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模拟电路第一章习题PPT

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模拟电子技术基础习题ppt课件

模拟电子技术基础习题ppt课件
17. 当静态工作点设置偏高时，会引起___饱和___失真，单 级共射放大电路输出电压波形的____底部__半周产生削波， 需将基极上偏置电阻的值调____大____。
18. 造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响 最大的是____温度升高____。
19. 三种基本组态的放大电路中，与相位相反的是___共射 ___电路，与相位相同的是____共集和共基_____电路。
9. 理想二极管正向电阻为__零__，反向电阻为__无穷大___， 这两种状态相当于一个___理想的开关___。
10. 稳压管工作在伏安特性的__反向特性区___，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压__几乎不变__。
11. 当温度升高时，二极管的正向特性曲线将__左移___， 反向特性曲线将__下移__。
质。 2. 利用半导体的__杂敏__特性，制成杂质半导体；利用半导
体的__光敏__特性，制成光敏电阻；利用半导体的_热敏__ 特性，制成热敏电阻。 3. PN结加正向电压时_导通__，加反向电压时_截止_，这种特 性称为PN结_单向导电性_特性。 4. PN结正向偏置时P区的电位_高于_N区电位。 5. 二极管正向导通的最小电压称为_正向电压_电压，使二极 管反向电流急剧增大所对应的电压称为__反向击穿电压__ 电压。
10. 晶体管放大电路中，三个电极的电位分别
为 V1 4V ，V2 1.2V ，V3 1.5V，试判断晶体管的类型是 ___PNP_____，材料是____锗___。
11. 温度升高时，晶体管的电流放大系数将___增加___，穿 透电流将___增加___，发射极电压将___减小____。
12 温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将____左___移， 输出特性曲线将___上____移，而且输出特性曲线的间隔 将变____大___。

《模拟电子技术基础》习题课1-2章-概念

《模拟电子技术基础》习题课1-2章-概念
三种基本组态放大电路特性与分析
三种组态为：BJT的共射、共基、共集 FET的共源、共栅、共漏
BJT
FET
差放
共射 共射 共集 共基 共源 共漏 共栅 差模 共模 （带反馈Re）
微变等效电路
p74
Ri
Ro
Av
15
模拟电路习题课（一）
共射小信号（微变）等效分析 输入电阻、输出电阻和增益
Ri
vi ii
rbe // Rb
Av
vo vi
(1 1)R'L rbe (1 1)R'L
1
R'o
rbe
1 1
//
rce1
rbe
1 1
Ro R'o // ro2 R'o
共集放大器的Ri比共射大很多
电压放大倍数接近于1（小于1）因此称为射随器
共集放大器的Ro比共射的小很多
17
模拟电路习题课（一）
共基小信号（微变）等效分析
R'i
U
反向击穿 电压VBR
2
二极管的电阻
模拟电路习题课（一）
直流等效电阻 RD：
RD
VD ID
交流（动态）电阻 rd：
rd
(
diD dvD
)Q1
2vd 2id
rd
(
diD dvD
)Q1
VT ID
3
模拟电路习题课（一）
共射（共E）BJT工作原理
以发射极（E极）作为公共端，EB结正偏，CB结反偏。
iC
参见 P12 图1.3.4
7
3. 饱和区
vCE<vBE vCB<0
4
集电结正偏

模拟电路课件第一章

模拟电路课件第一章

说明：
1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决 定少数载流子的浓度。 2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 体，因而其导电能力大大改善。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
图
杂质半导体的的简化表示法
1.1.3 PN结
模拟电子技术
成都大学 电子信息工程学院 李红连
绪 论
绪
1. 信号
论（信号与系统）
信号是反映信息的物理量。
非电物理量可以通过各种传感器比较容易地转换成电信号， 而电信号又容易传送和控制，所以成为应用最为广泛的信 号。 电信号是指随时间变化的电压与电流，可以表示成时间的 函数。 2.信号的分类 随机性：随机信号 、确定信号 周期性：周期信号、非周期信号 取值：离散时间信号、连续时间信号
第一片集成电路只有4集成度按10倍/6年的速
度还将继续到2015或2020年，将达到饱和。 量子电子学的兴起（量子电子器件、量子计算机、量 子信息处理、量子通信系统）
第一章 半导体器件
绪
1. 本课程的性质
是一门技术基础课
论（课程介绍）
2. 特点
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另 一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层，称为 PN 结。
第一章 半导体器件
一、导体、半导体和绝缘体
导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属 一般都是导体。 绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘 体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓 和一些硫化物、氧化物等。

