可控硅的三大常见应用误区
简单粗暴--5分钟搞定可控硅电路应用
简单粗暴--5分钟搞定可控硅电路应用可控硅对于电子工程师来说是个重要的元器件，对于一个合格的硬件工程师来说，必须要掌握可控硅的电路设计。
可控硅在各个领域应用广泛，常用来做各种大功率负载的开关。
相比继电器，可控硅有很多优势，继电器在开关动作时会产生电火花，在某些工业环境由于安全原因这是不允许的，继电器在开关动作时触点会发生氧化，影响继电器寿命，而这些缺点可控硅都能避免。
可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 简称SCR，可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。
双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。
双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。
其通断状态由控制极G决定。
在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。
单向可控硅工作原理单向可控硅的电流是从阳极流向阴极，交流电过零点时截止，如图交流电的负半周时，单向可控硅是不导通的，在正半周时，只有控制栅极有触发信号时，可控硅才导通。
双向可控硅工作原理双向可控硅的电流能从T1极流向T2极,也能从T2极流向T1极，交流电过零点时截止，只有控制栅极有正向或负向的触发信号时，可控硅才导通。
接下来我们讲解下使用最多的双向可控硅的一些电路应用上图中，VCC和交流电其中一端是连接在一起的，这样就能保证单片机是输出低电平信号触发可控硅，这样可控硅触发工作在第3象限，上图中避免可控硅触发使用高电平信号，避免可控硅触发工作在第4象限。
若运行在第4象限由于双向可控硅的内部结构，门极离主载流区域较远，导致需要更高的Igt,由Ig 触发到负载电流开始流动，两者之间迟后时间较长,导致要求Ig 维持较长时间,另外一个缺点就是会导致低得多的 dIT/dt 承受能力，若控制负载具有高dI/dt 值（例如白炽灯的冷灯丝），门极可能发生强烈退化。
查阅可控硅BT134器件规格书，也明确说明触发工作在第4象限，Igt需求更大。
可控硅光耦 烧电阻
可控硅光耦烧电阻可控硅光耦是一种常见的电子元器件，常用于电路中的电阻调节。
本文将介绍可控硅光耦的基本原理、使用方法和注意事项。
一、可控硅光耦的基本原理可控硅光耦是一种将输入信号转换为输出信号的光电器件。
它由一个光电二极管和一个可控硅晶体管组成。
当输入信号加在光电二极管上时，光电二极管产生的光信号将被可控硅晶体管接收，并控制可控硅晶体管的导通或截止。
通过控制可控硅晶体管的导通或截止，可以实现对电路中的电阻进行调节。
二、可控硅光耦的使用方法1. 连接电路：将可控硅光耦的输入端连接到电路中需要调节的电阻上，输出端连接到电源或其他负载。
2. 输入信号：将需要调节的电阻上的电压信号通过光电二极管输入到可控硅光耦。
可以通过变压器、电位器等方式来调节输入信号的幅值。
3. 输出信号：可控硅光耦的输出信号可以通过可控硅晶体管的导通或截止来控制。
导通时，输出信号为高电平，相当于电阻接近零；截止时，输出信号为低电平，相当于电阻无穷大。
三、可控硅光耦的注意事项1. 输入信号的幅值应在可控硅光耦的工作范围之内，过高或过低的输入信号可能导致可控硅晶体管无法正常工作。
2. 输入信号的频率应在可控硅光耦的工作频率范围之内，过高或过低的频率可能导致可控硅晶体管无法正常响应。
3. 在连接电路时，应注意正确连接输入端和输出端，避免接反或接错。
4. 可控硅光耦在工作过程中会产生一定的热量，应确保散热良好，避免过热损坏。
5. 在使用可控硅光耦时，应避免受到强光的照射，以免影响其正常工作。
6. 如需进行精确的电阻调节，建议使用专门的电阻调节器件，可控硅光耦更适用于一般的电路调节。
总结：可控硅光耦是一种常用的电子元器件，可以实现对电路中电阻的调节。
其基本原理是通过光电二极管产生的光信号控制可控硅晶体管的导通或截止，从而实现对电路中电阻的调节。
在使用可控硅光耦时，需要注意输入信号的幅值和频率，正确连接输入端和输出端，保证散热和避免强光照射等。
KP型普通可控硅常见问题分析
KP型普通可控硅常见问题分析KP型可控硅性能的稳定可靠，对于可控整流器的良好运行来说是极为重要的。
可控硅虽具有很多优点，但是，它的过载能力较差，若线路设计不当、选配可控硅技术参数不合理，或者可控硅工作时不符使用条件、操作失误，都有可能使可控硅特性下跌，被击穿损坏，造成停机故障。
这时须采取有效措施，迅速排除故障，使整流器恢复正常。
一、故障现象：可控硅在轻载时工作正常，但是，通大电流时造成失控。
原因分析：1.可控硅高温特性差，在大电流时失去正向阻断能力；2.整流变压器漏抗引起波形畸变。
采取措施：1.更换可控硅；2.解决整流变压器漏抗匹配问题。
二、故障现象：单相桥式可控硅整流电路中负载为电感性质，可控硅有时正常，有时失控。
原因分析：1.电路中没有续流二极管；2.选用可控硅维持电流太小。
采取措施：1.在负载两端并接一只续流二极管；2.选择维持电流较大的可控硅。
三、故障现象：水冷型可控硅整流器运行时突然击穿烧坏几只可控硅。
原因分析：1.断水使可控硅工作结温急剧上升，致使可控硅击穿短路；2.可控硅管壳绝缘陶瓷圈表面有水珠或积尘导电，使阳极与阴极、门极与阴极之间形成短路；3.可控硅绝缘底座积尘导电，使阳极或阴极对地短路；4.主回路过电流保护环节不起作用。
采取措施：1.检查水路，保证畅通无阻；2.清除灰尘，擦干水珠；3.检侧可控硅阳极或阴极对地之间耐压绝缘状况，清除灰尘，保证可控硅底座对地绝缘性能良好；4.合理调整过电流保护环节的整定值。
四、故障现象：可控硅整流器搁置多年不用时，当输出端接上500W左右灯泡，主回路合闸通电进行调试时，就发生烧坏快速熔断器或可控硅。
