第四章微电子封装基板技术(1)

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微电子封装的技术ppt

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后段封装流程
划片
装片
将制造好的半导体芯片从晶圆上分离出来, 成为独立的个体。
将独立的半导体芯片按照一定的顺序和方式 装入封装壳内。
引线键合
打胶
通过金属引线将半导体芯片的电极与封装壳 的引脚相连,实现电路连接。
用环氧树脂等材料将半导体芯片和引线进行 固定和密封,以保护内部的电路。
封装测试流程
功能测试
信号完整性
高速信号传输过程中需要考虑信号完整性,包括 信号幅度、时间、相位等因素。
时序优化
高速信号传输需要优化时序关系,确保信号传输 的稳定性和可靠性。
高性能化趋势
多核处理器
采用多核处理器技术,提高计 算速度和性能。
GPU加速
采用GPU加速技术,提高图像处 理、人工智能等应用的性能。
存储器集成
将存储器与处理器集成在同一封装 内,提高数据处理速度和性能。
陶瓷材料
具有高导热、高绝缘、高强度和化学稳定性等特点,是微电子封装中应用最广泛 的材料之一,包括氧化铝、氮化硅和碳化硅等。
塑料材料
具有成本低、易加工和重量轻等特点,是微电子封装中应用最广泛的材料之一, 包括环氧树脂、聚酰亚胺和聚醚醚酮等。
最新封装设备
自动测试设备
用于检测芯片的性能和质量,包括ATE(Automatic Test Equipment)和ETE(Electronic Test Equipment)等。
其他领域
医疗设备
微电子封装技术可以实现医疗设备的信号传输和处理,提高医 疗设备的性能和稳定性。
航空航天
微电子封装技术可以实现航空航天设备的信号传输和处理,提高 航空航天的性能和稳定性。
智能家居
微电子封装技术可以实现智能家居设备的信号传输和处理,提高 智能家居的性能和稳定性。

微电子封装技术

微电子封装技术

微电子封装技术第一章绪论1、封装技术发展特点、趋势。

(P8)发展特点:①、微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展,引脚由四边引出向引出向面阵列排列发展;②、微电子封装向表面安装式封装(SMP)发展,以适合表面安装技术(SMT);③、从陶瓷封装向塑料封装发展;④、从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。

发展趋势:①、微电子封装具有的I/O引脚数将更多;②、应具有更高的电性能和热性能;③、将更轻、更薄、更小;④、将更便于安装、使用和返修;⑤、可靠性会更高;⑥、性价比会更高,而成本却更低,达到物美价廉。

2、封装的功能(P19)电源分配、信号分配、散热通道、机械支撑和环境保护。

3、封装技术的分级(P12)零级封装:芯片互连级。

一级封装:将一个或多个IC芯片用适宜的材料(金属、陶瓷、塑料或它们的组合)封装起来,同时在芯片的焊区与封装的外引脚间用如上三种芯片互连方法(WB、TAB、FCB)连接起来使之成为有实用功能的电子元器件或组件。

二级封转:组装。

将上一级各种微电子封装产品、各种类型的元器件及板上芯片(COB)一同安装到PWB或其它基板上。

三级封装:由二级组装的各个插板或插卡再共同插装在一个更大的母板上构成的,立体组装。

4、芯片粘接的方法(P12)只将IC芯片固定安装在基板上:Au-Si合金共熔法、Pb-Sn合金片焊接法、导电胶粘接法、有机树脂基粘接法。

芯片互连技术:主要三种是引线键合(WB)、载带自动焊(TAB)和倒装焊(FCB)。

早期有梁式引线结构焊接,另外还有埋置芯片互连技术。

第二章芯片互连技术(超级重点章节)1、芯片互连技术各自特点及应用引线键合:①、热压焊:通过加热加压力是焊区金属发生塑性形变,同时破坏压焊界面上的氧化层使压焊的金属丝和焊区金属接触面的原子间达到原子引力范围,从而使原子间产生引力达到键合。

两金属界面不平整,加热加压可使上下金属相互镶嵌;加热温度高,容易使焊丝和焊区形成氧化层,容易损坏芯片并形成异质金属间化合物影响期间可靠性和寿命;由于这种焊头焊接时金属丝因变形过大而受损,焊点键合拉力小(<0.05N/点),使用越来越少。

第四代微电子封装技术—TVS技术及其发展精选全文

第四代微电子封装技术—TVS技术及其发展精选全文

可编辑修改精选全文完整版第四代微电子封装技术—TVS技术及其发展随着微电子制造由二维向三维发展,三维芯片堆叠的封装方式成为发展的必然方向。

但是使用传统金线键合的三维电路封装技术不仅会占用大量空间,同时会增加能耗、降低运行速度。

因此,可实现芯片直接互联的TSV技术孕育而生。

TSV技术可以使微电子封装达到最密连接,三维尺寸达到最小;同时TSV技术降低了连接长度,可有效降低芯片能耗,提高运行速度。

在DRAM芯片制造中使用TSV技术可以使IC器件的性能大幅度提高,其中基于TSV技术开发的混合存储立方体(HMC)可以使存储器性能提高20倍,而体积和能耗缩小到原有1/10。

