模拟电子技术复习试题及答案解析
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(四)
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1．PN 结反向偏置时，PN 结的内电场 。
PN 具有 特性。
2．硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 伏；其门坎电压V th 约为 伏。
3．为了保证三极管工作在放大区，要求：发射结 偏置，集电结 偏置。
对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC 。
4．放大器级间耦合方式主要有阻容（RC ）耦合、直接耦合和 耦合三大类。
5．在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，组态有电流放大作用， 组态有倒相作用； 组态带负载能力强。
6．将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍。
7．为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：①降低电路对信号源索取的电流：。
②当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定： 。
③稳定输出电流： 。
8．某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000，反馈系数F ＝0.01，则闭环放大倍数≈⋅f A 。
二、选择题1．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。
A)10kΩ B)2kΩ C)4kΩ D)3kΩ2．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）。
βA)共射电路B)共基电路C)共集电路D)共集-共基串联电路3．与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）。
A)不用输出变压器B)不用输出端大电容C)效率高D)无交越失真4．有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）。
《模拟电子技术》经典习题(有图详细分析版)
项目一习题参考答案1. PN结正向偏置时是指P区接电源的正极，N区接电源的负极。
2. 在常温下，硅二极管的死区电压约为0.5V，导通后正向压降约为0.6～0.8V ；锗二极管的死区电压约为0.1V，导通后正向压降约为0.2～0.3V。
3. 三极管按结构分为NPN型和PNP型；按材料分为硅管和锗管。
三极管是电流控制型器件，控制能力的大小可用 表示，它要实现信号放大作用，需发射结正偏，集电结反偏。
4. 场效应管是电压控制型器件，控制能力的大小可用g m表示，它的主要特点是输入电阻很大。
5. 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？解：不能，因为二极管正向电阻很小，若将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端会使得电路中的电流很大，相当于干电池正、负极短路。
6. 分析图1.52所示电路中各二极管是导通还是截止，并求出A、B两端的电压U AB(设VD为理想二极管，即二极管导通时其两端电压为零，反向截止时电流为零)。
图1.52 题6图解：（a）VD导通，U AB=-6V。
（b）VD截止，U AB=-12 V。
（c）VD1导通，VD2截止，U AB=0 V。
（d）VD1截止，VD2导通，U AB=-15 V。
7. 在图1.53所示电路中，设VD为理想二极管，u i =6sinω t (V)，试画出u O的波形。
图1.53 题7图解：（a）（b）8. 电路如图1.54所示，已知u i=5sinΩ t(V)，二极管导通电压为0.7V。
试画出u i与的波形。
解：u i>3.7V时，VD1导通，VD2截止，u o=3.7V；3.7V>u i>-4.4V时，VD1截止，VD2截止，u o= u i；u i<-4.4V时，VD1截止，VD导通，u o=-4.4 V。
9. 测得电路中几个三极管的各极对地电压如图1.55所示，试判别各三极管的工作状态。
图1.54 题8图图1.55 题9图解：（a）三极管已损坏，发射结开路（b）放大状态（c）饱和状态（d）三极管已损坏，发射结开路10. 测得放大电路中六只晶体管的电位如图1.56所示。
模拟电子技术期末复习试题及答案
《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。
2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。
4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。
5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。
6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。
7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。
9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。
10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。
11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。
12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。
13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。
15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。
二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。
A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。
共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。
A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。
A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。
模拟电子技术题库-答案分解
模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。
2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。
3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。
4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。
5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。
6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。
7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。
8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。
9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。
10、硅二极管的死区电压约为，锗二极管的死区电压约为。
11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。
12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_mg ______。
13、PN 结具有__单向导电_______特性。
14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。
15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。
16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。
A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。
C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。
D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid 为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
《模拟电子技术》试卷(十套附答案)
《模拟电子技术》试卷目录《模拟电子技术》试卷1 (1)《模拟电子技术》试卷1答案 (5)《模拟电子技术》试卷2 (7)《模拟电子技术》试卷2答案 (10)《模拟电子技术》试卷3 (12)《模拟电子技术》试卷3答案 (16)《模拟电子技术》试卷4 (18)《模拟电子技术》试卷4答案 (20)《模拟电子技术》试卷5 (23)《模拟电子技术》试卷5答案 (26)《模拟电子技术》试卷6 (28)《模拟电子技术》试卷6答案 (30)《模拟电子技术》试卷7 (32)《模拟电子技术》试卷7答案 (35)《模拟电子技术》试卷8 (36)《模拟电子技术》试卷8答案 (39)《模拟电子技术》试卷9 (41)《模拟电子技术》试卷9答案 (44)《模拟电子技术》试卷10 (46)《模拟电子技术》试卷10答案 (49)《模拟电子技术》试卷1班级：姓名总分：一、填空（每空1分，共15分）1. 二极管最主要的特性是（），它的两个主要参数是反映正向特性的（）。
2. 三极管工作在三个区域的条件是：放大区（），饱和区（）截止区（）。
３. 场效应管从结构上分成（）和（）两大类型，它属于（）控制型器件。
４. 集成运算放大器是一种采用（）耦合方式的放大电路，最常见的问题是（）。
５. 差动放大电路的基本功能是对差模信号的（）作用和对共模信号的（）作用。
６. 小功率直流稳压电源由变压器、（）、（）、（）四部分组成。
二、选择题（每空2分，共10分）1. 在图示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则（）。
A. I=2mAB. I<2mAC. I>2mAD. I=10mA2. 集成运放的输入所采用差分放大电路是因为可以（）。
Ａ. 减小温漂Ｂ.增大放大倍数Ｃ. 提高输入电路Ｄ. 减小噪声３. 欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入（）负反馈。