模拟电子电路课件第一章习题

模拟电子电路课件第一章习题

（ （ （ （ （ （ ( ) ( )
） ） ） ） ） ） ） ） ） 解：（1）× （2）×（3）× ） （4）√ （5）×（6）×
（7）× （8）√ （9）√ × （11）× （12）√ （10）
4
1.图示放大电路，参数如图所标。试画出交流等效电路，并写 图示放大电路，参数如图所标。试画出交流等效电路， 图示放大电路 出电压放大倍数表达式。 出电压放大倍数表达式。
& ， 设 Us ＝ 10m V（ 有 效 值 ） 若 C 3 开 路 ， 求 Au 、 R i 、 R o ，
此 时 Ui ＝ ？ Uo ＝ ？
9
5
2．图示三个共射放大电路，管子的 β 均为 100，且静态 I EQ 均调整到 I EQ = 1mA ， ．图示三个共射放大电路， ， （ ）近似估算出三个电路的电压放大倍数的值. 试： 1）近似估算出三个电路的电压放大倍数的值 rbb ' = 200Ω 最大，哪个工作点最稳定？ （ 2）比较三电路哪个 | Au | 最大，哪个工作点最稳定？ ）
2
3
（5）Ri = ( 20)kΩ = 1kΩ 0.7 Ri = ( )kΩ = 35kΩ （6） 0.02 （7） Ri ≈ 3kΩ （8） Ri ≈ 1kΩ （9） Ro ≈ 5kΩ （10）Ro ≈ 2.5kΩ & （11） Us≈20mV U （12） & s ≈60mV
4 = −200 （ 20 ×10−3 4 & ≈ −5.71 Au = − （2） （ 0.7 80 × 5 & （3）Au = − 1 = −400 （ 80 × 2.5 & Au = − = −200 （ （4） 1 20 & A （1）u = −

模电第一章课件

模电第一章课件
பைடு நூலகம்
图1.6 PN结的形成过程
空间电荷区：在交界面附近出现的带电离子集中 的薄层，又称耗尽层、阻挡层。
内电场：空间电荷区的左半部是带负电的杂质离 子，右半部是带正电的杂质离子，空间电荷区中 就形成一个N区指向P区的内建电场。
接触电位差 U ：达到动态平衡后的PN结， 内建电场的方向由N区指向P区的电位差。
1.1 半导体的基础知识 1.2 PN结与半导体二极管 1.3 特殊二极管
1.4 半导体三极管
1.5 场效应晶体管
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 导体、绝缘体、和半导体 1.1.2 本征半导体 1.1.3 杂质半导体
1.1.1 导体、绝缘体和半导体
导体:导电的物质，如铜、铝、铁、银等。 绝缘体:不导电的物质，石英、橡胶等。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之 间。常用的半导体材料有硅(Si)、锗 (Ge)、砷化镓(GaAs)等。
4．最大反向工作电压UFM：二极管安全运行时所能承受的最大反向电压。一 般取击穿电压U(BR)的一半作为UFM 。
5．反向电流：指二极管未击穿时反向电流。IR 值越小，二极管单向导电性越 好。随温度变化而改变。 6. 最高工作频率fM ：fM 由PN结的结电容大小决定。二极管的工作频率超过 fM，单向导电性变差。
1.2.3
PN结的电容效应
PN结的结电容:在外加电压发生变化时，PN结耗尽层内的空间电 荷量和耗尽层外的载流子数目均发生变化的电容效应。 按产生的机理不同结电容可分为：
一是势垒电容CB 二是扩散电容CD
一、势垒电容CB
指阻挡层中电荷量随外加电压变化而改变所呈 现的电容效应,用CB表示。CB的大小与PN结面积、 阻挡层宽度、半导体材料的介电常数有关， 且随外加反向电压变化而 变化。反向电压越大，CB 越小。 利用PN结的势垒电容 效应，可制造变容二极 管(压控可变电容器)

