近红外下转换发光材料相关专利综述

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下转换发光材料的制造方法[发明专利]

专利名称：下转换发光材料的制造方法
专利类型：发明专利
发明人：宋超,郑桦,黄锐,郭艳青,王祥,宋捷,林圳旭,张毅,李洪亮
申请号：CN201610859661.9
申请日：20160927
公开号：CN107868941A
公开日：
20180403
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种下转换发光材料的制造方法，形成步骤包括：步骤一、提供多靶磁控溅射设备；步骤二、安装多个靶材，靶材根据所要形成的稀土掺杂氧化物进行选取，稀土掺杂氧化物的基质材料为稀土钒酸盐或稀土铌酸盐，靶材包括：基质材料对应的基质稀土氧化物靶、氧化钒靶或氧化铌靶，稀土掺杂材料对应的掺杂稀土靶；步骤三、将衬底放入到共溅射反应室的基片座上；步骤四、将对共溅射反应室进行抽真空；步骤五、通入溅射气体并进行衬底温度为室温～400摄氏度的溅射工艺在衬底表面形成所述稀土掺杂氧化物。

本发明能在较低温度下实现材料的大面积生长，能与微电子工艺技术相兼容，工艺简单、成本低，并能有效的与太阳能电池的制备过程相结合。

申请人：韩山师范学院
地址：521041 广东省潮州市湘桥区桥东韩山师范学院
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：郭四华
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一种Pr离子激活的近红外发光材料及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种Pr离子激活的近红外发光材料及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：唐惠东,李龙珠,陈玉伟,杨蓉,蒋若愚,徐立波
申请号：CN202011170158.5
申请日：20201028
公开号：CN112111273A
公开日：
20201222
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种Pr离子激活的近红外发光材料及其制备方法，该发光材料的基质是稀土铋酸盐氧化物，Bi离子增强了晶格的极化性能，加上晶格中阳离子具有很高的占位紊乱性，都对Pr离子的有效发光提供了结构基础；该发光材料在1.4～1.56μm波长范围具有最强的发射强度，属于来自Pr离子的D→G跃迁发光，该发射波段主要适合应用于光放大器中的E带扩展波段和S带短波长波段；该发光材料的基质晶格具有很强的刚性度，由此制备的近红外发光材料具有很高的稳定性；本发明近红外发光材料的制备方法，整体制备工艺简单、易于操作，生产成本低，没有环境污染，实施可行性高。

申请人：常州工程职业技术学院
地址：213164 江苏省常州市武进区滆湖中路33号
国籍：CN
代理机构：南京知识律师事务所
代理人：高桂珍
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《近红外稀土掺杂上转换发光材料的制备及应用研究》

《近红外稀土掺杂上转换发光材料的制备及应用研究》一、引言近红外（NIR）上转换发光材料作为一种重要的光功能材料，具有优异的转换效率及长寿命特性，其应用范围已经从初期的科学研究逐渐拓展至现实生活，尤其是在光电器件、医疗、能源及通信领域有着广泛的潜力。

近红外稀土掺杂上转换发光材料由于在生物学检测、治疗光导应用中的优异性能而备受关注。

本文旨在研究近红外稀土掺杂上转换发光材料的制备方法，并探讨其应用前景。

二、近红外稀土掺杂上转换发光材料的制备近红外稀土掺杂上转换发光材料的制备主要涉及材料的选择、掺杂元素的确定以及合成工艺的优化。

首先，选择合适的基质材料是制备上转换发光材料的关键。

常见的基质材料包括氟化物、氧化物等。

其次，根据所需的上转换发光性能，选择适当的稀土元素进行掺杂。

在近红外区域，常常采用如Er3+、Tm3+等元素作为激活剂，并利用其他稀土元素如Yb3+等作为能量传递介质。

最后，优化合成工艺是制备高质量上转换发光材料的关键步骤，包括控制反应温度、时间、掺杂浓度等因素。

目前，常见的制备方法包括高温固相法、溶胶凝胶法、共沉淀法等。

本文中，我们主要采用了溶胶凝胶法来制备近红外稀土掺杂上转换发光材料。

该方法具有反应条件温和、可实现原子级别的均匀掺杂等优点。

三、上转换发光材料的性能研究上转换发光材料的光学性能是其实际应用的基础。

通过调节基质材料的成分、掺杂元素的种类及浓度以及合成工艺的优化，我们可以获得具有不同上转换发光性能的材料。

我们利用了荧光光谱、激光共焦显微镜等技术对所制备的近红外稀土掺杂上转换发光材料的性能进行了深入研究。

结果表明，该材料在近红外光区表现出较强的发光强度和较好的光稳定性。

四、应用研究1. 生物成像应用由于近红外区域的光具有更深的穿透能力，以及较弱的生物组织的自发荧光，因此，近红外稀土掺杂上转换发光材料在生物成像领域具有潜在的应用价值。

