中高压高频片式瓷介电容器

合集下载

高频电路中MLCC的应用选型

高频电路中MLCC的应用选型

10000
2.3.5多层片式陶瓷电容器特性曲线5
• 阻抗——频率 特性 (Ⅰ类介质)
100
1pF
100pF
10pF
10
电抗(Ω)
1000pF 1
C0G 0.1
1M
10M
100M
1G
2.3.6多层片式陶瓷电容器特性曲线6
• 阻抗——频率 特性(Ⅱ类介质)
100 10
1
X7R
X5R
0.1
Y5V
1000pF
压、高成本。
• 铝电解电容器—超高容值、漏电流大、有极性。 • 有机薄膜电容器—中容值、高耐压、低损耗、较
稳定、无极性、高成本、耐高温性差。
2.3多层片式陶瓷电容器特性曲线
• 1,静电容量──温度系数TC(Ⅰ类介质) • 2,静电容量──温度特性 (Ⅱ类介质) • 3,直流偏压特性 • 4,静电容量老化特性 • 5,阻抗——频率 特性 (Ⅰ类介质) • 6,阻抗——频率 特性(Ⅱ类介质) • 7,静电容量──频率 特性(Ⅰ类介质)
单片电容器的电容量正比 于器件的几何尺寸和相对?
介电常数:C=KA/f t
( f=换算因子,在基础科学领域:相 对介电常数用εr表示。在工程应 用中以K表示,简称为介电常数)
1.2MLCC的概念及其结构简介
• MLCC的概念
MLCC (Multi-Layer Ceramic Chip Capacitor) 片式多层陶瓷电容器的英文缩写
1.3 产品的结构
外电极
陶瓷介质 内电极
1.3 MLCC制造工艺流程
2.MLCC的分类及特性
• 电容器的分类 • 各类电容器的特点 • 多层片式陶瓷电容器特性曲线

高压瓷片ct7 472m电容

高压瓷片ct7 472m电容

高压瓷片ct7 472m电容高压瓷片CT7 472M电容是一种常见的电子元件,广泛应用于电子设备中。

本文将介绍高压瓷片CT7 472M电容的特点、用途以及选型注意事项。

一、高压瓷片CT7 472M电容的特点高压瓷片CT7 472M电容是一种陶瓷介质电容器,具有以下特点:1. 高电压承受能力:高压瓷片CT7 472M电容能够承受较高的工作电压,通常可达到数百伏特甚至更高。

2. 高温稳定性:该电容器采用陶瓷材料制造,具有良好的热稳定性,可在较高的工作温度下正常工作。

3. 低介质损耗:高压瓷片CT7 472M电容的陶瓷介质具有低损耗特性,能够保证电路的稳定性和精确性。

4. 小尺寸:该电容器体积小巧,适合在电子设备中紧凑的空间中使用。

5. 高频特性优良:高压瓷片CT7 472M电容在高频电路中具有较好的性能,可满足高频信号的传输需求。

二、高压瓷片CT7 472M电容的用途高压瓷片CT7 472M电容广泛应用于各种电子设备中,主要用于以下方面:1. 电源滤波:在电源电路中,高压瓷片CT7 472M电容常用于滤除电源中的杂散噪声,提供稳定的直流电源。

2. 耦合和绕组:在放大器电路中,该电容器常用于耦合和绕组,实现信号的传递和放大。

3. 电路解耦:在集成电路中,高压瓷片CT7 472M电容可用于解耦电路,提供瞬态响应和稳定的电源电压。

4. 高频电路:由于该电容器在高频电路中具有较好的性能,因此常用于高频信号的传输和阻抗匹配。

三、高压瓷片CT7 472M电容的选型注意事项在选择高压瓷片CT7 472M电容时,需要注意以下几点:1. 工作电压:根据实际应用需求选择合适的工作电压范围,确保电容器能够承受所需的电压。

2. 容值:根据电路设计要求,选择合适的容值,以保证电路的正常工作。

3. 尺寸:根据设备空间限制,选择合适的尺寸,确保电容器能够安装在设备中。

4. 温度特性:根据实际工作温度,选择具有合适温度特性的电容器,以确保电容器在高温环境下仍能正常工作。

风华电容器全系列产品规格书

风华电容器全系列产品规格书

风华高科
广 东 风 华 高 新 科 技 股 份 有 限 公 司
FENGHUA
Fenghua Advanced Technology (Holding) CO. , LTD
※Y5V:The capacitor made of this kind of material is the highest dielectric constant of all ceramic capacitors. They are used over a moderate temperature range in application where high capacitance is required because of its unstable temperature coefficient, but where moderate losses and capacitance changes can be tolerated. Its capacitance and dissipation factors are sensible to measuring conditions, such as temperature and voltage, etc. ※Z5U:The capacitor made of this kind of material is considered as ClassⅡ capacitor, whose temperature characteristic is between that of X7R and Y5V. The capacitance of this kind of capacitor is unstable and sensible to temperature and voltage. Ideally suited for bypassing and decoupling application circuits operating with low DC bias in the environment approaches to room temperature. 二、结构及尺寸