原因分析：可控硅存放两年以上，它的特性可能下跌。
一且通电，因失去阻断能力而被击穿，（其击穿部位往往集中在管芯硅片的一个点上)，然后造成三相交流电源相间短路，致使烧坏快速熔断器和可控硅。
采取措施：1.在合闸通电之前，应对可控硅主要特性参数进行检测和筛选工作；2.如发现可控硅不符使用要求，应及时更换。
可控硅的使用及其方法
可控硅的使用及其方法可控硅作为一种电子开关，广泛地应用在自动化设备和各种控制电路中，可控硅既有单项也有双向的，在使用中会经常遇到一些问题。
文章根据实际工作情况，介绍一些经验以供参考。
标签：自动化设备；控制回路；研究分析1 选购可控硅可控硅的电参数很多，在选购时要考虑的是：额定平均电流IT、正反向峰值电压VDRM（VRRM）、控制极触发电压与触发电流IGT这几个参数。
由于手册或产品合格证上给定的可控硅的上述参数值都是在规定的条件下测定的，而实际使用环境往往与规定条件不同，并且极有可能发生突发事故超过管子承受能力的现象。
所以为了管子在安全的电压下工作，特别是交流220V的情况下，应该按额定为实际电压的2～3倍值来选管子。
例如：外加电压为220V，则至少应选择400V以上的管子最好为600V，为了保证管子避免电流过大而烧毁，并考虑到管子的发热情况与电流的有效值，应选择平均电流的有效值的1.2～2倍，需要指出的是。
IT对单项可控硅而言是IT（A V）指允许流过SCR的最大有效值电流。
例如：8A SCR（单向）的有效值IT（RMS）=12.6A，因此用8A的BCR代替8A的SCR是不允许的，为了使管子的触发电压与触发电流要比实际应用中的数值要小。
例如：实际使用的触发电压为3V，则可选触发电压为2V的管子。
同样，管子的触发电流亦应选择小些以保证可靠触发，一般常用的集成电路输出电流均很小（除555电路例外，TTL比CMOS要大），所以可在其输出端加一级晶体管放大电路，以提供足够大的驱动电路来保证管子可靠地触发导通。
2 可控硅的具体接法2.1 直流电路首先，单向可控硅SCR有三个电极，即阳极A，阴极K，控制极G，SCR 在直流控制电路中使用时，要注意施加工作电压与控制触发电压的极性。
A，K 之间是加正向电压但控正向的接法是图1，只有A，K之间接正向电压，控制极G亦接正向电压，SCR才能导通。
SCR一旦触发导通后，即使降低控制极电压，甚至撤除控制极电源，SCR亦不阻断而是继续导通。
我伙呆 原来可控硅受干扰是因为这些问题
我伙呆原来可控硅受干扰是因为这些问题
可控硅作为一种重要的电子元器件，在照明、通讯等领域的电路系统中是不可或缺的，由可控硅组成的脉冲触发系统在电力、电子等工业领域中的应用也是非常广泛的。
然而，想要让这种可控硅脉冲触发系统维持正常运行，工程师就必须保障可控硅在工作时具备良好的抗干扰能力。
那幺，究竟是哪些原因让可控硅受到了干扰呢？
在基于可控硅设计的脉冲触发电路系统中，大多数的晶闸管干扰表现为瞬时尖峰信号的形式，也就是让不少工程师深恶痛绝的“尖峰毛刺”。
当这种毛刺的幅值和能量达到一定程度时，就极易导致可控硅导通，造成严重损坏并导致脉冲触发系统不能正常运行。
这种情况尤其在现场环境比较恶劣、而脉冲本身又为强触发脉冲的条件下容易出现。
这是因为外界对脉冲系统及脉冲相互间的干扰都非常大，处于这种情况下的可控硅元件如果没有电路内部的保护措施，很容易损坏，而该情况下系统的抗干扰能力强弱也正能衡量出工程师所设计的抗干扰措施是否具有良好的实际应用效果。
就目前工控以及通讯领域的可控硅脉冲触发电路应用情况来看，脉冲系统中对可控硅的干扰主要有两类，一类是脉冲系统内的相互干扰，另一类则是外部干扰源对脉冲系统的干扰。
首先来看脉冲系统内的相互干扰情况，这类干扰主要由共用的电源和地引起，其实际表现情况为一路脉冲的尖峰干扰信号在对应于其他几路脉冲的时刻出现。
这是因为各路脉冲共用一组电源，在一路脉冲触发时，瞬时功率较大，将电源波形拉下缺口。
同时在地线上产生较强的脉冲电流，该电流流经地线上两点间将产生干扰毛刺。
若接地没处理好，该干扰“毛刺”将通过地线传至其他路脉冲信号上。
这类干扰的另一原因是印刷电路板上或线槽内两条平行的信号线的线间分布电容的电容耦合。
中频炉核心部件，可控硅的安全特性
中频炉核心部件，可控硅的安全特性
可控硅是中频电源的核心，它的准确使用对设施的运行至关重要。
一台设施一年损坏三五只可控硅尚属正常，如果经常烧硅，电炉停摆，影响出产，就要引起警觉了。
可控硅的工作电流从几百安到几千安，电压通常在一两千伏，良好的主控板保护和良好的水冷条件是必备的。
可控硅的超负荷特性：可控硅的损坏称为击穿。
在正常的水冷条件下，电流超负荷能力可达110%以上；无电压超负荷能力，就是说，硅在超压情况下，是肯定损坏的。
再考虑到浪涌电压，厂家在制造设施时，往往都按工作电压的3-4倍值来选择硅元件。
可控硅的准确安装压力：150-200KG/cm2。
在设施出厂时，一般是用油压机压装。
人工用普通的扳手用最大力气也达不到该数值，所以人工装压时，不必要担心硅会被压坏；压松了，反而会由于散热不良而烧硅。
可控硅的散热器结构：水冷空腔+多铜柱支撑。
如果循环水太硬，就会在水腔内部结垢，造成散热不良；如果水腔内进入树叶等杂物，也会造成水流不畅。
可控硅电压调整器的常见故障及检查方法