模拟电路基础教程PPT完整全套教学课件全

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透彻掌握器 件特性
1
重视对电路 构成原理的
学习
2
理论与实践 的关系
3
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目前国内使用较多的电路设计仿真软件有PSPICE、Proteus和Multisim 等。就模拟电路仿真来说,Multisim 以其界面友好、功能强大、易于学习 的优点而受到高校电类专业师生和工程技术人员的青睐。Multisim13.0版 本已上市,但目前使用比较稳定、用户数较多的还是10.0版本。对于使用 者来说,只要有一台计算机和Multisim 软件,就相当于拥有了一间设备齐全 的电路实验室,可以调用元器件,搭建电路,利用虚拟仪器进行测量,对电路 进行仿真测试,可以实时修改各类电路参数,实时仿真,从而帮助使用者了解 各种电路变化对电路性能的影响,对电路的测量直观、智能,是进行电路分 析和设计的有效辅助工具。使用者在学习和解题的过程中,可以通过 Multisim 对电路中某个节点的电压波形、某条支路的电流波形、电路结构 变化产生的影响等方方面面问题快速仿真而得到答案。
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1.1.4 一般电子系统的构成 1.电子系统的分类
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模拟电子 系统
数字电子 系统
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2.电子系统的构成
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1.1.5 模拟电子技术的发展
在式(1-1-1)中,K 为常数,使u(t)和T(t)之间形成如图1-1-1所示的相 似形关系。如果K 不能保持为常数,则称模拟信号发生了失真。失真问 题是模拟电路中始终需要引起注意和克服的重要问题。

模拟电路讲义PPT课件

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1.1.1功率放大器（Power Amplifier）
一．分类
(a)甲类放大电路 1．直接藕荷功率放大电路 (b)乙类互补对称功率 电放 路大
(c)甲、乙类互补对称 放功 大率 电路
2．变压器耦合功率放大电路
OT电 L 路 (单电源加)电藕合 3.其他类型的功率放大电路 BT电 L 路 ,由两个差动 OC 输 电 L出 路的 组成
ICEO0 ，
V C V E C 2 , Q I C C 0 , V Q C V E C 2 , Q I C C V C Q R E L V C Q 2 R L C
. 图1-2-1 图解分析
二.输出集电极电流和电压
ic IC Q iC IC Q Icm co ts
二．功率放大器的性能要求
1．最主要的要求是：安全、高效率和不失真（失真可在允许 的范围内）地输出信号功率。 2．最重要的性能指标是：集成电极效率 c
c
PO PD
PO
PO PC
（1-1-1）
式中：PD直流电 ,PO 源 输功 出率 信 ,PC 号 功功 率率 管的 . 耗
3．功率放大器的本质是：在输入信号作用下，将直流电源的 直流功率转换为输出信号功率，所以用 c 来评价这种转换能 力。
2．功率合成技术
首先介绍输入变压器的工作原理及其功能，
然后重点讨论用传输线变压器构成的魔T混合网
络实现功率合成及功率分配的原理。
3础上，简单介绍半联型、开关型稳压 器的工作原理及稳压性能。
4．为了开设实验内容，首先进行相关实验仪器、仪表 的介绍，并让学生初步学会使用及进行简单操作， 然后安排2学时的实验课。
Vce ,ic 管子未发烫就已损坏，是 不可逆的。
12．产生二次击穿的原因及过程 ①原因：管内结面不均匀，晶格缺陷等。 ②过程：结面某些薄弱点电流密度