2211(X7R)贴片陶瓷电容器规格书说明书

2211(X7R)贴片陶瓷电容器规格书说明书

2 倍额定电压
电压 250V<V<1KV 1.5 倍额定电压
1KV≤V
1.2 倍额定电压
在常温常湿下放置 48±4 小时后再测试.
注:NO3,11,12,13 电容的初值测定:先放在 150℃预热 1 小时,再常温常压放置48 小时测试。
第 5 页 共 14 页
No 项 目
规格
测试方法
使用混合焊锡将电容器焊接在图1 的夹具(玻璃 环氧树脂)上,然后再图 2 所释放向加力. 焊接应 用回流焊进行,避免焊接不均及热冲击等不良 现象.
第 8 页 共 14 页
第 9 页 共 14 页
第 10 页 共 14 页
第 11 页 共 14 页
第 12 页 共 14 页
第 13 页 共 14 页
第 14 页 共 14 页
6
耐电压
无介质被击穿或损伤
Ur=450/500/630V,1.5倍额定电压
(DC)
1KV≤Ur≤2KV,........ 1.2倍额定电压
2KV<Ur,............... 1.1 倍额定电压 升压时间为:1~3S 保压时间为:5S
7
可焊性
■上锡率应大于 95% ■外观无可见损伤
将电容器在 80-120℃预热 10-30 秒,无铅焊料,使用 助焊剂;焊锡温度:245±5℃
测试电压:额定电压测
试时间:60±5 秒测试
5
绝缘电阻
IR≥4*109Ω,C≤25nF
湿度:≤75% 测试
IR*Cr≥100*1012Ω,C>25nF 温度:25±5℃
测试充放电电流:≤50mA
Ur=100V,............. 2.5 倍额定电压
Ur=200V/250V,.... 2.0 倍额定电压

高压陶瓷电容作为y电容的原因

高压陶瓷电容作为y电容的原因

高压陶瓷电容作为y电容的原因高压陶瓷电容是一种特殊的电容器,具有许多独特的特性和优势,因此在某些特定场合下,被选作y电容。

下面将从以下几个方面来说明高压陶瓷电容作为y电容的原因。

高压陶瓷电容具有较高的绝缘强度。

这是由于高压陶瓷电容采用了陶瓷材料作为电介质,而陶瓷材料具有良好的绝缘性能。

相对于其他类型的电容器,高压陶瓷电容能够承受更高的电压,有效防止电容器在高压下击穿,保证电路的稳定性和安全性。

高压陶瓷电容具有较小的体积和重量。

这对于一些对空间和重量要求较高的场合来说非常重要。

相对于其他类型的电容器,高压陶瓷电容能够在相同电容值的情况下,提供更小的体积和重量。

这使得高压陶瓷电容在一些小型电子设备和集成电路中得到广泛应用。

高压陶瓷电容具有较低的失真和稳定性。

失真是指电容器在工作过程中产生的非线性变化,会影响电路的性能。

高压陶瓷电容采用高质量的陶瓷材料制造,具有较低的失真,能够提供较高的信号传输质量。

同时,高压陶瓷电容的电容值相对稳定,不受温度和频率的影响,能够保持较好的性能稳定性。

高压陶瓷电容具有较长的使用寿命。

由于高压陶瓷电容采用了高质量的陶瓷材料和先进的制造工艺,具有较好的耐久性和稳定性。

相对于其他类型的电容器,高压陶瓷电容的使用寿命更长,能够在恶劣的环境条件下工作,减少更换和维修的频率,降低维护成本。

高压陶瓷电容具有较低的成本。

相对于其他类型的电容器,高压陶瓷电容的制造成本较低,能够提供更具竞争力的价格。

这使得高压陶瓷电容在大规模应用中具有较大的优势,能够满足大量生产和低成本的需求。

高压陶瓷电容作为y电容的原因主要包括较高的绝缘强度、较小的体积和重量、较低的失真和稳定性、较长的使用寿命以及较低的成本。

这些特点使得高压陶瓷电容在一些特定场合下成为最佳选择,为电路的稳定性和可靠性提供了保障。

三巨电子 多层片式陶瓷电容器(MLCC) 产品说明书

三巨电子 多层片式陶瓷电容器(MLCC) 产品说明书

产品说明书多层片式陶瓷电容器(MLCC)江门市新会三巨电子科技有限公司JIANGMEN CITY XINHUI SANJV ELECTRONIC CO.,LTD.地址:广东省江门市新会区中心南路37号广源大厦B座邮政编码:529100联系电话:0750-8686169 传真:0750-6331711E-Mail: xhsanjv@ 公司网址:■公司简介江门市新会三巨电子科技有限公司公司座落在被联合国命名为“全球最具可持续发展潜力”的江门市新会区内,是一家集研发、生产、销售新型电子元件和相关电子材料于一体的高新科技实体。

本公司主产品片式多层陶瓷电容器,英文缩写MLCC(Multilayer Ceramic Chip Capacitor)和片式多层压敏电阻器,英文缩写MLCV(Multilayer Ceramic Chip Varistor)。

本公司产品的特性组别分类和主要指标按照美国电子工业协会标准暨美国国家标准ANSI/EIA-198-E-1997 Ceramic Dielectric Capacitors/ClassⅠ,Ⅱ, Ⅲ, and Ⅳ(《陶瓷介质电容器第Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ类》),部分项目指标参照日本工业标准JIS-C-6429,试验方法和相关技术要求符合中国国家标准GB/T2693总规范和GB/T9324分规范要求。

