二极管介绍

Min (V)
3.135
VZ
Nom (V)
3.3
Max (V)
3.465
ZZT
ZZK
IZT(m Max(Ω) Max(Ω) Izk
A)
@IZT @IZK (mA)
76
10
400
1
IR
Max (uA)
VR(V
100
1
VF
Max IF (V) (mA)
Packag e
1.2 200 do-41
二极管的检测方法
变容 施加反向电压， 使其PN结的静电容量发生变化．用于自动频率 二极管 控制（AFC）和调谐用的小功率二极管
发光 正向驱动发光。工作电压低，工作电流小 二极管
二极管伏安特性
图示出常用硅二极管的伏安特性，它实 际表示的是加在二极管两端的电压和流 过二极管的电流间的关系。
当电压在零值附近时，电流为零。
正极引线
阴极引线
PN
+wenku.baidu.com
-
+
-
普通二极管符号 D
稳压二极管符号 Dz
引线
引线头
（杜美丝）
晶片 (PN结）
玻管
P区与N区中载 流子的扩散运动
平衡状态下 的PN结
PN结的形成
空穴 负离子 正离子
P区
N区
空间电荷区
P区
N区
自由电子
按材料分类
二极管分类
特点/作用
硅二极管
反向电流小；允许工作温度 高；击穿电压高及热稳定性 好；用于整流和逻辑电路．
稳压管稳压电路
由于稳压管的反向电流 小于Izm时不稳压，大于 Izmax时会因超过额定功耗
R Ir +
UI
Dz
Rl U
而损坏，所有稳压管电路
-
必须串联一个电阻来限制电流，从而保证稳压管正常 工作。只有在R取值合适时，稳压管才能稳定的工作。
当电压为VF正向电压0.5V左右时，电
流开始出现（通常将这个正向0.5V电
压称为死区电压） ：电压再增大时，
IF电流明显增大。
VZ VR
当在二极管加上VR反向电压，IR反向
电流随VR反向电压增大而略微增加或
不增加，当VR反向电压增大到一定值
时， IR反向电流突然剧增，此时的PN
结被击穿，不具有单向导电性能，这个
2.最高反向工作电压VR：是二极管长期运行是允许外加的最大反向
电压，若超过此值，二极管有可能因反向击穿而损坏。通常VR为击穿电压的一 半。
3.反向电流IR：是二极管未击穿时的反向电流。IR愈小，二极管的单向导
电特性愈好，IR对温度非常敏感。
由于制造工艺所限，半导体器件参数具有分散性，同一型号的管子的参数 值有一些差异。使用时应特别注意每个参数的测试条件，当使用条件与测试条 件不同时，参数也会发生变化。
反向工作电压 VR
测试条件 IR = 100uA 范围 > 100V
反向电流 IR
测试条件 VR = 20V 范围 < 25nA
正向电压 VF
测试条件 IF = 10 mA 范围 < 1.0V
反向恢复时 间（TRR）
<4 ns
稳压管的主要参数
1、稳定电压Uz:是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。 2、稳定电流Iz(Izmin)：是稳压管工作在稳压状态时的参考电流，
锗二极管 小信号检波的灵敏度高线性
好；用于检波和高频电路．
二极管 按用途 分类
特点/作用
检波 二极管
从输入载波信号中取出调制信号
整流 二极管
把交流电流转换成直流
开关 二极管 开关二极管的特长是开关速度快
稳压 用于稳压，工作于反向击穿状态的特殊二极管． 二极管
肖特基 低功耗，大电流，超高速整流，减小阴极的接触电阻． 二极管
电压称为击穿电压BV。
i
If
IR VF V
Izt
稳压二极管一般用硅半导体材料制成，与开关二极管 有相类似的伏安特性。 当稳压二极管加VZ反向电压的数值大到一定程度时则击穿，在此击穿区随着IZ反向电流的变 化，而VZ反向电夺保持基本不变，表现出很好的稳压特性。只要控制IZ反向电流不超过一定 值，管子不会因过热而损坏。
稳定电压小于4V的管子具有 负温度系数，即温度升高稳 定电压值下降；
VR
20℃
80℃
i u
稳定电压在大于7V的管子具有正稳定系数，即稳定升高时 电压上升；
稳压值在4～7V之间的管子，温度系数近似为零。
开关/整流二极管主要工作参数
1.最大整流电流IF：是二极管长期运行是允许通过的最大正向平均电
流，其值与PN结面积,及外部散热条件等有关。在规定散热条件下，二极管正向 平均电流若超过此值，则将因结温过高而烧坏。
化量与其电流变化量之比，即∆Uz/ ∆Iz. Rz愈小，电流变化时Uz的变化 愈小，即稳压管的稳压特愈好.对于不同型号的管子， Rz将不同，从几欧 到几十欧.对于同一只管子，工作电流愈大， Rz愈小.