最新山东大学模拟电路第1章复习PPT课件

最新山东大学模拟电路第1章复习PPT课件

+
-
正偏 - + 反偏
放大Vc<Vb<Ve
放大
发截射止结和集电发结射均结饱为和和反集偏电。结均为正偏。
测得VB =4.5 V 例、V2E：= 3.8 V 、VC =8 V，试
判断三极管的工作状态。
放大
二. BJT电路的分析方法（直流）
1. 模型分析法（近似估算法）
例：共射电路如图，已知三极管为硅管，β=40，试 求电路中的直流量IB、 IC 、UBE 、UCE。
饱和区
放大区——发射结正偏，
集电结反偏。 曲线基本平 行等距。此时： UBE≥0.7V ， UCE>0.3V
IC＝IB
i C(m A)
放大区
IB =1 00 uA IB =8 0u A IB =6 0u A IB =4 0u A
IB =2 0u A
截止区
IB= 0
u
CE
(V )
四. BJT的主要参数
iB≈0 iC≈0
直流模型 放大状态
IB b
UD
IC c
βIB
发射结导通压降UD 硅管0.7V 锗管0.3V
e
b
截止状态
c
b
饱和状态
e c
UD
UCES
e
饱和压降UCES 硅管0.3V 锗管0.1V
测量三极管三个例电1极：对地电位，试判断三极管的
工作状态。
-
+
正偏 + - 反偏
放大Vc>Vb>Ve
( V)
输出特性曲线可以分为三个区域:
饱和区——发射结正偏，集电结也正偏, iC不受iB的控制，而受uCE
的影响，该区域内iC 显著增加时， uCE增加很小。此时,UBE≥0.7V， UCE <0.3V, IC<βIB

模拟电子电路电子课件第一章二极管及其应用

模拟电子电路电子课件第一章二极管及其应用
18
第一章 二极管及其应用
（2）扩散电容 当PN结外加正向电压时，在空间电荷区两侧的扩散区内，少数载流子 的分布会随外加电压的变化而发生改变，形成电容效应，称为扩散电容。 PN结的势垒电容和扩散电容都是非线性电容。PN结的结电容为势垒电 容和扩散电容之和。由于结电容的存在，当工作频率很高时，结电容的影 响就不可忽略，如果工作频率过高，高频电流将主要从结电容通过，这将 会破坏PN结的单向导电性。
38
第一章 二极管及其应用
将交流电转换为直流电称为整流。具有单向导电性的二极管是最常用的 整流元件。
电动自行车充电器
39
第一章 二极管及其应用
一、单相半波整流电路
观察半波整流电路波形，实验电路如图所示。
单相半波整流电路 a)原理电路 b)实测半波整流波形
40
第一章 二极管及其应用
二、单相桥式整流电路
PN结外加正向电压
16
第一章 二极管及其应用
（2）PN结外加反向电压 PN结P区接低电位、N区接高电位时，称PN结外加反向电压，又称PN结 反向偏置，简称反偏，如图所示。这时，外电场与PN结内电场方向相同， 内电场被增强，PN结空间电荷区变宽。这使得多数载流子的扩散运动受阻， 但对少数载流子的漂移运动有利，从而形成极小的反向电流，反向电流的 方向由N区指向P区。
26
第一章 二极管及其应用
二极管内部结构示意图 a)点接触型 b)面接触型 c)平面型
27
第一章 二极管及其应用
二、二极管的型号命名
国产二极管的型号命名方法见表。
国产二极管的型号命名方法
28
第一章 二极管及其应用
三、二极管的主要参数
不同型号的二极管都有一些技术数据（即参数）作为它合理、安全使用 的依据。二极管的主要参数如下：