但由于TSV技术本身的缺点使其商业化过程步履艰难。

而TSV技术最大的缺点还是在于成本太高。

标签:微电子封装;TSV;金属化;键合;DRAM引言自1965年“摩尔定律”[1]提出以来,微电子器件的密度几乎沿着“摩尔定律”的预言发展。

到了今天,芯片特征尺寸达到22nm,再想通过降低特征尺寸来提高电路密度不仅会大幅提高成本,还会降低电路的可靠性。

为了提高电路密度,延续或超越“摩尔定律”,微电子制造由二维向三维发展成为必然。

其方法之一就是将芯片堆叠以后进行封装,由此产生了三维电路封装技术(3D IC packaging)。

三维电路封装技术中,芯片电极是通过金线键合的技术来实现电路的导通。

如图1a所示,随着芯片叠层的增加,键合金线将占用大量的空间。

同时由于连接的延长使得电路能耗升高、速度降低。

因此,业界需要一种方法,能够使得硅芯片在堆叠的同时实现电路的导通,从而避免采用硅芯片以外的线路连接。

传统半导体工艺主要是针对硅圆片表明进行加工并形成电路,而要实现硅芯片上下层之间的连接,需要一种能贯通硅芯片的加工工艺,即TSV技术(图1b)。

早在1958年,半导体的发明人William Shockley,在其专利中就提到过硅通孔的制备方法[2]。

而TSV(through-silicon via)工艺的概念在1990年代末才提出,香港应用技术研究院和台湾半导体制造公司于1998年申请相关美国专利[3,4],而关于TSV技术最早的论文发表于2000年[5]。

微电子封装中的薄膜技术

微电子封装中的薄膜技术
第四章:微电子封装中 的膜技术
外围元件 互联线
Die attach
一.电子封装工程中至关重要的 膜材料及膜技术
薄膜与厚膜 膜及膜电路的功能 薄膜材料 薄膜成膜方法 厚膜材料 厚成膜方法 电路图形的成型方法
1.薄膜与厚膜
相对于三维块体材料,从一般意义上讲,所谓膜, 由于其厚度尺寸很小,可以看做是物质的二维形 态。
劣化模式是上述各种机制的组合,平均故障时间 MTF(mean time to failure)与微观的结构因子数 相关,特别是导体的长度和宽度、平均粒径与粒径 的分布、晶体学取向、晶界特性等影响很大。
导体膜劣化及可靠性
为了增加MTF,在条件允许的情况下应尽量采取
如下措施:
① 减少导体长度; ② 增加导体膜的宽度和厚度; ③ 增加膜层的平均粒度等。扩散系数 大很多。膜层中大量存在有晶界,晶界中离子的活动性与各 个晶粒的晶体的晶体学取向有关,特别是当许多晶粒的晶体 学取向不一致时,易于离子迁移。
其二,晶粒取向与外加电场之间的角度,因场所不同而 异。
其三,当传导电子从大晶粒一侧向小晶粒一侧移动时, 由于界面处也发生离子的迁移,因而引起小晶粒一侧空位的 积蓄等。
以Ti为底层的Ti-Au系,对于所有种类的基板都显 示出相当高的附着力,但在250~350℃不太高的温 度下即形成化合物,使Ti膜的特性变差,由此造成 电阻值增加。往往在Au与Ti之间加入Pt阻挡层。
导体膜劣化及可靠性
成膜后造成膜异常的主要原因有两个:
① 由于严重的热适配,存在过剩应力状态,膜层从通常的 基板或者Si、 SiO2 膜表面剥离,造成电路断线;
按膜厚对膜的经典分类认为,小于1μm的为薄膜 大于1μm的为厚膜。
按制作方法分类,由块体材料制作的,例如经轧 制、锤打、碾压等,为厚膜;而由膜的构成物

微电子封装技术讲义06.07[1]

微电子封装技术讲义06.07[1]
如下图所示:
二、集成电路(IC)
集成电路: 半导体晶片经过平面工艺加工制造成
元件、器件和互连线、并集成在基片表面、 内部或之上的微小型化电路或系统。
通常所说的“芯片”是指封装好的集 成电路。 如果不能生产芯片, 就好像我 们盖房子的水平已经不错了,但是,盖房子 所用的砖瓦还不能生产一样,要命的是, 这个“砖瓦”还很贵。一般来说,“芯片” 成本最能影响电子产品整机的成本。
5、环境保护:半导体器件和电路的许多参数, 以及器件的稳定性、可靠性都直接与半导体表面的状 态密切相关。半导体器件和电路制造过程中的许多工 艺措施也是针对半导体表面问题的。半导体芯片制造 出来后,在没有将其封装之前,始终都处于周围环境 的威胁之中。在使用中,有的环境条件极为恶劣,必 须将芯片严加密封和包封。所以,微电子封装对芯片 的环境保护作用显得尤为重要。
用墨点标注的芯 片(随机和无功 能的芯片)
光刻对 准标记
用墨点标注的芯 片(边缘芯片和 无功能的芯片)
测试芯片
分离芯片 的划片线
边缘芯片 (100mm直径晶 圆片留6mm)
硅圆片的规格
直径小于150MM的圆片,要在晶锭的整个长度上沿 一定的晶向磨出平边,以指示晶向和掺杂类型:直径更 大的圆片,在边缘磨出缺口。
(2) 锯片法:厚晶片的出现使得锯片法的发展成 为划片工艺的首选方法。此工艺使用了两种技术, 并且每种技术开始都用钻石锯片从芯片划线上经过。 对于薄的晶片,锯片降低到晶片的表面划出一条深 入1/3晶片厚度的浅槽。芯片分离的方法仍沿用划片 法中所述的圆柱滚轴加压法。第二种划片的方法是 用锯片将晶片完全锯开成单个芯片。
三、 光刻
光刻:指用光技术在晶圆上刻蚀电路,IC生产 的主要工艺手段。
四、 前道工序