Ａ. 电压串联Ｂ. 电压并联Ｃ. 电流串联Ｄ. 电流并联４. 欲实现Au＝-100的放大电路，应选用（）电路。
《模拟电子技术》模拟试题及答案解析
10、各种滤波电路通带放大倍数的数值均可大于1。（×）
二、选择题（20分）
1、关于三极管高频参数，下列说法中不准确的为（ ）。
A. B.
C. D.
2、理想集成运放具有以下特点：（ ）。
A．开环差模增益Aud=∞，差模输入电阻Rid=∞，输出电阻Ro=∞
3、PN结具有单向导电特性。（√ ）
4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（ √ ）
5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（√ ）
6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。（×）
7、直流负反馈不能稳定静态工作点。（×）
8、晶体二极管击穿后立即烧毁。（×）
《模拟电子技术》模拟题1及答案
一、判断（10分）
1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。（ ）
2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。（ ）
3、PN结具有单向导电特性。（ ）
4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。（ ）
5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。（ ）
C. 共基电路、共漏电路 D. 共源电路、共射电路
10、交流负反馈是指（ ）。
A.只存在于阻容耦合电路中的负反馈
B.交流通路中的负反馈
C.放大正弦波信号时才有的负反馈
D.变压器耦合电路中的负反馈
三、计算题。（每题10分，共20分）
1. 下图所示电路中，稳压管的稳定电压Uz = 12V，图中电压表流过的电流忽略不计，试求：
开环差模增益aud差模输入电阻rid输出电阻ro开环差模增益aud差模输入电阻rid输出电阻ro0开环差模增益aud0差模输入电阻rid输出电阻ro开环差模增益aud0差模输入电阻rid输出电阻ro03某三极管的ma20mw100brceocmcm则下列状态下三极管能正常工作的是ma10ma40ma20v负载电阻为rl则桥式整流电路中二极管承受的反向峰值电压为5欲将正弦波电压叠加上一个直流量应选用运算电路
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)
模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术试卷五套含答案
模拟试卷一一、填空16分1．半导体二极管的主要特性是___________ ;2．三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置;3．当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ ;4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈;5．乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______;这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真;6．在串联型稳压电路中,引入了——负反馈；为了正常稳压,调整管必须工作在____区域;二、选择正确答案填空24分1．在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是 ;A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管2．某场效应管的转移特性如图１所示,该管为 ;A．P沟道增强型MOS管B．P沟道结型场效应管C．N沟道增强型MOS管D．N沟道耗尽型MOS管3．在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的 ;A．差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV;B．差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV;C．差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV;D．差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV;4．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的 ;A．输入电阻高 B．输出电阻低 C．共模抑制比大 D．电压放大倍数大5．在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应 ; A．减小C,减小Ri B．减小C,增大RiC．增大C,减小Ri D．增大C,增大 Ri6．如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为 ;A．1500 B．80 C．50 D．307．RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选频网络和 ; A．基本共射放大电路 B．基本共集放大电路C．反相比例运算电路 D．同相比例运算电路8．已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是 ;A．积分运算电路 B．微分运算电路 C．过零比较器 D．滞回比较器三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数：V1的 b1 、rbe1,V2的 b2 、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路;1．分别指出V1、V2的电路组态；2．画出图示电路简化的H参数微变等效电路；3．计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro;12分四、图示运算放大电路中,已知u1 = 10 mV,u2 = 30 mV,求uO = 10分五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示,试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率8分六、分析图示两个电路的级间反馈;回答：12分1．它们是正反馈还是负反馈2．是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有3．它们属于何种组态4．各自的电压放大倍数大约是多少七、电路如图所示;试回答：1．