可控硅电压调整器的常见故障及检查方法{一,}1者石蓥,阀珏毳.?莩,皂查可控硅电压调整器的常见故障及检查方法上海市合流污水治理工程建设公司刘彩珠T/43#?7ZK型可控硅电压调整器,又称交流调压器,是目前工矿企业使用最为广泛的电加热控制设上二只可控硅,XCT一192温度调节指示仪及测温元件(见图1),便可对电加热设备进行手动或自动控制.负载端的电压变化情况,在可控硅电压调整器面板上的条形表上显示出来.正常情况下,通过调节面板上的反应电位器R,及手动细调电位器R}(即zK一1可控硅电压调整器线路原理图中的风及嫡2),条形表指示值应在O～100%间变化,相应输出电压为0～220V.反之,如果调节砰及R手.条形表无指示成变化较小,那么说种异常情况,介绍如何直接通过测量zK—l表背障之所在.1.条形表最大指示值只能到达3O%这种情况的现象是,将ZK—l外表板上的转换开关K1拨到手动时,调节R手,条形表指示值只能从0上升至30%左右,此时负载电压约60V.而将K拨到自动时,凋节碍,根本不起作定反应变压器B初级电压缺乏(单只可控硅导通所致)'.除了可控硅本身损坏外,触发线路故障也会出现这种现象.检查方法有二:①端子上的k1g1,k2g2接线(见图l,2).通过测量万用表R×lk档测量时.A,K(阳极,阴极),A,G(阳极,门撅)正反向阻值均为无穷大;用R×l0档测量时,K,G(阴极,门极)间具有不太理想的二极管特性.其正向阳值约数十欧到一百欧,反向阻值差不多,不超过数百欧.小容量可控硅,R与R相差较多.应注意,万用表红表棒接阳为日i.如果KG间阻值为无穷大,那么说明可控硅已开路,损坏.②绕组中有～组线圈损坏,将会造成主回路一只可图1ZKl型可控硅电压调整器线路原理图ZK一1表反面接线端子klgl,k2g2阻值判断(参阅线路原理图,B副边绕组直接与接线端于kg,kzg2相连,测量时须断开外接线).正常时其阻值应为几十欧左右.如为无穷大或零,那么为开路损坏或短路损坏.≮—_EtIjJl0efllIll1LIl0l{】IlllLlIl+一I10l1f￡矗F国2ZK一1XCT】02与BA1组成的电炉温度自控接线固上述两种情况,都会造成输出电压下降(半渡整流),使输出电压成为含有三分之一交流基波成分的单向半波脉动直流电流,造成与负载并联的反应变压器B次级感应电势大幅度减少,桥式整流器ZD2整流电压下降,从而使条形表最大指示值不超过30%.这种情况的现象是,无论K置于手动或是控硅可能开路损坏外,触发线路故障及反应变压器B本身发生故障都能产生这种现象.检查方法有三:①用万用表测量可控硅极问阻值的方法判.②表测量kg,k2gz阻值,判别脉冲变压器Bs两组副边线圈好坏.③反应变压器B初级线圈损坏(当然次级线圈损坏也能引起条形表指示值为零,只是这种现象很少见.发生这种情况,须将调压器拆开检查).从线路原理图上可以看出,Bz初级线圈直40接与负载并联,为此只须断开ZK1表反面接线常时为3kn左右.如阻值为零或无穷大,那么说明该反应变压器已损坏.上述三种情况,都会造成反应变压器B2初级无电压,所以作为初级负载的条形表(即线路原理图中的^神,也无指示3.条形表指示值为95%,不能调小这种情况的现象是,无论K置于手动或自动位置,尺r及R}均失去调节作用,此时可肯定反馈变压器B2初级为全电压(220V),除了有只或两只可控硅短路损坏外,负载开路也能引起这种现象.检查方法有二:①方法,用万用表R×1k档测量可控硅阳极A与交流电压经短路的可控硅直接加在负载上,反应变压器B次级感生最大电压,脉冲信号已失去作用,所以尺r及R丰均失去调节作用.②负载开路(这种情况比拟少见).此时反馈变压器B2成了可控硅负载,因为负载为电感性且极小,所以出现下述现象:K,置于手动时,调节尺,,R}能使条形表从95%上升至i00%.Kl置于自动时,调节尺,不起作用.4.自动时条形表无显示,手动时有显示出现这种情况,可以肯定故障出在XCT一192 温度调节指示仪上.因为K置于手动时,是通过调节电位器尺丰I改变基极电压(原电压由提供),从l到达调节脉冲宽度,改变可控硅导通角.而K置于自动时,那么由XCT一192输出的0 ～10mA电流信号,经过电阻扁及R转换成电压信号,通过调节尺,,改变脉冲宽度,从而到达常,那么说明ZK—两种方法检查XCT192故障所在.①XCT一192指示指针(黑色)与设定指针(红色)重合,此时内部振荡停止,无输出电流,那么高于指示指针(即炉内当前温度)位置,ZK1条彤表指示90%左右,说明XCT一192工作正常.反之,如指示指针随同设定指针1起移动,那么为测温元件BAI开路,损坏(等于阻值无穷大).因为测温元件BAI为铂热电阻,它是通过温度变化而改变阻值的.XCT一192指示指针不动作(此时炉内已有一定温度),那么不是测温元件(BA)短路损坏(等于阻值为零1,便是XCT一192内部出现故障(不在本文表达范围内).当然,XCT192使I【}j 时,应将其反面接线端子(短)及(短)连接线去掉(如图1所示),不然也会造成这种无动作现象.换热器出口温度控制的一点改良四川自贡鸿化总厂官宇寰换热器是化工厂_币}常见的换热设备,换热磷酸钾的过程中,换热器出口温度控制原来用的段,其调节回路的动态响应较为缓慢,而用磷酸钾的流量作操作变量,虽然响应较快,但产品质量不优点,使磷酸钾出口温度得到了很好的控制,这就是双重控制系统.一,控制方案换热器出口温度控制系统如下图.当偏差出现时,DTL一2100温度调节器输出的4～20mA的信号直接送到带电一气转换器的旁路调节阀,同时,此信号又作为阀位调节器(VDC)的输入值,而阀位调节器有固定的设定值,阀位调节器作用较缓慢,它逐步改变冷却水量调节阀的开度,到达稳态,做到了"急先治标,缓再治本".这样就到达了对磷酸钾出口温度的双重控l.温度控制系统圈二,特点(1)控制质量在动态和静态上都有所提高.偏差一旦出现,首先依靠动态响应快的磷酸钾流量来消除偏差,然后逐步调节工艺性好的冷却水流量,使磷酸钾出口温度得到较好的控制.钾溶液从64℃冷却到27±l_5℃的要求来说,一般不易满足,采用双重控制系统后,能容易地到达工艺要求.(上接第lo页)仪表具有日期,刻度,走纸速度,通道号,测量信号类型,量程,单位,记录左右边界,报警状志及上,下报警点的键盘设定.定标功能:对于直流电压,电流输^信号能自由加定标.具有求差运箅,模拟记录曲线迁移,计时及Rs232通信功能,以厦设定参数EPROM掉电保护.^信号量程的二倍(最大至1V_AC).常卅热工仪表总厂智能仪表厂J一址:江苏常州市东门外洛阳镇:213104 :0519—791140电挂:9743联系^:顾美娟41。
