号源内阻R s 增大时，输入电阻R i 。
4).负载电阻R L 增大时，电压放大倍数||||ouss U A U 。
5).负载电阻R L 减小时，输出电阻R o 。
6.有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下测得A的输出电压小。
这说明A 的 。
A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大 D.输出电阻小7．三极管的穿透电流I CEO 是集-基反向饱和电流的 倍. A. a B. 1+β C. β8．如图1所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在______区。
北京交通大学模拟电子技术习题及解答第三章双极型三极管基本放大电路
第三章双极型三极管基本放大电路3-1 选择填空1.晶体管工作在放大区时，具有如下特点______________。
a. 发射结正偏，集电结反偏。
b. 发射结反偏，集电结正偏。
c. 发射结正偏，集电结正偏。
d. 发射结反偏，集电结反偏。
2．晶体管工作在饱和区时，具有如下特点______________。
a. 发射结正偏，集电结反偏。
b. 发射结反偏，集电结正偏。
《c. 发射结正偏，集电结正偏。
d. 发射结反偏，集电结反偏。
3．在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是______组态。
a. 共射b. 共集c. 共基d. 不确定4．对于题3-1图所示放大电路中，当用直流电压表测得U CE ≈V CC 时，有可能是因为______，测得U CE ≈0时，有可能是因为________。
题3-1图ccR L开路 b. R C 开路 c. R B 短路 d. R B 过小5．对于题3-1图所示放大电路中，当V CC =12V ，R C =2k Ω，集电极电流I C 计算值为1mA 。
用直流电压表测时U CE =8V ，这说明______。
a.电路工作正常b. 三极管工作不正常c. 电容C i 短路d. 电容C o短路 &6.对于题3-1图所示放大电路中，若其他电路参数不变，仅当R B 增大时，U CEQ 将______；若仅当R C 减小时，U CEQ 将______；若仅当R L 增大时，U CEQ 将______；若仅更换一个β较小的三极管时，U CEQ 将______； a.增大 b. 减小 c. 不变 d. 不确定7.对于题3-1图所示放大电路中，输入电压u i 为余弦信号，若输入耦合电容C i 短路，则该电路______。
a.正常放大b. 出现饱和失真c. 出现截止失真d. 不确定 8. 对于NPN 组成的基本共射放大电路，若产生饱和失真，则输出电压_______失真；若产生截止失真，则输出电压_______失真。
模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路
在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路 B．共基电路C．共射电路 D．共集电路晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性对于图所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A.ICEO = ICEO2ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =（1+2）ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图 [ ]在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。
第章基本放大电路习题及答案
第2章基本放大电路、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处，多选或不选按选错论)1在基本放大电路的三种组态中：①输入电阻最大的放大电路是 _________ ;②输入电阻最小的放大电路是 _______ ;③输岀电阻最大的是 _______________ ;④输岀电阻最小的是_____________ ；⑤可以实现电流放大的是 ______________ ;⑥电流增益最小的是_______________ :⑦可以实现电压放大的是__________ ;⑧可用作电压跟随器的是________________ ;⑨实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合的是 __________ ;⑩可以实现功率放大的是 _________________ 。
A.共射放大电路B. 共基放大电路C. 共集放大电路D. 不能确定2在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输岀电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是 _________________ 。
A.饱和失真B. 截止失真C. 交越失真D. 频率失真3晶体三极管的关系式i E=f(U EB)|U CB代表三极管的______________ 。
A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性4在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输岀电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是___________________ 。
A.饱和失真B. 截止失真C. 交越失真D. 频率失真5对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(A.增大，B.减小，C.不变)，选择正确的答案填入空格。