第四讲微系统封装技术-倒装焊技术ppt课件

第四讲微系统封装技术-倒装焊技术ppt课件
凸点的制作
UBM 凸点形成
Pb/Sn bump Si Chip
Solder Wetting Layer Adhesion / Barrier Layer Al pad
Passivation Layer
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
第一步:凸点底部金属化 (UBM)
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
该技术是在铝的表面沉积一层锌,以防止铝发生氧化,该技术的反应原理如下:
经营者提供商品或者服务有欺诈行为来自的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
锌酸盐处理步骤
• 清洗:清理铝表面的轻度污染,通常采用碱性清洗剂。
优点: 1.互连线很短,互连产生的电容、电阻电感比引线键合和载带自动焊小得多。从而 更适合于高频高速的电子产品。 2.所占基板面积小,安装密度高。可面阵布局,更适合于多I/O数的芯片使用。 3.提高了散热热能力,倒装芯片没有塑封,芯片背面可进行有效的冷却。 4.简化安装互连工艺,快速、省时,适合于工业化生产。 缺点: 1.芯片上要制作凸点,增加了工艺难度和成本。 2.焊点检查困难。 3.使用底部填充要求一定的固化时间。 4.倒装焊同各材料间的匹配所产生的应力问题需要解决。

微电子封装的关键技术及应用前景论文

微电子封装的关键技术及应用前景论文

微电子封装的关键技术及应用前景论文近年来,各种各样的电子产品已经在工业、农业、国防和日常生活中得到了广泛的應用。

伴随着电子科学技术的蓬勃发展,使得微电子工业发展迅猛,这很大程度上是得益于微电子封装技术的高速发展。

这样必然要求微电子封装要更好、更轻、更薄、封装密度更高,更好的电性能和热性能,更高的可靠性,更高的性能价格比,因此采用什么样的封装关键技术就显得尤为重要。

1.微电子封装的概述1.1微电子封装的概念微电子封装是指利用膜技术及微细加工技术,将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接,引出连线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺。

在更广的意义上讲,是指将封装体与基板连接固定,装配成完整的系统或电子设备,并确定整个系统综合性能的工程【1】。

1.2微电子封装的目的微电子封装的目的在于保护芯片不受或少受外界环境的影响,并为之提供一个良好的工作条件,以使电路具有稳定、正常的功能。

1.3微电子封装的技术领域微电子封装技术涵盖的技术面积广,属于复杂的系统工程。

它涉及物理、化学、化工、材料、机械、电气与自动化等各门学科,也使用金属、陶瓷、玻璃、高分子等各种各样的材料,因此微电子封装是一门跨学科知识整合的科学,整合了产品的电气特性、热传导特性、可靠性、材料与工艺技术的应用以及成本价格等因素。

2微电子封装领域中的关键技术目前,在微电子封装领域中,所能够采用的工艺技术有多种。

主要包括了栅阵列封装(BGA)、倒装芯片技术(FC)、芯片规模封装(CSP)、系统级封装(SIP)、三维(3D)封装等(以下用简称代替)【2】。

下面对这些微电子封装关键技术进行一一介绍,具体如下:2.1栅阵列封装BGA是目前微电子封装的主流技术,应用范围大多以主板芯片组和CPU等大规模集成电路封装为主。

BGA的特点在于引线长度比较短,但是引线与引线之间的间距比较大,可有效避免精细间距器件中经常会遇到的翘曲和共面度问题。

PPT微电子封装技术讲义

PPT微电子封装技术讲义
02
金属材料的可靠性较高,能够承 受较高的温度和压力,因此在高 集成度的芯片封装中广泛应用。
高分子材料
高分子材料在微电子封装中主要用于 绝缘、密封和塑形。常见的高分子材 料包括环氧树脂、聚酰亚胺、聚四氟 乙烯等,它们具有良好的绝缘性能和 化学稳定性。
高分子材料成本较低,加工方便,因 此在低端和大规模生产中应用较广。
板级封装
1
板级封装是指将多个芯片或模块安装在同一基板 上,并通过基板与其他器件连接的系统封装类型。
2
板级封装具有制造成本低、易于维修和更换等优 点,因此在消费电子产品中应用广泛。
3
常见的板级封装类型包括双列直插式封装 (DIP)、小外形封装(SOP)、薄型小外形封 装(TSOP)等。
系统级封装
系统级封装是指将多个芯片、模块和其他元器件集成在一个封装体内,形成一个完 整的系统的封装类型。
微电子封装技术的应用领域
通信
高速数字信号处理、 光通信、无线通信等。
计算机
CPU、GPU、内存条 等计算机硬件的封装 和互连。
消费电子
智能手机、平板电脑、 电视等消费电子产品 中的集成电路封装。
汽车电子
汽车控制单元、传感 器、执行器等部件的 封装和互连。
医疗电子
医疗设备中的传感器、 控制器、执行器等部 件的封装和互连。
详细描述
芯片贴装是将微小芯片放置在基板上的过程,通常使用粘合剂将芯片固定在基板 上,以确保芯片与基板之间的电气连接。这一步是封装工艺中的关键环节,因为 芯片的正确贴装直接影响到后续的引线键合和整体封装质量。
引线键合
总结词
引线键合是将芯片的电路与基板的电路连接起来的工艺过程。
详细描述
引线键合是通过物理或化学方法将芯片的电路与基板的电路连接起来的过程。这一步通常使用金属线或带状线, 通过焊接、超声波键合或热压键合等方式将芯片与基板连接起来,以实现电气信号的传输。引线键合的质量直接 影响着封装产品的性能和可靠性。