模拟电路第一章-二极管

模拟电路第一章-二极管

A 800Ω + + 0.5V B uo ui 200Ω 3V
1.2.5 稳压二极管
稳压二极管是硅材料制成的面接触型晶体二极管。 1、稳压管的伏安特性 u>UZ时作用同二极管 曲线越陡， 电压越稳定。
i
u增加到UZ 时，稳压管击穿
UZ u IZ
(a)
UZ
IZ
IZM
2、稳压管的主要参数
(1)稳定电压 UZ 规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电 压。 (2)稳定电流 IZ
+ ui -
0.7V 3V
B
+ uo -
[例7] 电路如图所示，设ui=6sinωt V，试绘出输出电压
uo的波形，设D为硅二极管，开启电压Uon=0.5V，电阻
rd=200Ω。 解： VA= ui
VB=3.5V
+ 800Ω ui 3V -
D +
uo -
ui3.5V D截止 uo=ui ui3.5V D导通 ui -0.5 -3 uo= 0.5 +3 + 200 800 +200 =0.2ui +2.8
P 型半导体
N 型半导体
杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。 但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。
近似认为多子与杂质浓度相等。
小结
1、半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
2、在一定温度下，本征半导体因本征激发而产生自由 电子和空穴对，故其有一定的导电能力。 3、本征半导体的导电能力主要由温度决定；
Ge
Si
即为本征半导体 通过一定的工艺过程，可将其制成晶体。
本征半导体的结构示意图
共用电子

模拟电子技术第一章PPT课件

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06 反馈放大电路
反馈的基本概念
反馈：将放大电路输出信号的一部分或全部，通过一定 的方式（反馈网络）送回到输入端的过程。
反馈的判断：瞬时极性法。
反馈的分类：正反馈和负反馈。 反馈的连接方式：串联反馈和并联反馈。
正反馈和负反馈
正反馈
反馈信号使输入信号增强的反 馈。
负反馈
反馈信号使输入信号减弱的反 馈。
集成化与小型化
随着便携式设备的普及，模拟电子技术需要实现 更高的集成度和更小体积，以满足设备小型化的 需求。
未来发展趋势
智能化
01
随着人工智能技术的发展，模拟电子技术将逐渐实现智能化，
能够自适应地处理各种复杂信号和数据。
高效化
02
未来模拟电子技术将更加注重能效，通过优化电路设计和材料
选择，提高能量利用效率和系统稳定性。
电压放大倍数的大小与电路中 各元件的参数有关，可以通过 调整元件参数来改变电压放大 倍数。在实际应用中，需要根 据具体需求选择合适的电压放 大倍数。
输入电阻和输出电阻
总结词
详细描述
总结词
详细描述
输入电阻和输出电阻分别表 示放大电路对信号源和负载 的阻抗，影响信号源和负载 的工作状态。
输入电阻越大，信号源的负 载越轻，信号源的输出电压 越稳定；输出电阻越小，放 大电路对负载的驱动能力越 强，负载得到的信号电压越 大。
共基放大电路和共集放大电路
共基放大电路的结构和工作原理
共基放大电路是一种特殊的放大电路，其输入级和输出级采用相同的晶体管，输入信号 通过输入级进入，经过晶体管的放大作用，输出信号被送到输出级，最终输出放大的信
号。
共集放大电路的结构和工作原理
共集放大电路是一种常用的放大电路，其结构包括输入级、输出级和偏置电路。输入信 号通过输入级进入，经过晶体管的放大作用，输出信号被送到输出级，最终输出放大的 信号。共集放大电路的特点是电压增益高、电流增益低、输出电压与输入电压同相位。

模拟电路课件PPT-第1章作业解答

模拟电路课件PPT-第1章作业解答

第一章，习题1-15（P37）
（b）
（1）引脚2和引脚3之间电压差为 0.7V（Ube），因此是硅管；
（2）引脚2和引脚3是B或者E，因此 是引脚1是C；
（3）引脚1是C极，且电位最低，因
(-11V) 1
此是PNP管；
集电极C
（4）引脚3是B极，引脚2是E极。 发射极E
(-6V) 2
3
(-6.7V)
基极B
工作在放大区的PNP管： C极电位 < B极电位 < E极电位 （UC<UB<UE）
模电作业解答
西南民族大学 电信学院
模电课程组
第一章习题
习题： 1-4，1-7，1-8，1-13（b，c，f,，g），1-14（b，c，d，e），1-15。
第一章，习题1-4（P34）
uI/V
+ uD -
10
0
iD
+ iD/mA
ωt
uI
RL uO
-
0
ωt
uD/V
当ui取正半周期，二极管导通：
iD
ui RL
iC iB iE 0
因此：
uCE Vcc 10V
（d）
2kΩ
10V 20kΩ 2V
第一章，习题1-14（P37）
（e）
从输入回路的接法可知，没有静态 基极电压UB，因此三极管截止。
截止的三极管有：
iC iB iE 0
因此：
2kΩ 10V
uCE Vcc 10V
20kΩ
第一章，习题1-15（P37）
第一章，习题1-14（P37）
（c）
iB
10V 0.7V 20k
0.465mA