1). R b减小时，输入电阻R i ___________ 。
2).R b增大时，输岀电阻R o ________________ 。
模拟电子技术第4章习题答案
4 基本放大电路自我检测题一．选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。
（A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。
3．H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。
4．图解分析法适用于 大 信号情况。
5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。
（A ．增大， B ．减小，C ．基本不变）（1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ；（2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。
6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。
回答以下问题。
（1）这种失真是 B 失真。
（A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率） （2）为了消除失真，应 B 。
（A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。
R b R c+V CCC 2C 1R Lv iv oT图选择题57. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数 _A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。
（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。
（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。
电工与电子技术基础基本放大电路习题解答重庆科技学院免费
习题5.1试判断如题5.1图所示的各电路能否放大交流电压信号？为什么？题5.1图解：(a)能(b)不能(c)不能(d)能5.2已知如题5.2图所示电路中，三极管均为硅管，且β=50，试估算静态值IB、IC、UCE。
解：（a）IB=12−0.7=75（μA）100+(1+50)×1IC=βIB=3.75（mA）IE=(1+β)IB=3.825（mA）UCE=12−3.75×2−3.825×1=0.75(V)(b)UCC=(IB+IC)×RC+IBRB+UBEUCC−UBE12−0.7IB===16（μA）RB+(1+β)RC200+(1+50)×10IC=βIB=0.8(mA)UCE=12−(0.8+0.016)×10=3.84(V)5.3晶体管放大电路如题5.3图所示，已知UCC=15V，RB=500kΩ，RC=5kΩ，RL=5kΩ，（1）求静态工作点；（2）画出微变等效电路；（3）求电压放大倍数Au、输β=50，rbe=1kΩ。
入电阻ri、输出电阻ro。
题5.2图题5.3图解：(1)IB=UCC−UBE15≈=30（μA）RB500IC=βIB=50×30=1.5(mA)(V)UCE=UCC−IC⋅RC=15−1.5×5=7.5第5章基本放大电路119(2)(3)Au=−βRC//RL=−125rbeRi=RB//rbe≈1(KΩ)RO=RC=5(KΩ)在题5.3图的电路中，已知IC=1.5mA，UCC=12V，β=37.5，rbe=1kΩ，输出端开路，5.4若要求Au=-150，求该电路的RB和RC值。
解：由于Au=−βRC//RLR=−βC=−150rberbeAu=150=β则RC=RCrbe150×1=4(KΩ)37.5U12=300 (KΩ)RB=CC=−6IB40×105.5试问在题5.5图所示的各电路中，三极管工作在什么状态？题5.5图解：(a)IB=ICS6=0.12 (mA)5012==12(mA)1120第5章基本放大电路IBS=ICβ=12=0.24(mA)50因0<IB<IBS,所以三极管处于放大状态。
电子技术习题解答.第2章.基本放大电路及其分析习题解答
第 2 章基本放大电路及其分析习题解答2.1 三极管放大电路为什么要设置静态工作点，它的作用是什么？解：防止产生非线性失真。
2.2 在分压式偏置电路中，怎样才能使静态工作点稳定，发射极电阻的旁路电容C E 的作用是什么，为什么？解：使静态工作点稳定条件l2»l B和V B»U B E。
称为发射极电阻的旁路电容C E 对直流而言，它不起作用，电路通过R E 的作用能使静态工作点稳定；对交流而言，它因与R E并联且可看成短路，所以R E不起作用，保持电路的电压放大倍数不会下降。
2.3 多级放大电路的通频带为什么比单级放大电路的通频带要窄?解：因为多级放大电路的电压放大倍数大于单级放大电路的电压放大倍数，而放大电路的电压放大倍数和通频带的乘积基本为常数，所以多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要窄。
2.4 对于共集电极放大电路，下列说法是否正确?(1) 输出信号方向与输入信号方向相反。
(2) 电压放大倍数小于且约等于1。
(3) 输入电阻大。
(4) 输出电阻小。
解：(1) 不正确。
(2) 、(3) 和(4) 正确。
2.5 放大电路的甲类、乙类和甲乙类三种工作状态各有什么优缺点？解：甲类：静态工作点Q大致落在交流负载线的中点，功率损耗大效率低，不失真。
乙类：静态工作点Q下移到截止区处，功率损耗很小，效率高。
但此时将产生严重的失真。
甲乙类：静态工作点Q下移到接近截止区，功率损耗较小，失真也较小。
2.6 什么是交越失真？如何克服交越失真，试举例说明？解：放大电路工作于乙类状态，因为三极管的输入特性曲线上有一段死区电压，当输入电压尚小，不足以克服死区电压时，三极管就截止，所以在死区电压这段区域内(即输入信号过零时)输出电压为零，将产生失真，这种失真叫交越失真。