微电子封装技术第4章 厚薄膜技术

微电子封装技术第4章 厚薄膜技术

4.1 厚膜技术
传统的金属陶瓷厚膜浆料主要有4种成分:(确定 膜的功能)、粘贴成分(提供与基板的粘贴及使有效物 质颗粒保持悬浮状态的基体)、有机黏着剂(提供丝网 印刷的合适流动性)和溶剂或稀释剂(决定黏度)。
4.1 厚膜技术
工艺流程
生产厚膜电路的基本工艺流程是丝网印刷、厚膜材 料的干燥和烧结。
丝网印刷工艺是将浆料涂布在基板上,干燥工艺的 作用是在烧结前从浆料中去除挥发性的溶剂,烧结工艺 是使粘贴剂发挥作用将印刷图形粘贴在基板上。
厚膜材料主要包括:厚膜导体材料、厚膜电阻材料 、厚膜介质材料、釉面材料和厚膜基板等。
4.1 厚膜技术
厚膜材料:厚膜导体材料
厚膜导体材料实现以下各种功能:①在电路节点之 间提供导电布线;②提供元器件与膜布线及与更高一级 组装的互连;③必须提供连接区域以连接厚膜电阻;④ 必须提供多层电路导体层之间的连接。
厚膜 2400~24000nm 直接工艺:丝网印刷、干燥和烧结 无须使用化学刻蚀或镀液 无需回收贵金属 低成本的多层工艺 使用几种不同方块电阻率的材料 能承受苛刻环境和高温的稳定电阻 高TCR电阻 线条分辨率为125~250μm 初始设备投资低 线条清晰度不好,不适于RF应用 引线键合受杂质影响,材质不均匀
4.1 厚膜技术
厚膜材料:釉面材料
对电路提供机械保护,免于污染和水在导体之间的 桥连,阻挡焊料散布,改善厚膜电阻调阻后的稳定性。 是可以在较低温度(通常在550℃附近)下烧结的非晶 玻璃。
4.1 厚膜技术
厚膜材料:厚膜基板
厚膜基板主要有陶瓷基板、金属基板和树脂基板。 其中比较常用的是陶瓷基板。陶瓷基板主要包括以下几 种:氧化铝陶瓷基板、氧化铍陶瓷基板、特种陶瓷基板 、氮化铝基板和碳化硅陶瓷基板。

微电子封装技术-课后习题答案

微电子封装技术-课后习题答案

3.1简述包封技术的特点。
答:
包封通过将有源器件和环境隔离来实现保护元器件的功能,同时芯片和封装材料形成一体,以达到机械保护的目的。包封一般采用有机材料,成本相对较低,在民用集成电路封装中占主导地位。但其耐湿性不佳,影响了产品可靠性。
3.2简述包封技术常用的材料。
答:
从基质材料的综合特性来看,最常用的包封材料分为四种类型:环氧类、氰酸酯类、聚硅酮类和氨基甲酸乙酯类,目前IC封装使用邻甲酚甲醛型环氧树脂体系的较多。具有耐湿、耐燃、易保存、流动充填性好、电绝缘性高、应力低、强度大和可靠性好等特点。
硅片的背面减薄技术主要有磨削、研磨、干式抛光(Dry Polishing)、化学机械平坦工艺(CMP)、电化学腐蚀(Electrochemical Etching)、湿法腐蚀(Wet Etching)、等离子增强化学腐蚀Plasma Enhanced Chemical Etching,PECE)、常压等离子腐蚀(Atmosphere Downstream Plasma Etching,ADPE)等。
3.5简述模注成形技术的常见问题。
答:
有塑封产品无论是采用先进的传递模注封装还是采用传统的单注塑模封装,塑封成形缺陷总是普遍存在的,而且无法完全消除。1.未填充;2.冲丝;3.气泡或气孔;4.麻点;5.开裂;6.溢料;7.其他缺陷,在塑封中还有粘污、偏芯等缺陷。
3.6简述模注成形技术常见问题的解决对策。
2.4简述芯片贴装的常用工艺技术。
答:
贴装的方式主要共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴法和玻璃胶粘贴法。共晶粘贴法是利用金-硅合金(一般是69%的金和31%的Si),在363℃时的共晶熔合反应使IC芯片粘贴固定。焊接粘贴法是将芯片背面淀积一定厚度的Au或Ni,同时在焊盘上淀积Au-Pd-Ag和Cu的金属层。这样就可以使用Pb-Sn合金制作的合金焊料将芯片焊接在焊盘上。导电胶进行芯片贴装的工艺用针筒或注射器将黏着剂涂布在芯片焊盘上,然后将芯片精确地放置到焊盘的黏着剂上面。玻璃胶粘贴芯片先以盖印、网印、点胶等技术将玻璃胶原料涂布在基板的芯片座上,将IC芯片放置在玻璃胶上后,再将封装基板加热至玻璃熔融温度以上即可完成粘贴。

微电子封装中的薄膜技术

微电子封装中的薄膜技术

一些主要的厚膜导体:
Ag-Pd; Ag-Pd; Ag中添加Pd,当Pd/(Pd+Ag)>0.1左右时即产生效果。 Ag中添加Pd,当Pd/(Pd+Ag)>0.1左右时即产生效果。 Ag/Pd比一般控制在(2.5:1) Ag/Pd比一般控制在(2.5:1)~(4.0:1)。 4.0:1)。 Ag/Pd比与厚膜的电阻值及耐焊料浸蚀关系如下图1 Ag/Pd比与厚膜的电阻值及耐焊料浸蚀关系如下图1:
备注:目数=25.4[mm]/(丝径[mm]+开口长度[mm])
丝网印刷工艺
刮板
刮板的形状有下三种:菱形刮板、平行刮板、剑 形刮板。刮板的材料硬度按橡胶常用的HS(肖氏 形刮板。刮板的材料硬度按橡胶常用的HS(肖氏 硬度)来标定,厚膜印刷使用的刮板硬度一般在 60~80HS范围内。材料一般为聚氨酯类、氯丁橡 60~80HS范围内。材料一般为聚氨酯类、氯丁橡 胶、炭氟化合物等,选材聊特别要注意不能受浆 料中溶剂等浸蚀。
3. 厚膜介质材料
通常分为HK(高介电常数)介电体和LK 通常分为HK(高介电常数)介电体和LK (低介 电常数)介电体。 前者介电常数在数百以上,主要用于厚膜电容器 的介电质,后者的K值在10以下,多用于表面钝 的介电质,后者的K值在10以下,多用于表面钝 化、交叉层绝缘层、多层布线绝缘层以及低容量 电容器等。 LK介电质:非晶玻璃(filled glass: FG)和晶态玻 LK介电质:非晶玻璃(filled FG)和晶态玻 璃(crystallizable 璃(crystallizable glass: CG)二类玻璃系列。 CG)二类玻璃系列。 HK介电质:以BaTiO3为主要成分的介电质。 HK介电质:以BaTiO
蚀刻法基板表面成膜成膜材料基板光刻胶蚀刻光刻胶剥离基板薄膜光刻胶光致优点是选择性好重复性好生产效率高设备简单成本低基片薄膜光刻胶光致光刻胶金属薄膜ar干法蚀刻法对图形的控制精度较好但速度较慢rie刻蚀装置光刻胶sio或硅原子腐蚀性气化学腐蚀物理轰击用机械或光刻等方法制作正掩膜将掩膜按需要的电路图位置定位再由真空蒸镀等方法成膜