可控硅在电路设计中的常见误区
可控硅在电路设计中的常见误区可控硅是一种常用的半导体器件，在电路设计中起到了重要的作用。
然而，由于其特殊的工作原理和性质，很容易出现一些常见的误区。
本文将介绍可控硅在电路设计中的常见误区，并提出相应的解决方法。
第一个常见误区是对可控硅的工作原理理解不清楚。
可控硅是一种具有双向导通能力、具有放大作用的半导体开关，其主要特点是在控制引脚施加正向偏置电压时，当正向电流达到一定阈值后，可控硅将保持导通状态，并在控制引脚施加零电压或负电压时解除导通。
因此，在设计中要清楚可控硅的导通条件和解除条件，并根据实际需求选择合适的控制方式。
第二个常见误区是对可控硅的电参数和限制条件不熟悉。
可控硅具有很多与电流、电压和功率相关的电参数和限制条件，如最大正向电压、最大反向电压、最大正向电流、最大反向电流、最大耗散功率等。
在设计中必须清楚这些参数和限制条件，并根据实际需求选择合适的可控硅。
第三个常见误区是对可控硅的保护不完善。
由于可控硅是一种非常脆弱的器件，容易受到过压、过流、过温等各种因素的损坏。
因此，在设计中要采取一些保护措施，如使用适当的电阻、电容、二极管等来限制电流和电压的波动，以保护可控硅的安全运行。
第四个常见误区是对可控硅的触发电路设计不当。
触发电路是可控硅正常工作的关键，它的设计不当会导致可控硅无法正确触发或触发电流不稳定。
在设计中要注意触发电压的选择、触发电流的控制、触发电路的稳定性等问题，以确保可控硅能够正常触发。
第五个常见误区是对可控硅的温度特性忽略。
可控硅的导通特性受温度影响很大，温度升高会使导通电压降低，导通电流增大，从而影响电路的工作稳定性和可靠性。
在设计中要合理考虑可控硅的温度特性，并采取相应的补偿措施，如添加温度传感器、控制温度等。
综上所述，可控硅在电路设计中有一些常见的误区，包括对其工作原理理解不清楚、对电参数和限制条件不熟悉、保护不完善、触发电路设计不当以及温度特性忽略等。
对于这些误区，我们应该通过加强对可控硅的学习，深入了解其特性和限制条件，并在设计中采取相应的解决和改进措施，以确保电路的正常运行和可靠性。
可控硅调光照明发展受限的原因分析
可控硅调光照明发展受限的原因分析在目前的LED照明领域，大部分厂家都使用可控硅调光的方式来实现调光。
虽然可控硅调光技术是主流，但这并不代表着其是完美的，目前可控硅调光仍旧存在着一些不足，所以兼容可控硅调光LED照明设备在市场中的推广还是具有一定难度的。
可控硅技术的优点平时小编已经为大家介绍了很多，本文就不再赘述，而是为大家介绍目前兼容可控硅调光还存在哪些缺点。
目前兼容可控硅照明在市场中仍旧受限的原因包括如下几个方面。
可控硅技术发展至今，已经是一个具有半个多世纪的陈旧技术。
它具有很多如前所述的缺点，是一种早该淘汰的技术。
社会发展需要一种更加先进、更加智能化的产品来替换它。
目前兼容可控硅调光的LED驱动IC，很多自称具有PFC，可以实现较高的功率因素，实际上它只改善了负载的功率因素，使整体电路看上去更加接近纯阻性，而实际上并没有改善包括可控硅在内的整个系统的功率因素。
如上所述，为了保持可控硅的维持电流不足，很多兼容可控硅的LED调光系统都需要额外加上泄流电阻，从而增加损耗，使得LED调光系统的整体效率都十分低下，这就完全损坏了LED的高能效的初衷。
此外，目前可控硅调光LED系统市场发展参差不齐，真正完全匹配兼容所有可控硅调光器的LED驱动基本上没有，这无形中增加了很大的开发任务。
此外，真正匹配所有可控硅调光器的LED驱动还有待长时间的可靠性验证。
安装可控硅调光的白炽灯和卤素灯所占的比例不到万分之一，而在墙里安装可控硅开关的比例在可控硅调光的灯具里连万分之一都不到，因为绝大多数安装可控硅调光的都是台灯、床头灯、立灯。
更何况市面上有几十种不同规格的可控硅和晶体管调光开关，实际上所开发的IC根本不可能兼容所有的可控硅。
可控硅（晶闸管）基础知识
可控硅（晶闸管）基础知识可控硅（晶闸管）基础知识可控硅符号：可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和控制极G。
可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性好。
在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。
可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。
单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。
一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。
要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。
双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列（电极引脚向下，面对有字符的一面时）。
加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时，就能改变其导通电流的大小。
与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。
而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。
电子制作中常用可控硅，单向的有MCR－100等，双向的有TLC336等。
可以查看:世界可控硅参数大全 ,这是TLC336的样子：向强电冲击的先锋—可控硅可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。