为了避免交越失真，可使静态工作点稍高于截止点，即避开死区段，也就是使放大电路工作在甲乙类状态。
2.7为什么增强型绝缘栅场效应管放大电路无法采用自给偏压电路？ 解：因为增强型绝缘栅场效应管的U GS 为正，所以，自给偏压电路不适应增强型绝缘栅场效应管，只适应耗尽型绝缘栅场效应管。
模电(第四版)习题解答
自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
基本放大电路复习题
基本放大电路复习题(共13页) -本页仅作为预览文档封面，使用时请删除本页-第2章基本放大电路一、判断题（正确打“√”，错误打“×”，每题1分）1．只有当电路既放大电流又放大电压时，才称该电路有放大作用。
（）2．可以说任何放大电路都有功率放大作用。
（）3．放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件（晶体管）提供的。
（）4．电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。
（）5．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）6．由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
（）7．在输入信号u作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( )8．放大电路产生饱和失真的原因是直流工作点太低。
( )9．共射极放大器的电压放大倍数为负值，所以共射极放大器没有电压放大作用。
（）是从输出端向放大器看进去的电阻，包括负载电阻。
（）10.放大器的输出电阻RO11.若输入信号为“直流信号”，则用直流通道进行分析电路参数；若输入信号为“交流流信号”，则用交流通道进行分析电路参数。
（）一、判断题答案：(每题1分）1．×；2．√；3．×；4．×；5．√；6．×；7．×；8．×；9．×；10．×；11．×。
二、填空题（每题1分）1．双极型晶体管工作在截止区时，其发射结处于 偏置。
2. 双极型晶体管工作在饱和区时，其发射结处于 偏置，集电结也处于正向偏置。
3. 如图所示是放大器的幅频特性图，其同频带宽度定义为： 。
4. 在画放大器的直流通道时，对于电容器要做 处理。
5. 在画放大器的直流通道时，对于电感器要做 处理。
6. 在画放大器的交流通道时，对于电容器要做 处理。
7. 在画放大器的交流通道时，对于直流电源要做 处理。
8.放大器的静态工作点主要包括：I BQ 、I CQ 和 。
二、填空题答案：（每题1分） 1．反向； 2．正向； 3．LH bw f f f -=；4．开路； 5．短路； 6．短路； 7.接地； 8. U CEQ 。
模拟电子技术答案 第2章 基本放大电路
第2章基本放大电路自测题一．在括号内用“√”和“×”表明下列说法是否正确。
1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。
(×)2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。
(√)3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。
(×)4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
(×)5.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
(√)6.由于放大的对象是变化量，所以当输入直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。
(×)7.只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)二．试分析图T2.2各电路是否能放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
(a) (b) (c)(d) (e) (f)(g) (h) (i)图T2.2解：图(a)不能。
V BB 将输入信号短路。
图(b)可以。
图(c)不能。
输入信号与基极偏置是并联关系而非串联关系。
图(d)不能。
晶体管基极回路因无限流电阻而烧毁。
图(e)不能。
输入信号被电容C 2短路。
图(f)不能。
输出始终为零。
图(g)可能。
图(h)不合理。
因为G -S 间电压将大于零。
图(i)不能。
因为T 截止。
三．在图T2.3 所示电路中，已知12CC V V =, 晶体管β=100，'100b R k =Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
(1)当0i U V =时，测得0.7BEQ U V =，若要基极电流20BQ I A μ=, 则'b R 和W R 之和b R =( ()/CC BEQ BQ V U I - )k Ω≈( 565 )k Ω；而若测得6CEQ U V =，则c R =( ()/CC CEQ BQ V U I β- )≈( 3 )k Ω。
(2)若测得输入电压有效值5i U mV =时， 输出电压有效值'0.6o U V =，则电压放大倍数u A =( /o i U U - )≈( -120 )。
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第2章 基本放大电路一、选择题(注:在每小题的备选答案中选择适合的答案编号填入该题空白处,多选或不选按选错论)1 在基本放大电路的三种组态中：①输入电阻最大的放大电路是 ；②输入电阻最小的放大电路是 ；③输出电阻最大的是 ；④输出电阻最小的是 ；⑤可以实现电流放大的是 ；⑥电流增益最小的是 ；⑦可以实现电压放大的是 ；⑧可用作电压跟随器的是 ；⑨实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合的是 ；⑩可以实现功率放大的是 。
