电路与模拟电子技术复习题
模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)
《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。
7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极； 答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分， 共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。
模拟电子技术综合复习
4.放大电路的输入电压 Ui=10mV，输出电压 UO=1V，该放大电路的电压放大倍数为 -100 ， 电压增益为 40 dB。
5.集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输
出端 相同 ，后者的极性与输出端 相反 。 6.理想运算放大电器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为
2. 在单相桥式整流电路中，若将 4 只二极管全部反接，试分析对输出有何影响？若将其中的 1 只二极管反接，对输出有何影响？
VT1 VT2
V1
VT4
V2
VT3
+
R uo
-
六、计算题
= 100，RS= 1 k，RB1= 62 k，RB2= 20 k, RC= 3 k，RE = 1.5 k，RL= 5.6 k，VCC = 15 V。 求：“Q”，Au，Ri，Ro。
（√ ）
10.乙类互补对称功率放大电路产生的失真是交越失真。
（ √）
四、判断三极管工作状态（每小题 4 分，共 12 分）
-5V
-1.7 V
3.3V 3.7V
6V 2V
-2V
3V
a.（截止
） b.（ 饱和 ）
3V
c.（ 截止
）
五、分析题（每小题 9 分，共 18 分）
1. 试分析图示电路中，级间交流反馈 是正反馈还是负反馈，是电压反馈还是电 流反馈，是串联反馈还是并联反馈？
（ ×）
2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 3.三极管基极为高于发射极电位，三极管一定处于放大状态。
（√ ） （ ×）
4.放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关。（ × ）
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
模拟电子技术》复习题
《模拟电子技术》复习一、选择题：1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V，则该BJT三个电极分别是 C 。
（A） B、C、E （B）.C、B、E （C）E、C、B2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT三个电极分别是 B 。
（A） B、C、E （B）.C、E、B （C）E、C、B3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC =6V，VB=0.7V，VE=0V，则该管子工作在A 。
（A）放大区（B）截止区（C）饱和区4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为VC =6V，VB=4V，VE=3.6V，则该管子工作在B 。
（A）放大区（B）截止区（C）饱和区5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。
（A）正向导通（B）反向截止（C）反向击穿6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
（A）增大（B）减小（C）不变7. 工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β值约为 C 。
（A）83 （B）91 （C）1008. 三极管放大电路的三种组态中， B 组态的电压放大倍数总是略小于1。
（A）共射（B）共集（C）共基9. 共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为 B 。
（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为 A 。
（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真11.差分式放大电路是为了 C 而设置的。
（A）稳定电压增益（B）放大信号（C）抑制零点漂移12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路 A 能力。
（A）放大差模抑制共模（B）输入电阻高（C）输出电阻低13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 B 。
（A）差模电压增益增大（B）抑制共模信号的能力增强（C）差模输入电阻增大14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的 C 。
模拟电子技术期末复习试题及答案
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。
10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
模拟电子技术复习题
模拟电子技术复习题1、什么是N型半导体？P型半导体？2、在图示电路中，已知变压器副边电压有效值U2，变压器内阻和二极管导通电压均可忽略不计，R << R L（R为电感线圈电阻），u D波形如图所示，试述下图的工作原理已经U2,UD,UO间的关系。
