第七章:存储系统
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第七章:存储系统
一、选择题
1、外存储器与内存储器相比,外存储器( 速度慢,容量大,成本低)。
2、EPROM是指(光擦除可编程只读存储器)。
3、没有外存储器的计算机初始引导程序可以放在(ROM ) 。
4、存储单元是指(存放一个机器字的所有存贮元集合)。
5、主存储器是计算机系统中的记忆设备,它主要用来(存放数据和程序)。
6、软磁盘、硬磁盘、磁带机、光盘属于(外存储器)设备。
7、主存贮器和CPU之间增加cache的目的是(解决CPU和主存之间的速度匹配问题)。
8、采用虚拟存贮器的主要目的是(扩大主存贮器的存贮空间,并能进行自动管理和调度)。
9、单片机或单板机要扩展8K的EPROM需要(13)条地址线。
10、假设V1和V2是用DW定义的变量,下列指令中正确的是( A )。
A、MOV V1,20H
B、MOV AL,V1
C、MOV V1,V2
D、MOV 2000H,V2
11.下列( A )指令不合法。
A、IN AX,0278H
B、RCR DX,CL
C、CMPSB
D、RET 4
12.为了使MOV AX,VAR指令执行后,AX寄存器中的内容为4142H,数据定义(C )是错误的。A、VAR DW 4142H B、
VAR DW 16706
C、VAR DB 42H,41H
D、VAR DW,‘AB’
13.在下列指令中,隐含使用AL寄存器的指令有(4)条。SCASB;XLAT;MOVSB;DAA;NOP;MUL BH;
14.下列描述不正确的是( A )。
A.汇编语言即是机器语言
B.汇编语言程序不可直接运行
C.汇编语言的指令语句与机器指令一一对应
D.汇编语言程序运行速度快,阅读方便,但仍属于面向机器的程序设计语言
15.下列描述正确的是( B )。
A.汇编语言是由若干条指令语句构成
B.汇编语言包括指令语句和伪指令语句
C.指令语句和伪指令语句的格式是完全相同的
D.指令语句和伪指令语句需经汇编语言翻译成机器代码后才能运行
16.汇编语言程序经汇编后不能直接生成( A )。
A、.exe文件
B、.crf文件
C、.obj文件
D、.lst文件
17.下列标识符定义正确的是(B )。
A、9APPLE
B、APPLE@9
C、APPLE 9
D、APPLE.9
18.设8086CPU的(SS)=1178H,(SP)=0008H,(AX)=1234H,当执行一条PUSH AX指令时,(SS)=( A )。
A、1178H
B、1186H
C、114EH
D、1158H
19.下列指令合法的是( D )。
A、ADD CS,BX
B、MOV 45H,AX
C、SUB[AX],[57H]
D、MOV SI,[SI]
20.下列指令中正确的是(B )。
A、XCHG AL,BX
B、XCHG CL,DH
C、XCHG 12H,[SI]
D、XCHG AX, BYTE PTR[DI]
21.假设VAR为变量,指令MOV AX,OFFSET VAR的源操作数的寻址方式是(立即寻址)。
22.假设(AL)=74H,(CH)=38H,依次进行SUB AL,CH指令和DAS指令后,AL的值是(36H)。
23.半导体动态随机存储器需要每隔(1ms~2ms)对其刷新一次。
24.半导体EEPROM写入的内容,可以通过(紫外线照射)擦除。
25.半导体EPROM写入的内容,可以通过(电信号)擦除。
26. HM6116 芯片地址线及数据线为(11条地址线;8条数据线).
27.Intel 2164A 芯片地址线及数线为(8条地址线;1条数据线).
28.Intel 2732A芯片地址线及数据线为(12余地址线;8条数据线).
29.存储器系统中,通常SRAM芯片所用控制信号有(B )。
A. CE、OE、READY
B. CE、OE、WE
C. CE、OE、ALE
D. CE、OE
30.当内存储器系统中内存储器芯片较少时,其片选信号可以采用(D )。
A. 74LS 138 B.74LS 245 C.74LS 244 D. 与门
31. 对于EPROM而言,只有( A )信号同时有效时才能输出所需要的数据。
A. CE、OE B.CE、WE
C. OE、WE
D. OE、RD
32.8086系统中若访问奇存储体的一个字节单元,则此时BHE与0A是(B )状态。 A. 1,0 B. 0,1 C.0,0 D. 1,1
33. 用74LS 373作为8086微处理器最小方式地址锁存器时,其芯片两个控制信号G和OE应该分别与微处理器的(A )相连。
A. ALE;接地B.接地;ALE C.ALE;RESET D. ALE;DEN
34.8086微处理器工作于最小方式下的总线收发器74LS 245,其控制信号G 和RD分别与微处理器(A )信号相连。
DT B.DEN;ALE C.DEN;WE D.
A. DEN;R/
DEN;RD
35.具有电可擦除的只读存储器是(D )
A. PROM
B. KEPROM C.EPROM D. EEPROM 36.具有易失性的半导体存储器是(B )。
A. NVRAM B.DRAM C. PROM D. EEPROM
37. 通过紫外线照射即可擦除全部存储信息的芯片有(A )。
A. Intel 2716
B. Intel 2164A
C. Intel 6116
D. Intel 2817 38.Intel 2164A芯片的地址分为行和列地址线。分时使用,所以有