该种MLCC产品广泛用于模拟或数字调制解调器、局域网/广域网接口、日光灯启辉器、倍压电源、交直流变送器、背光源驱动器及高频大功率等电路中。

MLCV产品广泛用于移动电话、PDA、电脑主板等。

公司配备有先进的片式元件生产设施、精良的检测试验仪器;并拥有一支高素质、高水平且具备该行业多年工作经验的技术队伍; 全面贯彻执行ISO9001:2000质量管理标准体系,持续不断改进产品的品质;公司致力于以客户为本的电子元器件和技术服务的提供商,秉承“A级企业,A级产品,A 级质量,A级服务”的“4A级”宗旨,放眼未来,把以片式多层陶瓷电容器和片式多层压敏电阻器产品为主导的新型电子元器件做精,做强!1■MLCC产品说明一、产品名称NAME OF THE PRODUCT多层片式中高压陶瓷电容器二、应用 APPLICATIONS模拟或数字调制解调器、局域网/广域网接口、日光灯启辉器、倍压电源、交直流变送器、背光源驱动器及高频大功率电路中。

片式多层陶瓷电容器MLCC

片式多层陶瓷电容器MLCC

片式多层陶瓷电容器MLCC多层陶瓷电容器MLCC是英文字母Multi-Layer Ceramic Capacitor的首写字母。

在英文表达中又有Chip Monolithic Ceramic Capacitor。

两种表达都是以此类电容器外形和内部结构特点进行,也就是内部多层、整体独石(单独细小的石头)的结构,独石电容包括多层陶瓷电容器、圆片陶瓷电容器等,由于元件小型化、贴片化的飞速发展,常规圆片陶瓷电容器逐步被多层陶瓷电容器取代,人们把多层陶瓷电容器简称为独石电容或贴片电容。

片式多层陶瓷电容器(Multi-layer Ceramic Capacitor 简称MLCC)是电子整机中主要的被动贴片元件之一,它诞生于上世纪60年代,最先由美国公司研制成功,后来在日本公司(如村田Murata、TDK、太阳诱电等)迅速发展及产业化,至今依然在全球MLCC领域保持优势,主要表现为生产出MLCC具有高可靠、高精度、高集成、高频率、智能化、低功耗、大容量、小型化和低成本等特点。

(片式多层陶瓷电容器,独石电容,片式电容,贴片电容) MLCC —简称片式电容器,是由印好电极(内电极)的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来,经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片,再在芯片的两端封上金属层(外电极),从而形成一个类似独石的结构体,故也叫独石电容器。

MLCC除有电容器“隔直通交”的通性特点外,其还有体积小,比容大,寿命长,可靠性高,适合表面安装等特点。

•随着世界电子行业的飞速发展,作为电子行业的基础元件,片式电容器也以惊人的速度向前发展,•每年以10%~15%的速度递增。

目前,世界片式电容的需求量在2000亿支以上,70%出自日本(如MLCC大厂村田muRata),其次是欧美和东南亚(含中国)。

随着片容产品可靠性和集成度的提高,其使用的范围越来越广,•广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。

如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。

高压陶瓷电容

高压陶瓷电容

高压陶瓷电容------基本常识学习高压陶瓷电容:即使用在电力系统中的高压陶瓷电容器,一般如电力系统的计量,储能,分压等产品中,都会用到高压陶瓷电容器。

高压陶瓷电容在LED灯行业已有广泛的应用和不轻的地位,高压陶瓷电容是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。

高压陶瓷电容-----优点1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构4.耐高压性能好,额定电压超过100kv,耐压值大于200kv.高压陶瓷电容-------作用1.高压陶瓷电容具有耐磨直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中,其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗,高压瓷片电容只要针对于高频,高压瓷片电容取决于使用在什么场合,典型作用可以消除高频干扰。

2.在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器,要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。

近年来随着材料、电极和制造技术的进步,高压陶瓷电容器的发展有长足的进展,并取得广泛应用。

高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。

3.高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。

因为电力系统的特殊*流电压高,高频,处于室外环境中(-40度到+60度),雷击电压/电流大,等等各种因素,造成了高压陶瓷电容器在研发和生产中一直处于困境:环境的恶劣,要求电容具有超强的稳定性,即变化率要小;同时,计量,储能,分压等产品要求高精密度,这对处于这种环境下的高压陶瓷电容器的局放,即局部放电量有着极为苛刻的要求:局放为零。

高压陶瓷电容---分类1.螺栓圆柱型2.引线瓷片型3.板型无爪型4.板型带爪型5.电容串6.电容芯棒7.其他特殊定制电容·高压陶瓷电容和高压瓷片电容的特点对比:高压陶瓷电容的特点1.不需要认证2.超高压可以达到7KV 在高就罕见了,3.打印方式和Y电容比不用把各国认证打在产品表面,4 电压最低可以到16V5,耐压最高2.5倍一般生产是1.5倍的标准测A型材料的交流击穿电压特性外面用环氧树脂模压包封的陶瓷电容器的击穿电压厂。