2024年微电子封装技术课程重点内容(English)

2024年微电子封装技术课程重点内容(English)

Microelectronics packaging technology(R eview contents)Chapter 1:Introduction1.The development characteristics and trends of microelectronics packaging.2.The functions of microelectronics packaging.3.The levels of microelectronics packaging technology.4.The methods for chip bonding.Chapter 2:Chip interconnection technologyIt is one of the key chapters1.The Three kinds of chip interconnection, and their characteristics and applications.2.The types of wire bonding (WB) technology, their characteristics and working principles.3.The working principle and main process of the wire ball bonding.4.The major materials for wire bonding.5.Tape automated bonding (TAB) technology:1)The characteristic and application of TAB technology.2)The key materials and technologies of TAB technology.3)The internal lead and outer lead welding technology of TAB technology.6. Flip Chip Bonding (FCB) Technology1)The characteristic and application of flip chip bonding technology2)UBM and multilayer metallization under chip bump;UBM’s structure and material, and the roles ofeach layer.3)The main fabrication method of chip bumps.4)FCB technology and its reliability.5)C4 soldering technology and its advantages.6)The role of underfill in FCB.7)The interconnection principles for Isotropic and anisotropic conductive adhesive respectively. Chapter 3: Packaging technology of Through-Hole components1.The classification of Through-Hole components.2.Focused on:DIP packaging technology, including its process flow.3.The characteristics of PGA.Chapter 4:Packaging technology of surface mounted device (SMD)1.The advantages and disadvantages of SMD.2.The types of SMD.3.The main SMD packaging technologies, focused on:SOP、PLCC、LCCC、QFP.4.The packaging process flow of QFP.5.The risk of moisture absorption in plastic packages, the mechanism of the cracking caused by moistureabsorption, and solutions to prevent for such failure.Chapter 5:Packaging technology of BGA and CSP1.The characteristics of BGA and CSP.2.The packaging technology for PBGA,and its process flow.3.The characteristics of packaging technology for CSP.4.The reliability problems of BGA and CSP.Chapter 6:Multi-Chip Module(MCM)1.The classification and characteristics of MCM2. The assembly technology of MCM.Chapter 7:Electronic packaging materials and substrate technology1. The classification of the materials for electronic packaging, the main requirements for packagingmaterials.2. The types of metals in electronic packaging, and their main applications.3. The main requirements for polymer materials in electronic packaging.4.Classification of main substrate materials, and the major requirements for substrate materials.Chapter 8:Microelectronics packaging reliability1.The basic concepts of electronic packaging reliability.2.The basic concepts for failure mode and failure mechanism in electronic packaging.3.Main failure (defect) modes (types) of electronic packaging.4.The purpose and procedure of failure analysis (FA) ;Common FA techniques (such as cross section, dyeand pry, SEM, CSAM ...).5 The purpose and key factors (such as stress level, stress type …) to design accelerated reliability test. Chapter 9:Advanced packaging technologies1.The concept of wafer level packaging (WLP) technology.2.The key processes of WL-CSP.3.The concept and types of the 3D packaging technologies.Specified Subject 1:LED packaging technology1. Describe briefly the four ways to achieve LED white light, and how they are packaged?2. Describe briefly the difference and similar aspects (similarity) between LED packaging andmicroelectronics packaging.3. And also describe briefly the development trend for LED package technology and the whole LED industryrespectively.Specified Subject 2:MEMS packaging technology1.The differences between micro-electro-mechanical system (MEMS) packaging technology and theconventional microelectronics packaging technologies.2.The function requirements of MEMS packaging.Extra requirement:The common used terms (Abbreviation) for electronic packaging.。

第四章微电子封装基板技术

第四章微电子封装基板技术
(3)硼硅酸玻璃- Al2O3-镁橄榄石系
该系统可达到最高密度的组成为: Al2O3 35%、 镁橄榄石25%、硼硅酸玻璃40%。
在该组成下, 900 0C烧成时相对密度可达97%, 这种基板的弯曲强度为200MPa,介电常数为6.5, 热膨胀系数为6.0*10-6/ 0C
第四章微电子封装基板技术
(4)硼硅酸玻璃- Al2O3系
第四章微电子封装基板技术
(3)通孔填充 通孔填充的方法一般有三种:丝网印刷、掩模印
刷和流延型印刷。通过浆料应有良好的流变性能和合 适的黏度,印刷时才不易形成盲孔。
(4)对位 对位包括印刷时丝网与生瓷片之间的对位和叠片
时生瓷片与生瓷片之间的对位。若对位精度太差基板 布线网络可能会断路或短路, 一般采用定位孔或图 像识别定位。
该系统最佳组成:Al2O3 50%和硼硅酸玻璃50%, 900 0C烧成体的热膨胀系数为4.0*10-6/ 0C,弯曲强度 为245MPa。这种系统玻璃陶瓷的最佳烧成温度也随 硼硅酸玻璃的含量而变化。
(5)硼硅酸玻璃- Al2O3处理的氧化锆系
该系统玻璃陶瓷的组成以硼硅酸玻璃质量分数 (40%-60%), Al2O3处理的氧化锆质量分数(40%-60%) 为最佳,900 0C烧成。
影响对位精度的主要因素是:打孔精度误差、照相 版精度误差和印刷机手动调节对位视觉误差。
第四章微电子封装基板技术
(5)布线设计
在进行CAD布线设计时,必须根据电参数要求、对 位精度及通孔大小来设计线宽、线间距及其他参数。
对用于高频且要求高传输速度的基板,应选择细线 条、细间距设计。为了降低成本,在能保证质量的前 提下,应尽可能选择层数多,宽线条宽间距设计。
第四章微电子封装基板技术

