模拟集成电路设计试卷
1+X集成电路理论考试模拟题(附答案)
1+X集成电路理论考试模拟题（附答案）一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.晶圆贴膜过程中，需要外加一个（），它起到支撑的作用。
A、晶圆基底圆片B、晶圆贴片环C、蓝膜支撑架D、固定挂钩正确答案：B答案解析：在贴膜过程中，需要外加一个厚度与晶圆一致但环内径比晶圆直径大的金属环，也就是晶圆贴片环。
它起到支撑的作用，可以使切割后的晶圆保持原来的形状，避免晶粒相互碰撞，便于搬运。
2.封装工艺中，芯片粘接工序中，完成点银浆以后进入（）步骤。
A、银浆固化B、框架上料C、框架收料D、芯片拾取正确答案：D3.晶圆检测工艺中，6英寸的晶圆进行晶圆墨点烘烤时，烘烤时长一般为（）分钟。
A、5B、1C、20D、10正确答案：A4.晶圆检测工艺中，在进行烘烤之后，需要进行的操作是( )。
A、真空入库B、扎针测试C、打点D、外检正确答案：D答案解析：晶圆检测工艺流程：导片→上片→加温、扎针调试→扎针测试→打点→烘烤→外检→真空入库。
5.在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是（）。
A、薄膜制备B、光刻C、刻蚀D、金属化正确答案：B答案解析：在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是光刻。
6.切割完的晶圆取出后先用气枪将晶圆表面的（）和硅粉尘进行初步的清理。
A、去离子水B、不良晶粒C、切割时产生的火花D、晶圆碎片正确答案：A7.在cadence软件中可以按先后次序保存（）个命令在系统中，一旦超出将不会执行。
A、3B、10C、7D、5正确答案：D8.下列关于重力式分选设备描述错误的是（）。
A、重力式分选机手动上料的步骤分为两步，装料和上料夹具夹持B、自动装料减少了人工补料的次数，节省了取塞钉与摆放料管的时间，降低了人工成本C、手动装料需要操作人员取下待测料管一端的塞钉，并将料管整齐地摆放在操作台D、装料时不需要注意芯片方向和管脚朝向正确答案：D9.下列选项中错误的是（）。
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2
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，系电，力根通保据过护生管高产线中工敷资艺设料高技试中术卷资，配料不置试仅技卷可术要以是求解指，决机对吊组电顶在气层进设配行备置继进不电行规保空范护载高与中带资负料荷试下卷高问总中题体资，配料而置试且时卷可，调保需控障要试各在验类最；管大对路限设习度备题内进到来行位确调。保整在机使管组其路高在敷中正设资常过料工程试况中卷下，安与要全过加，度强并工看且作护尽下关可都于能可管地以路缩正高小常中故工资障作料高；试中对卷资于连料继接试电管卷保口破护处坏进理范行高围整中，核资或对料者定试对值卷某，弯些审扁异核度常与固高校定中对盒资图位料纸置试，.卷保编工护写况层复进防杂行腐设自跨备动接与处地装理线置，弯高尤曲中其半资要径料避标试免高卷错等调误，试高要方中求案资技，料术编试交写5、卷底重电保。要气护管设设装线备备置敷4高、调动设中电试作技资气高，术料课中并3中试、件资且包卷管中料拒含试路调试绝线验敷试卷动槽方设技作、案技术，管以术来架及避等系免多统不项启必方动要式方高，案中为；资解对料决整试高套卷中启突语动然文过停电程机气中。课高因件中此中资，管料电壁试力薄卷高、电中接气资口设料不备试严进卷等行保问调护题试装，工置合作调理并试利且技用进术管行，线过要敷关求设运电技行力术高保。中护线资装缆料置敷试做设卷到原技准则术确：指灵在导活分。。线对对盒于于处调差，试动当过保不程护同中装电高置压中高回资中路料资交试料叉卷试时技卷，术调应问试采题技用，术金作是属为指隔调发板试电进人机行员一隔，变开需压处要器理在组；事在同前发一掌生线握内槽图部内 纸故，资障强料时电、，回设需路备要须制进同造行时厂外切家部断出电习具源题高高电中中源资资，料料线试试缆卷卷敷试切设验除完报从毕告而，与采要相用进关高行技中检术资查资料和料试检，卷测并主处且要理了保。解护现装场置设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。
集成电路设计中的电路仿真与验证方法考核试卷
B.激励扫描
C.状态扫描
D.仿真优化
25.下列哪个不是电路仿真的一个仿真挑战？
A.模型复杂性
B.仿真速度
C.结果可靠性
D.硬件限制
26.下列哪个不是电路仿真的一个仿真应用？
A.电路设计
B.电路优化
C.电路验证
D.电路测试
27.下列哪个不是电路仿真的一个仿真优势？
A.提高设计效率
B.降低设计成本
A.消费电子
B.通信系统
C.生物医学
D.地球物理
15.下列哪个不是电路仿真的一个发展趋势？
A.高精度
B.高速度
C.高可靠性
D.低成本
16.下列哪个不是电路仿真中的非线性电路？
A.线性电路
B.振荡电路
C.放大电路
D.滤波电路
17.下列哪个不是电路仿真的一个仿真环境？
A.软件仿真
B.硬件在环仿真
C.实验室仿真结果指导硬件测试
19.电路仿真对以下哪些领域有重要影响：