BME电极材料MLCC情况介绍

BME电极材料MLCC情况介绍

A C H L P R S T U Q V SL
G G G G G G H H J K K —
+250≥α≥-1750

UM

2类瓷的标志代码
(IEC60384-10、GB/T9324、JIS-C-5101-10)
上下限类别温度范围和对应的数字代码 温度特性 组别的 字母代码 在上下限 类别温度 范围电容 量的最大 变化率
片式多层陶瓷电容器 设计选型
内容提要

MLCC的概念与应用领域 MLCC产品分类与主要技术指标 移动通信与A&V产品用MLCC的设计选型 电容器的失效ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ式与常见故障
1、MLCC的概念
MLCC (Multi-Layer Ceramic Chip Capacitor) 片式多层陶瓷电容器 的英文缩写
±30 ±60 ±120 ±250 ±500 ±1000 ±2500
G H J K L M N
1类陶瓷介质温度系数
EIA代码(简码) 温度系数及其允许偏差 C0G (NP0) 0 ppm/℃±30 ppm/℃ R2G (N220) -220 ppm/℃±30 ppm/℃
U2J (N750) -750 ppm/℃±120ppm/℃
(a)
(e)行的 字母代码
+10 -30 -55
Z Y X
+45 +65 +85 +105 +125 +150 +200
2 4 5 6 7 8 9
±1.0 ±1.5 ±2.2 ±3.3 ±4.7 ±7.5 ±10.0 ±15.0 ±22.0 +22/-33 +22/-56 +22/-82

高压高频瓷介电容

高压高频瓷介电容

高压高频瓷介电容高压高频瓷介电容瓷介电容是一种用于储存电荷的电子元件。

在电路设计中,瓷介电容被广泛应用于高压和高频率的应用中,因为它们能够在这些条件下工作。

这篇文章将讨论高压高频瓷介电容的原理、特点以及在实际应用中的使用。

1. 原理瓷介电容的原理是基于电介质的电容性质。

当两个电性能不同的导体材料在一起时,它们可以形成一个电容器。

将一些非导体材料用于接合导体,并在其之间施加电压后,这些材料就会保持对应电荷的情况。

这个过程被称为电荷累积。

瓷介电容的材料通常是高度纯净的陶瓷。

这种材料被称为瓷料,并由于其在高温下的化学性质、耐热性和耐腐蚀性而被选择。

通过操作电荷的积累和释放,瓷介电容可以储存能量,并在空闲时释放这些能量。

瓷介电容的原理适用于各种高压和高频的应用。

例如,在电视机和电路板中,瓷介电容可以储存能量并用于平滑电压波动。

2. 特点瓷介电容有几个显著的特点,这使得它们在高压和高频电路中得到了广泛的应用。

首先,瓷介电容可以快速充放电,并具有高频竞争力。

这意味着在高频应用中,瓷介电容能够快速地相应电荷的需求。

第二,瓷介电容可以在一定程度上抵御高温和腐蚀。

这使得瓷介电容非常适合在高温环境下运行,例如大型机械或火力发电厂。

此外,瓷介电容还具有高稳定性。

因为瓷介电容是在高度精制的瓷料上进行操作的,这就使得它们在操作期间具有非常高的稳定性,并且可以长时间持续出现在高压和高频环境中。

3. 实际应用瓷介电容在实际应用中得到了广泛的应用。

它们被用于计算机和电视机内部、变压器和电力发电站中。

此外,它们还可以在规模较小的应用领域中使用,例如电子电路板或电源逆变器中。

由于瓷介电容在高压和高频领域中的应用范围,它们经常被用于开发高压和高频电源、无线电设备、雷达和射频通信系统。

这些应用场景中的高能量、高信号速率等特征,都需要快速反应、高稳定性和正确的能量储存。

4. 总结瓷介电容是电子领域中最常见的电容。

它们是用来储存电荷的设备,可以用于各种高压和高频应用中。

安规与CBB电容都存在哪些不同?

安规与CBB电容都存在哪些不同?

安规与CBB电容都存在哪些不同?
熟悉电子电路设计的朋友都知道,在对支流转直流的电源制作过程中,为了最大程度上的滤除高频信号需要并联较小的电容来进行滤波。

那么此时就有朋友会好奇,既然都是滤波,那么采用CBB电容与采用安规电容有什么不同呢?本文就将针对这点来为大家进行分析。

安规电容与CBB电容的区别,可以首先从如下几点来入手:
1、陶瓷电容是针对高频高压使用的瓷介电容器,其中额定电压为400V和250V的电容,分别命名为Y1、Y2电容,即安规瓷片电容。

2、CBB电容属于薄膜电容。

根据经验,很多厂家就用聚丙稀金属薄膜电容。

3、CBB无极电容是一种材料和工艺生产出来的(聚丙烯电容),而安规电容是电容的一种特性和用途。

安规电容是指用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全。

它包括了X电容和Y电容。

x电容是跨接在电力线两线(L-N)之间的
电容,一般选用金属薄膜电容;Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间(L-
E,N-E)的电容,一般是成对出现。