模拟电路简明教程一二 章习题 答案ppt

模拟电路简明教程一二 章习题 答案ppt
假设当外加输入信号us=0时，输出电压uo=0。求： ① 估算当uo=0时，电路中各处的电流和电压值； ② 估算总的电压放大倍数和输入、输出电阻。
3.9K 2K 12V 200K 3.3K
-12V
Hale Waihona Puke 1习题2-18 已知三极管的β=50，UBEQ=0.6V，rbb’=300Ω,
Rb2=10KΩ，Rb1=2.5KΩ，Rc=RL=3KΩ，VCC=15V。
① 若要求IEQ=2mA，则Re应选多大？；
②在所选的Re之下，估算IBQ和UCEQ等于多少？
③估算电压放大倍数和输入、输出电阻。
R

习题2-23 已知三极管的β1=50，β2=30，VCC=15V，
Rb1=360KΩ，Rc1=5.6KΩ，Rc2=2KΩ，Re2=750Ω，求：
① 估算放大电路的静态工作点；
② 估算总的电压放大倍数和输入、输出电阻。
习题2-24 由NPN和PNP三极管组成的双电源直接耦合
放大电路，设β1=40，β2=20， UBEQ1= UEBQ2=0.7V，
uD
(b)
VCC ( I CQ I BQ ) Rc I BQ Rb U BEQ (1 ) I BQ Rc I BQ Rb U BEQ
I BQ VCC U BEQ (1 ) Rc Rb 0.027mA
ICQ I BQ 2.7mA UCEQ VCC (ICQ I BQ )Rc 3.82V

模拟电路第一章习题PPT

模拟电路第一章习题PPT
1-1、写出图所示各电路的输出电压值， 设二极管导通电压UD＝0.7V。
1-2、电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)， 二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。
1-3、电路如图（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b） 所示，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出输出电压uO的波形， 并标出幅值。
1-4、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。 求图所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
1-5、已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V， 最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。
(1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值； (2)若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
1-6、电路如图所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问： （1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？ （设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V）
1-7、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。 在圆圈中画出管子，并分别说明它们的管型（NPN、PNP）, 是硅管还是锗管。
管号 上 中
T1 e b
T2 C B
T3 e b
T4 b e
T5 c e
T6 b e
下
管型 材料
c
PNP Si
e
NPN Si
c
NPN Si
c
PNP Ge
b
PNP Ge
c
NPN Ge
1-8、电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。 试分析VBB为0V、1V、2V三种情况下T的工作状态及输出＝50，|UBE|＝0.2V， 饱和管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通 电压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？
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T6 b e c NPN Ge
1-8、电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。 试分析VBB为0V、1V、2V三种情况下T的工作状态及输出 电压uO的值。
1-9、电路如图所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝0.2V， 饱和管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通 电压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。 在圆圈中画出管子，并分别说明它们的管型（NPN、PNP）, 是硅管还是锗管。
管号 上 中 下
管型 材料
T1 e b c PNP Si
T2 C B e NPN Si
T3 e b c NPN Si
T4 b e c PNP Ge
T5 c e b PNP Ge
1-5、已知图所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V， 最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。 (1)分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值； (2)若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
1-6、电路如图所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问： （1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？ （设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V）
1-2、电路如图所示，已知ui＝5sinωt (V)， 二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。
1-3、电路如图（a）所示，其输入电压uI1和uI2的波形如图（b） 所示，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出输出电压uO的波形， 并标出幅值。
1-4、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。 求图所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
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