A.电子工程
B.计算机科学
C.生物医学工程
D.机械工程
E.材料科学
20.电路仿真在以下哪些方面有助于提高工程教育质量：
A.理论与实践相结合
B.提高学生的设计能力
C.培养学生的创新能力
D.提高学生的团队合作能力
14.电路仿真中，软件误差主要来源于_______和_______。
15.电路仿真中的参数扫描可以用于_______和_______。
16.电路仿真中的激励扫描可以用于_______和_______。
17.电路仿真中的状态扫描可以用于_______和_______。
18.电路仿真中的仿真优化通常包括_______和_______。
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案
专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）.标准答案：B2. MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。
（2分）A.C.D..标准答案：C 6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。
（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。
（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。
（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。
忽略M3的体效应。
要使和严格相等，应取为（）。
（2分）B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。
（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。
请计算该电路的等效输入电阻为（）。
（2分）A.B.C.D..标准答案：A13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。
模拟集成电路设计试卷
1、与其它类型的晶体管相比，MOS 器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS 电路被证明具有_较低__的制造成本。
2、 放大应用时，通常使MOS 管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。
3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。
4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。
5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。
6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。
7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。
8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。
9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in 为__ C F （1－A ）__。
10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。
二．名词解释（每题3分，共15分） 1、阱解：在CMOS 工艺中，PMOS 管与NMOS 管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。
2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS =V TH 时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS <V TH 时，I D 也并非是无限小，而是与V GS 呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。
3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说，L 实际上是V DS 的函数，这种效应称为沟道长度调制。
4、等效跨导Gm解：对于某种具体的电路结构，定义inDV I ∂∂为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力 5、米勒定理解：如果将图（a ）的电路转换成图（b ）的电路，则Z 1=Z/(1-A V )，Z 2=Z/(1-A V -1)，其中A V =V Y /V X 。
1+X集成电路理论模拟考试题(含参考答案)
1+X集成电路理论模拟考试题（含参考答案）一、单选题（共39题，每题1分，共39分）1.下列说法错误的是（）。