实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。
可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
励磁系统可控硅故障分析
励磁系统可控硅故障分析一、概述励磁系统中的可控硅作为半导体器件，用于控制励磁电流，是励磁系统运行的关键部件之一。
然而，可控硅在长期使用的过程中，可能会发生故障，损害励磁系统的正常运行。
因此，对励磁系统可控硅故障的分析和处理非常重要。
本文将从可控硅的工作原理、故障检测方法、故障类型以及故障处理方面详细介绍励磁系统可控硅故障分析的相关知识。
二、工作原理可控硅是一种半导体器件，具有二极管的导通性和晶体管的放大、开关能力，其工作原理如下：当可控硅的阳极与阴极之间施加正向电压时，p-n结为正偏，发生剧烈的少数载流子注入，同时，p区的大电流和n区的大电流汇合，使得p区可以形成一个大的电流通道，即在可控硅内部形成一个导通路径，电流可以从阳极流向阴极。
但是，当阴极施加负向电压时，p-n结为反偏，通道被阻断，电流无法通过。
此时，可控硅处于关断状态。
三、故障检测方法1.可控硅的外观检查将可控硅取出，检查其外观是否有变形或烧焦现象。
2.直接测量使用万用表或数字电压表直接测量可控硅的正向导通电压，若发现正向导通电压不足，说明可控硅可能损坏。
3.交流电源检测使用交流电源，将可控硅接入，检测电路中是否投入的正常，以及可控硅是否工作正常。
四、故障类型1.开路故障当可控硅故障时，可能发生开路故障，即在正向电压下无法导通，阻断电流，此时由可控硅控制的励磁电流将无法产生，导致励磁系统无法正常运行。
2.短路故障当可控硅故障时，可能发生短路故障，即在断路状态下仍能导通，导致电流无法控制，可能会导致短路电流过大，损坏设备或危及人身安全。
3.误关断故障误关断故障是指可控硅在正常工作期间突然关断，导致励磁系统失去控制。
此故障的原因可能是可控硅电压不稳定，或是可控硅内部元件老化或损坏。
五、故障处理方案1.更换可控硅当励磁系统中的可控硅发生故障时，最简单的处理方案是更换可控硅。
2.检查电路连接可控硅故障的原因可能是其连接的电路存在问题，如接触不良或短路等，因此需要检查电路连接情况，尽早排除故障。
可控硅
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此功率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平 均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、 关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
工作原理
ห้องสมุดไป่ตู้
结构原件 晶闸管特性
图4示出了双向可控硅的特性曲线。
由图可见，双向可控硅的特性曲线是由一、三两个象限内的曲线组合成的。第一象限的曲线说明当加到主电 极上的电压使Tc对T1的极性为正时，我们称为正向电压，并用符号U21表示。当这个电压逐渐增加到等于转折电 压UBO时，图3(b)左边的可控硅就触发导通，这时的通态电流为I21，方向是从T2流向Tl。从图中可以看到，触发 电流越大，转折电压就越低，这种情形和普通可控硅的触发导通规律是一致的，当加到主电极上的电压使Tl对T2 的极性为正时，叫做反向电压，并用符号U12表示。当这个电压达到转折电压值时，图3（b)右边的可控硅便触发 导通，这时的电流为I12，其方向是从T1到T2。这时双向可控硅的特性曲线，如图4中第三象限所示。
晶闸管特点 应用类型
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管 所组成，其等效图解如右图所示。双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器 件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及 简化电路结构等优点。从外表上看，双向可控硅和普通可控硅很相似，也有三个电极。但是，它除了其中一个电 极G仍叫做控制极外，另外两个电极通常却不再叫做阳极和阴极，而统称为主电极Tl和T2。它的符号也和普通可 控硅不同，是把两个可控硅反接在一起画成的，如图2所示。它的型号，在我国一般用“3CTS”或“KS”表示； 国外的资料也有用“TRIAC”来表示的。双向可控硅的规格、型号、外形以及电极引脚排列依生产厂家不同而有 所不同，但其电极引脚多数是按T1、T2、G的顾序从左至右排列(观察时，电极引脚向下，面对标有字符的一面)。 市场上最常见的几种塑封外形结构双向可控硅的外形及电极引脚排列如下图1所示。
18.可控硅基础知识及应用，尤其是导通关断条件要理解透
18.可控硅基础知识及应用，尤其是导通关断条件要理解透展开全文可控硅，也称为晶闸管，是一种功率半导体器件，一般用在主回路中。
它具有体积小、效率高、寿命长等优点。
在自动控制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。
广泛应用于交直流电机调速系统中。
1.可控硅基础知识可控硅是电流控制型器件，可控硅有三个极：阳极（A）、阴极（K）和控制极（G），其内部是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN 结。
晶闸管在工作过程中，它的阳极A和阴极K 与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K 与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路。
晶闸管导通条件：首先要给晶闸管加上正向阳极电压，同时还要给门极加上正向脉冲电流，二者缺一不可。