该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件2．如不满足,应如何改动使之有可能振荡如果满足,则它属于哪种类型的振荡电路3．在满足振荡条件的情况下,电路的振荡频率为多少 10分八、电路如图所示,已知稳压管DZ的稳压值UZ = 6 V,IZmin = 5 mA,IZmax = 40 mA,变压器二次电压有效值U2 = 20 V,电阻R = 240 W,电容C = 200 μF;求：8分1．整流滤波后的直流电压UIAV 约为多少伏2．当电网电压在±10%的围内波动时,负载电阻允许的变化范围有多大模拟试卷二一、填空：18分1．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用__耦合方式,为了实现阻抗变换,使信号与负载间有较好的配合,放大电路应采用____耦合方式;2．在三极管多级放大电路中,,总的电压增益 = ；Au1是__放大器；Au2是__放大器；Au3是___ 放大器;3．单相桥式整流电路中,若输入电压U2 = 30V,则输出电压Uo = V；若负载电阻RL = 100 W,整流二极管IDAV =___A;4．文氏桥正弦波振荡器用网络选频,当这种电路产生正弦波振荡时,该选频网络的反馈系数即传输系数、jF = ;5．在信号处理电路中,当有用信号频率低于10 Hz时,可选用滤波器；有用信号频率高于10 kHz时,可选用滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时,可选用滤波器；有用信号频率为某一固定频率,可选用滤波器;6．甲类放大电路是指放大管的导通角为；乙类放大电路则其放大管的导通角为；在甲乙类放大电路中,放大管的导通角为 ;二、选择正确答案填空9分1．图示电路中二极管是理想的,电阻R为6 W;当普通指针式万用表置于R ′ 1 W 档时,用黑表笔通常带正电接A点,红表笔通常带负电接B点,则万用表的指示值为 ;a．18 W ； b．9 W ； c．3 W ； d．2 W ； e．0 W ;2．有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大;在负载开路的条件下测得A的输出电压小;这说明A 的 ;a．输入电阻大； b．输入电阻小； c．输出电阻大； d．输出电阻小3．某放大电路在负载开路时的输出电压为4 V,接入3 kW 的负载电阻后输出电压降为3 V;这说明放大电路的输出电阻为 ;a．10 kW ； b．2 kW ； c．1 kW ； d．0.5 kW ;三、判断下列管子的工作状态10分1．测得各三极管静态时三个电极对地的电位如图所示,试判断它们分别工作在什么状态饱和、截止、倒置;设所有的三极管和二极管均为硅管;2．电路如图所示,分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区饱和区、夹断区、可变电阻区;四、图示差分放大电路中,调零电位器RP的动端处在中点位置,已知 b1 = b2 = 50,UBE1 = UBE2 = 0.7 V,其它参数如图所示;1．求静态工作点IB、IC、UCE；2．画出半边对称放大电路的微变等效电路；3．当uS1 = -uS2 = 10 mV时,求uO = 12分五、已知集成运放的BWG = 1 MHz,试估算图示交流放大电路的下限频率和上限频率;8分六、图示电路中各运算放大器是理想的,试写出各输出电压Uo的值;10分七、电路如图所示,设满足深度负反馈条件;1．试判断级间反馈的极性和组态；2．试求其闭环电压放大倍数Auf; 10分八、题图电路为两个三端集成稳压器,已知电流IQ = 5 mA;1．写出图a中的I0的表达式,并算出具体数值；2．写出图b中的Uo的表达式,并算出当R2 = 5 W 时的具体数值；3．指出这两个电路分别具有什么功能;9分九、画出图中各电路的电压传输特性,要求uI的变化幅度足够大,并在图中表明有关数值;设所有集成运放具有理想的特性,所有电源电压为±12 V;12分模拟试卷三一、填空26分1．杂质半导体有__型和__型两种；双极型晶体管的结构有__型和__型两种；场效应管根据导电沟道不同有__和__两种;2．图中二极管为理想器件,V1工作在__状态；V2工作在__状态；UA为__V;3．三极管放大电路中,测得晶体管三个引脚对地电位分别为：UA = -5 V、UB = -8 V、UC = -5.2 V,则三极管对应的电极是：A为__极、B为__极、C为__极,晶体管为__型三极管;4．在图示电路中2CW5的参数为：稳定电压Uz = 12 V,最大稳定电流IZmax = 20 mA;图中电压表中流过的电流忽略不计;当开关S闭合时,电压表V和电流表A1、A2的读数分别为__、__ 、；当开关S断开时,其读数分别为__ 、 __、 ;5．若三级放大电路中Au1 = Au2 = 30 dB,Au3 = 20 dB,则其总电压增益为__dB,折合为__倍;6．差动放大电路用恒流源代替公共射极电阻RE,使电路的RiC__、∣Auc∣=__ 、共摸抑制比=__ ;7．三端集成稳压器CW7912的输出电压为__ V,而CW7809的输出电压则为___V;一、填空26分1．P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道;2．截止,导通,-2.7 V;3．E,C,B,PNP;4．12 V,12 mA,6 mA,12 V,12 mA,0 mA;5．80 dB,104倍;6．提高,减小,提高；7．-12 V,+8 V;二、已知图示电路中的三极管 b = 60,rbb = 200 W,UBEQ = 0.7 V,RB1 = RB2 = 150 kW,RC = 5.1 kW,Rs = 300 W,Vcc = 12 V;试求：1．静态工作点；2．画出微变等效电路；3．电压放大倍数及输入电阻Ri、输出电阻Ro;12分三、判断图示电路的级间反馈极性和组态；设满足深度负反馈条件,试估算闭环电压增益 8分四、在图示电路中,设A1、A2、A3均为理想运算放大器,其最大输出电压幅值为±12 V;1．试说明A1、A2、A3各组成什么电路2．A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区3．若输入为1 V的直流电压,则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大 12分五、电路如图所示;1．正确连接A、B、P、N四点,使之成为RC桥式振荡电路；2．电路的频率f0是多少3．若R1 = 2 kW,求Rf的最小值;12分六、图为一高通有源滤波电路;设A为理想运算放大器,试推导传递函数Uojw/Uijw 的表达式,并求出截止频率fp;8分七、在图示两个电路中,A为理想运算放大器,输出电压的极限值为Uomax; 1．指出这是两个什么类型的电路；2．画出它们的电压传输特性;10分八、在图示电路中,Rf和Cf均为反馈元件,设三极管饱和管压降为0 V;1．为稳定输出电压uO,正确引入负反馈；2．若使闭环电压增益Auf = 10,确定Rf =3．