《微系统封装基础》课件

《微系统封装基础》课件
寿命测试是通过加速老化试验等方法 评估微系统封装的寿命,预测其在不 同使用条件下的可靠性表现。
04
微系统封装的应用
通信领域
通信设备小型化
微系统封装技术可以使通信设备体积更小,便于 携带和移动。
高速信号传输
通过微系统封装技术,可以实现高速、高带宽的 信号传输,满足现代通信的需求。
降低能耗
通过优化微系统封装设计,可以降低通信设备的 能耗,延长设备的使用时间。
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微系统封装的发展趋势与挑战
要点一
要点二
要点三
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微电子封装中的薄膜技术

微电子封装中的薄膜技术

浆料
浆料应具有良好的 离版性能、适度的 粘度特性。
与厚膜相比,薄膜的特点:
1、厚膜是由金属粉末烧结而成,厚度在1微米以上,薄膜 是由原子或原子团簇一层一层堆积而成,厚度在1微
米以下;
2、互连线可以做得更精细,具有更高的集成度 3、成膜更致密,互连线电导率更高,损耗更小
4、容易刻蚀,形成图形容易
5、节约材料,降低成本 薄膜的问题: 1、要形成原子级的有序堆积,成膜设备昂贵 2、薄膜更容易被腐蚀,更容易受到机械损伤 3、与基板的附着力比用烧结法形成的厚膜差 4、成膜过程中的原子原子团簇比粉末更容易被氧化, 因此对成膜材料的抗氧化性和成膜环境要求更 5、更容易发生迁移现象。
一些主要的厚膜导体:
Ag-Pd; Ag中添加Pd,当Pd/(Pd+Ag)>0.1左右时即产生效果。 Ag/Pd比一般控制在(2.5:1)~(4.0:1)。 Ag/Pd比与厚膜的电阻值及耐焊料浸蚀关系如下图1:
为提高Ag-Pd导体的焊接浸润性,以及导体与基板的结合 强度,需要添加Bi2O3。烧制时,部分Bi2O3溶入玻璃与Al2O3 发生化学反应,随Bi离子含量的增加,膜的结合强度增大。
③ ④
金属与半导体的集合部位不形成势垒; 对于n型半导体,金属的功函数要比半导体的功函数小; 对于p型半导体,与上述相反; 金属与半导体结合部的空间电荷层的宽度要尽量窄, 电子直接从金属与半导体间向外迁移受到限制等。
材料的种类和性质
除了半导体和料,应具有以下特性:
2. 厚膜电阻材料


到目前为止,以发表各类电阻体浆料多以PdAg、Ti2O3,添加Ta的SnO,碳黑,RuO2, MoO3等为主导电成分,经大气中燃烧成各 种各样的厚膜电阻体。目前使用最多的是 RuO2系,它的组成单纯而稳定。 伴随着高热导基板的开发,在N2中烧成用的 LaB6,SnO2系还有各类硅化物系等电阻体也 先后发表。

第四章 微电子封装的基板技术(1)

第四章 微电子封装的基板技术(1)

(4)电参数方面:
a. 减小信号传输延迟时间Tpd,
T pd r /c
b. 系统内部特性阻抗的匹配; C. 降低L、 C和 R等的寄生效应,使引线间距最短化,使用 低磁导率的导体材料、低介电常数的基板材料等; d. 降低交调噪声,要尽量避免信号线之间距离太近和平行布 置,同时为了减小此影响,应选用低介电常数的基板材料;
(2)全面电镀法工艺流程
全面电镀法工艺如下: a. 在双面覆铜基板上钻孔; b. 表面触媒处理后,在孔的内壁化学镀铜,实 现电气导通; c. 再全面电镀一层铜膜; d. 涂光刻胶; e. 曝光、显影; f. 刻蚀掉不需要的铜膜,去除光刻胶。
全面电镀法工艺流程图
(3)全面电镀法的优缺点
(a)电镀层均匀分布,不会发生由于导线不均匀而使 线路稀疏部电流集中的情况; (b)不需要像图形电镀法那样根据导电图形的面积而 进行电镀电流调整作业,适合批量生产,实际采用较 多; (c)光刻形成刻蚀阻挡层,对光刻胶的性能要求也不 苛刻。 (4)为减少水汽等有害气体成分,封盖工艺一般在氮 气等干燥保护气氛下进行。 缺点:要刻蚀的铜膜较厚,不易制成高分辨率图形
随着集成电路芯片技术和组装技术的持续发展, 对基板技术性能方面的要求也越来越高。因此, 基板技术将面临来自三个不同方面的挑战: (1) 微电子芯片发展的要求,即大面积化、针脚 四边引出和表面贴装化、引脚阵列化和引脚间距 密度化; (2)元器件发展的要求,即无引线化、小型化、 片式化和集成化都需要与基板一起设计和制造 ,并 制成埋入式结构; (3)MEMS应用方面的要求,布线高密度化、层 间互联精细化、结构的三维化/立体化。 (4)应用环境的要求.
(4)图形电镀工艺
图形电镀法也是基于基板钻孔之后,表面触媒处理 和化学电镀在孔中形成铜膜,实现电气导通。 与全面电镀法不同之处在于,图形电镀法是通过在 不需要电路的部分涂敷光刻胶,然后在电路部分镀铜 和表面保护金属层,再剥离光刻胶、最后经刻蚀来实 现电路连接,制成PWB电路图形。