基于漏电流的限制,Y电容值不能太大,
一般X电容是uF级,Y电容是nF级。

X电容抑制差模干扰,Y电容抑制共模干扰。

符合安规电容要求的,有足够的耐压和稳定性的电容都可以做安规电容的。

按照用途区分
安规电容主要适用于电网电源供电的电子仪器和电子设备,应用于开关、触点等产生火花放电的部位,能够起吸收脉冲干扰和减少电磁骚扰的作用。

广泛地使用于电动工具、灯饰、风筒、热水器等家用电器中。

安规电容拥有体积小、。

MLCC简述资料

MLCC简述资料
3
MLCC 制造流程简述①
1、配料:将主要原材料瓷粉与相应的粘合剂、溶剂、添加剂混均 2、流延:将配料后获得的浆料通过流延机形成薄薄的一层膜 3、印刷:在流延后的瓷膜上印刷上一层电极,也就是MLCC的内电极
4
MLCC 制造流程简述②
4、叠层:将印刷后的瓷膜按照预先的设计叠成不同层数的生坯 5、层压:叠层后的生坯层与层之间结合还不够致密,所以通过层压将其压紧,不分层,形成一体。 6、切割:把层压后的大块生坯,按照不同的规格切割成小的生坯 7 、排胶:将切割后的生坯装成专用的钵内,然后放入烘箱内,用300度左右的温度来进行排胶,去除生
主要生产厂家:国际品牌: 村田(Murata)、京瓷,太阳诱电 、TDK;韩国三星;台湾禾伸堂、国巨 (YAGO)、华新科;国产有名: 风华高科,宇阳、三环
陶瓷电容的分类: I 陶瓷介质----顺电体,线性温度补偿系数,热稳定型
或者热补偿型 ii 陶瓷介质----铁电体,非线性温度特性 Iii 陶瓷介质----阻挡层或者晶界层型陶瓷,单层型圆片电容器介质 按照温度特性、材质、生产工艺。 MLCCI I类可以分成如下几种: NPO、COG温度特性平稳、容值小、价格高; Y5V、Z5U温度特性大、容值大、价格低; X7R、X5R则介于以上两种之间
12、端处:烧端后的产品具有导电性,但还未具有良好的可焊性(可焊的除外),所以在其端头再电镀 上一层NI和一层SN
13、测试:将端处后的产品进行100%的测试分选,剔除不良 14、外观:将测试后的产品进行外观分选,剔除测试合格,但外观不良的产品 15、编带:将产品按照客户要求编成盘
5
MLCC 特性曲线①
C0G(NP0): 是一种最常用的具有温度补偿特性的 MLCC。 它的填充 介质是由铷、 钐和一些其它稀有氧化物组成的。 C0G 电容量和介质损耗 最稳定, 使用温度范围也最宽, 在温度从-55℃到+125℃时容量变化为 0±30ppm/℃, 大封装尺寸的要比小封装尺寸 的频率特性好。适合用于振 荡器、谐振器的旁路电容,以及高频电路中的耦合电容。