求最大不失真输出电压功率Pomax = 以及最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少 12分模拟试卷四一、填空20分1．在常温下,硅二极管的门槛电压约为__V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V；锗二极管的门槛电压约为 __V,导通后在较大电流下的正向压降约为__V; 2．场效应管属于__控制型器件,而晶体三极管则是___控制型器件;3．某场效应管的转移特性曲线如图所示,由此可知该管是 N或P沟道增强或耗尽型的结型或绝缘栅场效应管,图中UGS = －2 V称为该管的电压;4．已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为：表明其下限频率为____,上限频率为 ,中频的电压增益为__dB,输出电压与输入电压在中频段的相位差为___ ;5．在双端输入、双端输出的理想差分放大电路中,若两个输入电压 DUI1 = DUI2,则输出电压 DUo = ;若 DUI1 = +1500 mV,DUI2 = +500 mV,则可知差动放大电路的输入差模电压 DUId = ,差模输入信号分别为 DUId1 = ,DUId2 = ,共模输入信号 DUIc = ;6．设计一个输出功率为20 W的扩音机电路,若用乙类推挽功率放大,则应选至少为 W的功率管两个;二、两级放大电路如图所示,已知三极管 b1 =b2 =50,rbe1 = 1.6 kW,rbe2 = 1.3 kW,各电容的数值都足够大,在中频区可视为短路; 共14分1．试说明V1和V2各组成什么电路组态2．画出中频区的H参数微变等效电路；3．计算放大器的输入电阻Ri 和输出电阻Ro；4．计算中频区源电压放大倍数Aus;三、图示电路中的模拟乘法器和运算放大器均为理想器件;10分1．为对运算放大器形成负反馈,应对uI2的极性有何限制2．推导uo与uI1、uI2之间的关系式,指出该电路具有何种运算功能;3．设K = 0.1 V-1,R1 = 10 kW,R2 = 1 kW,uI1与uI2极性相同且绝对值均为10 V,问输出电压uo =四、电路如图所示,设满足深度负反馈条件,电容C1、C2的容抗很小,可以忽略不计;10分1．试判断级间反馈的极性和组态；2．估算其闭环电压放大倍数;五、图示电路为一阶低通有源滤波器;设A为理想运算放大器,试推导该电路的传递函数,并求出通带截止频率fp;8分六、试用相位平衡条件判断图示两个电路是否有可能产生正弦波振荡;如可能振荡,指出该振荡电路属于什么类型如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等,并估算其振荡频率;已知这两个电路中的L = 0.5 mH,C1 = C2 = 40 pF;10分七、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图所示;已知W7805的输出电压为5 V,IQ = 8 mA,晶体管的 b = 50,|UBE| = 0.7 V,电路的输入电压UI = 16 V,求输出电压Uo是多少伏 6分八、在图示电路中,设运算放大器是理想的,电阻R1 = 33 kW,R2 = 50 kW,R3 = 300 kW,R4 = Rf = 100 kW,电容C = 100 mF;试计算下列各值：1．当uI1 = 1 V时,uo1 =2．要使uI1 = 1 V时uo维持在0 V,uI2应为多大设电容两端的初始电压uc = 0;设t = 0时uI1 = 1 V,uI2 = -2 V,uc = 0 V,求t = 10 s时uo = 12分九、OCL电路如图所示,负载电阻RL = 50 kW,设晶体管的饱和管压降可以忽略;10分1．若输入电压有效值Ui = 12 V,求输出功率Po、电源提供功率PDC以及两管的总管耗PC；2．如果输入信号增加到能提供最大不失真的输出,求最大输出功率Pomax、电源此时提供的功率PDC以及两管的总管耗PC；3．求两管总的最大管耗PCM;模拟试卷五一、填空题20分1．处于放大状态的NPN型晶体管,UB、UC、UE 三个电位之间的关系是___ 处于饱和状态的NPN型晶体管UB、UC、UE 三个电位之间的关系是_______ ；2．理想运算放大器的开环电压放大倍数为__,输入电阻为___,输出电阻为___；工作在线性区时,运放两个输入端电压___,称做___；流入输入端的电流为___,称做___;3．如果变压器二次即副边电压的有效值为10 V,桥式整流后不滤波的输出电压为___V,经过电容滤波后为___ V,二极管所承受的最大反向电压为______ V; 4．差分放大电路,若两个输入信号uI1 = uI2,则输出电压,uO =___；若u I1 = 100 mV,u I 2 = 80 mV则差摸电压uId =___；共摸电压uIc =____;5．某晶体管的极限参数PCM = 200 mW,ICM = 100 mA,UBRCEO = 30 V,若它的工作电压UCE为10 V,则工作电流不得超过___mA；若工作电流IC = 1 mA,则工作电压不得超过________ V;6．某放大电路的电压增益为80 dB,相当电压放大倍数为______ 倍;7．产生正弦波振荡的幅值平衡条件是________,相位平衡条件是___ ;二、选择题7分1．工作在电压比较器中的运放和工作在运算电路中的运放的主要区别是,前者的运放通常工作在 ;a．开环或正反馈状态 b．深度负反馈状态 c．放大状态 d．线性工作状态2．某电路有用信号频率为2 kHz, 可选用 ;a．低通滤波器 b．高通滤波器 c．带通滤波器 d．带阻滤波器3．某传感器产生的是电压信号几乎不能提供电流,经过放大后希望输出电压与信号成正比,电路形式应选 ;a．电流串联负反馈 b．电流并联负反馈 c．电压串联负反馈 d．电压并联负反馈4．与甲类功率放大方式相比,OCL互补对称功放的主要优点是 ;a．不用输出变压器 b．不用输出端大电容 c．效率高 d．无交越失真5．集成运放的输入级采用差分电路是因为可以 ;a．增大放大倍数 b．减小温漂 c．提高输入电阻6．稳压二极管稳压时,其工作在 ,发光二极管发光时,其工作在 ;a．正向导通区 b．反向截止区 c．反向击穿区三、放大电路如下图所示,已知：VCC = 12 V,RB1 = 120 kW,RB2 = 39 kW,RC = 3.9 kW,RE = 2.1 kW,RL = 3.9 kW,rbb = 200 W,电流放大系数 b = 50,电路中电容容量足够大,要求：1．求静态值IBQ,ICQ 和UCEQ 设UBEQ = 0.6 V ；2．画出放大电路的微变等效电路；3．求电压放大倍数Au,源电压放大倍数Aus,输入电阻Ri,输出电阻Ro ;4．去掉旁路电容CE,求电压放大倍数Au ,输入电阻Ri ; 14分四、设图中A为理想运放,请求出各电路的输出电压值;12分五、题图四个中间级电路,假设各电路都设置有合适的静态工作点图中未画出;12分1．指出其级间反馈的极性,若为负反馈说明组态；2．