光伏组件基础知识培训精要

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光伏组件基础知识培训
缺陷分类： 缺陷只要分为 ：致命缺陷/重要缺陷/轻微缺陷 三类 缺陷定义：
致命缺陷：此类缺陷将导致整个组件功能不能工作或影响系统安装或寿命（例如： 组件破裂，无功率输出等）或者电气安全风险（例如：电缆破皮带电体外露, 耐压测wk.baidu.com 失败）或者非认证的物料用在组件上可能导致组件使用寿命缩短。
CTM值如果较高的话，制作出的组件的输出功率达不到设计要求，有可能会导致 客户投诉，对组件生产公司产生不良影响，造成经济损害。 CTM值如果过低或者为0，甚至出现负数，组件功率会出现等于或高于理论功率， 这种情况是不合理的，则需对功率测试设备、使用的标准板及标定方式进行排查，找 出造成异常的原因。 随着科技的进步，材料与生产工艺的革新，封装损失也一直在被降低，目前已知 的最有效的可以降低封装损失的方法有：（一）使用镀膜玻璃（二）使用高透光 EVA。
太阳电池相关性能知识
太阳电池性能参数：
短路电流（ISC） 开路电压（VOC）最大功率点电压（vpm） 最大功率点电流（IPM） 最大功率（pmax） 转换效率（Eff）。 标准测试条件下，电池片转换效率与实际功率的转换计算方法： Pmax ＝ 电池面积（㎡）X 1000（w/㎡） X 转换率 目前使用电池片功率如下： 产品类型 转换效率（%） 多晶（156*156） 17.2 多晶（156*156） 17.4 多晶（156*156） 17.6 多晶（156*156） 17.8 功率（W） 4.19 4.23 4.28 4.33
IV测试相关标准
组件标准测试条件： 温度25±2℃，1000W∕㎡（同100m w/㎝2），AM1.5；测试时，标准组 件、监控组件、参考组件和待测试组件温度均需满足25±2℃，湿度 90%≥RH≥40%； 封装损失（CTM） 定义：晶硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常小于理论功率，称之为 功率损失或封装损失。 计算方法 封装损失（CTM值）=（理论功率－实际功率）/ 理论功率 封装损失（CTM值）合理范围：－1.05≤CTM≤1.0
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符号
中文定义
开路电压 ：在光照下，电池片没有接负载时的电压 短路电流 ：在光照下，电池片短路时的输出电流 最大功率 ：在光照下，电池片所能输出的最大功率
Voc Isc Pmax Vpm Ipm FF
工作电压：组件最大功率点时电压 工作电流： 组件最大功率点时电流 填充因子: Pmax/Voc * Isc，电池的输出功率随负载的变动特性
重要缺陷：此类缺陷将导致组件部分次要功能不能工作或严重的外观缺陷或部分电 气参数偏离技术参数要求。
轻微缺陷：此类缺陷通常为不影响功能电气特性和使用寿命的轻微外观或机械缺陷。
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功率 测试
功率的曲线图 必须是平滑的 曲线，曲线异常 不接受 ；测试 时温度必须在 25度±2℃的范 围内。
1、测试温度每2 小时需做点检记 录； 2、测试组件时, 需每2小时校准 标准板并做记录 ；