【CN109904274A】一种锗硅光电探测器【专利】
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910145564.7
(22)申请日 2019.02.27
(71)申请人 吉林大学
地址 130012 吉林省长春市前进大街2699
号
(72)发明人 宋俊峰 刘小斌 李雪妍 郜峰利
(74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限
公司 11227
代理人 王宝筠
(51)Int.Cl.
H01L 31/107(2006.01)
H01L 31/0352(2006.01)
H01L 31/0224(2006.01)
(54)发明名称
一种锗硅光电探测器
(57)摘要
本发明公开了一种锗硅光电探测器，该锗硅
光电探测器中雪崩区层的大电场由第一Si电极、
第二Si电极、第一电极结构和第二电极结构之间
的电压产生，而Ge吸收区层的电场则是由第Ge电
极和电荷收集区之间的电压产生，这样可以使得
雪崩区层是大电场且Ge吸收区是小电场，极大程
度的降低了暗电流，
进而提高光电转换效率。权利要求书1页 说明书5页 附图3页CN 109904274 A 2019.06.18
C N 109904274
A
权 利 要 求 书1/1页CN 109904274 A
1.一种锗硅光电探测器，其特征在于，所述锗硅光电探测器包括：
基底；
设置在所述基底上的第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层之间存在第一间隔；
设置在所述基底上且位于所述第一间隔内的雪崩区层，所述雪崩区层覆盖所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层的部分表面；
设置在所述雪崩区层背离所述基底一侧的电荷收集层；
设置在所述电荷收集层背离所述雪崩区层一侧的第一电极结构和第二电极结构；
设置在所述第二间隔内的Ge吸收区层，且所述Ge吸收区层分别与所述第一电极结构和所述第二电极结构之间均存在间隔；
设置在所述Ge吸收区层背离所述电荷收集层一侧的第三欧姆接触层；
设置在所述第一欧姆接触层上的第一Si电极，和设置在所述第二欧姆接触层上的第二Si电极；
设置在所述第三欧姆接触层背离所述Ge吸收区层一侧的Ge电极，所述Ge电极为环形结构。
2.根据权利要求1所述的锗硅光电探测器，其特征在于，所述第一电极结构包括：
依次设置在所述电荷收集层背离所述雪崩区层一侧的第一接触层、第四欧姆接触层和第三Si电极。
3.根据权利要求2所述的锗硅光电探测器，其特征在于，所述第二电极结构包括：
依次设置在所述电荷收集层背离所述雪崩区层一侧的第二接触层、第五欧姆接触层和第四Si电极。
4.根据权利要求3所述的锗硅光电探测器，其特征在于，所述第一欧姆接触层、所述第二欧姆接触层、所述第四欧姆接触层和所述第五欧姆接触层均为重掺杂Si类型。
5.根据权利要求3所述的锗硅光电探测器，其特征在于，所述雪崩区层、所述第一接触层和所述第二接触层均为本征Si类型。
6.根据权利要求1所述的锗硅光电探测器，其特征在于，所述第三欧姆接触层为重掺杂Ge类型。
7.根据权利要求1所述的锗硅光电探测器，其特征在于，所述电荷收集区为轻掺杂Si类型。
8.根据权利要求1所述的锗硅光电探测器，其特征在于，所述电荷收集层划分为第一区域、第二区域和第三区域；
所述第一区域位于所述第二区域和所述第三区域之间；
其中，所述第二区域和所述第三区域的掺杂类型相同，且所述第一区域和所述第二区域的掺杂类型相反。
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