传感器期末复习题及答案

传感器复习题

1 变间隙式电容传感器的非线性误差与极板间初始距离

d0 之间是（ B ）。

A 正比关系

B 反比关系

C 无关系 2、下列不属于电容式传感器测量电路的是（

D ） A.调频测量电路 B •运算放大器电路 C •脉冲宽度调制电路

D •相敏检波电路 3、 霍尔元件不等位电势产生的主要原因不包括（ C ） A. 霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位上

B. 半导体材料不均匀造成电阻率不均匀或几何尺寸不均匀

C. 周围环境温度变化

D. 激励电极接触不良造成激励电流不均匀分配 4、 下面不属于不等位电势 U0产生原因的是（C 霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上； 半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或几何尺寸不均匀； 元件由金属或绝缘体构成 ； 激励电极接

触不良造成激励电流不均匀分布等。 A ）。 A 、

B 、

C 、

D 、 5、关于霍尔传感器说法不正确的是（ A 、

6、 7、

8

、 9、

B

、

C 、

D 、

霍尔片越厚，霍尔传感器输出灵敏度越大 霍尔片越薄，霍尔传感器输出灵敏度越大 霍尔传感器可以作测量元件 霍尔传感器可以作开关元件 两个压电元件相串联与单片时相比说法正确的是（ A. B. C. D.

串联时输出电压不变，电荷量与单片时相同 串联时输出电压增大一倍，电荷量与单片时相同 串联时电荷量增大一倍，电容量不变 串联时电荷量增大一倍，电容量为单片时的一半 C ）原理。 压阻效应 逆压电效应 用于厚度测量的压电陶瓷器件利用了（ A. 磁阻效应 B. C. 正压电效应 D. 在运算放大器放大倍数很大时，压电传感器输入电路中的电荷放大器的输出电压与 （ A ）成正比。 A.输入电荷 C.电缆电容 石英晶体在沿电轴 A.不产生压电效应 B. D. X 方向的力作用下会（ B. 反馈电容 放大倍数 D ） 产生逆向压电效应 C. 产生横向压电效应 10、关于压电式传感器

中压电元件的连接， 与单片相比，并联时电荷量增加与单片相比，串联时电荷量增加 与单片相比，并联时电荷量不变、 与单片相

比，串联时电荷量不变、 甘 基 A ． B. C ． D. D ．产生纵向压电效应 以下说法正确的是（ 1 倍、电容量增加 1 倍、电容量增加 电容量减半、输出电压增大 电容量减半、输出电压不变 11．下列光电器件中，基于光电导效应工作的是（

B ） A ．光电管

B ．光敏电阻

C ．光电倍增管

D ．光电池

A ） 1 倍、输出电压不变 1 倍、输出电压增大 1倍 1倍

12、封装在光电隔离耦合器内部的是（D)

A. —个发光二极管和一个发光三极管

B. —个光敏二极管和一个光敏三极管

C.两个发光二极管或两个光敏三极管

D. —个发光二极管和一个光敏三极管

13、光电二极管工作是需（B)

A 、加正向工作电压B、加反向工作电压

C、不需加电压

D、正、反电压都可以

14、有关光敏电阻的描述，正确的是（A)