【图文】第四章 微电子封装的基板技术(1)

【图文】第四章 微电子封装的基板技术(1)

(3莫来石莫来石(3Al2O3· 2SiO2是Al2O3-SiO2二元系中最稳定的晶相之一,兼有良好的化学稳定性、热稳定性、高频电特性及质量轻等优点。

与氧化铝相比,虽然机械强度和热导率要低一些,但其介电常数低,因此可望能进一步提高信号的传输速度。

其热膨胀系数低,可减小搭载LSI的热应力,而且与导体材料Mo、W的热膨胀系数的差也小,从而共烧时与导体间出现的应力也低。

(4碳化硅碳化硅SiC是强共价键化合物,硬度仅次于金刚石、氮化硼,而且具有优良的耐磨性、耐药品性。

与其他材料相比,热扩散系数大,甚至比铜的还大,而且热膨胀系数与Si更接近,缺点:一是介电常数偏高,例如,在1MHz时为 40,在1GHz时为15;二是绝缘耐压差,当电场强度达到数百伏/厘米以上时,SiC基板会迅速丧失绝缘性,很容易被击穿。

对于SiC基板,多用于耐压性要求不高又存在其他问题的低电压电路以及VLSI高散热封装的基板。

(5氧化铍氧化铍陶瓷是热导率最高的陶瓷材料,且电绝缘性、介电性和机械强度都很好。

相对于其他基板材料,氧化铍的介电常数低,可用于高频电路;热导率是96%,可用于大功率电路。

另外,氧化铍因其高热导率、高熔点、高强度、高绝缘性、低介电常数、低介质损耗以及良好的封装工艺适应性等特点,在微波技术、真空电子技术、核技术、微电子与光电子领域都受到了重视和应用,尤其是在大功率半导体器件与电路、大功率微波真空器件以及核反应堆中,他一直是制备导热元件的主流陶瓷材料。

课堂作业 1.基板选择与设计时需要重点考虑基板的哪些参数?每个参数具体体现在哪些方面? 2.典型的陶瓷基板有哪些?它们分别具有什么样的特点?以及分别应用在哪些领域?。

《微电子封装技术》课件

《微电子封装技术》课件

航空航天设备封装案例
航空航天设备封装案例:航空航天领域对设备的可靠性和稳定性要求极高,而微电子封装技术能够满 足这些要求。例如,在飞机发动机控制系统中、卫星导航系统中等,微电子封装技术发挥着重要作用 。它能够提高设备的可靠性和稳定性,降低成本,并促进小型化、集成化的发展趋势。
具体而言,在飞机发动机控制系统中,微电子封装技术能够实现高精度和高可靠性的控制,从而提高 发动机的性能和安全性。在卫星导航系统中,微电子封装技术能够提高定位精度和信号质量,从而提 高导航的准确性和可靠性。
医疗电子设备封装案例
医疗电子设备封装案例:医疗电子设备对精度和可靠性要求极高,而微电子封装技术能够满足这些要求。例如,在医疗影像 设备、心脏起搏器、血糖监测仪等中,微电子封装技术发挥着重要作用。它能够提高设备的性能和可靠性,降低成本,并促 进小型化、集成化的发展趋势。
具体而言,在医疗影像设备中,微电子封装技术能够提高图像质量和设备性能,从而提高诊断的准确性和可靠性。在心脏起 搏器中,微电子封装技术能够实现高精度和高可靠性的起搏控制,从而提高患者的生命安全和生活质量。在血糖监测仪中, 微电子封装技术能够实现快速、准确的血糖监测,从而帮助患者及时了解自身血糖状况并进行有效控制。
封装测试பைடு நூலகம்
01
封装测试是确保微电子封装产品性能和质量的 重要环节。
03
随着技术的不断发展,新型测试方法也在不断涌现 ,如X射线检测、超声检测等。
02
测试内容包括气密性检测、外观检测、电性能 测试等,以确保产品符合设计要求和性能标准