写出其中的负反馈电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数表示式;六、同学们在实验中用集成运放组成了四个LC正弦波振荡电路,请说出每个振荡电路的类型,并判断它们是否都能振荡起来 6分七、题图电路,A1,A2为理想运放;1．说明电路由哪些基本单元电路组成；2．画出u0与u01的电压传输特性曲线；3．设t = 0时,uc0 = 0,u0 = 12 V,现接入uI = -10 V,经过多长时间u0 翻转到 -12 V4．若uI 输入如图所示的矩形波,请画出u01和u0的波形; 14分八、题图为由三端集成稳压器W7805构成的直流稳压电路;已知IQ = 9 mA,电路的输入电压为16 V,求电路的输出电压UO = 5分九、图示电路中,输入信号是正弦电压,V1,V2管的饱和压降可以忽略,且静态电流很小,VCC = VEE = 15 V,RL = 8 W;1．请说明该功放电路的类型；2．负载上可能得到的最大输出功率；3．每个管子的最大管耗PCM为多少电路的最大效率是多大 10分模拟试卷一答案一、填空16分1．单向导电性;2．正向、反向；正向、正向;3．0.707、3dB、±45°;4．交流串联负反馈、交流电压负反馈;5．0、0、78.5%、交越;6．电压串联负反馈,放大;二、24分1．A 2．D 3．C 4．C 5．D 6．A 7．D 8．A三、12分1．V1组成共射放大电路,V2组成共集电极放大电路；2．图略；3．四、10分五、8分电压放大倍数：Au0 = Auf = 1 + Rf/R1 = 1 + 16/5.1 = 4.14 下限频率：fL = 1/2pRC = 40.8 Hz六、12分图a：负反馈,交、直流反馈兼有,电压并联组态,；图b：负反馈,交、直流反馈兼有,电压串联组态,;七、10分1．满足相位平衡条件；2．电容三点式正弦波振荡电路；3．八、8分1．U IAV " 24 V;2．故求得100 W ￡ RL ￡ 133 W ;模拟试卷二答案一、填空18分1．直接、变压器;2．-200,共基极,共发射极,共集电极;3．27 V,0.135 A;4．RC串并联、1/3、0°;5．低通,高通,带阻,带通;6．2p,p,大于 p 小于2p;二、9分a、b、c ;三、10分1．V1截止,V2倒置,V3饱和；2．V4工作在饱和区放大区,V5工作在可变电阻区;四、13分1．, , UCE1 = UC - UE = 8.7 V；2．图略；3．,, uo = -548 mV;五、8分fL = 1/2pR1C1 = 79.5 Hz , fH = BWG/Auf = 20 kHz ;六、10分a Uo = 0.45 V；b Uo = 0.15 V;七、10分1．a为电压并联负反馈,b为电流串联负反馈；2．八、10分1．IO = U23 / R + IQ " 1 A ；2．UO = U231 + R2 / R1 + IQR2 " 10 V ；3．a 为恒流源电路,b 为可调的稳压电源;九、12分模拟试卷三答案一、填空26分1．P、N、NPN、PNP、P沟道、N沟道;2．截止,导通,-2.7 V;3．E,C,B,PNP;4．12 V,12 mA,6 mA,12 V,12 mA,0 mA;5．80 dB,104倍;6．提高,减小,提高；7．-12 V,+8 V;二、12分1．IB = 18.5 mA,IC = 1.11 mA,UCE = 6.25 V；2．图略；3．,Ri = 1.58 kW, Ro = 4.9 kW;三、8分电压串联负反馈； ;四、12分1．A1组成反相比例电路,A2组成单值比较器,A3组成电压跟随器；2．A1和A3工作在线性区,A2工作在非线性区；3．uO1 = -10 V,uO2 = 12 V,uO3 = 6 V;五、12分1．A与P、B与N分别相连；2．；3．Rf > 4 kW;六、8分七、10分1．图a为反相迟滞比较器,图b为同相比例运算电路;2．见图：八、12分1．电压串联负反馈；2．, Rf = 90 kW；3．,最大输出时Uom = VCC = AufUim,Uim = 1.5V;模拟试卷四答案一、填空20分1．0.5 V,0.7 V；0.1 V,0.2 V;2．电压,电流;3．P,增强,绝缘栅,开启电压;4．10 Hz,106 Hz,60 dB,-180°;5．0,1 000 mV,500 mV,-500 mV,1 000 mV;6．4 W;二、14分1．V1组成共射电路；V2组成共集电极电路2．图略;3．4． ,Au2 " 1,Au = Au1Au2 " -27.5,;三、10分1．要求uI2 > 0,即为正极性;2．u o = KuI2 uo,且,故得到该电路具有除法运算功能;3．uo = -1 V;四、10分1．电压并联负反馈；2． ;五、8分六、10分图a不能振荡;图b可能振荡,为电容三点式正弦波振荡电路;振荡频率为七、6分答Uo ＝9 V也算正确;八、12分1．u o1 = 3 V；2．令,得uI2 = -1 V；3．;九、10分1．PC = PDC - PO " 32 W ；2．PC = PDC - POmax " 22 W ；3．PCM = 0.4POmax " 31.2 W ;模拟试卷五答案一、填空题20分1．UC > UB > UE ；UB> UC > UE 或UB > UC、UB > UE ;2．∞,∞,0；相等,虚短；零,虚断;3．9 V,12 V,14.1 V;4．0,20 mV,90 mV;5．20 mA；30 V;6．104 ;7．AF = 1,j A + jF = 2np ;二、选择题7分1．a； 2．c； 3．c； 4．c； 5．b； 6．c,a三、14分四、12分U01 = 6 V, U02 = 6 V, U03 = 4 V, U04 = 10 V, U05 = 2 V, U06 = 2 V;五、10分1．a 电压串联负反馈； b 正反馈； c 电流并联负反馈； d 正反馈;2．六、6分a能振荡,为电感三点式；b不能振荡;七、14分1．由积分电路和具有滞回特性的电压比较器组成； 2．传输特性曲线;3．∴ t = 20 mV; 4．波形八、5分九、10分1．OCL；2．；3．PCM = 0.2Pmax = 2.8 W, hmax = 78.5%;。
模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析
模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。
A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。
( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。
( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。
A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。
B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。
C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。