A、在cadence软件界面上，单击Tools菜单，选择Library Manager命令，出现“库文件管理器”B、用户可以在库文件里新建单元，但不能在新建的单元下新建视图C、选择Tool选项中的Composer-Schematic选项，表示在单元下建立电路图视图D、在电路编辑窗口中，利用图标栏可以快速建立、编辑电路图正确答案：B2.湿度卡的作用是( )。
A、去潮湿物质中的水分B、可以防止静电C、起到防水的作用D、显示密封空间的湿度状况正确答案：D答案解析：湿度卡是用来显示密封空间湿度状况的卡片。
3.通过监控某一特定谱峰或波长，在预期的刻蚀终点可探测到对应的数据的方法是（）。
A、发射光谱法B、干涉测量法C、质谱分析法D、椭圆偏振法正确答案：A答案解析：发射光谱法是通过监控来自等离子体反应中一种反应物的某一特定发射光谱峰或波长，在预期的刻蚀终点可探测到发射光谱的改变，从而来推断刻蚀过程及终点。
4.芯片封装工艺中，下列选项中的工序均属于前段工艺的是（）。
A、晶圆切割、引线键合、塑封、激光打字B、晶圆贴膜、芯片粘接、激光打字、去飞边C、晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接、引线键合D、晶圆切割、芯片粘接、塑封、去飞边正确答案：C答案解析：封装工艺流程中前段工艺包括晶圆贴膜、晶圆切割、芯片粘接以及引线键合，后段工艺则包括塑封、激光打字、去飞边、电镀以及切筋成型。
5.对准和曝光过程中，套准精度是指形成的图形层与前层的最大相对位移大约是关键尺寸的（）。
A、二分之一B、三分之一C、四分之一D、五分之一正确答案：B答案解析：版图套准过程有了对准规范，也就是常说的套准容差或套准精度。
具体是指要形成的图形层与前层的最大相对位移。
一般而言大约是关键尺寸的三分之一。
6.晶圆检测工艺中，6英寸的晶圆进行晶圆墨点烘烤时，烘烤时长一般为（）分钟。
集成电路设计仿真模拟验证方法考核试卷
C. 5V
D. 2.5V
8.下列哪个不是数字电路的时序问题？（）
A.时钟抖动
B.设备延迟
C.热噪声
D.信号完整性
9.以下哪个电路结构通常用于实现数字信号同步？（）
A. D触发器
B. R-S触发器
C. JK触发器
D. T触发器
10.下列哪个不是电路设计中的基本单元？（）
A.逻辑门
B.传输门
C.存储器
B.性能验证
C.代码验证
D.仿真验证
30.以下哪个不是电路设计中的基本单元电路？（）
A.逻辑门
B.触发器
C.振荡器
D.电源
二、多选题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的选项中，至少有一项是符合题目要求的）
1.集成电路设计过程中，以下哪些是前期设计阶段的关键步骤？（）
A.需求分析
B.原型设计
B.外部信号测试
C.系统级测试
D.环境测试
14.在集成电路设计中，以下哪些是常见的测试向量生成方法？（）
A.随机测试
B.固定测试
C.遗传算法
D.机器学习
15.以下哪些是电路设计中常见的时序分析方法？（）
A.时间波形分析
B.时序约束分析
C.时序统计分析
D.时序优化分析
16.在集成电路设计中，以下哪些是常见的电路仿真工具？（）
C.传播延迟约束
D.逻辑门约束
20.下列哪个不是电路设计中的关键验证步骤？（）
A.功能验证
B.性能验证
C.代码验证
D.仿真验证
21.以下哪个不是电路设计中的基本单元电路？（）
A.逻辑门
B.触发器
C.振荡器
模拟集成电路设计考核试卷
B.乘法器
C.除法器
D.微分器
12.以下哪种放大器配置的输入阻抗最高？（）
A.共源
B.共栅
C.差分
D.电压跟随器
13.在模拟集成电路中，以下哪个参数影响放大器的热噪声？（）
A.电流
B.电压
C.频率
D.温度
14.以下哪个组件在模拟集成电路中用于调节电压？（）
A.运算放大器
B.电压比较器
C.电压基准
D.电流镜
15.关于电流镜的描述，列哪项是正确的？（）
A.提供电流增益
B.用于电压放大
C.用于电流采样
D.仅用于数字电路
16.以下哪种类型的反馈在放大器设计中可以稳定增益？（）
A.电压反馈
B.电流反馈
C.负反馈
D.正反馈
17.在模拟集成电路设计中，以下哪个参数影响放大器的功率消耗？（）
A.增益
B.驱动能力
A.功能测试
B.性能测试
C.热测试
D.安全测试
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
1.模拟集成电路设计时，以下哪些因素会影响MOSFET的阈值电压？（）
A.栅极长度
B.源漏间距
C.主体区掺杂浓度
D.温度
2.以下哪些是模拟集成电路中常见的噪声来源？（）
A.增益带宽积
B.开环增益
C.输入阻抗
D.输出阻抗
9.在模拟集成电路中，下列哪个部分通常用于实现模拟开关的功能？（）
A. MOSFET
B.二极管
C.晶体管
D.运算放大器
10.以下哪种类型的滤波器在模拟信号处理中用于去除高频噪声？（）
集成电路设计中的系统级模拟和验证考核试卷
2. SystemC是一种______语言，用于在系统级进行建模和仿真。
3.在系统级模拟中，______用于描述系统组件之间的交互和数据流。
4.系统级验证的目的是确保设计满足______。
5.系统级验证通常分为______和______两个阶段。
集成电路设计中的系统级模拟和验证考核试卷
