模电习题答案 第五版
模电第五版课后答案
模电第五版课后答案第一章电路的基本概念和基本定律1.1 电路的基本概念1.电路是由电子元件、电源和连接线组成的。
2.电路分为直流电路和交流电路两种。
3.电子元件包括电阻、电容和电感等。
4.电路的连接方式有串联和并联。
1.2 电路的基本定律基尔霍夫定律•第一定律：电流在任一节点的进出代数和为零•第二定律：沿着任一回路，电动势之和等于电势降之和电阻定律•奥姆定律：电流通过一个电阻的大小与电阻两端的电压成正比，与电阻本身无关第二章基本电路分析方法和技巧2.1 基本电路分析方法1.求解线性方程组法2.叠加法3.超节点法2.2 基本电路分析技巧1.电流分配定理2.电压分配定理3.电流、电压与功率的关系第三章电路的时间特性3.1 RC电路的时域分析1.RC电路的充放电过程2.RC电路的阶跃响应3.RC电路的脉冲响应3.2 RL电路的时域分析1.RL电路的充放电过程2.RL电路的阶跃响应3.RL电路的脉冲响应第四章电路的频率特性4.1 交流电路的频率特性1.交流电路中的欧姆定律2.交流电路中的电流和电压的相位关系3.交流电路中的功率计算4.2 电阻、电容和电感的频率特性1.电阻的频率特性2.电容的频率特性3.电感的频率特性第五章运算放大电路5.1 差动放大器1.差动放大器的基本原理2.差模增益和共模增益3.差动放大器的共模抑制比5.2 频率和相位响应1.运算放大器的频率响应特性2.运算放大器的相位响应特性5.3 运放的应用电路1.非反馈放大电路2.反馈放大电路3.运放的综合应用以上是《模电第五版》课后答案的一些概要内容，希望对你的学习有所帮助。
详细的答案和解析请参考教材中的原文或者其他辅助教材。
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模拟电子技术基础第五版答案郝艾芳
模拟电子技术基础第五版答案郝艾芳一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( )(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
()(3) PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
()(5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其Rgs大的特点。
()(6)若耗尽型N沟道MOS管的Ugs大于零，则其输入电阻会明显变小。
() 解:(1)√(2)X(3)√(4)X(5)√(6)X二、选择正确答案填入空内。
(1)PN结加正向电压时，空间电荷区将，A.变窄B.基本不变C.变宽(2) 设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是，A.IseuB.IseU/UrC.Is(eUIUr-1)(3)稳压管的稳压区是其工作在。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(5) Uas=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有.A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管解:(1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压Up=0.7V。
解: Uo1≈1.3V，Uo2=0，Uo3≈- 1.3V，Uo4≈2V， Uo5≈ 1.3V，Uo6≈- 2V。
电子技术基础_模拟部分(第五版)习题答案8word格式
电子技术基础模拟部分第五版第八章作业题解答湖呵呵8功率放大电路8.1 功率放大电路的一般问题在甲类r乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导通角分别等于多少？它们中哪一类放大电路效率最高？解：在输入正弦信号情况下，通过三极管的电流％不出现截止状态（即导通角。
=2打）的称为甲类；在正弦信号一个周期中，三极管只有半个周期导通3 = 77）的称为乙类；导通吋间大于半周而小于全周（打<E <2"）的称为甲乙类。
其中工作于乙类的放大电路效率最高，在双电源的互补对称电路中，理想情况下最高效率可达78. 5% D8,3 乙类双电源互补对称功率放大电路&3.1在图题1所示电路中*设丁的0 = 100, V吐二0.7 V, V CES =0.5 V T Z CE0 =0,电容C对交流可视为短路. 输入信号叫为正弦波。
（门计算电路可能达到的最大不失真输岀功率尸叭；（2）此时心应调节到什么数值？（3）此时电路的效率叶二？试与工作在乙类的互补对称电路比较。
解:（1）求尸晌[(%-V CE J/(2Q)『瓦（2）求他考虑到仏二几12 V』5 V"72 A[(12 - O.3)/(2Q)F8W^2+07 W图题8, 3, J下载可编辑1 570 Q (12 - 0, 7) V x 100 0.72 A下载可编辑显然，比工作于乙类的互补对称电路的理想效率低很多。
乩* 2 一双电源互补对称电路如图题艮3.2所示，设已知V cc = 12 V t /?L = 16 0^.为正弦波。
求；(1)在BJT 的饱和压降比岛可以忽略环计的条件F,负 载上可能得到的最大输出功率 2 (2)每个管子允许的管耗耳開至少应为多 少？(。
每个管子的耐压I K (Btt)CE0 |应大于多少？解：⑴输出功率(2)每管允许的管耗P (.M ^0, 2 卩小=0. 2 x4.5 W 二® 9 W(3) 每管的耐压湖呵呵2.07 W12 V xO, 72~A= 24%(RR)CEO孑 2 V cc = 2 x 12 V =24 V8,3+3在图题8.3.2所示电路中，设哲为正弦波”心=8要求最大输出功率巴皿=9 W o 试求在BJT 的惋和压降〈E J 可以 忽略不计的条件下，求：(1)正、负电源％匚的最小 值；(2)根据所求卩优最小值•计算相应的厶“ | V tBRKE J 的最小值；(父)输出功率最大(匕m = 9W)时，电源供给的功率(4)每个管子允许 的管耗戶跡的最小值；(门当输岀功率最大(P 晌二 9 W)时的输入电压有效值中解：(1) V 蔭的最小值 由卩丽金可求得/2X 8 ftx9 W = 12 V(2)心和丨陷讣(的最小值k T1图题8.3.2CM12 V 811|V (BR)C£O >2V CC =2X12 V=24 V设为电流平均值.