D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。
A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。
8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。
专科《模拟电子技术》模拟题试卷
专科《模拟电子技术》模拟题试卷一. （共60题,共150分.1.理想的功率放大电路应工作于.)状态.（2分.A.甲类互补B.乙类互补C.甲乙类互补D.丙类互补★检查答案标准答案: C2.NPN共射电路的Q点设置在接近于.)处将产生顶部失真.（2分.A.截止区B.饱和区C.击穿区D.放大区★检查答案标准答案: A3.双极晶体管放大电路共射极接法所对应的场效应管放大电路是.)接法.（2分.A.共基极B.共源极C.共漏极D.共栅极★检查答案标准答案: B4.当有用信号的频率介于2500Hz与3000Hz之间时, 应采用的最佳滤波电路是.).（2分.A.低通B.高通C.带通D.带阻★检查答案标准答案: C5.为了提高电压放大倍数, 希望放大电路的.)大一些.（2分.A.输入电流B.输出电流C.输入电阻D.输出电阻★检查答案标准答案: D6.当PN给外加反向电压时, 其内部的扩散电流将.)漂移电流。
此时, 耗尽层的宽度将.).（2分.A.大于变宽B.大于变窄C.小于变宽D.等于不变★检查答案标准答案: C7.差动放大电路的特点是抑制.)信号, 放大.)信号.（2分.A.共模共模B.共模差模C.差模差模D.差模共模★检查答案标准答案: B8.共漏极场效应管放大电路的输出电压与输入电压的相位.).（2分.A.相差0B.相差45C.相差90D.相差180★检查答案标准答案: A9.直流电源滤波的主要目的是: .).（2分.A.将交流变直流B.将高频变低频C.将正弦波变成方波D.将直、交流混合量中的交流成分去掉★检查答案标准答案: D10.电路如图所示。
若V1管正负极接反了, 则输出.). （2分.A.只有半周波形B.全波整流波形, 但V3管承受2倍的电压C.全波整流波形D.无波形且变压器或整流管可能烧毁★检查答案标准答案: D11.双极型三极管是控制器件, 当其工作在放大区时发射结需要加偏置, 集电结需要加偏置。
模拟电子技术试题(一)---答案
模拟电子技术试题一、判断题：（20×2ˊ）1、半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。
（对）2、在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。
（F）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
（错）5、二极管和三极管都是非线性器件。
（ T ）6、N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。
（对）7、二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。
（对）8、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
（错）9、使用稳压管时应阳极接正，阴极接负（错）10、二极管的核心是一个PN结，所以二极管具有单向导电性。
（T）11、某发光二极管，两引脚一个长，一个短，则长引脚对应发光管的阴极。
（ F ）12、稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流变化很大，而电压变化很小（对）13、普通二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿（∨）14、双向二极管两引脚有阳极和阴极之分（ F ）15、整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。
（∨）16、放大电路的三种组态，都有功率放大作用。
（ T ）17、晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结，所以三极管在作放大管使用时，发射极和集电极可相互调换使用。
（ F ）18、在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可以将其改成P型半导体。
（ T ）19、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（F）20、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（对）二、选择题：（15×3ˊ）1、P型半导体的多数载流子是（ B ）。
A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流2、下列说法正确的是（ C ）。
A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生3、关于P型．N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（ A ）。
模拟电子技术复习试题及答案解析
一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。
纯净的半导体称为，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。
模拟电子技术复习试题 答案解析
《模拟电子期末练习题》填空题：1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、（共集电极）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。
9、负反馈放大电路的放大倍数A F=（A/（1+AF）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F）。
10、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。
13、反向电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
14、共集电极电路电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
16、晶体三极管具有放大作用时，发射结（正偏），集电结（反偏）。
17、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（直流）负反馈，为了减小输出电阻采用（电压）负反馈。
18、共模信号是大小（相等），极性（相同）的两个信号。
19、乙类互补功放存在（交越）失真，可以利用（甲乙）类互补功放来克服。
模电复习试题及答案(选择、填空、判断)
《模拟电子技术》复习题综合（半导体基础知识、单管共射放大电路）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。