考生姓名：答题日期：得分：判卷人：
本次考核旨在检验考生对集成电路设计中系统级模拟与验证的理解和应用能力，评估其是否能熟练运用相关工具和方法进行系统级模拟，以及验证设计是否符合预期功能。
一、单项选择题（本题共30小题，每小题0.5分，共15分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.案例题：
某集成电路设计团队正在设计一款高性能的图像处理芯片。在设计过程中，团队使用了SystemC进行系统级模拟，并利用Riviera-PRO进行系统级验证。请根据以下情况回答问题：
（1）描述团队在系统级模拟阶段使用SystemC进行建模的主要步骤。
（2）说明团队如何利用Riviera-PRO进行系统级验证，并列举至少两种验证结果分析方法。
（3）讨论团队在系统级模拟和验证过程中遇到的主要挑战，以及他们是如何克服这些挑战的。
2.案例题：
某通信芯片设计团队需要在芯片设计初期对通信协议进行验证。他们选择使用Verilog-AMS进行系统级模拟，并使用Specman进行系统级验证。请根据以下情况回答问题：
（1）说明团队如何使用Verilog-AMS构建通信协议的模型，并解释模型的主要组成部分。
A.设计规范分析
B.模型构建
C.测试用例设计
D.代码审查（）
集成电路设计中的模拟输出编程考核试卷
B. Operational Transconductance Amplifier (OTA)
C. JFET
D. MOSFET
28.在模拟输出编程中，下列哪个不是用于实现信号放大的参数？
A. Gain
B. Offset
C. Bandwidth
D. Resolution
29.下列哪种电路在模拟输出编程中用于实现电流到电压的转换？
A. Op-Amp
B. Operational Transconductance Amplifier (OTA)
C. JFET
D. MOSFET
三、填空题（本题共25小题，每小题1分，共25分，请将正确答案填到题目空白处）
1.模拟输出编程中，将数字信号转换为模拟信号的过程称为__________。
2. R-2R ladder D-A转换器具有__________的转换精度。
A. Operational Amplifier
B. Zener Diode
C. Resistor Divider
D. Transistor
26.在模拟输出编程中，下列哪个不是用于实现信号比较的模块？
A. Comparator
B. Amplifier
C. Attenuator
D. Op-Amp
27.下列哪个不是模拟输出编程中用于实现信号放大的模块？
18.在模拟输出编程中，以下哪些是用于实现信号反相的函数？
A. inv()
B. not()
C. neg()
D. inv()
19.以下哪些是模拟输出编程中用于实现信号放大和滤波的参数？
A. Gain
B. Offset
C. Bandwidth
模拟cmos集成电路设计考试试卷
模拟cmos集成电路设计考试试卷一、选择题（每题2分，共20分）1. 在CMOS技术中，NMOS和PMOS的阈值电压通常相差多少？A. 0.2VB. 0.5VC. 0.7VD. 1V2. 以下哪个选项不是CMOS反相器的优点？A. 低功耗B. 高噪声容限C. 低输入阻抗D. 高输出阻抗3. 在CMOS电路设计中，以下哪个参数不是决定电路速度的关键因素？A. 负载电容B. 信号源阻抗C. 晶体管尺寸D. 电源电压4. CMOS电路中的亚阈值泄漏电流主要与哪个参数有关？A. 温度B. 电源电压C. 晶体管尺寸D. 阈值电压5. 以下哪个不是CMOS静态功耗的来源？A. 亚阈值泄漏B. 栅漏电流C. 体效应泄漏D. 动态功耗6. 在CMOS电路设计中，如何减少电路的功耗？A. 增加电源电压B. 减小晶体管尺寸C. 使用多阈值电压技术D. 增加负载电容7. CMOS电路中的短沟道效应主要影响哪个参数？A. 阈值电压B. 晶体管尺寸C. 漏电流D. 晶体管的开关速度8. 在CMOS电路设计中，为了提高电路的噪声容限，应该采取哪种措施？A. 减小输入信号幅度B. 增加电源电压C. 减小晶体管尺寸D. 增加晶体管尺寸9. CMOS电路中的热噪声主要与哪个参数有关？A. 电源电压B. 晶体管尺寸C. 温度D. 负载电容10. 在CMOS电路设计中，为了提高电路的线性度，应该采取哪种措施？A. 减小晶体管尺寸B. 增加电源电压C. 减小负载电容D. 增加晶体管尺寸二、填空题（每空1分，共20分）1. CMOS电路的基本组成元素包括________和________。
2. 在CMOS电路中，________和________是构成逻辑门的基本单元。
3. CMOS电路的功耗主要分为________和________两部分。
4. 为了减少CMOS电路的功耗，可以采用________技术。
5. CMOS电路中的________效应是指晶体管在非常小的尺寸下，沟道长度减小到一定程度时，沟道电场对载流子迁移率的影响。
模拟集成电路设计期末试卷
(2)
2、画出差动对的输入输出特性曲线（ΔID~ΔVin）。
要求：（1）标出曲线中关键转折点和极限点的坐标；
（2）由图分析：通过什么措施可以使差动对的线性度更好。
解：
