太阳能电池材料电子教案(非晶硅太阳电池的制备)
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2、了解p型窗口材料及其前后界面特性的改进过程
教学准备
教材教案教参
教学方法
探究式教学法
教
学
过
程
Ⅰ、课堂组织：2分钟
组织课堂纪律点名
Ⅱ、复习旧课，导入新课：4分钟
问题：1、以玻璃为衬底的非晶硅太阳电池的结构？吸光层？受光层？电极？
2、以不锈钢为衬底的非晶硅太阳电池的结构？吸光层？受光面？电极？
3、叠层电池各子电池的i层材料选择要求？
Ⅲ、讲授新课：80分钟
第六章非晶硅太阳电池材料
6.1.3非晶硅太阳电池的制备
一、pin集成型a-Si太阳电池
（一）制造工艺
清洗烘干玻璃衬底→生长Tco膜→激光切割Tco膜→依次生长pin非晶硅膜
→激光切割a-Si膜→Al电极→激光切割电极
1、Tco膜
（1）种类：ITO、SnO2、ZnO
6.2.1提高非晶硅太阳电池转换效率的技术措施
教学目的
1、掌握pin集成型太阳电池的制造工序
2、掌握PECVD法制非晶硅基薄膜材料的原理，了解其两种沉积方法
3、了解p型窗口材料及其前后界面特性的改进过程
教学重点
掌握pin集成型太阳电池的制造工序及进行切割的原因
教学难点
1、PECVD法制非晶硅薄膜材料的原理
（2）选择：玻璃衬底上电极用的是SnO2或SnO2/ZnO复合膜
不锈钢衬底上电极用的是ITO
(3)生长方法：ITO、ZnO—磁控测设法
SnO2—化学气相沉积法
2、a-Si基膜
（1）制法：PECVD法
（2）过程：SiH4等原料气→真空反应室→放电分解→在Tco膜玻璃衬底上沉积
（3）沉积系统：①单室②分室连续
（4）PECVD法优点：可以通过在SiH4中混入含不同杂质得到不同的基薄膜
6.2非晶硅太阳电池的发展过程
6.2.1提高非晶硅太阳电池转换效率的技术措施
一改进p型窗口材料及其前后界面特性
（一）p型窗口材料
p-a-Si:H→(SiH4:CH4:B2H6=1:1:0.01)p-a-SiC:H→B(CH3)3制得的p-a-Si:H→(uc-Si:H)→(uc-SiC:H)
4、提高非晶硅太阳电池转换效率的技术之一？
Ⅴ、布置作业：1分钟
1、Pin集成型a-Si太阳电池制造工艺？
2、常用Tco膜种类及生长方法？
3、PECVD法生长a-Si基膜的优点？
教学反思
教研组长签名教务科长签名
年月日
（二）界面特性
1、遂穿效应
改进：（1）材料：将p-uc-Sic:H改成复合材料
（2）保证Tco的表面清洁度
（3）减小生长p层时对Tco表面的轰击损伤
Ⅳ、归纳总结：3分钟
1、Pin集成型a-Si太阳电池制造工艺？3次切割的原因？
2、Tco膜常用的有哪些？
3、PECVD法生长a-Si基膜的过程、沉积系统、优点？
教学准备
教材教案教参
教学方法
探究式教学法
教
学
过
程
Ⅰ、课堂组织：2分钟
组织课堂纪律点名
Ⅱ、复习旧课，导入新课：4分钟
问题：1、以玻璃为衬底的非晶硅太阳电池的结构？吸光层？受光层？电极？
2、以不锈钢为衬底的非晶硅太阳电池的结构？吸光层？受光面？电极？
3、叠层电池各子电池的i层材料选择要求？
Ⅲ、讲授新课：80分钟
第六章非晶硅太阳电池材料
6.1.3非晶硅太阳电池的制备
一、pin集成型a-Si太阳电池
（一）制造工艺
清洗烘干玻璃衬底→生长Tco膜→激光切割Tco膜→依次生长pin非晶硅膜
→激光切割a-Si膜→Al电极→激光切割电极
1、Tco膜
（1）种类：ITO、SnO2、ZnO
6.2.1提高非晶硅太阳电池转换效率的技术措施
教学目的
1、掌握pin集成型太阳电池的制造工序
2、掌握PECVD法制非晶硅基薄膜材料的原理，了解其两种沉积方法
3、了解p型窗口材料及其前后界面特性的改进过程
教学重点
掌握pin集成型太阳电池的制造工序及进行切割的原因
教学难点
1、PECVD法制非晶硅薄膜材料的原理
（2）选择：玻璃衬底上电极用的是SnO2或SnO2/ZnO复合膜
不锈钢衬底上电极用的是ITO
(3)生长方法：ITO、ZnO—磁控测设法
SnO2—化学气相沉积法
2、a-Si基膜
（1）制法：PECVD法
（2）过程：SiH4等原料气→真空反应室→放电分解→在Tco膜玻璃衬底上沉积
（3）沉积系统：①单室②分室连续
（4）PECVD法优点：可以通过在SiH4中混入含不同杂质得到不同的基薄膜
6.2非晶硅太阳电池的发展过程
6.2.1提高非晶硅太阳电池转换效率的技术措施
一改进p型窗口材料及其前后界面特性
（一）p型窗口材料
p-a-Si:H→(SiH4:CH4:B2H6=1:1:0.01)p-a-SiC:H→B(CH3)3制得的p-a-Si:H→(uc-Si:H)→(uc-SiC:H)
4、提高非晶硅太阳电池转换效率的技术之一？
Ⅴ、布置作业：1分钟
1、Pin集成型a-Si太阳电池制造工艺？
2、常用Tco膜种类及生长方法？
3、PECVD法生长a-Si基膜的优点？
教学反思
教研组长签名教务科长签名
年月日
（二）界面特性
1、遂穿效应
改进：（1）材料：将p-uc-Sic:H改成复合材料
（2）保证Tco的表面清洁度
（3）减小生长p层时对Tco表面的轰击损伤
Ⅳ、归纳总结：3分钟
1、Pin集成型a-Si太阳电池制造工艺？3次切割的原因？
2、Tco膜常用的有哪些？
3、PECVD法生长a-Si基膜的过程、沉积系统、优点？