A、暗电阻大 B 、亮电阻大

C、一样大 D 、无法比较

15、基于外光电效应的光电器件有（ A ）

A、光电倍增管

B、光电池

C、光敏电阻

D、发光二极管

16、利用内光电效应原理制成的光电元件是（D ）。

A.光电管 B •光电倍增管

C.光电池 D .光敏电阻

17、下列器件中是基于外光电效应制成的是 C 。

A光敏电阻B 光电池C 光电倍增管 D 光敏晶体管

18光敏电阻的特性是（D ）

A .有光照时亮电阻很大

B .无光照时暗电阻很小

C .无光照时暗电流很大 D.受一定波长范围的光照时亮电流很大

19、基于光生伏特效应工作的光电器件是（ C ）

A.光电管

B. 光敏电阻

C.光电池

D. 光电倍增管

1. 把一导体（或半导体）两端通以控制电流I，在垂直方向施加磁场B,在另外两侧会产生

一个与控制电流和磁场成比例的电动势，这种现象称霍尔效应，这个电动势称为霍尔电势。________

外加磁场使半导体（导体）的电阻值随磁场变化的现象成磁阻效应。

2. 某些电介质当沿一定方向对其施力而变形时内部产生极化现象，同时在它的表面产生符号

相反的电荷，当外力去掉后又恢复不带电的状态，这种现象称为正压电效应; 在介质极化方

向施加电场时电介质会产生形变，这种效应又称逆压电效应。

3. 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应；入射光强改变物质导电率的现象

称光电导效应；半导体材料吸收光能后在PN结上产生电动式的效应称光生伏特效应。

4. 不同的金属两端分别连在一起构成闭合回路，如果两端温度不同，电路中会产生电动势，

这种现象称热电效应；若两金属类型相同两端温度不同，加热一端时电路中电动势 E =0。

5、光电传感器的理论基础是光电效应。通常把光线照射到物体表面后产生的光电效应分为

三类。第一类是利用在光线作用下光电子逸出物体表面的外光电效应,这类元件有光电管、

光电倍增管;第二类是利用在光线作用下使材料内部电阻率改变的内光电效应，这类元件有光敏电阻;第三类是利用在光线作用下使物体内部产生一定方向电动势的光生伏特效应, 类元件有光电池、光电仪表。

6、热电偶所产生的热电势是两种导体的接触电势和单一导体的温差电势组成的，其表达式

为Eab（T, To）=k

（T T°）l n鉴；0（A B）d T。在热电偶温度补偿中补偿导线法e N B

（即冷端延长线法）是在连接导线和热电偶之间, 接入延长线,它的作用是将热电偶的参考

端移至离热源较远并且环境温度较稳定的地方，以减小冷端温度变化的影响。

7、压磁式传感器的工作原理是：某些铁磁物质在外界机械力作用下，其内部产生机械压力,

从而引起极化现象，这种现象称为正压电效应。相反，某些铁磁物质在外界磁场的作用下会产生机械变形，这种现象称为负压电效应。

8、变气隙式自感传感器，当街铁移动靠近铁芯时，铁芯上的线圈电感量增加。

9. 螺线管式差动变压器式传感器理论上讲，衔铁位于中心位置时输出电压为零，而实际上差动变压器输出电压不为零，我们把这个不为零的电压称为零点残余电压; 利用差动变压器

测量位移时，如果要求区别位移方向（或正负）可采用相敏检波电路。

1什么是霍尔效应？霍尔电势与哪些因素有关？

在置于磁场的导体或半导体中通入电流，若电流与磁场垂直，则在与磁场和电流都垂直的

方向上会出现一个电势差，这种现象就是霍尔效应，是由科学家爱德文•霍尔在1879年发现的。产生的电势差称为霍尔电压。

2. 什么叫做热电动势、接触电动势？

热电动势：两种不同材料的导体（或半导体）A、B串接成一个闭合回路，并使两个结点

处于不同的温度下，那么回路中就会存在热电势。因而有电流产生相应的热电势称为温差电势或塞贝克电势，通称热电势。

接触电动势：接触电势是由两种不同导体的自由电子，其密度不同而在接触处形成的热电势。它的大小取决于两导体的性质及接触点的温度，而与导体的形状和尺寸无关。

3什么是压电效应？什么是正压电效应和逆压电效应？

某些电介质在沿一定的方向受到外力的作用变形时，由于内部电极化现象同时在两个表面上

产生符号相反的电荷，当外力去掉后，恢复到不带电的状态；而当作用力方向改变时，电荷

的极性随着改变。晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。这种现象称为正压电效应。