高频瓷片电容

高频瓷片电容

高频瓷片电容
高频瓷片电容是一种电容器,广泛应用于高频电路中。

它是由陶瓷材料制成,具有高
精度、低噪音、稳定性好等特点,在许多高频电路中起到了重要的作用。

高频瓷片电容一般由两片金属电极和一层介质材料组成。

介质材料一般选用高纯度的
氧化铝陶瓷,也有一些电容器会选用其它材料如氧化钛陶瓷等。

铝陶瓷具有高精度、稳定
性好等特点,且在高温、高压、低噪声等方面表现良好,并能够耐受长期工作的高频电磁
干扰。

因此,它成为了高频瓷片电容最常用的介质材料。

高频瓷片电容的一大特点是其精度高。

一般来说,它的误差范围可以控制在±0.25% ~ ±20%之间。

而且在高温、高压、高频电磁环境下,其精度变化非常小,从而保证了高频
电路的稳定性。

在高频电路中,高频瓷片电容扮演了很多重要的角色。

例如,它用于合成电路中,作
为振荡电路、滤波电路等的基础元器件。

在调频收音机、电视机、通讯设备等领域中,高
频瓷片电容也有着广泛的应用。

除了广泛的应用于高频电路之外,高频瓷片电容还被广泛应用于成套的高频贴片滤波器、高频耦合电容器、稳定电容器等。

这些元件能够提供稳定的高频响应、减少高频干扰,从而提升设备的性能和可靠性。

需要注意的是,在使用高频瓷片电容时,应该选择合适的封装和安装方式,以保证其
稳定性和可靠性。

另外,在使用和储存瓷片电容时,应注意环境温度和电气特性,以避免
其老化和性能下降。

瓷介电容器分类及相关特性

瓷介电容器分类及相关特性

瓷介电容器的分类及相关特性瓷介电容器的分类及相关特性瓷片之构造乃在瓷质诱电体及银电极所构成之素子电极上焊接导线而成。

可分为低压低功率和高压高功率,在低压低功率中又可分为I型(CC型)和II型(CT 型)。

1、I型(CC型)特点是体积小,损耗低,电容对频率,温度稳定性都较高,常用于高频电路。

2、II型(CT型)特点是体积小,损耗大,电容对温度频率,稳定性都较差,常用于低频电路。

一CC1型圆片高频瓷介电容适用于谐振回路及其他电路做,耦合,隔直使用。

损耗:《0.025绝缘电阻:10000mohm 试验电压:200v允许偏差:5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)温度系数:-150--- -1000PPM/C 环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96%二CT1型圆形瓷片低频电容环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差:101—472 (+-10%)472-403(+80-- -20%)三CC01圆形瓷片电容环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差:5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M):1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM56—180P –750(+-250)PPM180—390P –1300(+-250)PPM430—820P –3300(+-500)PPM四CT01圆形瓷片电容环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻:1000mohm允差:+80 -20%容量:1000-47000p工作电压:63v 试验电压:200v五独石瓷介电容器5.1 CC4D独石瓷介电容器环境温度:-55—85C 相对湿度:+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量:100-100000p工作电压:40v 试验电压:120v5.2 CT4D独石瓷介电容器环境温度:-55—85C 相对湿度:+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0.035容量:0.033-2.2uf工作电压:40v-100v 试验电压:3UW允差:+80-20%六CC2,CT2管形瓷介电容器与片形瓷介电容相比,机械强度高,用作旁路时内电极屏蔽性能好,用在高频电阻杂散耦合好,缺点是固有低,制造工艺复杂,产量低。

MLCC片式多层陶瓷电容器可靠性测试技术规格、测试方法资料

MLCC片式多层陶瓷电容器可靠性测试技术规格、测试方法资料

C≤10uF: 测试频率:1KHZ±10% 测试电压:1.0±0.2Vrms Test Frequency:1KHZ±10% Test Voltage:1.0±0.2Vrms
C>10uF: X7R、Y5V、X5R: 测试频率:120±24HZ 测试电压:0.5±0.1Vrms Test Frequency:120±24HZ Test Voltage:5±0.1Vrms
项目 Item
技术规格 Technical tion
测试方法 Test Method and Remarks
潮湿实验 Moidture Resistance
低压产品寿命 实验
Life Test
I 类:≤±2%或±1pF,
取两者之中较大者
II 类:X5R,X7R:≤±10%
△C/C
Y5V:≤±30% Class I:≤2%或±1pF
可焊性 Solderability
耐焊接热 Resistanceto Soldering Heat
不应有介质被击穿或损伤 No breakdown or damage.
上锡率应大于 95% 外观:无可见损伤 At least 95% of the terminal electrode is eovered by new solder. Visual Appearance:No visible damage.
抗弯曲强度 Resistance to Flexure of Substrate
(Bending Stength)
端头结合强度 Termination Adhesion
温度循环 Temperature
Cycle
△C/C
≤±12.5%
外观:无可见损伤 Appearance:No visible damage.

高压贴片电容

高压贴片电容

高压贴片电容又名陶瓷多层片式电容器,是一种用陶瓷粉生产技术,内部为贵金属钯金,用高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极制成。

产品分为高频瓷介NPO(COG)和低频瓷介X7R两种材质。

NPO具有小的封装体积,高耐温度系数的电容,高频性能好,用于高稳定振荡回路中,作为电路滤波电容。

X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流(AC)脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿,所以不建议使用在交流电路中。

1.高压贴片电容规格容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF电压6.3V-100V-1KV-2KV-5KV2.高压贴片电容作用1、电源电路中滤波作用:滤波是贴片电容的作用中很重要的一部分。

几乎所有的电源电路中都会用到。

从理论上(即假设电容为纯电容)说,电容越大,阻抗越小,通过的频率也越高。

但实际上超过1uF的电容大多为电解电容,有很大的电感成份,所以频率高后反而阻抗会增大。

有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容,这时大电容通低频,小电容通高频。

电容的作用就是通高阻低,通高频阻低频。

电容越大低频越容易通过,电容越大高频越容易通过。

具体用在滤波中,大电容(1000uF)滤低频,小电容(20pF)滤高频。

曾有网友将滤波电容比作“水塘”。

由于电容的两端电压不会突变,由此可知,信号频率越高则衰减越大,可很形象的说电容像个水塘,不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。

它把电压的变动转化为电流的变化,频率越高,峰值电流就越大,从而缓冲了电压。

滤波就是充电,放电的过程。

2、旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件,它能使稳压器的输出均匀化,降低负载需求。

就像小型可充电电池一样,旁路电容能够被充电,并向器件进行放电。

为尽量减少阻抗,旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。

这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。

高频高Q值MLCC的设计与制作

高频高Q值MLCC的设计与制作

多功能化 、低功耗等方向发展 麒中高频化是其发展 的重点
之一 。例如 :手机射频信号收发模块 中用到具 有高电流承载
厂家采用贱金属 c u内电极体 系瓷粉 ( 方案 4 )和高 P d高烧
瓷粉体 系 ( 方案 3 )制作 ,应用领域在 于移 动通讯 、微波 电 子产品 中,标称 电容量一 般不大于 10 F 0 P 。美国 M C L C厂家 则主要采用高钯高烧瓷粉体 系 ( 案 3 方 )制作高频微波 M卜
Deina dMa ua tr f CC t g rq e c n g — l e sg n n fcu eo ML wi HihF e u n ya dHihQ— u h Va
宋子峰 ( 广东风华高新科技股份有限公司, 广东 肇庆 56 2 ) 2 0 0
S gZ-e g ( a go gFnh aA vne eh 00YC .Ld Gu n d n h o ig5 6 2 ) on ifn Gun dn eg u d acdT c n1g 0, t a g 0 gZ a qn 2 0 0
本文从 ML C结构 、选材设计入手 ,采用 了四种不同 电 C 子 材料 和工艺 ,制作高频高 Q值 M C ,研究 、对 比了这 四 LC 种 电容器基 本电性能和高频特性。
晰度大屏幕彩 电 、MP 4、D D机等通讯 、消费以及汽车电子 V 信息整机产 品,起到旁路 、耦合 、滤波 、振荡 等作用。随着