当晶闸管导通后，无论有没有门极电压或者加上反向门极电压都不会影响晶闸管导通，也就是说当晶闸管导通后，门极失去作用。
晶闸管关断条件，要想使晶闸管由导通变为截止必须使主电路电压（或电流）接近零或给主电路加上反向电压。
可控硅电路符号可控硅内部结构可控硅分为单向可控硅（SCR）和双向可控硅（TRIAC）。
可控硅特性曲线二者应用区别：单向可控硅因为只有阳极电压大于阴极时，在门极加控制电压才会导通，反之截止，这和二极管的单向导电性一样，所以广泛应用于可控整流。
而双向可控硅在施加正向或反向电压时受到脉冲触发都会导通，导通具备开关功能，导通角可控具备调压功能，所以双向可控硅在交流电路中能完成开关和调压双重功能。
2.可控硅主要参数BT169规格书①通态电流IT（RMS）：可控硅完全导通后，流过A、K两极的电流即为通态电流IT（On-State Current），实际应用时，AK间通常是交流电压（如220VAC），因此常将此参数标记为通态平均电流IT（RMS），指可控硅元件可以连续通过的工频正弦半波电流（在一个周期内）的平均值。
②反向重复峰值电压（VRRM）或断态重复峰值电压（VDRM）：即为可控硅的耐压值。
可控硅
可控硅工作原理可控硅一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称可控硅T。
在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。
它只有导通和关断两种状态。
可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有：螺栓形、平板形和平底形。
可控硅元件的结构不管可控硅的外形如何，它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。
见图1。
它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1结构的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出控制极G，所以它是一种四层三端的半导体器件。
单向可控硅单向可控硅是一种可控整流电子元件，能在外部控制信号作用下由关断变为导通，但一旦导通，外部信号就无法使其关断，只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。
单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。
单向可控硅工作原理可控硅导通条件：一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压，二是控制极也要加正向电压。
以上两个条件必须同时具备，可控硅才会处于导通状态。
另外，可控硅一旦导通后，即使降低控制极电压或去掉控制极电压，可控硅仍然导通。
可控硅关断条件：降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压，使阳极电流小于最小维持电流以下。
MCR100-6管脚排列从左到右分别为阴极K，控制极G，阳极A。
单向可控硅的引脚区分对可控硅的引脚区分，有的可从外形封装加以判别，如外壳就为阳极，阴极引线比控制极引线长。
(整理)电子制作中可控硅应用的误区
电子制作中可控硅应用的误区在电子制作中，运用单向或双向可控硅作为开关、调压的执行器件是很方便的，而且还可以控制直流、交流电路的负载功率。
但是，目前有些电子制作文章中，对可控硅的运用常有谬误之处。
可以说，此类电子制作稿纯粹是杜撰出来的，不要说制作，恐怕作者连起码的实验也未做过，这岂不是造成对初学者的误导吗?! 常见的电路设计不当之处大约有以下几点——一、触发电路的问题若欲使可控硅触发导通，除有足够的触发脉冲幅度和正确的极性以外，触发电路和可控硅阴极之间必须有共同的参考点。
有些电路从表面看，触发脉冲被加到可控硅的触发极G，但可控硅的阴极和触发信号却无共同参考点，触发信号并未加到可控硅的G—K之间，可控硅不可能被触发。
图1a例为555组成的自动水位控制电路，用于水塔自动保持水位。
该文制作者考虑到水井和水塔中的水不能带市电，故555控制系统用变压器隔离降压供电。
555第3脚输出脉冲接入双向可控硅的G点。
由于双向可控硅T1对控制电路是悬空的，555第3脚输出脉冲根本不能形成触发电流，可控硅不可能导通。
再者，该电路虽采用隔离市电的低压供电，但控制电路仍然通过G、T1极与市电相连，当220V输入端B为火线时，井水和水塔供水将代有市电电压，这是绝不允许的!正确的方式见图1b。
可控硅与抽水电机组成抽水控制开关，SCR的触发由T2与G间接入电阻控制。
当水位降低时，控制触点开路，555第3脚输出高电平(此电路部分省略)，使Q导通，继电器J吸合，SCR触发导通，电机开始运转。
当水位达到时，触点经水接通，555第3脚输出低电平，Q截止，SCR在交流电过零时截止，抽水停止。
上述电路因设计考虑不周，出现了不该有的低级错误。
但类似水塔供水控制系统与市电不隔离的设计，却常出现在电子书刊中。
触发电路设计不当的第二个例子常见于电子制作稿中，其电路见图2，图中对电路进行简化。
其实，无论控制系统完成何种控制，无论是单向还是双向可控硅，图2的触发电路是不能正常工作的。
可控硅调光对LED驱动的不良影响
可控硅调光对LED驱动的不良影响
可控硅调光是目前照明市场上的主流调光技术之一，很多依赖于传统调光设备的芯片产品也开始逐渐兼容可控硅调光模式。
在本文当中，小编就将为大家介绍那些能够兼容可控硅调光的芯片，以及兼容后所带来的便利以及不足。
目前市场上主要有恩智浦的SSL2101/2，国半的LM3445，iWatt的iW3610 和OnSemi的NCL3000四种兼容可控硅调光的驱动IC。