模拟电子技术期末试卷5套及答案
《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。
（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。
（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。
（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。
（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。
（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。
（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。
（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。
（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。
二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。
（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。
（A ）感性 （B ） 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。
（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ） 差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。
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一、填空题：（要求）1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。
半导体中中存在两种载流子：和。
纯净的半导体称为，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：型半导体——多数载流子是；型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在区内。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流，是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体，加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数；负反馈使放大倍数；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是，交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定，因而了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出保持稳定，因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻；并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中，有以下四种基本的反馈组态：式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带通滤波器；将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起，可以组成带阻滤波器。
11、滤波电路的主要任务是尽量滤掉输出电路中的成分，同时，尽量保留其中的成分。
滤波电路主要由电容、电感等储能元件组成。
电容滤波适用于电流，而电感滤波适用于电流。
在实际工作中常常将二者结合起来，以便进一步降低成分。
12在三极管多级放大电路中，已知Av1=20、Av2=-10、Av3=1,每一级的负载电阻是第二级的输入电阻，则总的电压增益Av=( );Av1是( )放大器，Av2是( ) 放大器，Av3是( )放大器。
13集成运算放大器在( )状态和( )条件下，得出两个重要结论他们是：( ) 和( )14单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30,则输出电压Vo=( )V;若负载电阻R L=100Ω,整流二极管电流Id(av)=( )A。
二、选择题：1、ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流_______漂移电流，耗尽层_______。
2、图中D1-D3为理想二极管，A，B，C灯都相同，试问哪个灯最亮？3、设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为5V和10V，求图中电路的输出电压Uo。
已知稳压管的正向压降为0.7V。
4、图所示电路，设Ui=sinωt(V)，V=2V，二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波形应为图示_______图。
5、判断图所示电路中各二极管是否导通,并求A,B两端的电压值。
设二极管正向压降为0.7V。
6、二极管最主要的特性是____________，它的两个主要参数是反映正向特性的____________和反映反向特性的____________。
（注：本题为往年考题）7、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。
试判断各晶体管的类型(是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管),并区分e、b、c三个电极。
8、测得某NPN管得ＶBE＝0.7V，ＶCE＝0.2V，由此可判定它工作在_______区。
9、为保证BJT共发射极放大器不产生削波失真，并要求在2K得负载上有不小于2V得信号电压幅度，在选择静态工作点时，就应保证|ＩCQ|≥_______，|ＶCEQ|≥_______。
（注：以上两题为2000年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题）10、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真。
这种失真是____。
A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真11、如下电路能否实现正常放大？12、在如图所示的基本放大电路中，输出端接有负载电阻R L，输入端加有正弦信号电压。