其中， ，增大ISS或减小W/L，可使电路的线性更好。
四．简答（（每题7分，共21分））
1、“MOS器件即使没有传输电流也可能导通”，这种说法正确么？为什么？
《模拟集成电路设计原理》期末考试
一．填空题（每空1分，共14分）
1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。
2、放大应用时，通常使MOS管工作在_饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。
4、（9分）画出下图共源极高频模型的小信号等效电路，并利用小信号模型精确推导系统的极点频率。
解：（1）I3=I4=50μA，I5=I6=200μA，I7=500μA
（2）γ=0：VP=0.368V
γ=0.45V-1：VTH1（VP=0.368V）=0.78V，VP1=0.288V；VTH2（VP1=0.288V）=0.764V，VP2=0.304；VTH3（VP2=0.304V）=0.767V，VP3=0.301；VTH4（VP3=0.301V）=0.766V，VP4=0.302；VTH5（VP4=0.302V）=0.766V，VP4=0.302…….所以VP≈0.302V
解：可能。当 时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的VGS可以满足器件的导通条件，但是VDS很小，以至于没有传输电流
五．分析计算题（共34分）
（下列题目中使用教材表2.1所列的器件数据，所有器件尺寸都是有效值，单位均为微米。）
模拟集成电路设计原理_试题库1
《模拟集成电路设计原理》试卷(答题卷)（1）一、填空题（共30分，每空格1分）1. MOSFET 是一个四端器件，现在大多数的CMOS 工艺中，P 管做在_____中，并且，在大多数电路中，P 管的衬底与______（高或低）电平相连接，这样连接的原因是使得_________________________________________________。
2. 对增强型NMOS 来说，让其处于饱和时的条件为_______________________________，增强型PMOS 处于饱和时的条件为__________________________________________。
3. 在两级运放中，通常是用第一级运放实现_____________，用第二级运放实现_____________。
4. 实际工艺中，本征阈值电压并不适用于电路设计，因此在器件制造过程中，通常通过向沟道区注入__________来调整阈值电压，其实质是改变氧化层（栅氧）界面附近衬底的_______________。
5. 阈值电压为发生强反型时的栅压，对增强型NMOS 管来说，发生强反型时的条件为__________________________________________________。
6. 折叠式共源共栅运放与套筒式共源共栅结构相比，输出电压摆幅_______,但这个优点是以较大的________、较低的_______________、较低的_____________和较高的____________为代价得到的。
7. 对于一个负反馈系统来说，有前馈网络A 和反馈网络β，那么这个系统的开环增益为_______，闭环增益为________________，环路增益为____________。
8. 对于一个单极点系统来说，单位增益带宽为80MHz ，若现在带宽变为16MHz ，则环路增益为_________，闭环增益为_______。
模拟集成电路设计期末试卷word精品
《模拟集成电路设计原理》期末考试一•填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按________ 比例____ 缩小，CMOS电路被证明具有_较低—的制造成本。
2、放大应用时，通常使MOS管工作在_饱和一区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义—跨导_来表示电压转换电流的能力。
3、入为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，入值____ 较小 _ （较大、较小）。
4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器—的作用。
5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成―恒定电流源_。
6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。
7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为—共源共栅电流镜—结构。
&为方便求解，在一定条件下可用—极点一结点关联一法估算系统的极点频率。
9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为—C F（1 - A）__。
10、入为沟长调制效应系数，入值与沟道长度成—反比__ （正比、反比）。