其特点如表1所示。
表1
和一般反激式的IC不同之处在于，它们都可以检测出可控硅的导通角来确定LED的电流以进行调光。
兼容可控硅调光的问题和缺点
尽管多个跨国大芯片公司都推出了兼容现有可控硅调光的芯片和解决方案。
但是这类解决方案是不值得推荐的，主要原因如下：
可控硅技术是具有半个多世纪的陈旧技术，它具有很多缺点，是一种早该淘汰的技术。
它应该和白炽灯、卤素灯同时退出历史舞台。
很多这类芯片自称具有PFC，可以改善功率因素，实际上，它只改善了作为可控硅负载的功率因素，使它们看上去接近纯阻的白炽灯和卤素灯，而并没有改善包括可控硅在内的整个系统的功率因素。
所有兼容可控硅的LED调光系统的整体效率都十分低下，有些还没有考虑为了稳定工作而需要的泄流电阻的损耗，完全损坏了LED的高能效。
所有的可控硅LED调光系统也都是调节LED的正向电流，存在着前面所述的色谱偏移等缺点。
安装可控硅调光的白炽灯和卤素灯所占的比例不到万分之一，而在墙里安装可控硅开关的比例在可控硅调光的灯具里连万分之一都不到，因为绝大多数安。
双向可控硅的原理及维修
双向可控硅的原理及维修
双向可控硅是一种电子元件，也称为双向晶闸管。
它可以控制电流的流动方向和大小，在各种电力电子电路中被广泛应用。
本文将介绍双向可控硅的工作原理及常见故障维修方法。
双向可控硅的工作原理
双向可控硅由四个PN结串联而成，具有两个控制极和两个主极。
当一个控制极施加正脉冲信号时，双向可控硅即可导通，电流从一个主极流入，从另一个主极流出。
当另一个控制极施加反向脉冲信号时，双向可控硅变为阻断状态，电流无法通过。
因此，双向可控硅可以实现电流的双向控制。
双向可控硅的故障原因及维修方法
1. 双向可控硅不能导通
可能原因：正向控制极或负向控制极损坏，或者主极间存在短路。
维修方法：检查双向可控硅的控制极和主极是否正常，修理或更换受损部件。
2. 双向可控硅无法阻断电流
可能原因：反向控制极损坏，或者主极间存在短路。
维修方法：检查双向可控硅的反向控制极和主极是否正常，修理或更换受损部件。
3. 双向可控硅存在泄漏电流
可能原因：双向可控硅失效，或者主极与散热器之间存在绝缘故障。
维修方法：检查双向可控硅的状态和主极与散热器之间的绝缘情况，修理或更换受损部件。
总之，学习双向可控硅的工作原理及故障维修方法对于电力电子领域的工程师和技术人员具有重要的意义。
通过对双向可控硅的深入了解，可以更好地应对各种电路故障，提高维修效率和质量。
LED可控硅调光原理及问题.
LED可控硅调光原理及问题2010年11月10日 17:48 本站整理作者：佚名用户评论（0）关键字：LED(976)可控硅调光(3)1.前言如今，LED照明已成为一项主流技术。
LED手电筒、交通信号灯和车灯比比皆是，各个国家正在推动用LED灯替换以主电源供电的住宅、商业和工业应用中的白炽灯和荧光灯。
换用高能效LED 照明后，实现的能源节省量将会非常惊人。
仅在中国，据政府*估计，如果三分之一的照明市场转向LED产品，他们每年将会节省1亿度的用电量，并可减少2900万吨的二氧化碳排放量。
然而，仍有一个障碍有待克服，那就是调光问题。
白炽灯使用简单、低成本的前沿可控硅调光器就可以很容易地实现调光。
因此，这种调光器随处可见。
固态照明替换灯要想真正获得成功的话，就必须能够使用现有的控制器和线路实现调光。
白炽灯泡就非常适合进行调光。
具有讽刺意味的是，正是它们的低效率和随之产生的高输入电流，才是调光器工作良好的主要因素。
白炽灯泡中灯丝的热惯性还有助于掩盖调光器所产生的任何不稳定或振荡。
在尝试对LED灯进行调光的过程中遇到了大量问题，常常会导致闪烁和其他意想不到的情况。
要想弄清原因，首先有必要了解可控硅调光器的工作原理、LED灯技术以及它们之间的相互关系。
2.可控硅调光的原理图1所示为典型的前沿可控硅调光器，以及它所产生的电压和电流波形。
图1 前沿可控硅调光器电位计R2调整可控硅(TRIAC) 的相位角，当VC2超过DIAC的击穿电压时，可控硅会在每个AC电压前沿导通。
当可控硅电流降到其维持电流(IH)以下时，可控硅关断，且必须等到C2 在下个半周期重新充电后才能再次导通。
灯泡灯丝中的电压和电流与调光信号的相位角密切相关，相位角的变化范围介于0度(接近0度)到180度之间。
用于替换标准白炽灯的LED灯通常包含一个LED阵列，确保提供均匀的光照。
这些LED以串联方式连接在一起。
每个LED的亮度由其电流决定，LED的正向电压降约为3.4 V，通常介于2.8 V 到4.2 V之间。
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可控硅的三大常见应用误区
中心议题：
可控硅触发电路的设计误区电感负载的不当应用不可用的无级直流输出调压电路
在电子制作中，运用单向或双向可控硅作为开关、调压的执行器件是很方便的，而且还可以控制直流、交流电路的负载功率。
但是，目前有些电子制作文章中，对可控硅的运用常有谬误之处。
常见的电路设计不当之处大约有以下几点。
一、触发电路的问题
若欲使可控硅触发导通，除有足够的触发脉冲幅度和正确的极性以外，触发电路和可控硅阴极之间必须有共同的参考点。
有些电路从表面看，触发脉冲被加到可控硅的触发极G，但可控硅的阴极和触发信号却无共同参考点，触发信号并未加到可控硅的G—K之间，可控硅不可能被触发。
图1a例为555组成的自动水位控制电路，用于水塔自动保持水位。
该文制作者考虑到水井和水塔中的水不能带市电，故555控制系统用
变压器隔离降压供电。
555第3脚输出脉冲接入双向可控硅的G点。
由于双向可控硅T1对控制电路是悬空的，555第3脚输出脉冲根本不能形成触发电流，可控硅不可能导通。
再者，该电路虽采用隔离市电的低压供电，但控制电路仍然通过G、T1极与市电相连，当220V 输入端B为火线时，井水和水塔供水将代有市电电压，这是绝不允许的!