3功率放大电路的分类？给出OCL,OTL的电路图及工作原理。
乙类功放有什么缺点，如何改进，给出改进后电路图及原理。
5、图中VT为小功率硅晶体管，当R b不同，VT可能处于放大、饱和、截止状态，把不同状态下基射极电压U BE、集射极电压U CE的大致数值范围填入表内。
晶6、差分放大电路如图所示。
各晶体管参数相同，当环境温度（T）变化，如温度升高（用T表示），在分析该电路抑制温漂，稳定工作电流原理后，用箭头（增大用表示，减小用 表示）填画下列各电量后的括号：T（）→I＝I C2（）→U B4＝U B5（）→U B3（）→I E3（）→I C1＝I C2 C1（）。
7、图（a）所示为某电路的方框图，已知u I、u O1～u O3的波形如图（b）所示。
将各电路的名称分别填入空内：1．电路1为；2．电路2为；3．电路3为。
8、图（a）所示电路中，A为理想运算放大器，其输出电压的最大幅度为V；输入信号、的波形如图（b）所示。
试画出的波形。
9、已知图示电路中晶体管的＝120，，U＝0.7V，电容的容量足够大，对交流信号可视为短路。
1．若要求静态电流＝1.5mA，估算的值；2．求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。
10、某放大电路的低频段交流等效电路如图所示，求放大电路的下限截止频率f L。
11、某放大电路电的折线近似波特图如图所示，试问该放大电路是同相放大电路还是反向放大电路，它的上限截止频率、下限截止频率和通频带宽度各为多少？12、反馈放大电路如图所示，设电容器对交流信号均可视为短路。
1．指出级间交流反馈支路、极性和组态及其对输入电阻、输出电阻的影响；2．写出深度负反馈条件下、、的表达式。
《模拟电子技术》复习题
《模拟电子技术》复习一、选择题：1. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是2V、6V、2.7V，则该BJT三个电极分别是 C 。
（A）B、C、E （B）.C、B、E （C）E、C、B2. 用直流电压表测得放大电路中某BJT各极电位分别是-9V、-6V、-6.2V，则该BJT三个电极分别是 B 。
（A）B、C、E （B）.C、E、B （C）E、C、B3. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V，V B=0.7V，V E=0V，则该管子工作在A 。
（A）放大区（B）截止区（C）饱和区4. 测得某硅BJT各电极对地电压值分别为V C=6V，V B=4V，V E=3.6V，则该管子工作在B 。
（A）放大区（B）截止区（C）饱和区5. 稳压管的稳压区是其工作在 C 。
（A）正向导通（B）反向截止（C）反向击穿6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
（A）增大（B）减小（C）不变7. 工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β值约为 C 。
（A）83 （B）91 （C）1008. 三极管放大电路的三种组态中， B 组态的电压放大倍数总是略小于1。
（A）共射（B）共集（C）共基9. 共射极放大电路的交流输出波形正半周失真时为 B 。
（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真10.共射极放大电路的交流输出波形负半周失真时为 A 。
（A）饱和失真（B）截止失真（C）交越失真11.差分式放大电路是为了 C 而设置的。
（A）稳定电压增益（B）放大信号（C）抑制零点漂移12.共模抑制比是差分式放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路 A 能力。
（A）放大差模抑制共模（B）输入电阻高（C）输出电阻低13.用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re，将使电路的 B 。
（A）差模电压增益增大（B）抑制共模信号的能力增强（C）差模输入电阻增大14.差分式放大电路的共模信号是两个输入端信号的 C 。
模拟电子技术基本概念复习考试题及答案
模拟电⼦技术基本概念复习考试题及答案模电基本概念复习题⼀、判断下列说法是否正确1、凡是集成运算电路都可以利⽤“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
√×2、理想运放不论⼯作在线性区还是⾮线性区状态都有v N= v P。
×3、当集成运放⼯作在闭环时，可运⽤虚短和虚断概念分析。
×4、在运算电路中，同相输⼊端和反相输⼊端均为“虚地”。
×5、在反相求和电路中，集成运放的反相输⼊端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输⼊电流之代数和。
√6、温度升⾼后，本征半导体中⾃由电⼦和空⽳数⽬都增多，且增量相同。
√7、因为N型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电。
×8、因为P型半导体的多⼦是空⽳，所以它带正电。
×9、在N型半导体中如果掺⼊⾜够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
√10、放⼤电路必须加上合适的直流电源才能正常⼯作。
√11、放⼤电路⼯作时所需要的能量是由信号源提供的。
×12、放⼤电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
×13、由于放⼤的对象是变化量，所以当输⼊信号为直流信号时，任何放⼤电路的输出都毫⽆变化。