则匕=2%S =篇2 X (12 V)/ 7T X 8 fl1L46 W(4)P阳的最小值湖呵呵P CM MO. 2P_ =0.2 x9 W =1.8 W(5)输人电压有效值—卩严％/后& 49 V8. 3.4设电路如图题&久2所示，管子在输入信号耳作用下，在一周期内J和轮流导电约180°,电源电压％=20 V,负载肌=8 0,试计算：(D在输人信号=10 V(有效值)时，电路的输岀功率、管耗、直流电源供给的功率和效率；(2)当输人信号叫的幅值为xV cc =20 V时，电路的输出功率、管耗、直流电源供给的功率和效率°解：(1) ^ = 10 V 时V im =M 二QxlO V = 14 V,人"^AV.=14 Vi V2 1 V21 141・输出功率P. =y '--~=y x~W= 12. 25 Wcc每管的管耗V4( 20 xl43, 14一牛)W" 02 W两管的管耗电源供给的功率P T=2P TI = 10. 04 W=巴 5 = 12. 25 + 10. 04 =22. 29 W效率可= )x100% x 100% ^54.96% 厂1J E迅日乙，⑵=20 V时％二血卩貯咯=20 V1V2X on2输出功率巴=斗・占二斗X辛琢=25 W2n L 2 o两管的管耗P T =2P T1二寻(冬-字卜6恋W/电源供给的功率P v = P o + P T = 25 + 6. 85 =31+ 85 WP95效率7?二才x 100% =——- X 100% 弋7& 5%Jr v 3 1 * &58.4甲乙类互补对称功率放大电路& 4.1 一单电源互补对称功放电路如图题8.4. 1所示*设比为正弦波,湖呵呵由H则有图题8解?cc 立6D %为 TH-1 000pFq °~IR100 pF图题8.4.3% D. T2 =甲£ 兔 E ~P & 4. 称电路中 量很大，氏碍情况下k T(2)动态时，若输 应调整哪个电=R 、= 1, 1 kfi, =0 7 V ‘ P CM = 町中任意一个yK cc =6 V,调整乩或町可满 足这一要求。
模拟电子技术(第五版)基础习题答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模拟电子技术基础第五版课后习题答案
模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?v?，二极管导通电压降ud?0.7v。
试画出ui和uo的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当ui?3.7v时，uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时，uo?ui (3) 当ui??3.7v时，uo??3.7v 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。
解：对于（a）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，uao??6v 采用恒压降模型来说，uao??6.7v对于（c）来说，二极管d1是导通的，二极管d2是截止的。
采用理想模型来说，uao?0 采用恒压降模型来说，uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解：（b）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出：2515＝1.5v 18?225?510u右＝15?＝1v140?10u左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为id＝0（c）先将二极管断开，由kvl定律，二极管左右两端电压可求出： 52＝2.5v，u左＝2.5?20?＝0.5v 25?518?210u右＝15?＝1v140?10u左1＝15?由于u右?u左?0.5v，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： t1: 硅管，pnp，11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管，npn，3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管，npn，12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管，pnp，12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管，pnp，14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管，npn，12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（rl??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。
模电第五版课后答案
模电第五版课后答案第一章简介1.1 什么是模拟电子技术？模拟电子技术是研究模拟电子元器件、电路和系统的原理和设计方法的一门学科。
它主要研究电子元器件和电路在连续信号情况下的原理和应用。
1.2 为什么学习模拟电子技术？学习模拟电子技术有以下几个原因：•模拟电子技术在许多领域中都有广泛的应用，比如通信、医疗设备、汽车电子等。
•模拟电子技术是电子技术的基础，掌握了模拟电子技术可以更好地理解和应用其他领域的电子技术。
•对于电子工程师来说，模拟电子技术是必备的基本技能。
第二章模拟电子元器件2.1 电阻器电阻器是一种常见的电子元器件，其主要功能是阻碍电流流过。
常见的电阻器有稳态电阻器、变阻器等。
2.2 电容器电容器是一种存储电荷的元器件。
电容器的主要特性有容量、介质、工作电压等。
2.3 电感器电感器是一种储存电能的元器件。
它主要由线圈组成，具有自感和互感等特性。
第三章模拟电路基础3.1 基本电路元件模拟电路基础中的基本电路元件包括电阻、电容、电感。
3.2 电路定理小结电路定理是研究电路行为和性质的基本理论。
常见的电路定理有欧姆定律、基尔霍夫定律、戴维南定理等。
第四章放大电路基础知识4.1 放大电路的基本概念放大电路是指通过放大输入信号的幅度来获得输出信号的电路。
放大电路常用于信号放大、功率放大等应用。
4.2 放大电路的分类放大电路可以分为线性放大电路和非线性放大电路两大类。
第五章放大电路的分析与设计5.1 放大电路的基本分析方法放大电路的基本分析方法包括小信号模型、频率响应等。