A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2 在由NPN 晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV 的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是 。
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真 3 晶体三极管的关系式i E =f(u EB )|u CB 代表三极管的 。
A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性4 在由PNP 晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV 的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是 。
A ．饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真5 对于基本共射放大电路，试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(A.增大，B.减小，C.不变)，选择正确的答案填入空格。
1).R b 减小时，输入电阻R i 。
2).R b 增大时，输出电阻R o 。
3).信号源内阻R s 增大时，输入电阻R i 。
4).负载电阻R L 增大时，电压放大倍数||||o us s U A U 。
5).负载电阻R L 减小时，输出电阻R o 。
6.有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下测得A 的输出电压小。
这说明A 的 。
A.输入电阻大 B.输入电阻小 C.输出电阻大 D.输出电阻小7．三极管的穿透电流I CEO 是集-基反向饱和电流的??????? 倍. A. a B. 1+β C. β? 8．如图1所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在______区。
如图2所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在______区。
如图3所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在______区。
A. 放大区B.饱和区C. 截止区图1 图2 图3 图49 如图4所示放大电路中，①若R b=100kΩ，Rc=Ω，三极管的β=80，在静态时，该三极管处于_________； A. 放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 D. 倒置工作状态②集电极电阻R c的作用是_________；A. 放大电流 B. 调节I BQC. 防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压D. 调节I CQ③用直流电压表测得V CE≈V CC，可能是因为______；开路短路开路过小④若V CC≈12V, R c＝2kΩ, I C计算值为1mA，用直流电压表测得V CE＝8V，这说明_______；A. 工作正常B. 三极管c－e极间开路C. 三极管b－e极间开路D. 电容C2短路⑤当R c、R b的参数分别为_________时，该电路的静态工作点处在放大区，β=100；A. 5.6kΩ,10kΩB. Ω,510kΩC. Ω,1MΩD. 100kΩ,1MΩ⑥若仅当R b增加时，V CEQ将______；若仅当R c减小时，V CEQ将______；若仅当R L增加时，V CEQ将_____；若仅当β减小（换三极管）时，V CEQ将_____。
A. 增大 B. 减小 C. 不变⑦若该电路原来发生了非线性失真，但在减小R b以后，失真消失了，这失真必是_____；⑧若原来没有发生非线性失真，然而在换上一个β比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是_______； A. 截止失真 B. 饱和失真 C. 双重失真 D. 交越失真⑨设V CC=12V，三极管β=50，V BE=，若要求I CQ=2mA，V CEQ=4V，则R b=______；R c=______。
ΩΩΩΩΩΩ根据放大电路的组成原则，在下图5所示各电路中只有图_________具备放大条件。
A. a)B. b)C. c)D. d)图511在下图6所示的各放大电路中，能实现正常放大的电路是_________。
图612在如图7所示射级偏置电路中，若上偏流电阻R b1短路，则该电路中的三极管处于______。
A. 放大状态B. 饱和状态C. 截止状态D. 倒置工作状态图7 图813 在如图8所示共射放大电路中，三极管β＝50，V BE＝－。
问：当开关与A处相接时，三极管处于_________状态；当开关与B处相接时，三极管处于_________状态。
A. 放大区B.饱和区C. 截止区D. 倒置图1414图9 (b)示出了图9 (a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线，可求得电源电压V CC 为_________。
A. 6V C. 8V D.可求得电阻R b 的值为_________。
A. 420kΩ B. 300kΩ C. 200kΩ D. 268kΩ 可求得电阻R c 的值为_________。
A. 3k Ω B. 5k Ω C. 4k Ω D. Ω 试求输出电压的最大不失真幅度为_________。
A. 1V B. C. 2V D.图915图10所示放大电路中，已知V CC =12V ，R b1=27kΩ，R c =2kΩ，R e =1kΩ，V BE =,现要求静态电流I CQ =3mA ，则R b2=_________。