5、漏电流IR：是二极管未击穿时的反向电流。IR愈小，二极管的单
向导电特性愈好，IR对温度非常敏感。
德昌半导体培训教材
0.二极管的结构 1.二极管分类 2.二极管的伏安特性 3.开关二极管的主要参数 4.稳压二极管的主要参数 5.温度对二极管参数的影响 6.二极管的简单检测方法 7.稳压管的简单应用电路
二极管结构
组成部分： 将PN结用外壳封装起来，并加上电极引线就构成半导体二极管。 P区引出线为二极管正极，N区引出线为二极管负极。二极管组成 与电路符号如下图所示，图中箭头方向为地极管单向导电时的电流方向.
电流低此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压。只要不超过稳压的额定功 耗，电流愈大，稳压效果愈好。
3、额定功耗Pzm：Pzm=Uz* Izmax （最大稳定电流），稳压管的功耗
若超过此值时，会因结温升过高而损坏。对于一只具体的稳压管，可以通 过其PZM的值，求出Izmax的值。
4、动态电阻Rz (zzt,zzk): 是稳压管工作在稳压区时，端电压变
有些特殊品种不可用上述标准硬套，否则会使判断失误，例如 高压硅（正向电阻很大，通常用R×10k挡测表针也仅微动）、 某些稳压二极管（反向电阻较小，如1N4729A用R×1k挡测仅 为20K Ω左右)等.
注意不能使用R×10KΩ档，因为此档内为高压电池，测量方 向电阻时会使稳压二极管击穿，这时万用表上读出数值很小， 往往会误认稳压二极管被击穿.
二极管的极性判断 使用万用表电阻R×1KΩ档，测量二极管压管两引脚的阻值，
根据所测阻值进行判断。对于正常二极管来讲，两次测量值肯 定相差很大，阻值大的常称反向电阻，阻值小的称正向电阻， 故实测得正向电阻时，与黑表笔相连的是二极管的正极。 二极管好坏的检测 通常硅二极管的正向电阻为数百于数千欧，反向电阻1MΩ以上; 锗二极管正、反向电阻分别数10 Ω~1000 Ω和100K Ω以上。 如果实测反向电阻很小，说明管子已击穿；若正、反向电阻均 为无穷大，表明管子已断路；如果正、反向电阻相差不大或有 一个阻值偏离正常，说明管子性能不良，一般不宜使用。
1N4728A(稳压二极管)
◆概述

DO-41玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀铅锡。
◆特征
低的反向漏电流。
较高的稳压精度。
高温焊接保证。
引线可承受15磅以上拉力。
◆应用
主要应用于对电压稳定度要求较高的场合，也可用作电压钳位。 ◆技术规范
Device
TC1N4728 A
TCLL4148 (开关二极管) ◆概述：LL34玻璃封装,引线端子为铜包铁丝镀铅锡。 ◆特征： 低的反向漏电流。 较强的浪涌承受能力。 高温焊接保证。 引线可承受15磅以上拉力。 ◆应用 ： 主要应用于高频小功率电路。
◆技术规范：
产品型号 1N4148
封装形 式
DO35
温度对伏安特性的影响
二极管正向特性
I
在环境温度升高时，
IF
二极管的正向特性曲线将左移，
在室温附近，温度每升高1℃，
正向压降减少2～2.5mV.
结论：二极管的特性对温度很敏感。
80℃
20℃
Uon VF
V
二极管反向特性
温度每升高10℃，反向电流 约增大一倍。 温度系数α：α表示温度每 变化1℃稳压值的变化量。