两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀

两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀
 在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。

干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应（或这两种反应），从而去掉曝露的表面材料。

干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最重要方法。

而在湿法腐蚀中，液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面的材料。

湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下（大于3微米）。

湿法腐蚀仍然用来腐蚀硅片上某些层或用来去除干法刻蚀后的残留物。

 干法刻蚀也可以根据被刻蚀的材料类型来分类。

按材料来分，刻蚀主要分成三种：金属刻蚀、介质刻蚀、和硅刻蚀。

介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如二氧化硅。

接触孔和通孔结构的制作需要刻蚀介质，从而在ILD中刻蚀出窗口，而具有高深宽比（窗口的深与宽的比值）的窗口刻蚀具有一定的挑战性。

硅刻蚀（包括多晶硅）应用于需要去除硅的场合，如刻蚀多晶硅晶体管栅和硅槽电容。

金属刻蚀主要是在金属层上去掉铝合金复合层，制作出互连线。

 刻蚀也可以分成有图形刻蚀和无图形刻蚀。

有图形刻蚀采用掩蔽层（有图形的光刻胶）来定义要刻蚀掉的表面材料区域，只有硅片上被选择的这一部分在刻蚀过程中刻掉。

有图形刻蚀可用来在硅片上制作多种不同的特征图形，。