×14、共集电极电路没有电压和电流放⼤作⽤。
√15、共集放⼤电路⽆电压放⼤作⽤，但有功率放⼤作⽤。
√16、只有电路既放⼤电流⼜放⼤电压，才称其有放⼤作⽤。
×17、放⼤电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
×18、射极输出器即是共射极放⼤电路，有电流和功率放⼤作⽤。
×19、只要是共射放⼤电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
×20、放⼤器的输⼊电阻是从输⼊端看进去的直流等效电阻。
×21、在由双极型三极管组成的三种基本放⼤电路中，共射放⼤电路的输⼊电阻最⼩。
×22、在由双极型三极管组成的三种基本放⼤电路中，共基放⼤电路的输出电阻最⼩。
×23、阻容耦合多级放⼤电路各级的Q点相互独⽴，它只能放⼤交流信号。
模拟电子技术综合复习题(有答案)
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P 型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。
UT U U I e C. )1e (S －T U U I D. I S 。
C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。
A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。
A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
《模拟电子技术》复习题10套及答案
.《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型.图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术试题及答案
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。
答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。
答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。
答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。
纯净的半导体称为，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。
电路与模拟电子技术模拟试题及答案
附录A 模拟试题A.1 模拟试题一一、选择题(每小题1.5分，共15分)1 某电源向一负载电阻R, 供电(如图A1- 1 所示)。
当负载电阻R, 从100Ω减至10Ω,负载电压U 约下降1%。
则该电源是( )。
(a) 理想电压源(b) 理想电流源(c) 含有内阻R₀≈01Ω的电压源 (d) 不能确定2 在图A1-2 所示电路中，理想电流源Iq 发出的电功率P 为( )。
(a)-3 W (b)21 W (c)3 W (d)-21 W图 A1-1 图A1-23 某感性负载的额定功率为P 、,额定功率因数为ccs φn,并联电容后接额定电压，若所并联的电容使电路发生谐振，则总负载(含电容在内)消耗的功率P 及功率因数cosφ与其P、及cs pw 的关系是( )。
(a)P=Px,cos φ=csφy(b)P>Pv,cos φ=cospw(c)P= Pw,cos p>cos Pw (d)P=Pw,cos φ<csPn4 若电感L 变为原来的,则电容C 应为原来的( ),才能保持在原频率下的串联谐振。
(a) 倍(b)4 倍(c)2 倍(d) 倍5. 同双极型晶体管的输入电阻相比，场效应管的输入电阻( )。
(a) 小得多 (b) 大得多(c) 与双极型晶体管大致相同6 整流电路如图A1-3 所示，负载电阻RL=Rz=100k2, 变压器副边电压u₂的有效值U₂=100V, 直流电流表A 的读数为( )。
(设电流表的内阻为零)(a)09 mA (b)1 mA (c)0.45 mA (d)0 mA图 Al-37 单相半波整流、电容滤波电路中，滤波电容的接法是( )。
(a)与负载电阻R; 申联 (b) 与整流二极管并联(c) 与整流二极管串联 (d) 与负载电阻R₂并联8 电路如图A1-4 所示，欲使该电路能起振，则应该采取的措施是( )。
(a) 改用电流放大系数β较大的晶体管。
(b) 减少反馈线圈L, 的匝数。
《模拟电子技术基础》复习题
模拟电子技术基础复习题图1 图2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路②共基放大电路③共集放大电路④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是，输入电阻最小的电路是，输出电阻最小的电路是，频带最宽的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是；只能放大电流，不能放大电压的电路是；只能放大电压，不能放大电流的电路是。
2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B-E间电压为U BEQ，电流放大系数为β，B-E间动态电阻为r be。
填空：（1）静态时，I BQ的表达式为，I CQ的表达式为，U CEQ的表达式为（2）电压放大倍数的表达式为，输入电阻的表达式为，输出电阻的表达式为（3）若减小R B，则I CQ将，r bc将，A 将，R i将，R o将。
uA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生失真。