04
封装测试的发展趋势是高精度、高效率、自动化, 以提高测试准确性和降低成本。

柔性封装技术
03
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4.2 封装基板的分类
在人们的印象中,PCB(printed circuit board: 印刷电路板)无非就是使绝缘体和导体组合,能实 现元器件和芯片搭载以及电气连接即可,并没有什 么特殊复杂之处。
实际上,PCB不仅种类繁多,而且涉及的材料和 工艺多种多样。因此,PCB的分类方法很多,一般 情况下可按照绝缘材料及其软硬程度、导体材料、 导体层数、Z方向的连接方式来分类。
4.1概论
基板是实现元器件功能化、组件化的一个平台 ,是微电子封装的重要环节。目前,微电子封装所 用的基板材料主要由金属、合金、陶瓷、塑料盒复 合材料等,其主要有以下几个功能:
(1)互连和安装裸芯片或封装芯片的支撑作用; (2)作为导体图形和无源元件的绝缘介质; (3)将热从芯片上传导出去的导热媒体; (4)控制高速电路中的特性阻抗,串扰以及信号 延迟。
4.3 有机基板
1. 概述
有机基板是指由绝缘隔热、不易弯曲的有机材料 制成,并在表面制造金属导线图形,用来提供板上 器件和芯片的电路连接或电磁屏蔽,具有介电常数 低、工艺简单和成本低廉等特点。
通常采用的有机材料有FR-4环氧玻璃、BT环氧树 脂、聚酰亚胺和氰酸盐脂等。
基板制作一般采用PCB工艺,形成的基板叫印刷 电路板。随着电子设备越来越复杂,需要的器件和 芯片自然越来越多,PCB上的线路、器件和芯片也 越来越密集,需要没有器件和芯片的裸板,这种裸 板 常 被 称 为 印 刷 线 路 板 (printed wiring board: PWB)。目前,国际封装专业越来越多的场合采用 PWB代替PCB。
2. PWB制作方法
(1)电路的形成方法
通用PWB的制造按照表面金属层制备方法不同 分为:加成法和减成法两类。
加成法是指通过在绝缘板表面添加导电性材料 形成电路图形的方法。在加成法中又可分为全加 成法、半加成法和部分加成法。
减成法是指在预覆铜箔的基材上通过化学腐蚀 铜箔所形成的电路图形的方法。作为主流工艺的 减成法又可分为全面电镀法和图形电镀法。
与全面电镀法不同之处在于,图形电镀法是通过在 不需要电路的部分涂敷光刻胶,然后在电路部分镀 铜和表面保护金属层,再剥离光刻胶、最后经刻蚀 来实现电路连接,制成PWB电路图形。
(5)图形电镀工艺优缺点
优点:光刻胶形成电镀阻挡层,侧壁光滑、平直 、线条规则,可以实现精细化产品。
缺点:对不同的电路图形设计和面积的变化存在 逐个对应的问题,而且同一板面上镀层厚度的一 致性也较差。
随着集成电路芯片技术和组装技术的持续发展,
对基板技术性能方面的要求也越来越高。因此, 基板技术将面临来自三个不同方面的挑战:
(1)微电子芯片发展的要求,即大面积化、针脚 四边引出和表面贴装化、引脚阵列化和引脚间距 密度化;
(2)元器件发展的要求,即无引线化、小型化、 片式化和集成化都需要与基板一起设计和制造,并 制成埋入式结构;
(1)材料参数方面:介电常数、热膨胀系数和热导率等 重要参数;
(2)在结构方面:实现布线图形的精细化、层间互连小 孔径化和电气参数最优化;
(3)在热性能方面:重点考虑耐热性、与Si等芯片材料 的热匹配 和系统的良好导热性;
(4)电参数方面:
a. 减小信号传输延迟时间Tpd,
Tpd r /c
b. 系统内部特性阻抗的匹配;
(b)不需要像图形电镀法那样根据导电图形的面积而 进行电镀电流调整作业,适合批量生产,实际采用较 多;
(c)光刻形成刻蚀阻挡层,对光刻胶的性能要求也不 苛刻。
(4)为减少水汽等有害气体成分,封盖工艺一般在氮 气等干燥保护气氛下进行。
缺点:要刻蚀的铜膜较厚,不易制成高分辨率图形
(4)图形电镀工艺
图形电镀法也是基于基板钻孔之后,表面触媒处理 和化学电镀在孔中形成铜膜,实现电气导通。
3.1概论 3.2按封装材料、封装器件、封装结构分类
3.2.1金属封装(M) 3.2.2塑料封装(P) 3.2.3陶瓷封装 (C) 3.3按封装的外形、尺寸、结构分类
4.1 概论 4.2 基板分类 4.3 有机基板 4.4 陶瓷基板 4.5 低温共烧陶瓷基板 4.6 其他类型的无机基板 4.7 复合基板
在微电子封装中主要按照基板的基体材料来分, 可以分为三类:
(1)有机基板:包括纸基板、玻璃布基板、复合材 料基板、环氧树脂类、聚酯树脂类、耐热塑性基板 和多层基板等;
(2)无机基板:包括金属类基板、陶瓷类基板、玻 璃类基板、硅基板和金刚石基板等;
(3)复合基板:包括功能复合基板、结构复合基板 和材料复合基板等。
3. 有机基板的分类
通用的有机基板按导体布线层数可分为:单面 板、双面板和多层板。
(1)单面板 在最基本的PCB上,器件集中在其中一面,导
线则集中在另一面,由于导线只出现在其中一面, 所以就称这种PCB叫作单面板,如下图所示:
(3)MEMS应用方面的要求,布线高密度化、层 间互联精细化、结构的三维化/立体化。
(4)应用环境的要求.
为了能保持芯片和器件的固有性能,不引起信号 传输性能的恶化,需要认真选择基板材料,精心设 计布线图形。因此,基板选择与设计时需要重点考 虑基板的材料参数、电参数、热参数和结构参数等 ,具体体现在以下方面:
C. 降低L、C和R等的寄生效应,使引线间距最短化,使用 低磁导率的导体材料、低介电常数的基板材料等;
d. 降低交调噪声,要尽量避免信号线之间距离太近和平行布 置,同时为了减小此影响,应选用低介电常数的基板材料;
e.电路图形设计要考虑到防止信号发射噪声。
上述要求反映到基板材料及结构上,主要体现在: 精细化的布线图形 小孔径的层间互连孔 多层布线以实现)全面电镀法工艺流程
全面电镀法工艺如下: a. 在双面覆铜基板上钻孔; b. 表面触媒处理后,在孔的内壁化学镀铜,实 现电气导通; c. 再全面电镀一层铜膜; d. 涂光刻胶; e. 曝光、显影; f. 刻蚀掉不需要的铜膜,去除光刻胶。
全面电镀法工艺流程图
(3)全面电镀法的优缺点
(a)电镀层均匀分布,不会发生由于导线不均匀而使 线路稀疏部电流集中的情况;
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