若输出电压波形出现底部削平的饱和失真，在不改变输入信号的条件下，减小R L的值，将出现什么现象？A.可能使失真消失B.失真更加严重C. 可能出现波形两头都削平的失真。
13、为了使一个电压信号能得到有效的放大，而且能向负载提供足够大的电流，应在这个信号源后面接入什么电路？A.共射电路B.共基电路C.共集电路14、在如图所示的放大电路中，设Vcc=10V，Rb1=4KΩ,Rb2=6KΩ,Rc=2KΩ,Re=3.3KΩ,Rl=2KΩ。
电容C1，C2和Ce都足够大。
若更换晶体管使β由50改为100，ｒbb'约为0)，则此放大电路的电压放大倍数____。
A.约为原来的2倍B.约为原来的0.5倍C.基本不变D.约为原来的4倍15、对于如图所示电路，问关于放大倍数的计算，以下式子哪个正确？A.-β×[(Rc||RL)/(rbe+Re)]B.-β[(Rc||RL)/rbe]C.-β×[(Rc||RL)/(Rb1||Rb2||rbe)]16、集成运算放大器是一种采用______耦合方式的放大电路，最常见的问题是__________，限于集成工艺的限制，在内部组成上，对高阻值电阻通常采用由三极管或场效应管组成的________来替代，或是采用________的方法来解决。
17、在差动放大电路中，若Vs1=18mV，Vs2=10mV，则输入差模电压Vsd =______mV，共模输入电压Vsc=______mV；若差模电压增益Avd= - 10，共模电压增益Avc= - 0.2，则差动放大电路输出电压Vo=______mV。
18、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_______作用和对共模信号的_______作用。
（注：本题为1998年北京理工大学研究生入学考试“模拟与数字电路”考题）（答案）19、在不考虑反馈网络的附加移相作用时，负反馈转化为正反馈需A：一级放大 B：二级放大 C：三级放大20、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12KΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大.电路的输出电阻为：A：10KΩ B：2KΩ C：4KΩ D：3KΩ（答案与提示）21. 在考虑放大电路的频率失真时。
若Ui为正弦波，则Uo（）Ａ有可能产生相位失真Ｂ有可能产生幅度失真和相位失真Ｃ一定会产生非线性失真Ｄ不会产生线性失真22 某电路有用信号频率为2KHz，可选用（）A 低通滤波器B 高通滤波器C 带通滤波器D 带阻滤波器23 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（）A 开环或正反馈状态B 深度负反馈状态C 放大状态D 线形工作状态24与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）A 不用输出变压器B 不用输出端大电容C 效率高D 无交越失真三、计算题1、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
2、电路如图所示，V CC＝15V，β＝100，U BE＝0.7V。
试问：（1）R b＝50kΩ时，u O＝？（2）若T临界饱和，则R b≈？3、 电路如图所示，晶体管导通时U BE ＝0.7V ，β=50。
试分析V BB 为0V 、1V 、3V 三种情况下T 的工作状态及输出电压u O 的值。
4、 电路如图所示，试问β大于多少时晶体管饱和？5、电路如下图所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。
（1）求解Q 点、uA &、R i 和R o ； （2）设s U ＝10mV （有效值），问i U ＝？o U ＝？若C 3开路，则i U ＝？o U ＝？6、电路如图下所示共集电极电路，晶体管的β＝80，r b e=1kΩ。
（1）求出Q点；（2）分别求出R L＝∞和R L＝3kΩ时电路的u A&和R i；（3）求出R o。
r=100Ω。
7、电路如图P2.13所示，晶体管的β＝100，'bb（1）求电路的Q点、u A&、R i和R o；（2）若电容C e开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？图P2.138、电路如下图所示，判断反馈类型，并求出输出与输入的表达式。
If o f I f o I f f o f u RR R u uI uo R R Rb u RR u u R R R u R R RU a +==+-==+++=-2211;)(;0)（叠加定理解：利用虚断及虚短和9、 比例运放电路如下图所示，试求其输出电压Vo 与输入Vi1、Vi2的关系表达式。
10、试分别判断比较器类型，并求出图(a)、（b ）所示各电路的电压传输特性。
++__20K 10K40K V O1V OVi1Vi2A1A2＋－∞＋(a ) 同相滞回比较器R 1R 2R 3u IU R u O＋－∞＋(b ) 反相滞回比较器R 1R 2R 3U Ru I u O11、下图所示电路参数理想对称，晶体管的β均为50，'bbr=100Ω，U B E Q ≈0.7。
试计算R W滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流I E Q，以及动态参数A d和R i。
12、判断图（a）所示电路的反馈类型，并估算图(a)所示负反馈放大器的闭环电压增益A uf=U o/U i。
13、定性分析图所示电路，说明T1、T2在电路中的作用。
Ui－＋C1＋＋C2Rf＋UoV2C3＋＋CF＋－＋－Rf＋Uo－(a) 电路(b) 反馈网络UC C＋＋UfV11Rc1Rb2Rc2Re2Ce1Ce22Rb21Rb1Re1eR′1Re14:判断如图电路的反馈类型15、判断如图电路的反馈类型16、倍压整流电路如图所示，求输出电压ＶL2的值。
17、电路如图所示，设半导体三极管的β=80，试分析当开关K分别接通A、B、C三位置时，三级管各工作在输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流Ic。
18、已知某共射放大电路的中频电压放大倍数为A um=-1000，f L=10Hz f H=1MHz，请画出该放大电路的对数幅频特性曲线图。
19、在下图所示运算放大电路中，已知v1=10mV，v2=30mV，推导输入输出表达式，并求vo=?20、理想比例运放电路如下图所示，试指出反馈的类型，并求其电压放大倍数1、21、指出下列电路图的输入、输出接法，两个电路的电压放大倍数有何关系？U1U2U3R151kR224.9kR310.0kR420kR55.1kRf151kRf240.2k356274+vo_ +v1_+v2_89+-R FR1R2u iu-u+Au o四、问答题1、PN结是如何形成的？2、二极管正、负极性的判断方法？3、举例说明二极管的主要应用？4、在三极管的输出特性曲线上三极管有哪三个区？各区的特点？5、放大电路的组成及各元件的作用？6、放大电路有哪三种基本分析方法？举例说明。