A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数A =；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻为1kΩ，则u放大电路的输入电阻R i=。
（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 。
（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将增大或将减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过的方法才能消除失真。
4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以、、和各为一臂而组成的。
5、正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为、和三种电路，其中振荡电路的振荡频率最为稳定。
6、为了得到音频信号发生器，应采用正弦波振蒎电路。
7、稳压电源一般由、和三部分电路组成。
8、在负载电流比较小且其变化也比较小的时候，应采用滤波电路，而负载电流较大时应采用滤波电路。
9、为了使输出电压有比较大的调节范围，应采用稳压电路。
二、判断题（下列各题是否正确，对者打“√”错者打“×”）1、半导体中的空穴带正电。
电路与模拟电子技术试题
电路与模拟电子技术试题# 电路与模拟电子技术试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 理想电压源与理想电流源的区别在于：A. 电压源两端电压恒定B. 电流源两端电流恒定C. 电压源不允许短路D. 电流源不允许开路2. 电路中，串联电阻的总阻值等于：A. 各电阻值之和B. 各电阻值之积C. 各电阻值之和的倒数D. 各电阻值倒数之和3. 电容元件在直流电路中相当于：A. 导体B. 绝缘体C. 电阻D. 电感4. 欧姆定律适用于：A. 纯电阻电路B. 纯电容电路C. 纯电感电路D. 所有电路5. 放大电路的基本功能是：A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 稳压二、填空题（每空1分，共20分）6. 当电路中存在电感元件时，电路的总阻抗将随频率的增加而________。
7. 理想电流源的内阻为________。
8. 一个电路的功率因数是功率与视在功率的比值，用希腊字母________表示。
9. 串联谐振电路的特点是电路的________达到最大。
10. 运算放大器在理想情况下，其输入电阻无穷大，输出电阻为________。
三、简答题（每题10分，共30分）11. 简述基尔霍夫电流定律（KCL）和基尔霍夫电压定律（KVL）的基本原理及其应用。
12. 解释什么是超前相位和滞后相位，并举例说明它们在电路分析中的应用。
13. 描述运算放大器的非理想特性，并解释这些特性如何影响放大电路的性能。
四、计算题（每题15分，共30分）14. 给定一个由三个电阻R1=100Ω，R2=200Ω，R3=300Ω串联组成的电路，求电路的总阻值。
15. 假设有一个RC低通滤波器，其电阻R=1kΩ，电容C=10μF，输入信号频率为1kHz，求输出信号的截止频率。
五、分析题（10分）16. 考虑一个简单的放大电路，其输入信号为正弦波，输出信号出现了非线性失真。
分析可能的原因，并提出改善措施。
请注意，以上试题仅为示例，实际考试内容可能会有所不同。
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(六)
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1．对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路，若希望电路的电压放大倍数大，可选用组态；若希望带负载能力强，应选用组态；若希望从信号源索取的电流小，应选用组态；若希望高频性能好，应选用组态。
2．一个放大电路，空载输出电压为6V，负载电阻为4Ω时输出电压为4V，则其输出电阻为。
3．集成运算放大器是多级放大电路，其第一级通常采用，因为这种电路能有效抑制现象。
4．一个放大电路，为稳定输出电流和减小输入电阻，应引入负反馈。
5．乙类互补推挽功率放大电路会产生失真。
二、选择题1.（）藕合放大电路具有良好的低频特性。
A、阻容B、直接C、变压器2.某场效应管的电路符号如图1所示，该管为（）。
A、P 沟道增强型MOS 管B、P 沟道耗尽型MOS 管C、N 沟道增强型MOS 管D、N 沟道耗尽型MOS 管图1 图23．在如图2所示电路中，电阻R E的主要作用是（）。
A、提高放大倍数B、稳定直流静态工作点C、稳定交流输出D、提高输入电阻4.在串联负反馈电路中，信号源的内阻（），负反馈的效果越好。
A、越大，B、越小，C、越恒定，D、越适当5．用直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（）。
A、（B、C 、E）B、（C 、B、E） C 、（E、C 、B）6.PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
A、变窄B、基本不变C、变宽D、不定7.稳压管的稳压区是其工作在（）。
A、正向导通B、反向截止C、反向击穿D、热击穿8.功率放大电路的效率是指（）。
A、输出功率与晶体管所消耗的功率之比B、最大输出功率与电源提供的平均功率之比C、晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比D、以上说法均不正确9.单相桥式整流电容滤波电路输出电压平均值U o=（）U z。