二.名词解释（每题3分，共15分）1、阱解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。
2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS<V TH时，I D也并非是无限小，而是与V GS呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。
3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说, 这种效应称为沟道长度调制。
4、等效跨导Gm6、N 阱:解：CMOS 工艺中，PMOS 管与NMOS 管必须做在同一衬底上，若衬底为 P 型，贝U PMOS 管要做在个N 型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的N 型“局部衬底”叫做 N 阱。
模拟集成电路试题
模拟集成电路试题一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟集成电路设计中，以下哪种器件不是基本的构成元件？A. 晶体管B. 电阻C. 电容D. 电感2. 运算放大器的差分输入电压是指：A. 同相输入端与反相输入端之间的电压差B. 同相输入端与输出端之间的电压差C. 反相输入端与输出端之间的电压差D. 输出端与地之间的电压差3. 以下哪个参数不是模拟集成电路中的噪声参数？A. 噪声功率谱密度B. 噪声电压C. 噪声电流D. 增益带宽积4. 在模拟集成电路中，电流源的主要作用是什么？A. 提供稳定的电流B. 提供稳定的电压C. 作为信号的放大器D. 作为信号的滤波器5. 模拟集成电路中的反馈通常用于：A. 增加增益B. 减少增益C. 增加稳定性D. 减少稳定性6. 以下哪个不是模拟集成电路中的放大器类型？A. 共发射极放大器B. 共基极放大器C. 共集电极放大器D. 共栅极放大器7. 在模拟集成电路设计中，温度补偿的目的是什么？A. 增加电路的增益B. 减少电路的功耗C. 保持电路性能在不同温度下稳定D. 提高电路的响应速度8. 模拟集成电路中的带宽通常指的是：A. 电路可以处理的最高频率B. 电路可以处理的最低频率C. 电路可以处理的最大电流D. 电路可以处理的最大电压9. 以下哪个参数不是模拟集成电路中的失真参数？A. 谐波失真B. 互调失真C. 相位失真D. 增益10. 在模拟集成电路中，电源电压的变化对电路性能的影响主要体现在：A. 增益的变化B. 功耗的变化C. 频率响应的变化D. 以上都是二、填空题（每题2分，共20分）1. 模拟集成电路中的______放大器通常用于实现高输入阻抗和低输出阻抗。
2. 在模拟集成电路中，为了减少噪声，常常使用______作为输入级。
3. 模拟集成电路中的______效应是指由于温度变化引起的参数变化。
4. 模拟集成电路中的______是指电路对不同频率信号的响应能力。
集成电路设计模型考核试卷
B. Cadence
C. OrCAD
D. Protel
19.在集成电路设计中，以下哪个参数描述了电源噪声的影响？（）
A.信噪比
B.热噪声
C.闪烁噪声
D.电源纹波
20.以下哪个概念与集成电路的可制造性设计（DFM）无关？（）
A.布局优化
B.工艺偏差
C.信号完整性
D.逻辑设计
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
6.集成电路的功耗可以通过______、动态功耗和漏电流功耗来衡量。
7.在集成电路的后端设计过程中，______是检查设计是否符合制造工艺规则的过程。
8.集成电路的封装技术中，______封装由于其良好的热性能和易于高密度安装而得到广泛应用。
9.信号完整性分析主要关注信号的______、串扰和电源噪声等问题。
D.逻辑门
8.以下哪些工具可以用于集成电路的仿真？（）
A. ModelSim
B. Cadence
C. OrCAD
D. Microsoft Word
9.以下哪些因素会影响晶体管的开关速度？（）
A.晶体管类型
B.传输延迟
C.驱动能力
D.热阻
10.集成电路的封装技术包括哪些？（）
A. QFP
B. BGA
C. PGA
B.闩锁效应
C.电磁干扰（EMI）
D.信号反射
14.以下哪些是集成电路设计中的前端设计工具？（）
A. PowerPCB
B. OrCAD
C. ModelSim
D. VHDL
15.以下哪些因素会影响集成电路的功耗？（）
模拟集成电路试题及答案
模拟集成电路试题及答案一、选择题1. 在模拟集成电路设计中，以下哪个因素不是影响电路性能的主要因素？A. 晶体管的尺寸B. 电源电压C. 温度D. 电路的布局答案：D2. 以下哪个不是模拟集成电路中的放大器类型？A. 共射放大器B. 共基放大器C. 共栅放大器D. 差分放大器答案：C二、填空题1. 在模拟集成电路中，________是用来减少晶体管的热噪声。
答案：晶体管的尺寸2. 模拟集成电路设计中，________是一种常用的信号处理方法。
答案：反馈三、简答题1. 简述模拟集成电路中使用差分放大器的优点。
答案：差分放大器的优点包括：- 提高了信号的共模抑制比（CMRR）。
- 减少了温度漂移。
- 增强了电路的稳定性。