关键 词 :片式多层 瓷介 电容器 ;高频高 Q值 ;设 计与制作
中 阔分 类 号 :T 3 + 1 M54 .
文 献标 识 码 :B
文章 编 号 :10- 0 ( 0)l 5加 3 0 30172 8l枷 4 - 0

瓷介电容_风华高科规格书

瓷介电容_风华高科规格书

产品规格表示方式Product Part Number Expression1Product Type、产品类型CC11F 253NPO 415A 63307J 8S 9P 102Voltage Code、电压代码代码Code 额定电压Rated VoltageY 400VACF50V G100V A200V K250V L500V N1KV M2KVP3KV Q4KV 3Diameter Coefficient、片径直径代码直径Code Diameter(mm)65.5-6.4…………109.5-10.41211.5-12.4…………4(EIA )、温度特性见温度系数及代码:Temperature Characteristics (Please to see temperature coefficient and EIA code):5Lead style、引线形式代号symbol12345679W 11风华高科X250VAC54.5-5.4产品类型Product Type类型代号Typ e cod eLow voltage temperature compensation capacitor High voltage temperature compensation capacitorLow voltage high dielectric constant disk ceramic capacitor High voltage high dielectric constant disk ceramic capacitor Semiconductor disk ceramic capacitor Alternating current disk ceramic capacitor低压温度补偿型高压温度补偿型低压高介电常数型高压高介电常数型半导体型电容器交流电容器CC1CC81CT1CT81CS1CT7引线形式直脚长式直脚长式()编带直脚型(b式)编带小内弯型(a式)编带大内弯型(a式)特殊直脚S 外单弯(w式)前后翘lead Style(18-28mm)b Straight lon g lead (18~28m )b Style (16-20mm)b Straight long le ad (16~20mm)b Style straight short lead(cut the feet)Tape straight lead (b Style)Tape sm all inside kink (a Style)Tape large inside kink (a Sty le)()Special Straight lead (S)Outside kink(w Style)vertical kink lead短脚切脚6Lead Spacing、脚距7Standard capacitance、标称容量1R04R7100560821102-----注:标称容量以为单位,用位数字表示。

高压瓷片陶瓷电容

高压瓷片陶瓷电容

高压瓷片陶瓷电容
高压瓷片陶瓷电容是一种新型的电容器,主要用于高压应用,尤其是高压电机和调压器。

其特点是其容量大、损热少、抗振性能佳、绝缘性能可靠等优点。

高压瓷片陶瓷电容的主要的特点,首先它的尺寸小、重量轻,容易安装,而且它的绝缘性能优良,耐压也非常高,一般可达2KV以上,能满足大多数应用场合的要求。

此外,它的耐暴露性能优良,可以把焊接后电容暴露在空气中,只要在操作中注意防止水分、增加夹子的数量,就能保证良好的绝缘效果。

此外,高压瓷片陶瓷电容的其他优点还包括低介电常数,不但可以减少元件有效容量,而且还能降低系统内部阻抗,使得电路电阻变小,从而提高高频谐振电路的容量,更好地达到电路的设计效果。

最后,高压瓷片陶瓷电容还具有抗振、一次放电性能稳定,可以有效防止设备接触器烧坏、磨损、短路,从而可以提高设备使用寿命和使用可靠性,是高压电机和调压器的理想电容器。

综上所述,高压瓷片陶瓷电容具有极好的特性,提高了高压应用的性能,在高压电机和调压器应用中表现出极好的效果,受到越来越多用户的认可与青睐。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