A、0.45B、0.9C、1.210. 一个晶体管的极限参数为P CM=100mW，I CM=20mA，U(BR)CEO=15V，则下列( ）是正常工作状态。
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一、基本概念
1. 当把电流为1A 的理想电流源与电压为100V 的理想电压源相并联时，电流源两端的电压是（D ）。
A 、1V ；
B 、10V ；
C 、50V ；
D 、100V 。
2. 当把电流为1A 的理想电流源与电压为100V 的理想电压源相串联时，流过电压源的电流是（A ）。
A 、1A ；
B 、10A ；
C 、50A ；
D 、100A 。
3. 一个电感线圈在下列哪种频率条件下，其对电流呈现的感抗较大？（ C ）正比，wL
A 、f =100Hz ；
B 、f =200Hz ；
C 、f =300Hz ；
D 、f =1Hz 。
4. 一个电容器在下列哪种频率条件下，其对电流呈现的容抗较大？（ D ）反比,1/wC
A 、f =100Hz ；
B 、f =200Hz ；
C 、f =300Hz ；
D 、f =1Hz 。
5. 对于纯电容性负载，其电压与电流的相位关系是（ C ）。
-90
A 、电压与电流同相位；
B 、电压超前电流90°；
C 、电流超前电压90°。
6. 对于纯电感性负载，其电压与电流的相位关系是（ B ）。
U-i ，90
A 、电压与电流同相位；
B 、电压超前电流90°；
C 、电流超前电压90°。
7. 在计算戴维南电路的等效电阻时，将原电路的电源置零意味着（ B ）。
A 、电压源开路、电流源短路；
B 、 电压源短路、电流源开路；
B 、电压源开路、电流源开路； D 、 电压源短路、电流源短路。
8. 当理想二极管外加正向电压时，其电流为（ C ），其正向压降为（ B ）。
A 、0=I ；
B 、0=U ；
C 、=I 常数；
D 、=U 常数。
9. 测得某无源一端口网络的电压u=100sin （2t+60°）V ，电流i=5sin （2t-30°）A ，则该网络的等效阻抗是多少？它是电阻性、电感性还是电容性的网络？（ B ）。
J=90
A 、20、阻性；
B 、j20、感性；
C 、-j20、容性；
D 、20+j20、感性。
10. 某网络的端口电压和电流分别为u=40sin （10t+60°）V ，i=8sin （10t+90°）A ，则该网络的功率因数cos ϕ为（ B ）。
U-i
A 、21；
B 、2
3； C 、0.9； D 、1。
11. 在集成运算放大器的分析计算中，虚短的概念是指（ C ）。
A 、0=+U ；
B 、0=-U ；
C 、-+=U U 。
D 、0==-+I I 。
12. 在集成运算放大器的分析计算中，虚断的概念是指（ D ）。
A 、0=+U ；
B 、0=-U ；
C 、-+=U U 。
D 、0==-+I I 。
13. 设R u 、C u 、L u 分别表示一阶动态电路中的电阻、电容、电感两端的电压，根据换路定
则，以下哪个等式是正确的？（ B ）。
A 、)0()0(-+=R R u u ；
B 、)0()0(-+=
C C u u ； C 、)0()0(-+=L L u u 。
14. 设R i 、C i 、L i 分别表示一阶动态电路中通过电阻、电容、电感的电流，根据换路定则，
以下哪个等式是正确的？（ C ）。
A 、)0()0(-+=R R i i ；
B 、)0()0(-+=
C C i i ； C 、)0()0(-+=L L i i 。
15. 对称三相交流电源为星形联结时，其线电压等于相电压的（ B ）。
A 、3倍；
B 、3倍；
C 、3
1倍； D 、2倍。
16. 对称三相交流负载为三角形联结时，其相电流等于线电流的（ C ）。
A 、3倍； B 、3倍； C 、
31倍； D 、2倍。
17. 当晶体管处于相当于开关的断开状态时，其工作于（ D ）。
A 、过渡区；
B 、饱和区；
C 、放大区；
D 、截止区。
18. 当晶体管处于相当于开关的接通状态时，其工作于（B ）。
A 、过渡区；
B 、饱和区；
C 、放大区；
D 、截止区。
19. 为稳定电压且要求输入阻抗较高，应采用（ A ）负反馈。
阻抗高串联，阻抗低并联
A 、电压串联；
B 、电压并联；
C 、电流串联；
D 、电流并联。
20. 为稳定电流且要求输入阻抗较低，应采用（D ）负反馈。
A 、电压串联；
B 、电压并联；
C 、电流串联；
D 、电流并联。
二、分析计算
1. 电路如下图所示，求图中V 1=S U 时的电压U 。
2. 在下图电路中，试求电压U 。
3. 试求图所示电路的ab U 。
4. 在下图电路中，试求a 点的电位a U 。
5. 在下图电路中，开关闭合前电感、电容均无储能，0=t 时开关闭合。
求0>t 后的C τ和L τ以及?)(=∞u
6. 已知V )60 4sin(23o 1+=t u ，写出其有效值向量，画出向量图。
7. 已知V )75 4cos(52︒-=t u ，写出其有效值向量，画出向量图。
8. 在下图电路中，求电流表A 和电压表V 的读数。
9. 在下图电路中，求电流表A 和电压表V 的读数。
10. 在下图所示电路中，已知t u R R o 314sin ,K 121===，则?21=+i i u u
11. 在图示电路中，已知21R R =，110R R f =，V 10=o u ，则21i i u u +为多少？
12. 在下图所示理想二极管电路中，试判断二极管是导通还是截止，并计算ab U 。
13.在下图所示理想二极管电路中，试判断二极管是导通还是截止，并计算
U
ab
14.测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如下图所示，判断三极管的类型（NPN或
PNP）及三个电极，并分别说明它们是硅管还是锗管。