5.2 放大电路的设计方法放大电路的设计方法主要包括增益的设计、频率响应的设计等。
以上是《模电第五版》中第一章至第五章的课后答案摘要。
希望对你的学习有所帮助！。
模电第五版童诗白答案
第四章 集成运算放大电路自 测 题一、选择合适答案填入空内。
（1）集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。
A ．可获得很大的放大倍数 B . 可使温漂小 C ．集成工艺难于制造大容量电容 （2）通用型集成运放适用于放大 。
A ．高频信号 B . 低频信号 C . 任何频率信号（3）集成运放制造工艺使得同类半导体管的 。
A . 指标参数准确 B . 参数不受温度影响 C ．参数一致性好（4）集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以 。
A ．减小温漂 B . 增大放大倍数 C . 提高输入电阻（5）为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。
A ．共射放大电路 B . 共集放大电路 C ．共基放大电路解：（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A二、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果填入括号内。
（1）运放的输入失调电压U I O 是两输入端电位之差。
( ) （2）运放的输入失调电流I I O 是两端电流之差。
( ) （3）运放的共模抑制比cdCMR A A K( ) （4）有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( )（5）在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( ) 解：（1）× （2）√ （3）√ （4）√ （5）×三、电路如图T4.3所示，已知β1=β2=β3=100。
各管的U B E 均为0.7V ，试求I C 2的值。
图T4.3解：分析估算如下： 100BE1BE2CC =--=RU U V I R μAβCC B1C0B2C0E1E2CC1C0I I I I I I I I I I I I R +=+=+====1001C =≈⋅+=R R I I I ββμA四、电路如图T4.4所示。
图T4.4（1）说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放……）；（2）分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻……）。
第一章习题解答(模电康第五版)
解：电压放大电路输出端等效电路
Ro a
+
输出开路时：voc vo
接入负载后：vRL
vo vRo
0.8vo
vo
-
所以 vRo 0ห้องสมุดไป่ตู้2vo
RL b
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设此时输出电流为io，则：
Ro a
io RL vRL 0.8vo
+
io Ro vRo 0.2vo
1.2.1 写出下列正弦波电压信号的表达式（设初始相 角为零）：
（1）峰-峰值10V，频率10kHz； （2）有效值220V，频率50Hz； （3）峰-峰值100mV，周期1ms； （4）峰-峰值0.25V，角频率1000rad/s。
解：vt Vm sin t 2V sin t
（1）vt Vpp sin 2ft 10 sin 2 10103t V
2
2
（2）vt 2V sin 2ft 220 2 sin 2 50tV
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（3）vt
Vpp 2
sin
1.5.6 如图所示电流放大电路的输出端直接与输入
端相连，求输入电阻Ri 。
i2 ii
+
v-s
i1 R1
i1
Ri
解：
Ri
vs ii
i1R1 i1 i2
i1R1
i1 i1
R1
1
回主页 总目录 章目录 上一页 下一页 退出
2
T
t
0.1 2
sin
模拟电子技术基础第五版华成英答案第3章
第3章 多级放大电路自 测 题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B（5）C ，B二、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差B .晶体管参数的分散性C .晶体管参数受温度影响D .电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
A .克服温漂B . 提高输入电阻C .稳定放入倍数 （4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ，共模信号是两个输入端信号的 。
A .差B .和C .平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。
A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使。
A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强解：（1）C，D （2）C （3）A （4）A，C （5）B（6）Cr=100三、电路如图PT3.3所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bbΩ，静态时｜U B E Q｜≈0.7V。
模拟电子技术第五版基础习题与解答
模拟电子技术基础习题与解答2.4.1电路如图题2.4.1所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==（2）求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则 mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆ O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即1.406V ～1.394V 。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω= V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