我们可以利用该材料对细胞或组织进行标记和成像，实现高分辨率的生物成像。

近红外长余辉发光材料、其制备方法及其应用[发明专利]

专利名称：近红外长余辉发光材料、其制备方法及其应用专利类型：发明专利
发明人：林利添,姜伟,张秋红,倪海勇,丁建红,李许波,谢伟申请号：CN201911050032.1
申请日：20191031
公开号：CN110724530A
公开日：
20200124
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明涉及近红外发光材料技术领域，具体而言，涉及近红外长余辉发光材料、其制备方法及其应用。

一种近红外长余辉发光材料，其化学表达式为：MLnSnAlO，其中，0≤x<2，M为碱土金属元素，Ln为稀土元素。

其不需要掺杂具有毒性的Cr离子，也可持续地发射本征的宽谱带近红外光，并且该近红外长余辉发光材料的强度高，具有良好的化学稳定性，不易潮解。

申请人：广东省稀有金属研究所
地址：510000 广东省广州市天河区长兴路363号
国籍：CN
代理机构：北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：陈秋梦
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一种可被近红外光激发的h-BN光电转换器件及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种可被近红外光激发的h-BN光电转换器件及其制备方法
专利类型：发明专利
发明人：秦伟平,秦子正,孙浩航,崔皓,秦冠仕,赵丹,尹升燕,狄卫华,贾志旭
申请号：CN202111502858.4
申请日：20211210
公开号：CN114188433A
公开日：
20220315
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种可被近红外光激发的h‑BN光电转换器件及其制备方法，属于宽禁带半导体的近红外光激发技术领域，由上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd与h‑BN@电极进行附着结合得到；当近红外光源照射光电转换器件时，表面的上转换微米晶NaYF4:Yb,Tm,Gd经由内部7光子上转换发光可产生波长为205nm和195.3nm的紫外荧光，为h‑BN的光激发提供能量，从而实现h‑BN的近红外光激发。

由于h‑BN材料为宽禁带半导体，实现其光激发所需的光源为波长小于210nm的深紫外光，故由h‑BN材料制成的光电转换器件多用于深紫外光的探测。

本发明提出的可被近红外光激发的h‑BN光电转换器件在丰富了以h‑BN为原材料的光电转换器件可探测光源的波长范围的同时，还解决了使用h‑BN作为光触媒应用于光催化领域的关键技术难点。

申请人：吉林大学
地址：130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号
国籍：CN
代理机构：长春吉大专利代理有限责任公司
代理人：刘世纯
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一种近红外发光材料及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种近红外发光材料及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：赵瑾
申请号：CN201911046180.6
申请日：20191030
公开号：CN110699079A
公开日：
20200117
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种近红外发光材料及其制备方法，近红外发光材料的结构式为：
M’M(BO)：xCe,yRE；M’为Ba、Sr中的一种或多种，M为Y、Gd中的一种或多种，RE为Yb、Pr 中的一种或多种；x和y是掺入的稀土离子掺杂摩尔量，0.005≤x≤0.05，0.005≤y≤0.30。

本发明采用的方法操作简单，制备周期短，对环境无污染。

所述制备方法包括：将B源化合物、Ce源化合物与含M’的化合物、含M的化合物、含RE的化合物混合研磨均匀后，在还原气氛中进行煅烧，冷却到室温后研磨成粉。

本发明近红外发光材料在200‑400nm有很宽的激发光谱，利用能量传递过程产生与硅的禁带宽度相匹配的位于900‑1100nm的近红外光，可作为硅太阳能电池用的光谱转换材料。