正确的方式见图1b。
可控硅与抽水电机组成抽水控制开关，SCR的触发由T2与G间接入电阻控制。
当水位降低时，控制触点开路，555第3脚输出高电平(此电路部分省略)，使Q导通，继电器J吸合，S CR触发导通，电机开始运转。
当水位达到时，触点经水接通，555第3脚输出低电平，Q截止，SCR在交流电过零时截止，抽水停止。
上述电路因设计考虑不周，出现了不该有的低级错误。
但类似水塔供
水控制系统与市电不隔离的设计，却常出现在电子书刊中。
触发电路设计不当的第二个例子常见于电子制作稿中，其电路见图2，图中对电路进行简化。
其实，无论控制系统完成何种控制，无论是单向还是双向可控硅，图2的触发电路是不能正常工作的。
其问题在于，控制系统发出触发信号UG，其参考点是共地，而可控硅T1或T2的参考点是负载热端。
实际上，加到可控硅的触发电压UG是与负载端电压UZ相串联的。
双向可控硅究竟是T1还是T2为触发参考点，视触发信号的相对极性来决定的。
如按图2中标注，T1在下，T 2在上，则UG相对于T1必须是正极性的，且与T1的电压同参考电位。
但无论T1还是T2作参考点，按图2的接法，可控硅导通时，UZ常近似等于Uin，如此高电压加到触发极G和T1之间，将立即使触发极被击穿，可控硅被损坏。
改进此电路的方法之一是，采用触发变压器隔离控制系统的参考点，触发信号可以由BT33组成锯齿波发生器受控于控制系统(矩形波也可以)，这样，不受初级参考点的影响，触发变压器次级可直接接在G与T1之间，与负载上电压无关。
另一简单改进方法是，将负载电路Z移到图2的T2与Uin之间。
不过，这种用法受到限制，因负载两端都无法接入任何参考点。
二、电感负载的应用
近来，市场上出售一种调光器，类似某些调光台灯内控制电路，利用控制RC充电时间。
通过双向二极管控制可控硅的导通角，控制负载电路的功率，实为调功器。
这种调功器用于控制白炽灯、电阻加热器等电阻性负载，要求可控硅耐压高于交流电的峰值电压即可。
一般台灯调光。
常用反压400V的可控硅，考虑到提高可靠性，600V已足够。
可控硅用于控制电感负载，譬如电风扇、交流接触器、有变压器的供电设备等，则不同。
因为这种移相式触发电路，可控硅在交流电半周持续期间导通，半周过零期间截止。
当可控硅导通瞬间，加到电感负载两端电压为交流电的瞬时值，有时可能是交流电的最大值。
根据电感的特性，其两端电压不可能突变，高电压加到电感的瞬间产生反向自感电势，反对外加电压。
外加电压的上升曲线越陡，自感电势越高，有时甚至超过电源电压而击穿可控硅。
因此，可控硅控制电感负载，首先其耐压要高于电源电压峰值1.5倍以上。
此外，可控硅两电极间还要并联接入RC尖峰吸收电路。
常用10— 30Ω/3W 以上电
阻和0.1—0.47uF/600V的无极性电容。
交流调功电路中，可控硅是在交流电过零期间关断，从理论上讲，关断时电流变化为零，无感应电压产生。
加入RC尖峰抑制电路，是为了抑制可控硅导通时的自感电势尖峰。
如不加入此电路，不但可控硅极易击穿，负载电路的电感线圈也会产生匝间、或电机绕组间击穿，这点是决不能忽视的。
三、该无级直流输出调压电路能用吗?
图3是某电子杂志刊出的无级直流输出调压电路。
原作者称，利用R c移相网路控制SCR的导通角改变变压器初级的电流，从而获得两路连续可调的2x(0—17V) 的直流输出电压，负载电流为800mA 。
很明显，推荐电路(图3)是普通移相式调功电路和降压变压器整流滤波电路的串联，从基本原理分析，似乎无大的原则问题。
变压器初级每半周电流有效值随可控硅导通角变化，次级输出电压的峰值、平均电流值都随之而变。
当然，一定负载时输出整流电压也必然改变。
本人看后，极感兴趣，依此原理制作了一台输出100±40V范围变化的维修代用直流电源，并依照图中虚线加入RC吸收回路。
实验时，该电路一接入电源，距此10米远的电视机屏幕上即出现两条缓慢移动的黑带(从邻居的责问中得知)，同时，空载下不到十分钟，SCR即击穿。
更不能容忍的是，降压变压器铁心发出拖拉机启动时的声音，室内电
度表也发出同样的声音，而且，随着输出电压的调低，声音更大。
SCR击穿后，本人在市电输入电路加入RC低通滤波，改用1000V/5 A双向可控硅，变压器的噪声和干扰脉冲幅射没什么大的变化，只是SCR未击穿。
为了不扰邻，以及快的速度将输出电压调到60V，用电压表测量次级电压，尽管负载电流仅100mA，滤波电容为470uF/100 V，但万用表的表针抖动呈虚线状，可见其纹波大到什么程度。
冷静下来后，仔细分析其原因，得出以下结论：经过移相调功之后，变压器初级电压已不是正弦波，而是锯齿波沿陡峭的前沿形成冲击磁场，使变压器、电度表等铁芯电感发出相当大的噪声。
近似垂直上升的突变电压，在变压器初级大电感两端产生极高的反电势，因此击穿可控硅，时间稍长，甚至还要击穿变压器初级层间绝缘和电度表的电压线圈。
当调低输出电压时，t1减小，t2增大，这种占空比极小的锯齿形电压，(见图中波形)。
一般的滤波电路是无能为力的，除非将负载电流减到极小，或滤波电路采用LC滤波。
无论如何，占空比极小的电源还是不能适应的，
其电压平均值将随负载大幅度变化。
电压调得越低，其纹波滤除越困难，这是很明显的。
实验中发现，若在小范围内调整，如变压器初级电压在180～220V之间变化，上述噪声明显减小，次级纹波也降低，但又有何价值呢?。