A. 12kΩ B. 10kΩ C. 8kΩ D. 16kΩ当室温升高时，其V CEQ _______。
A. 增大 B. 减小 C. 不变（或基本不变） D. 不定 16下图所画出对应放大电路的H 参数小信号等效电路正确的为_________。
17共集电极放大电路如图12所示. 设电路中三极管的β=100，V BE =用小信号模型分析法可计算得电路的输入电阻R i 为_________。
A. 3.3kΩ B. Ω C. Ω D. Ω18放大电路如图13所示。
已知图中R b1=10kΩ，R b2=Ω，R c =2kΩ，R e =750Ω，R L =Ω，R s =10kΩ，V CC =15V ，β =150。
设C 1、C 2、C 3都可视为交流短路，用小信号模型分析法可计算 得电路的电压增益A V 为_____。
A. B. 78 C. 80 D. 60用小信号模型可计算R i 为_________。
A. Ω B. Ω C. 10k Ω D. Ω 用小信号模型可计算R o 为_________。
A. 2k Ω B. 1k Ω C. Ω D. Ω 图10图13 图1219图14所示由PNP型锗三极管组成的共射放大电路的β=150，V CES=,用H参数小信号模型可求得电压放大倍数为________。
A. -158 B. 78 C. -180 D. 120用H参数小信号模型可求得输入电阻为_______。
A. 2kΩ B. 4kΩ C. Ω D. 22kΩ用H参数小信号模型可求得输出电阻为_______。
ΩΩ二、填空题1用万用表判别处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
2三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
3温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
4某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K 的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。
5有两个共射极放大电路。
已知A V1=-50（开路电压增益），R i1=2kΩ，R o1=Ω；A V2=–40，R i2=Ω，R o2=10k Ω。
现将两个放大电路用电容耦合到一起构成两级放大电路,并接10kΩ的负载，则两级放大电路的总电压增益A V=_ __ ，输入电阻R i=_ __，输出电阻R o=__ _ ，输出与输入信号的相位______。
三、判断题1．三极管输入电阻r be与静态电流I E的大小有关，因而r be是直流电阻。
（）2．放大电路的静态是指：（1）输入端开路时的状态；（）（2）输入交流信号且幅值为零时的状态。
（）3.共集放大电路的电压放大倍数总是小于1，故不能用来实现功率放大。
（）4. 只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）5. 可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）6. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）7. 电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的；（）8. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）9. 由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）10. 只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）11晶体管的输入电阻r be是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。
（）12在基本共射放大电路中，若晶体管的β增大一倍，则电压放大倍数也相应地增大一倍。
（）图1513．在图15所示电路中，已知晶体管的?＝100，r be ＝1k Ω，i U ＝20mV ；静态时U BEQ ＝，U CEQ ＝4V ，I BQ ＝20μA 。
判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“?”，否则打“×”。
(1)342002010uA -=-=-⨯& ( ) (2)4 5.710.7u A =-≈& ( ) (3)10055001u A ⨯=-=-& ( ) (4)100 2.52501uA ⨯=-=-& ( ) (5)20k Ω1k Ω20i R == ( )(6)0.7k Ω35k Ω0.02i R == ( ) (7)3k Ωi R ≈ ( )(8)1k Ωi R ≈ ( ) (9)o 5k ΩR ≈ ( )(10)o 2.5k ΩR ≈ ( ) (11)20mV S V ≈ ( ) (12)60mV S V ≈ ( ) 四、计算题1、试分析图所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图2分别改正图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图3、在图所示电路中， 已知V CC ＝12V ，晶体管的?＝100，'b R ＝100k Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
（1）当iU &＝0V 时，测得U BEQ ＝，若要基极电流I BQ ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和R b ＝ ≈ k Ω; 而若测U CEQ ＝6V, 则Rc ＝ ≈ k Ω。