申请人：西安建筑科技大学
地址：710055 陕西省西安市碑林区雁塔路13号
国籍：CN
代理机构：西安通大专利代理有限责任公司
代理人：王艾华
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信息记录材料２０１８年２月第１９卷第２期
近红外下转换发光材料相关专利综述
黄轲轲
（国家知识产权局专利局专利审查协作江苏中心江苏苏州２１５０１０）
【摘要】随着基于硅太阳能电池光伏行业的迅猛发展，通过配合使用近红外下转换材料来提高硅基太阳能电池的效率的是十分常见的技术。同时，近红外下转换材料在照明、显示等许多领域具有良好的应用前景。近红外下转换发光材料的研究不断深入，相关专利申请也不断增加。本文通过检索、统计、分析近红外下转换发光材料及其制备方法相关专利申请文件，获取了该领域专利申请概况，分类概况了近红外下转换发光材料。【关键词】近红外；下转换；制备；专利【中图分类号１ＴＢ３４【文献标识码】Ａ【文章编号】１００９－５６２４（２０１８）０２－０００１－０２
１０，Ｃｈ／ｎａ．
［ＡｂｓｔｒａｃｔｌＷｉｈｔｈｅｔｒａｐｉｄｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｉｎｄｕｓｔｒｙ，ｉｔｉｓｖｅｒｙｃｏｍｍｏｎｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｅｆｉｃｉｅｎｃｙｏｆｓｉｌｉｃｏｎ－
ＰａｔｅｎｔＲｅｖｉｅｗＣｏｌｌａｂｏｒａｔｉｏｎ］ｉａｎｇｓｕＣｅｎｔｅｒ，ＳｔａｔｅｌｎｔｅｌｌｅｃｔｕＭＰｒｏｐｅｒｔｙＯｆｉｆｃｅＰａｔｅｎｔＯｉｃｆｅ，ｉｆａｎｇｓｕＰｒｏｖｉｎｃｅ，Ｓｕｚｈｏｕ２１５０
［Ｋｅｙｗｏｒｄｓ］Ｎｅａｒｉｎｆｒａｒｅｄ；Ｐｅｐｒａｒａｉｔｏｎ；Ｐａｅｎｔｔ
１引言
ＣＮ１０３３ｌ１３２６Ａ：ＣＮ１０３３６ｌ０６ＩＡ；ＣＮ１０３４２１４８９Ａ；ＣＮ１０３８４９３８８Ａ：ＣＮ１０４００４５１９Ａ；ＣＮｌ０４１６４２３６Ａ：ＣＮ１０４５６Ｏ０４１Ａ：ＣＮ１０４２６３３６８Ａ￣ＵＳ２００３０８９８８９Ａ１。
近年，随着人们对能源问题和环境问题的日益关注，开发清洁、可再生的新能源成为炙手可热的话题，太阳能由于清洁环保、利用价值高、并且取之不尽用之不竭，而被人们寄予厚望。基于硅太阳能电池的光伏行业更是得到迅猛发展。太阳能电池主要部分是平面形ＰＮ结，它的基本原理是光电效应，即当入射光子的能量大于半导体的禁带宽度时，半导体将吸收光子并产生一对电子一空穴对，电子和空穴在ＰＮ结内电场的作用下分离，向两极输运，使半导体在Ｐ型和Ｎ型两端形成电势差，接到外电路后形成电流ｕＪ。由它的原理可知，并非所有的光能都能被转换成电能。因此，太阳能电池目前的问题就是效率较低。于是，如何提高太阳能电池效率是一个亟需解决的问题。通过近红外下转换材料提高硅基太阳能电池的效率的理念就在此时应运而生。近红外下转换发光材料的不断深入研究，相关专利申请也不断增加，为了更全面的了解近红外下转换发光材料的研究进展以及相关专利申请状况，本文对近红外下转换发光材料相关专利进行了总结。２近红外下转换发光材料专利的技术分析近红外下转换发光材料根据激活剂可分为单激活剂材料、双激活剂材料以及多激活剂材料。（１）单激活剂材料单激活剂材料就是一种激活剂离子掺杂的材料，被激发时，激活剂能吸收一个高能量的光子，跃迁到高能级，返回基态时，放出两个低能量的光子。主要包括Ｐｒ、Ｙｂ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｈ０等单掺杂。具体专利包