2. 解释模拟集成电路中反馈的概念及其作用。
答案：反馈是指将放大器输出的一部分信号以某种方式返回到输入端。
反馈的作用包括：- 稳定放大器的增益。
- 减少非线性失真。
- 提高电路的带宽。
四、计算题1. 给定一个共射放大器，其基极电阻Rb=1kΩ，集电极电流Ic=2mA，求集电极电压Vc。
答案：首先计算集电极电阻Rc的值，Rc = Vcc / Ic，假设Vcc为5V，则Rc = 5V / 0.002A = 2.5kΩ。
然后计算Vc，Vc = Vcc - Ic * Rc= 5V - 0.002A * 2.5kΩ = 2.5V。
2. 假设一个差分放大器的差模增益为Ad，共模增益为Ac，求差模增益与共模增益的比值。
答案：差模增益与共模增益的比值即共模抑制比（CMRR），CMRR = Ad / Ac。
五、论述题1. 论述模拟集成电路设计中，如何通过电路设计来减少噪声和干扰。
答案：在模拟集成电路设计中，减少噪声和干扰的方法包括：- 使用低噪声元件。
- 优化电源管理，确保电源稳定性。
- 采用适当的布局和布线技术，减少电磁干扰。
- 使用屏蔽和接地技术来减少外部噪声的影响。
- 应用适当的信号处理技术，如滤波和信号隔离。
集成电路设计模拟前端电路设计考核试卷
B.热噪声管理
C.精密模拟设计
D.数字电路设计
8.下列哪个不是模拟前端电路的输入部分？（）
A.模数转换器
B.模拟信号预处理
C.模拟信号放大
D.模拟信号滤波
9.下列哪个不是模拟前端电路的输出部分？（）
A.数模转换器
B.模拟信号后处理
C.模拟信号放大
D.模拟信号滤波
10.下列哪个不是模拟前端电路中的电源管理技术？（）
A.低噪声线性稳压器
B.开关电源
C.电源抑制比
D.电源线滤波
11.下列哪个不是模拟前端电路设计中的频率响应分析？（）
A.相位响应
B.频率响应
C.时间响应
D.线性度
12.下列哪个不是模拟前端电路设计中的稳定性分析？（）
A.稳态增益
B.稳态误差
C.稳态漂移
D.稳态失真
13.下列哪个不是模拟前端电路设计中的温度特性分析？（）
A.电磁干扰抑制
B.电磁辐射抑制
C.电磁屏蔽设计
D.电磁隔离设计
9.以下哪些是模拟前端电路设计中信号完整性设计的关键因素？（）
A.信号反射
B.信号串扰
C.信号衰减
D.信号失真
10.以下哪些是模拟前端电路设计中封装设计的关键考虑？（）
A.封装材料
B.封装尺寸
C.封装工艺
D.封装性能
11.以下哪些是模拟前端电路设计中时钟设计的关键要求？（）
12.模拟前端电路设计中，封装设计主要是为了提高电路的可靠性。（）
13.模拟前端电路设计中，时钟设计主要是为了提高电路的同步性能。（）
14.模拟前端电路设计中，信号路径设计主要是为了减小信号损耗。（）
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1、与其它类型的晶体管相比，MOS 器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS 电路被证明具有_较低__的制造成本。
2、 放大应用时，通常使MOS 管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。
3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。
4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。
5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。
6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。
7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。
8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。
9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in 为__ C F （1－A ）__。
10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。
二．名词解释（每题3分，共15分） 1、阱
解：在CMOS 工艺中，PMOS 管与NMOS 管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。
2、亚阈值导电效应
解：实际上，V GS =V TH 时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS <V TH 时，I D 也并非是无限小，而是与V GS 呈指数关系，这种效应叫亚阈值导电效应。
3、沟道长度调制
解：当栅与漏之间的电压增大时，实际的反型沟道长度逐渐减小，也就是说，L 实际上是V DS 的函数，这种效应称为沟道长度调制。
4、等效跨导Gm
解：对于某种具体的电路结构，定义in
D
V I ∂∂为电路的等效跨导，来表示输入电压转换成输出电流的能力 5、米勒定理