模电第五版康华光答案
模电第五版康华光答案【篇一：模电康华光思考题题】2.1 集成电路运算放大器2.1.1答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。
中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1，可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即vvo很大，直线几乎成垂直直线。
非线性区由两条水平线组成，此时的vo达到极值，等于v+或者v-。
理想情况下输出电压+vom=v+,-vom=v-。
2.1.3答：集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆，输出电阻r约为100欧姆，开环电压增益avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2.1答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。
2.输出电阻很小，接近零。
3.运放的开环电压增益很大。
2.2.2答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书p27。
2.3 基本线性运放电路2.3.1答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使vn自动的跟从vp，使vp≈vn，或vid=vp-vn≈0的现象称为虚短。
2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间ip=in≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压vi通过r1作用于运放的反相端，r2跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。
由虚短的概念可知，vn≈vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位，称为虚地。
虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使vp≈vn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地vp,vn接近是零。
2.3.2答：由于净输入电压vid=vi-vf=vp-vm,由于是正相端输入，所以vo为正值，vo等于r1和r2的电压之和，所以有了负反馈电阻后，vn增大了，vp不变，所以vid变小了，vo变小了，电压增益av=vo/vi变小了。
模电习题答案(第五版)
湖南人文科技学院 田汉平
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电子技术基础模拟部分 第五版
第九章作业题解答
田汉平
湖南人文科技学院通信与控制工程系
湖南人文科技学院 田汉平
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第五章作业题解答
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电子技术基础(模拟部分)(第5版)习题全解
电子技术基础（模拟部分）（第5版）习题全解电子技术基础（模拟部分）（第5版）习题全解电子技术基础（模拟部分）（第5版），是电子工程师必备的习题书。
本书辅以详细的计算与推导，指出常见的模拟电路解决方案。
本文将就第5版书中提供的习题做出讲解，全面解析如下：一、多电平传输技术1、模拟传输中可产生的不同电平：当输入信号的相位发生变化时，可在输出信号电平上产生多种不同的变化。
当高低电平有跃变时，其输出信号就会涵盖多种电平，比如2电平、4电平、8电平等。
2、多电平传输的使用：多电平传输技术的种类极其多样，可满足不同的传输需求。
比如，可应用于4G LTE、WiMax、802.11b/g/n、商业双向宽带、无线局域网、IEEE802网络、自适应宽带等。
二、脉冲宽度调制技术1、基本概念：脉冲宽度调制（PWM）是模拟电子技术中一种重要的调制技术，通过更改输出的脉冲宽度来表示信号的不同变化。
2、技术应用：PWM技术可用于模拟调制，比如可应用于伺服电机控制、音频放大器控制、功率放大器控制、绿色能源系统、直流调速系统等场景。
三、开关电源和交流-直流转换技术1、基本概念：开关电源是通过改变一个开关要么关闭要么打开来产生电压的电源，它可以快速的达到高效率以及高功率密度输出。
交流-直流转换技术则是借助半导体技术，将交流电变换成直流电的技术。
2、实际应用：开关电源和交流-直流转换技术广泛应用于各种电子设备，比如手机、笔记本电脑、LED显示屏、液晶显示器、电源模块、测试仪器、车载电子设备等领域。
四、模振荡器技术1、基本概念：模振荡器技术是模拟电子技术中重要的一项，它依靠振荡电路中固定的电路以及积分电容，从而获得交流振荡信号的技术。
2、应用场景：模振荡器技术具有很好的应用前景，它可以用于模拟信号发生器、信号补偿技术、ADC输入和DAC输出、声音编解码技术等领域。
综上所述，电子技术基础（模拟部分）（第5版）书中提供的习题涵盖广泛，从多电平传输技术、脉冲宽度调制技术、开关电源和交流-直流转换技术、模振荡器技术等形式，为读者全面深入的了解模拟电子技术提供帮助。
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第三章作业题解答
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电子技术基础模拟部分 第五版
第十章作业题解答
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第六章作业题解答
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第一章作业题解答
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第二章作业题解答
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第九章作业题解答
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