鉴定批准试验施加电压时间为 1min;
对于质量一致性检验的逐批检验施加电压时 间为(5±1)s; 浪涌电流的限制值不超过 50mA;
QJ、△J 、CC、SAST、QJB(M)/K+、QJB/K: 测试电压:(1±0.2)V 有效值
tgδ≤ 0.0015 G、J: CR<50pF, tgδ≤1.5×(150/CR+7) ×10-4; CR≥50pF, tgδ≤ 0.0015
101~472 101~222 101~102
101~682 101~332 101~152
101~103 101~682 101~472
允许偏差 3KV
--
--
--
--
C、D、J、K
--
--
--
4545 5868
101~223 101~473
101~153 101~223
101~103 101~153
注:上述容量范围同样适用于 CASS A:CASS/08.1-2015+ CASTPSW02/008B-2013 质量等级。
允许偏差 C、D、J、K
SASTYPS0601/0004-2015 SAST
标称容量范围(温度系数 CG)
300V
630V
1KV
2KV
0805
1R0~511
1R0~221
--
--
CASS/08.1-2015+Q/RQ26021A-2014 CASS/08.1-2015+Q/HK26013-2012 ASTG0601-2015-001+ Q/RQ26021A-2014 ASTG0601-2015-001+Q/HK26013-2012+QZJ840624
尺寸代码
0805 1206 1207 1210 1812 2220 2225 3035 4545 5868 7680
③ 外形尺寸
(L)长
(B)宽
2.0±0.3
1.2±0.2
3.2±0.4
1.6±0.3
3.2±0.4
1.8 +0.3 -0.2
3.2±0.4
2.5±0.3
4.5±0.5
3.2±0.4
5.7±0.5
5.0±0.5
5.7±0.5
6.5±0.5
7.6±0.5
8.9±0.5
11.5±0.5
11.5±0.5
14.5±0.5
300
500
3035
101~682
101~472
注:上述容量范围同样用于 CASS A:CASS/08.1-2015+ ZZR(Z)-Q/RQ26034B-2009 质量等级。
允许偏差 J、K
Q/RQ26031-2012 QJB(P)/K+
0805 1207 1210 1812 2220 2225 3035
注:1) 上述容量范围同样适用于 CASS/08.1-2015+Q/HK26013-2012 质量等级。 2) 上述容量范围同样适用于 SAST-G:SASTG0601-2015-001+ Q/HK26013-2012+QZJ840624 质量等级。
3000V
----
100~561 101~821 101~272 101~682 101~912 101~153
1210
1R0~152
1R0~102
1R0~681
--
1812
100~332
100~222
100~102
100~331
2220
101~682
101~472
101~222
101~102
2225
101~822
101~682
101~332
101~152Leabharlann 3035101~153
101~103
101~682
101~472
101~511
101~102 101~332 101~512
101~682 --
允许偏差 C、D、J、K
Q/HK26013-2012 G、J、工业级
200V
250V
300V
标称电容量范围(温度系数 CG)
500V
630V
1000V
2000V
0805 1206 1210 1812 2220 2225 3035 4545 5868
1R0~152 1R0~392 100~822
1R0~102 1R0~272 100~562
1R0~681 1R0~182 100~392
1R0~681 1R0~271
--
1R0~152 1R0~122 1R0~681
100~392 100~392 100~152
---
1R0~391
100~273 101~393
SAST-G
SAST-G
SAST-G
产品型号
CCK41L CCK41L CC41L CCK41L CCK41L CC41L CC41L CCK41L CCK41L CCK41L CCK41L CC41L CCK41L CC41L

执行标准
ZZR(Z)-Q/RQ26034B-2009 Q/RQ26031-2012
① ② ③ ④ ⑤⑥ ⑦

示意图


质量等级
△J
国军标
QJB(M)/K+ 企军标(M)/K+
CAST C
简写 CC
SAST
SAST
QJ
企军标
G
七专
J、工业级 普军、工业级
CASS A
CASS A
CASS A
CASS A
CASS B
CASS B
CASS C
CASS C
CASS C
CASS C
SAST-G
100~183 101~273
100~123 100~183
100~103 100~183
100~103 101~183
100~562 101~822
100~122 101~182
101~823 101~823
101~563 101~683
101~473 101~473
101~273 101~473
4000V
----
1R0~470 1R0~331 1R0~102 101~102 101~332 101~103
300V 1R0~511 1R0~102 100~152 100~332 101~682 101~822 101~153
标称电容量范围(温度系数 CG)
630V
1KV
2KV
1R0~221
--
--
1R0~471 1R0~151
--
100~102 100~681
--
100~222 100~102 100~331
--
1812
100~432 100~392 100~332 100~222 100~102 100~331
2220
101~912 101~822 101~682 101~472 101~222 101~102
2225
101~123 101~103 101~822 101~682 101~332 101~152
3035 4545
101~223 101~183 101~153 101~103 101~682 101~472 101~363 101~273 101~223 101~153 101~103 101~682
5868
101~683 101~623 101~473 101~223 101~153 101~103
CASTPSW02/008B-2013 SASTYPS0601/0004-2015
Q/RQ26021A-2014 Q/HK26013-2012+QZJ840624
Q/HK26013-2012 CASS/08.1-2015+ZZR(Z)-Q/RQ26034B-2009 CASS/08.1-2015+CASTPSW02/008B-2013 CASS/08.1-2015+SASTYPS0601/0004-2015
100~301
2220
332~622
222~432
102~202
331~911
2225
682~752
472~622
222~302
102~132
3035
822~133
682~912
332~622
152~432
4545
153~223
103~153
682~103
472~682
7680
--
--
--
163~223
17.3±0.5
19.3±0.6
20.3±0.6
(mm)
(H)高度 max. 1.3 1.6 1.7 2.5 3.2 5 5 5.2 5.2 6 6
代码
BC CG
类别温度范围
(-55 ~ 125)℃ (-55 ~ 125)℃
④ 温度系数
容量最大允许变化/温度系数及允许偏差 (0±30)×10-6/℃ (0±30)×10-6/℃
101~273 101~393
101~183 101~223
101~562 101~153
101~124 101~104 101~823 101~623 101~473 101~273 101~183
101~154 101~134 101~124 101~823 101~513 101~333 101~203
Rj≥ 105 MΩ·或 1000MΩ··μF,取较小者
相关文档
最新文档