解：如果将图（a ）的电路转换成图（b ）的电路，则Z 1=Z/(1-A V )，Z 2=Z/(1-A V -1
)，其中A V =V Y /V X 。
这种
现象可总结为米勒定理。
6、N阱:
解：CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，若衬底为P型，则PMOS管要做在一个N型的“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的N型“局部衬底”叫做N阱。
7、有源电流镜
解：像有源器件一样用来处理信号的电流镜结构叫做有源电流镜。
8、输出摆幅
解:输出电压最大值与最小值之间的差。
三．画图题（每题8分，共16分）
1、以V DS作为参数画出NMOS晶体管的I D~V GS曲线。
要求：（1）画三条曲线，V DS的值分别为V DS1、V DS2、V DS3，其中V DS1<V DS2<V DS3；有适当的分析推导过程，并标出曲线中关键转折点的坐标。
（2）画两条曲线，V DS的值分别为V BS=0、V BS<0；标出曲线中关键转折点的坐标。
解：（1）0,=<D TH GS I V V
2)(21,TH GS ox n D DS TH GS TH V V L W
C I V V V V -=
+<<μ []22
1)(,DS DS TH GS ox
n D DS TH GS V V V V L
W C I V V V --=+>μ
(2)
2、画出差动对的输入输出特性曲线（ΔI D ~ΔV in ）。
要求：（1）标出曲线中关键转折点和极限点的坐标；
（2）由图分析：通过什么措施可以使差动对的线性度更好。
解：
其中，
，增大ISS 或减小W/L ，可使电路的线性更好。
四．简答（（每题7分，共21分））
1、“MOS 器件即使没有传输电流也可能导通”，这种说确么？为什么？
解：正确。
当)(2TH GS DS V V V -<<时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的V GS 可以满足器件的导
通条件，但是V DS 很小，以至于没有传输电流。
2、什么是体效应？体效应会对电路产生什么影响？
解：理想情况下是假设晶体管的衬底和源是短接的，实际上两者并不一定电位相同，当V B 变得更负时，
V TH 增加，这种效应叫做体效应。
体效应会改变晶体管的阈值电压。
3、带有源极负反馈的共源极放大电路相对于基本共源极电路有什么优点？
解：由带有源极负反馈的共源极放大电路的等效跨导表达式得，若R S >>1/g m ，则G m ≈1/R S ，所以漏电流
是输入电压的线性函数。
所以相对于基本共源极电路，带有源极负反馈的共源极放大电路具有更好的线性。
4. 在传输电流为零的情况下，MOS 器件也可能导通么？说明理由。
解：可能。
当)(2TH GS DS V V V -<<时，器件工作在深线性区，此时虽然足够的V GS 可以满足器件的导
通条件，但是V DS 很小，以至于没有传输电流 五．分析计算题（共34分）
（下列题目中使用教材表2.1所列的器件数据，所有器件尺寸都是有效值，单位均为微米。
） 1、（7分）假设λ=γ=0，计算图示电路的小信号增益（表达式）。
解：2
11
1m m D v g g R A +-
=
2、（9分）差动电路如图所示，I SS =1mA ，V DD =3V ，(W/L)1、2=(W/L)
3、4=50/0.5。
（1）假设γ=0，求差动电压增益；
（2）γ=0.45 V -1
时，如果I SS 上的压降至少为0.4V ，求最小的允许输入共模电平。
解：（1）I D =0.5mA ，g mN =3.66×10-3，r ON =2×104Ω，r OP =104
Ω，Av=-g mN (r ON || r OP )=-24.4 （2）V V V V F SB F TH TH 786.0)|9.0||4.09.0|(45.07.0)|2||2|(0=-++=-++=φφγ
V GS1=0.786+0.27=1.056V ， V in,CM =1.056+0.4=1.456V
3、（9分）(W/L)N =10/0.5，(W/L)P =10/0.5，I REF =100μA ，V DD =3V ，加到M 1、M 2栅极的输入共模电平等于
1.5V 。
（1）分别计算流过晶体管M 3、 M 4 、M 5、 M 6 、M 7的电流； （2）假设λ=0，分别计算γ=0和γ=0.45V -1
时P 点电位。
解：（1）I 3=I 4=50μA ，I 5=I 6=200μA ，I 7=500μA
（2）γ=0：V P =0.368V 后接=0.766V ，V P4=0.302…….
所以V P ≈0.302V
γ=0.45V -1
：V TH1（V P =0.368V ）=0.78V ，V P1=0.288V ；V TH2（V P1=0.288V ）=0.764V ，V P2=0.304；V TH3
（V P2=0.304V ）=0.767V ，V P3=0.301；V TH4（V P3=0.301V ）=0.766V ，V P4=0.302；V TH5（V P4=0.302V ）
4、（9分）画出下图共源极高频模型的小信号等效电路，并利用小信号模型精确推导系统的极点频率。
解：。