【CN110167221A】一种陶瓷加热片及其制备方法【专利】

(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910356490.1
(22)申请日 2019.04.29
(71)申请人 中研香诚（北京）科技有限公司
地址 100000 北京市海淀区上地信息路26
号5层0511室
(72)发明人 向军　杜刚　王洋　
(74)专利代理机构 广州市红荔专利代理有限公
司 44214
代理人 王贤义　何承鑫
(51)Int.Cl.
H05B 3/28(2006.01)
C04B 35/10(2006.01)
C04B 35/622(2006.01)
A24F 47/00(2006.01)
(54)发明名称
一种陶瓷加热片及其制备方法
(57)摘要
本发明提供了一种性能均匀、导热率高、使
用寿命长的陶瓷加热片及其制备方法。

本发明陶
瓷加热片包括加热电路层（1），在所述加热电路
层（1）的两侧叠合烧制有陶瓷基材层（2），按质量
百分比计算，所述陶瓷基材层包括以下组分：α-
Al 2O 3 65-80wt%，ZrO 2 18-33wt%，MgO 0.1-
0.3wt%，SiO 2 0.2-0.5wt%，CaO 0.01-0.5wt%，
Y 2O 3 0.5-1.5wt%；上述陶瓷加热片的制备方法
包括以下步骤：将加热电路层设置在两层陶瓷基
材之间，采用高温共烧技术而制得。

本发明可应
用于电子烟领域。

权利要求书1页 说明书3页 附图1页CN 110167221 A 2019.08.23
C N 110167221
A
权　利　要　求　书1/1页CN 110167221 A
1.一种陶瓷加热片，包括加热电路层（1），其特征在于，在所述加热电路层（1）的两侧叠合烧制有陶瓷基材层（2），按质量百分比计算，所述陶瓷基材层包括以下组分：α-Al2O3 65-80wt%，ZrO2 18-33wt%，MgO 0.1-0.3wt%，SiO2 0.2-0.5wt%，CaO0.01-0.5wt%，Y2O3 0.5-1.5wt%。

2.根据权利要求1所述的一种陶瓷加热片，其特征在于，按质量百分比计算，所述陶瓷基材层包括以下组分：
α-Al2O3 79.19wt%，ZrO2 20wt%，MgO 0.1wt%，SiO2 0.2wt%，CaO 0.01wt%，Y2O3 0.5wt%。

3.根据权利要求1所述的一种陶瓷加热片，其特征在于，按质量百分比计算，所述陶瓷基材层包括以下组分：
α-Al2O3 65.2wt%，ZrO2 32wt%，MgO 0.3wt%，SiO2 0.5wt%，CaO 0.5wt%，Y2O3 1.5wt%。

4.根据权利要求1所述的一种陶瓷加热片，其特征在于，按质量百分比计算，所述陶瓷基材层包括以下组分：
α-Al2O3 74.3wt%，ZrO2 24wt%，MgO 0.2wt%，SiO2 0.3wt%，CaO 0.2wt%，Y2O3 1wt%。

5.一种如权利要求1所述的陶瓷加热片的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
a.按质量百分比秤取α-Al2O3 、ZrO2和Y2O3 混合成粉体，同时添加入占粉体1.4wt%的分散剂和占粉体20.8wt%的溶剂进行混合球磨，球磨3天；
b.继续按质量百分比加入MgO 、SiO2 和CaO进行混合球磨，待中位粒径磨减至0.3～0.5μm后加入占粉体30wt%的溶剂、占粉体3.8wt%的塑性剂和占粉体9.5wt%的粘结剂球磨2天，出料流延，流延生坯厚度0.2～0.23mm；
c.印刷Pt浆后温水等静压25MPa叠层，然后在65～70℃环境下热切割；
d.切割后不分片整版烧结，烧结温度1600～1630℃保温2h，烧结厚度0.25～0.5mm；
e.烧结完成后在850～900℃环境下焊银丝引线，最后通电检测加热片耐高电压性能，制备完成。

6.根据权利要求5所述的陶瓷加热片的制备方法，其特征在于：在步骤e中，在完成银丝引线焊接步骤后，还包括打磨加热片头部外形及开刃口步骤。

7.根据权利要求5所述的陶瓷加热片的制备方法，其特征在于：在步骤e中，通电检测加热片耐高电压性能时的通电电压值6～8V，通电检测时间为15s。

2。